JPH11274355A - 放熱板付きプラスチックパッケージ - Google Patents
放熱板付きプラスチックパッケージInfo
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- JPH11274355A JPH11274355A JP10069657A JP6965798A JPH11274355A JP H11274355 A JPH11274355 A JP H11274355A JP 10069657 A JP10069657 A JP 10069657A JP 6965798 A JP6965798 A JP 6965798A JP H11274355 A JPH11274355 A JP H11274355A
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- plastic package
- based metal
- heat
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/551—Materials of bond wires
- H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
- H10W72/5522—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising gold [Au]
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- H—ELECTRICITY
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 放熱板やプラスチック基板３１に損傷が生じ
易く、あるいはＳｉチップ３５の表面に割れが発生し易
く、かつ放熱板の放熱性能を確保することが困難であっ
た。 【解決手段】 Ｓｉチップ３５を収容するキャビティ３
１ｂが形成されたプラスチック基板３１と、プラスチッ
ク基板３１に貼り付けられた放熱板１３とを備えた放熱
板付きプラスチックパッケージ１０において、ヤング率
が１５０００ｋｇ／ｍｍ2 以上であり、かつ熱伝導率が
１００Ｗ／ｍＫ以上である材料を用いて放熱板１３を形
成する。
易く、あるいはＳｉチップ３５の表面に割れが発生し易
く、かつ放熱板の放熱性能を確保することが困難であっ
た。 【解決手段】 Ｓｉチップ３５を収容するキャビティ３
１ｂが形成されたプラスチック基板３１と、プラスチッ
ク基板３１に貼り付けられた放熱板１３とを備えた放熱
板付きプラスチックパッケージ１０において、ヤング率
が１５０００ｋｇ／ｍｍ2 以上であり、かつ熱伝導率が
１００Ｗ／ｍＫ以上である材料を用いて放熱板１３を形
成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は放熱板付きプラスチ
ックパッケージに関し、より詳細にはキャビティダウン
ＢＧＡ（Ball Grid Array)タイプの放熱板付きプラスチ
ックパッケージに関する。
ックパッケージに関し、より詳細にはキャビティダウン
ＢＧＡ（Ball Grid Array)タイプの放熱板付きプラスチ
ックパッケージに関する。
【０００２】
【従来の技術】キャビティダウンＢＧＡタイプの放熱板
付きプラスチックパッケージには種々のものが開発され
ている。図６は従来のこの種放熱板付きプラスチックパ
ッケージを摸式的に示した断面図であり、図中３１はプ
ラスチック基板を示している。プラスチック基板３１は
ＢＴ（Bismaleimide Triazine)樹脂、ポリイミド樹脂等
を用いて略直方体板形状に形成され、その表面３１ａに
はＣｕ箔をパターニングして形成されたプリント配線
（共に図示せず）が貼着されている。プラスチック基板
３１はスルーホールを設けた多層構造のものでもよい。
このプリント配線の所定箇所には複数個のパッド３２ａ
が形成され、各パッド３２ａには略球形状の半田ボール
３２がそれぞれ取り付けられている。一方、プラスチッ
ク基板３１の裏面３１ｃには接着層３４ａを介して放熱
板３３が取り付けられ、放熱板３３はヤング率が１００
００〜１２０００ｋｇ／ｍｍ2 、熱伝導率が２５０〜３
９０Ｗ／ｍＫのＣｕ系金属（純Ｃｕ、Ｃｕ−３％Ｆｅ合
金等）を用い、厚さがｔの略直方体板形状に成形されて
いる。またプラスチック基板３１の略中央部には平面視
略正方形形状のキャビティ３１ｂが形成され、キャビテ
ィ３１ｂ内の所定箇所には略正方形板状のシリコン（以
下、Ｓｉと記す）チップ３５が配設されており、Ｓｉチ
ップ３５は絶縁層及びＡｇ層とからなる層３４ｂを介し
て放熱板３３に貼り付けられている。またＳｉチップ表
面３５ｂの端子３５ａとプリント配線の端子３１ｄとは
Ａｕワイヤ３６を介して接続され、またキャビティ３１
ｂ内にはＳｉチップ３５、Ａｕワイヤ３６を覆う態様で
モールド樹脂３７が充填されている。これらプラスチッ
ク基板３１、キャビティ３１ｂ、放熱板３３等を含んで
キャビティダウンＢＧＡタイプの放熱板付きプラスチッ
クパッケージ３０が構成されている。
付きプラスチックパッケージには種々のものが開発され
ている。図６は従来のこの種放熱板付きプラスチックパ
ッケージを摸式的に示した断面図であり、図中３１はプ
ラスチック基板を示している。プラスチック基板３１は
ＢＴ（Bismaleimide Triazine)樹脂、ポリイミド樹脂等
を用いて略直方体板形状に形成され、その表面３１ａに
はＣｕ箔をパターニングして形成されたプリント配線
（共に図示せず）が貼着されている。プラスチック基板
３１はスルーホールを設けた多層構造のものでもよい。
このプリント配線の所定箇所には複数個のパッド３２ａ
が形成され、各パッド３２ａには略球形状の半田ボール
３２がそれぞれ取り付けられている。一方、プラスチッ
ク基板３１の裏面３１ｃには接着層３４ａを介して放熱
板３３が取り付けられ、放熱板３３はヤング率が１００
００〜１２０００ｋｇ／ｍｍ2 、熱伝導率が２５０〜３
９０Ｗ／ｍＫのＣｕ系金属（純Ｃｕ、Ｃｕ−３％Ｆｅ合
金等）を用い、厚さがｔの略直方体板形状に成形されて
いる。またプラスチック基板３１の略中央部には平面視
略正方形形状のキャビティ３１ｂが形成され、キャビテ
ィ３１ｂ内の所定箇所には略正方形板状のシリコン（以
下、Ｓｉと記す）チップ３５が配設されており、Ｓｉチ
ップ３５は絶縁層及びＡｇ層とからなる層３４ｂを介し
て放熱板３３に貼り付けられている。またＳｉチップ表
面３５ｂの端子３５ａとプリント配線の端子３１ｄとは
Ａｕワイヤ３６を介して接続され、またキャビティ３１
ｂ内にはＳｉチップ３５、Ａｕワイヤ３６を覆う態様で
モールド樹脂３７が充填されている。これらプラスチッ
ク基板３１、キャビティ３１ｂ、放熱板３３等を含んで
キャビティダウンＢＧＡタイプの放熱板付きプラスチッ
クパッケージ３０が構成されている。
【０００３】このように構成された放熱板付きプラスチ
ックパッケージ３０を製造する場合、プラスチック基板
３１の表面３１ａに貼着したＣｕ箔にフォトレジスト技
術、エッチング技術等を用いてパターニングし、メッキ
技術等を用いてプリント配線を形成した後、プラスチッ
ク基板３１の略中央部にキャビティ３１ｂを形成する。
次にプラスチック基板３１の裏面３１ｃに接着層３４ａ
を介して放熱板３３を貼り付けた後、プリント配線のパ
ッド３２ａに半田ボール３２を取り付ける。次に図７
（ａ）に示したように、絶縁層（図示せず）上に熱硬化
性のＡｇペースト３４ｃを塗布し、Ｓｉチップ３５を仮
付けする。そしてこれらに所定温度Ｔの加熱処理を施
し、絶縁ペースト３４ｃに硬化反応を起こさせると、放
熱板３３上にＳｉチップ３５が貼着させられる（図７
（ｂ））。この後、Ａｕワイヤ３６を用いたワイヤボン
ディング技術により端子３１ｄ、３５ａ間を接続し、モ
ールド樹脂３７を充填すると、放熱板付きプラスチック
パッケージ３０にＳｉチップ３５が実装される。
ックパッケージ３０を製造する場合、プラスチック基板
３１の表面３１ａに貼着したＣｕ箔にフォトレジスト技
術、エッチング技術等を用いてパターニングし、メッキ
技術等を用いてプリント配線を形成した後、プラスチッ
ク基板３１の略中央部にキャビティ３１ｂを形成する。
次にプラスチック基板３１の裏面３１ｃに接着層３４ａ
を介して放熱板３３を貼り付けた後、プリント配線のパ
ッド３２ａに半田ボール３２を取り付ける。次に図７
（ａ）に示したように、絶縁層（図示せず）上に熱硬化
性のＡｇペースト３４ｃを塗布し、Ｓｉチップ３５を仮
付けする。そしてこれらに所定温度Ｔの加熱処理を施
し、絶縁ペースト３４ｃに硬化反応を起こさせると、放
熱板３３上にＳｉチップ３５が貼着させられる（図７
（ｂ））。この後、Ａｕワイヤ３６を用いたワイヤボン
ディング技術により端子３１ｄ、３５ａ間を接続し、モ
ールド樹脂３７を充填すると、放熱板付きプラスチック
パッケージ３０にＳｉチップ３５が実装される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記した放熱板付きプ
ラスチックパッケージ３０においては、Ｓｉチップ３５
に比べて放熱板３３の熱膨張係数が大きいので、加熱処
理を施した後に常温まで冷却する際、放熱板３３が比較
的大幅に収縮し、図７（ｂ）に示したようにＳｉチップ
表面３５ｂに矢印Ａ方向の曲げ応力が生じ、割れ３８が
発生し易い（割れ発生率が約３〜５％）という課題があ
った。
ラスチックパッケージ３０においては、Ｓｉチップ３５
に比べて放熱板３３の熱膨張係数が大きいので、加熱処
理を施した後に常温まで冷却する際、放熱板３３が比較
的大幅に収縮し、図７（ｂ）に示したようにＳｉチップ
表面３５ｂに矢印Ａ方向の曲げ応力が生じ、割れ３８が
発生し易い（割れ発生率が約３〜５％）という課題があ
った。
【０００５】また図示しないが、この放熱板がＳｉチッ
プ３５と略同様の熱膨張係数を有する材料を用いて形成
されたものでは、Ｓｉチップ表面３５ｂに割れが発生す
るのは防止し得る一方、プラスチック基板３１と前記放
熱板との熱膨張係数差が大きく、これらの間に熱応力が
生じ易くなるので、前記放熱板やプラスチック基板３１
に損傷が発生するおそれがあるという課題があった。
プ３５と略同様の熱膨張係数を有する材料を用いて形成
されたものでは、Ｓｉチップ表面３５ｂに割れが発生す
るのは防止し得る一方、プラスチック基板３１と前記放
熱板との熱膨張係数差が大きく、これらの間に熱応力が
生じ易くなるので、前記放熱板やプラスチック基板３１
に損傷が発生するおそれがあるという課題があった。
【０００６】本発明は上記課題に鑑みなされたものであ
り、放熱板の放熱性能を確保すると共に、放熱板やプラ
スチック基板に損傷が生じるのを抑制することができ、
かつＳｉチップの表面に割れが発生するのを確実に防止
することができる放熱板付きプラスチックパッケージを
提供することを目的としている。
り、放熱板の放熱性能を確保すると共に、放熱板やプラ
スチック基板に損傷が生じるのを抑制することができ、
かつＳｉチップの表面に割れが発生するのを確実に防止
することができる放熱板付きプラスチックパッケージを
提供することを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段及びその効果】図４はＡｇ
ペースト３４ｃを介して放熱板に仮付けされたＳｉチッ
プ３５（共に図７）に所定温度Ｔ（Ｔ＝１５０℃）の加
熱処理を施した後、常温まで冷却した際、Ｓｉチップ３
５にかかる曲げ応力と、前記放熱板のヤング率との関係
をシミュレーションにより調査した結果を示した曲線図
である。図中縦軸はＳｉチップ３５にかかる曲げ応力を
示しており、この曲げ応力は、前記放熱板が純Ｃｕ材料
を用いて形成されている場合（Ｂ点）を１００％として
それぞれ相対的に表示している。図４から明らかなよう
に、ヤング率が１５０００ｋｇ／ｍｍ2 以上の材料を用
いた場合、前記放熱板が変形し難くなるので、Ｓｉチッ
プ３５にかかる曲げ応力を９０％以下に減少させ得るこ
ととなる。この結果、Ｓｉチップ３５における割れ発生
率は従来のものの場合と比較し、５０％以上削減するこ
とができる。
ペースト３４ｃを介して放熱板に仮付けされたＳｉチッ
プ３５（共に図７）に所定温度Ｔ（Ｔ＝１５０℃）の加
熱処理を施した後、常温まで冷却した際、Ｓｉチップ３
５にかかる曲げ応力と、前記放熱板のヤング率との関係
をシミュレーションにより調査した結果を示した曲線図
である。図中縦軸はＳｉチップ３５にかかる曲げ応力を
示しており、この曲げ応力は、前記放熱板が純Ｃｕ材料
を用いて形成されている場合（Ｂ点）を１００％として
それぞれ相対的に表示している。図４から明らかなよう
に、ヤング率が１５０００ｋｇ／ｍｍ2 以上の材料を用
いた場合、前記放熱板が変形し難くなるので、Ｓｉチッ
プ３５にかかる曲げ応力を９０％以下に減少させ得るこ
ととなる。この結果、Ｓｉチップ３５における割れ発生
率は従来のものの場合と比較し、５０％以上削減するこ
とができる。
【０００８】図５は熱抵抗Ｒと熱伝導率λとの関係をシ
ミュレーションにより調査した結果を示した曲線図であ
り、図中Ｃは前記放熱板が純Ｃｕ材料を用いて形成され
ている場合を示し、そのときの熱伝導率λは３９０Ｗ／
ｍＫ、熱抵抗Ｒは１４．７℃／Ｗである。一般的にヤン
グ率が高い材料では熱伝導率λが低くなり、したがって
熱抵抗は増大する。しかし図５から明らかなように、熱
伝導率λが１００Ｗ／ｍＫ以上の材料では熱抵抗Ｒを１
６．２℃／Ｗ（純Ｃｕの場合に比べて約１１％アップ程
度）以下に抑え込み得ることとなり、放熱性能を確保し
得ることとなる。
ミュレーションにより調査した結果を示した曲線図であ
り、図中Ｃは前記放熱板が純Ｃｕ材料を用いて形成され
ている場合を示し、そのときの熱伝導率λは３９０Ｗ／
ｍＫ、熱抵抗Ｒは１４．７℃／Ｗである。一般的にヤン
グ率が高い材料では熱伝導率λが低くなり、したがって
熱抵抗は増大する。しかし図５から明らかなように、熱
伝導率λが１００Ｗ／ｍＫ以上の材料では熱抵抗Ｒを１
６．２℃／Ｗ（純Ｃｕの場合に比べて約１１％アップ程
度）以下に抑え込み得ることとなり、放熱性能を確保し
得ることとなる。
【０００９】本発明者等は、上記したＳｉチップにかか
る曲げ応力と放熱板のヤング率との関係、熱抵抗率Ｒと
熱伝導率λとの関係等について研究を行った結果、ヤン
グ率が１５０００ｋｇ／ｍｍ2 以上、熱伝導率λが１０
０Ｗ／ｍＫ以上の材料を用いた放熱板では放熱性能を確
保しつつ、Ｓｉチップに割れが発生するのを防止し得る
こと、またＣｕ／Ｎｉ／Ｃｕ系、Ｃｕ／Ｆｅ／Ｃｕ系、
Ｃｕ／Ｍｏ／Ｃｕ系、Ｎｉ／Ｃｕ／Ｎｉ系クラッド材や
ロー付け接合材は前記諸特性（ヤング率、熱伝導率）に
優れていることを知見し、本発明を完成するに至った。
る曲げ応力と放熱板のヤング率との関係、熱抵抗率Ｒと
熱伝導率λとの関係等について研究を行った結果、ヤン
グ率が１５０００ｋｇ／ｍｍ2 以上、熱伝導率λが１０
０Ｗ／ｍＫ以上の材料を用いた放熱板では放熱性能を確
保しつつ、Ｓｉチップに割れが発生するのを防止し得る
こと、またＣｕ／Ｎｉ／Ｃｕ系、Ｃｕ／Ｆｅ／Ｃｕ系、
Ｃｕ／Ｍｏ／Ｃｕ系、Ｎｉ／Ｃｕ／Ｎｉ系クラッド材や
ロー付け接合材は前記諸特性（ヤング率、熱伝導率）に
優れていることを知見し、本発明を完成するに至った。
【００１０】すなわち、本発明に係る放熱板付きプラス
チックパッケージは、Ｓｉチップを収容するキャビティ
が形成されたプラスチック基板と、該プラスチック基板
に貼り付けられた放熱板とを備えた放熱板付きプラスチ
ックパッケージにおいて、ヤング率が１５０００ｋｇ／
ｍｍ2 以上であり、かつ熱伝導率が１００Ｗ／ｍＫ以上
である材料を用いて前記放熱板が形成されていることを
特徴としている（１）。
チックパッケージは、Ｓｉチップを収容するキャビティ
が形成されたプラスチック基板と、該プラスチック基板
に貼り付けられた放熱板とを備えた放熱板付きプラスチ
ックパッケージにおいて、ヤング率が１５０００ｋｇ／
ｍｍ2 以上であり、かつ熱伝導率が１００Ｗ／ｍＫ以上
である材料を用いて前記放熱板が形成されていることを
特徴としている（１）。
【００１１】上記した放熱板付きプラスチックパッケー
ジ（１）によれば、ヤング率が１５０００ｋｇ／ｍｍ2
以上である材料を用いて前記放熱板が形成されており、
加熱処理後の冷却工程中においても前記放熱板が変形し
難いので、前記Ｓｉチップにかかる曲げ応力を大幅に減
少させることができ、この結果、該Ｓｉチップの表面に
割れが発生するのを確実に防止することができる。また
熱伝導率が１００Ｗ／ｍＫ以上である材料を用いて前記
放熱板が形成されているので、熱抵抗Ｒを低く抑えるこ
とができ、前記放熱板の放熱性能を確実に確保すること
ができる。また前記プラスチック基板を前記放熱板と略
同様の熱膨張係数を有する材料を用いて形成することが
可能であり、熱応力が生じ難いので、前記放熱板や前記
プラスチック基板に損傷が発生するのを阻止することが
できる。
ジ（１）によれば、ヤング率が１５０００ｋｇ／ｍｍ2
以上である材料を用いて前記放熱板が形成されており、
加熱処理後の冷却工程中においても前記放熱板が変形し
難いので、前記Ｓｉチップにかかる曲げ応力を大幅に減
少させることができ、この結果、該Ｓｉチップの表面に
割れが発生するのを確実に防止することができる。また
熱伝導率が１００Ｗ／ｍＫ以上である材料を用いて前記
放熱板が形成されているので、熱抵抗Ｒを低く抑えるこ
とができ、前記放熱板の放熱性能を確実に確保すること
ができる。また前記プラスチック基板を前記放熱板と略
同様の熱膨張係数を有する材料を用いて形成することが
可能であり、熱応力が生じ難いので、前記放熱板や前記
プラスチック基板に損傷が発生するのを阻止することが
できる。
【００１２】また本発明に係る放熱板付きプラスチック
パッケージは、放熱板付きプラスチックパッケージ
（１）において、前記放熱板がＣｕ／Ｎｉ／Ｃｕ系、Ｃ
ｕ／Ｆｅ／Ｃｕ系、Ｃｕ／Ｍｏ／Ｃｕ系、またはＮｉ／
Ｃｕ／Ｎｉ系金属板のクラッド材、またはロー付け接合
材からなることを特徴としている（２）。
パッケージは、放熱板付きプラスチックパッケージ
（１）において、前記放熱板がＣｕ／Ｎｉ／Ｃｕ系、Ｃ
ｕ／Ｆｅ／Ｃｕ系、Ｃｕ／Ｍｏ／Ｃｕ系、またはＮｉ／
Ｃｕ／Ｎｉ系金属板のクラッド材、またはロー付け接合
材からなることを特徴としている（２）。
【００１３】上記した放熱板付きプラスチックパッケー
ジ（２）によれば、前記放熱板がＣｕ／Ｎｉ／Ｃｕ系、
Ｃｕ／Ｆｅ／Ｃｕ系、Ｃｕ／Ｍｏ／Ｃｕ系、またはＮｉ
／Ｃｕ／Ｎｉ系金属板のクラッド材、またはロー付け接
合材からなっており、熱伝導率が比較的に大きいＣｕ系
金属板と、ヤング率が比較的に大きいＮｉ系、Ｆｅ系、
またはＭｏ系金属板とが交互に積層・接合されているの
で、これらの金属板の厚さ、積層数、圧延率等を調整す
ることにより、前記放熱板のヤング率を１５０００ｋｇ
／ｍｍ2 以上、かつ熱伝導率を１００Ｗ／ｍＫ以上に確
実に設定することができる。また前記放熱板がＮｉ／Ｃ
ｕ／Ｎｉ系金属板のクラッド材からなる場合には、前記
放熱板の外表面にＮｉメッキを施す必要がなくなり、メ
ッキ処理の手間を省くことができる。またロー付け接合
材の場合、前記各金属板がロー付けにより貼り合わせら
れており、前記クラッド材に比べて各層の厚さが均一で
あるので、貼り合わせた後の曲げ歪みを一層少なくする
ことができる。
ジ（２）によれば、前記放熱板がＣｕ／Ｎｉ／Ｃｕ系、
Ｃｕ／Ｆｅ／Ｃｕ系、Ｃｕ／Ｍｏ／Ｃｕ系、またはＮｉ
／Ｃｕ／Ｎｉ系金属板のクラッド材、またはロー付け接
合材からなっており、熱伝導率が比較的に大きいＣｕ系
金属板と、ヤング率が比較的に大きいＮｉ系、Ｆｅ系、
またはＭｏ系金属板とが交互に積層・接合されているの
で、これらの金属板の厚さ、積層数、圧延率等を調整す
ることにより、前記放熱板のヤング率を１５０００ｋｇ
／ｍｍ2 以上、かつ熱伝導率を１００Ｗ／ｍＫ以上に確
実に設定することができる。また前記放熱板がＮｉ／Ｃ
ｕ／Ｎｉ系金属板のクラッド材からなる場合には、前記
放熱板の外表面にＮｉメッキを施す必要がなくなり、メ
ッキ処理の手間を省くことができる。またロー付け接合
材の場合、前記各金属板がロー付けにより貼り合わせら
れており、前記クラッド材に比べて各層の厚さが均一で
あるので、貼り合わせた後の曲げ歪みを一層少なくする
ことができる。
【００１４】また本発明に係る放熱板付きプラスチック
パッケージは、放熱板付きプラスチックパッケージ
（２）において、前記クラッド材が、長軸方向に圧延さ
れた複数個の第１のＣｕ系金属板と複数個のＮｉ、Ｆｅ
またはＭｏ系金属板とを交互に積層・圧着した後、前記
長軸方向に沿ってスライスしてスライス体を形成する工
程と、該スライス体のスライス面に第２のＣｕ系金属板
を貼り付けてＣｕ貼りパック材を形成する工程と、該Ｃ
ｕ貼りパック材を前記スライス面に沿って前記長軸方向
に圧延し、該長軸と直交する方向に切断して定尺パック
材を形成する工程と、該定尺パック材を交互に直交する
ように積層した後に所定方向に圧延する工程とを含んで
製造されたものであることを特徴としている（３）。
パッケージは、放熱板付きプラスチックパッケージ
（２）において、前記クラッド材が、長軸方向に圧延さ
れた複数個の第１のＣｕ系金属板と複数個のＮｉ、Ｆｅ
またはＭｏ系金属板とを交互に積層・圧着した後、前記
長軸方向に沿ってスライスしてスライス体を形成する工
程と、該スライス体のスライス面に第２のＣｕ系金属板
を貼り付けてＣｕ貼りパック材を形成する工程と、該Ｃ
ｕ貼りパック材を前記スライス面に沿って前記長軸方向
に圧延し、該長軸と直交する方向に切断して定尺パック
材を形成する工程と、該定尺パック材を交互に直交する
ように積層した後に所定方向に圧延する工程とを含んで
製造されたものであることを特徴としている（３）。
【００１５】上記した放熱板付きプラスチックパッケー
ジ（３）によれば、前記クラッド材が、長軸方向に圧延
された複数個の第１のＣｕ系金属板と複数個のＮｉ、Ｆ
ｅまたはＭｏ系金属板とを交互に積層・圧着した後、前
記長軸方向に沿ってスライスしてスライス体を形成する
工程と、該スライス体のスライス面に第２のＣｕ系金属
板を貼り付けてＣｕ貼りパック材を形成する工程と、該
Ｃｕ貼りパック材を前記スライス面に沿って前記長軸方
向に圧延し、該長軸と直交する方向に切断して定尺パッ
ク材を形成する工程と、該定尺パック材を交互に直交す
るように積層した後に所定方向に圧延する工程とを含ん
で製造されたものであり、前記第１のＣｕ系金属板は前
記第２のＣｕ系金属板を介して連続的に接続されるの
で、前記Ｓｉチップより発生した熱を一層確実に外方へ
放散させることができる。またヤング率が高く、かつ圧
延方向の異なる前記Ｎｉ、ＦｅまたはＭｏ系金属板によ
り前記第１及び第２のＣｕ系金属板が挟まれ・補強され
ているので、前記放熱板の剛性を一層高めることができ
る。
ジ（３）によれば、前記クラッド材が、長軸方向に圧延
された複数個の第１のＣｕ系金属板と複数個のＮｉ、Ｆ
ｅまたはＭｏ系金属板とを交互に積層・圧着した後、前
記長軸方向に沿ってスライスしてスライス体を形成する
工程と、該スライス体のスライス面に第２のＣｕ系金属
板を貼り付けてＣｕ貼りパック材を形成する工程と、該
Ｃｕ貼りパック材を前記スライス面に沿って前記長軸方
向に圧延し、該長軸と直交する方向に切断して定尺パッ
ク材を形成する工程と、該定尺パック材を交互に直交す
るように積層した後に所定方向に圧延する工程とを含ん
で製造されたものであり、前記第１のＣｕ系金属板は前
記第２のＣｕ系金属板を介して連続的に接続されるの
で、前記Ｓｉチップより発生した熱を一層確実に外方へ
放散させることができる。またヤング率が高く、かつ圧
延方向の異なる前記Ｎｉ、ＦｅまたはＭｏ系金属板によ
り前記第１及び第２のＣｕ系金属板が挟まれ・補強され
ているので、前記放熱板の剛性を一層高めることができ
る。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る放熱板付きプ
ラスチックパッケージの実施の形態を図面に基づいて説
明する。なお、従来例と同一機能を有する構成部品には
同一の符号を付すこととする。図１は実施の形態（１）
に係る放熱板付きプラスチックパッケージを摸式的に示
した断面図であり、図２は実施の形態（１）に係る放熱
板付きプラスチックパッケージの主要部を概略的に示し
た斜視図である。図６に示したものと同様、プラスチッ
ク基板３１はＢＴ樹脂、ポリイミド樹脂等を用いて略直
方体板形状に形成されると共に、その表面３１ａにはＣ
ｕ箔をパターニングして形成されたプリント配線（共に
図示せず）が貼着されている。このプリント配線の所定
箇所には複数個のパッド３２ａが形成され、各パッド３
２ａには略球形状の半田ボール３２がそれぞれ取り付け
られている。一方、プラスチック基板３１の裏面３１ｃ
には接着層３４ａを介して放熱板１３が取り付けられて
おり、放熱板１３は略直方体板形状に形成され、１辺の
長さがＬに設定されている。この放熱板１３は厚さがｔ
1 のＮｉ系金属板１３ａ、厚さがｔ2 のＣｕ系金属板１
３ｂ、厚さがｔ3 のＮｉ系金属板１３ｃが積層・圧着さ
れたクラッド材を用いて形成されており、このクラッド
材のヤング率は１５０００ｋｇ／ｍｍ2 以上、熱伝導率
は１００Ｗ／ｍＫ以上に設定されている。またプラスチ
ック基板３１の略中央部には平面視略正方形形状のキャ
ビティ３１ｂが形成され、キャビティ３１ｂ内の所定箇
所には略正方形板状のＳｉチップ３５が配設されてお
り、Ｓｉチップ３５は放熱板１３の表面に形成された絶
縁層とＡｇペースト層とからなる接着層３４ｂを介して
放熱板１３に貼り付けられている。Ｓｉチップ表面３５
ｂの端子３５ａとプリント配線の端子３１ｄとはＡｕ等
のワイヤ３６を介して接続され、またキャビティ３１ｂ
内にはＳｉチップ３５、ワイヤ３６を覆う態様でモール
ド樹脂３７が充填されている。これら放熱板１３、プラ
スチック基板３１、キャビティ３１ｂ等を含んでキャビ
ティダウンＢＧＡタイプの放熱板付きプラスチックパッ
ケージ１０が構成されている。
ラスチックパッケージの実施の形態を図面に基づいて説
明する。なお、従来例と同一機能を有する構成部品には
同一の符号を付すこととする。図１は実施の形態（１）
に係る放熱板付きプラスチックパッケージを摸式的に示
した断面図であり、図２は実施の形態（１）に係る放熱
板付きプラスチックパッケージの主要部を概略的に示し
た斜視図である。図６に示したものと同様、プラスチッ
ク基板３１はＢＴ樹脂、ポリイミド樹脂等を用いて略直
方体板形状に形成されると共に、その表面３１ａにはＣ
ｕ箔をパターニングして形成されたプリント配線（共に
図示せず）が貼着されている。このプリント配線の所定
箇所には複数個のパッド３２ａが形成され、各パッド３
２ａには略球形状の半田ボール３２がそれぞれ取り付け
られている。一方、プラスチック基板３１の裏面３１ｃ
には接着層３４ａを介して放熱板１３が取り付けられて
おり、放熱板１３は略直方体板形状に形成され、１辺の
長さがＬに設定されている。この放熱板１３は厚さがｔ
1 のＮｉ系金属板１３ａ、厚さがｔ2 のＣｕ系金属板１
３ｂ、厚さがｔ3 のＮｉ系金属板１３ｃが積層・圧着さ
れたクラッド材を用いて形成されており、このクラッド
材のヤング率は１５０００ｋｇ／ｍｍ2 以上、熱伝導率
は１００Ｗ／ｍＫ以上に設定されている。またプラスチ
ック基板３１の略中央部には平面視略正方形形状のキャ
ビティ３１ｂが形成され、キャビティ３１ｂ内の所定箇
所には略正方形板状のＳｉチップ３５が配設されてお
り、Ｓｉチップ３５は放熱板１３の表面に形成された絶
縁層とＡｇペースト層とからなる接着層３４ｂを介して
放熱板１３に貼り付けられている。Ｓｉチップ表面３５
ｂの端子３５ａとプリント配線の端子３１ｄとはＡｕ等
のワイヤ３６を介して接続され、またキャビティ３１ｂ
内にはＳｉチップ３５、ワイヤ３６を覆う態様でモール
ド樹脂３７が充填されている。これら放熱板１３、プラ
スチック基板３１、キャビティ３１ｂ等を含んでキャビ
ティダウンＢＧＡタイプの放熱板付きプラスチックパッ
ケージ１０が構成されている。
【００１７】このように構成された放熱板付きプラスチ
ックパッケージ１０を製造する場合、プラスチック基板
３１の表面３１ａに貼着したＣｕ箔にフォトレジスト技
術、エッチング技術等を用いてパターニングし、メッキ
技術等を用いてプリント配線を形成した後、プラスチッ
ク基板３１の略中央部にキャビティ３１ｂを形成する。
次にプラスチック基板３１の裏面３１ｃに接着層３４ａ
を介して放熱板１３を貼り付けた後、このプリント配線
のパッド３２ａに半田ボール３２を取り付ける。また図
２に示したように、前記絶縁層に熱硬化性のＡｇペース
ト３４ｃを塗布し、Ｓｉチップ３５を仮付けする。次に
これらに所定温度Ｔの加熱処理を施し、Ａｇペースト３
４ｃに硬化反応を起こさせ、放熱板１３上にＳｉチップ
３５を貼着する。この後、Ａｕ等のワイヤ３６を用いた
ワイヤボンディング技術により端子３１ｄ、３５ａ間を
接続し、モールド樹脂３７を充填すると、放熱板付きプ
ラスチックパッケージ１０にＳｉチップ３５が実装され
る。
ックパッケージ１０を製造する場合、プラスチック基板
３１の表面３１ａに貼着したＣｕ箔にフォトレジスト技
術、エッチング技術等を用いてパターニングし、メッキ
技術等を用いてプリント配線を形成した後、プラスチッ
ク基板３１の略中央部にキャビティ３１ｂを形成する。
次にプラスチック基板３１の裏面３１ｃに接着層３４ａ
を介して放熱板１３を貼り付けた後、このプリント配線
のパッド３２ａに半田ボール３２を取り付ける。また図
２に示したように、前記絶縁層に熱硬化性のＡｇペース
ト３４ｃを塗布し、Ｓｉチップ３５を仮付けする。次に
これらに所定温度Ｔの加熱処理を施し、Ａｇペースト３
４ｃに硬化反応を起こさせ、放熱板１３上にＳｉチップ
３５を貼着する。この後、Ａｕ等のワイヤ３６を用いた
ワイヤボンディング技術により端子３１ｄ、３５ａ間を
接続し、モールド樹脂３７を充填すると、放熱板付きプ
ラスチックパッケージ１０にＳｉチップ３５が実装され
る。
【００１８】上記説明から明らかなように、実施の形態
（１）に係る放熱板付きプラスチックパッケージ１０で
は、ヤング率が１５０００ｋｇ／ｍｍ2 以上である材料
を用いて放熱板１３が形成されており、加熱処理後の冷
却工程中に放熱板１３が変形し難くなるので、Ｓｉチッ
プ３５にかかる曲げ応力を大幅に減少させることがで
き、この結果、Ｓｉチップ３５の表面３５ｂに割れが発
生するのを確実に防止することができる。また熱伝導率
が１００Ｗ／ｍＫ以上である材料を用いて放熱板１３が
形成されているので、熱抵抗Ｒを低く抑えることがで
き、放熱板の放熱性能を確保することができる。またプ
ラスチック基板３１は放熱板１３と略同様の熱膨張係数
を有する材料を用いて形成することが可能であり、熱応
力が生じ難いので、放熱板１３やプラスチック基板３１
に損傷が発生するのを阻止することができる。
（１）に係る放熱板付きプラスチックパッケージ１０で
は、ヤング率が１５０００ｋｇ／ｍｍ2 以上である材料
を用いて放熱板１３が形成されており、加熱処理後の冷
却工程中に放熱板１３が変形し難くなるので、Ｓｉチッ
プ３５にかかる曲げ応力を大幅に減少させることがで
き、この結果、Ｓｉチップ３５の表面３５ｂに割れが発
生するのを確実に防止することができる。また熱伝導率
が１００Ｗ／ｍＫ以上である材料を用いて放熱板１３が
形成されているので、熱抵抗Ｒを低く抑えることがで
き、放熱板の放熱性能を確保することができる。またプ
ラスチック基板３１は放熱板１３と略同様の熱膨張係数
を有する材料を用いて形成することが可能であり、熱応
力が生じ難いので、放熱板１３やプラスチック基板３１
に損傷が発生するのを阻止することができる。
【００１９】また、放熱板１３がＮｉ系金属板１３ａ／
Ｃｕ系金属板１３ｂ／Ｎｉ系金属板１３ｃのクラッド材
からなっており、熱伝導率が比較的に大きいＣｕ系金属
板１３ｂと、ヤング率が比較的に大きいＮｉ系金属板１
３ａ、１３ｃとが交互に積層・圧着されているので、Ｎ
ｉ系金属板１３ａ、１３ｃの厚さｔ1 、ｔ3 やＣｕ系金
属板１３ｃの厚さｔ2 、あるいはこれらの積層数、圧延
率等を調整することにより、放熱板１３のヤング率を１
５０００ｋｇ／ｍｍ2 以上、かつ熱伝導率を１００Ｗ／
ｍＫ以上に確実に設定することができる。また放熱板１
３の外表面がＮｉ系金属板１３ａにより構成されている
ので、従来防食のために施していたＮｉメッキ処理を省
略することができる。
Ｃｕ系金属板１３ｂ／Ｎｉ系金属板１３ｃのクラッド材
からなっており、熱伝導率が比較的に大きいＣｕ系金属
板１３ｂと、ヤング率が比較的に大きいＮｉ系金属板１
３ａ、１３ｃとが交互に積層・圧着されているので、Ｎ
ｉ系金属板１３ａ、１３ｃの厚さｔ1 、ｔ3 やＣｕ系金
属板１３ｃの厚さｔ2 、あるいはこれらの積層数、圧延
率等を調整することにより、放熱板１３のヤング率を１
５０００ｋｇ／ｍｍ2 以上、かつ熱伝導率を１００Ｗ／
ｍＫ以上に確実に設定することができる。また放熱板１
３の外表面がＮｉ系金属板１３ａにより構成されている
ので、従来防食のために施していたＮｉメッキ処理を省
略することができる。
【００２０】なお、実施の形態（１）に係る放熱板付き
プラスチックパッケージ１０では、放熱板１３がＮｉ系
金属板１３ａ／Ｃｕ系金属板１３ｂ／Ｎｉ系金属板１３
ｃのクラッド材からなる場合について説明したが、別の
実施の形態のものでは、放熱板がＣｕ／Ｎｉ／Ｃｕ系、
Ｃｕ／Ｆｅ／Ｃｕ系、またはＣｕ／Ｍｏ／Ｃｕ系金属板
のクラッド材からなっていてもよく、いずれのものであ
っても図１、図２に示した場合と略同様の効果を得るこ
とができる。
プラスチックパッケージ１０では、放熱板１３がＮｉ系
金属板１３ａ／Ｃｕ系金属板１３ｂ／Ｎｉ系金属板１３
ｃのクラッド材からなる場合について説明したが、別の
実施の形態のものでは、放熱板がＣｕ／Ｎｉ／Ｃｕ系、
Ｃｕ／Ｆｅ／Ｃｕ系、またはＣｕ／Ｍｏ／Ｃｕ系金属板
のクラッド材からなっていてもよく、いずれのものであ
っても図１、図２に示した場合と略同様の効果を得るこ
とができる。
【００２１】また、実施の形態（１）に係る放熱板付き
プラスチックパッケージ１０では、放熱板１３がＮｉ系
金属板１３ａ／Ｃｕ系金属板１３ｂ／Ｎｉ系金属板１３
ｃのクラッド材からなる場合について説明したが、別の
実施の形態のものでは、Ｎｉ系金属板１３ａ、Ｃｕ系金
属板１３ｂ、Ｎｉ系金属板１３ｃがＡｇロー材料を用い
て接合されたロー付け接合材であってもよい。この場
合、クラッド材に比べて各層の厚さが均一であるので、
貼り合わせた後の曲げ歪みを一層少なくすることができ
る。
プラスチックパッケージ１０では、放熱板１３がＮｉ系
金属板１３ａ／Ｃｕ系金属板１３ｂ／Ｎｉ系金属板１３
ｃのクラッド材からなる場合について説明したが、別の
実施の形態のものでは、Ｎｉ系金属板１３ａ、Ｃｕ系金
属板１３ｂ、Ｎｉ系金属板１３ｃがＡｇロー材料を用い
て接合されたロー付け接合材であってもよい。この場
合、クラッド材に比べて各層の厚さが均一であるので、
貼り合わせた後の曲げ歪みを一層少なくすることができ
る。
【００２２】図３は実施の形態（２）に係る放熱板付き
プラスチックパッケージの放熱板を概略的に示した部分
断面斜視図であり、図中２２は第１のＣｕ系金属板、２
３は例えばＮｉ系金属板をそれぞれ示している。長軸Ｄ
方向に圧延された複数個の第１のＣｕ系金属板２２及び
Ｎｉ系金属板２３は交互に積層・圧着された後、長軸Ｄ
方向に沿ってスライスされてスライス体２４が形成さ
れ、このスライス体２４のスライス面２４ａに第２のＣ
ｕ系金属板２５が貼り付けられてＣｕ貼りパック材２６
が形成されている。さらにこのＣｕ貼りパック材２６は
スライス面２４ａに沿って長軸Ｄ方向に圧延され、この
長軸Ｄと直交する方向に切断されて定尺パック材２７が
形成され、この定尺パック材２７が交互に直交するよう
に積層されると共に、この最外層にＣｕ系金属板２８が
積層されて所定方向に圧延されている。これら第１、第
２のＣｕ系金属板２２、２５、Ｎｉ系金属板２３等を含
んで放熱板２１が構成されている。その他の構成は図
１、図２に示したものと略同様であるので、ここではそ
の構成の詳細な説明は省略することとする。これら放熱
板２１等を含んで、実施の形態（２）に係る放熱板付き
プラスチックパッケージが構成されている。
プラスチックパッケージの放熱板を概略的に示した部分
断面斜視図であり、図中２２は第１のＣｕ系金属板、２
３は例えばＮｉ系金属板をそれぞれ示している。長軸Ｄ
方向に圧延された複数個の第１のＣｕ系金属板２２及び
Ｎｉ系金属板２３は交互に積層・圧着された後、長軸Ｄ
方向に沿ってスライスされてスライス体２４が形成さ
れ、このスライス体２４のスライス面２４ａに第２のＣ
ｕ系金属板２５が貼り付けられてＣｕ貼りパック材２６
が形成されている。さらにこのＣｕ貼りパック材２６は
スライス面２４ａに沿って長軸Ｄ方向に圧延され、この
長軸Ｄと直交する方向に切断されて定尺パック材２７が
形成され、この定尺パック材２７が交互に直交するよう
に積層されると共に、この最外層にＣｕ系金属板２８が
積層されて所定方向に圧延されている。これら第１、第
２のＣｕ系金属板２２、２５、Ｎｉ系金属板２３等を含
んで放熱板２１が構成されている。その他の構成は図
１、図２に示したものと略同様であるので、ここではそ
の構成の詳細な説明は省略することとする。これら放熱
板２１等を含んで、実施の形態（２）に係る放熱板付き
プラスチックパッケージが構成されている。
【００２３】上記説明から明らかなように、実施の形態
（２）に係る放熱板付きプラスチックパッケージでは、
放熱板２１を形成するクラッド材が、長軸Ｄ方向に圧延
された複数個の第１のＣｕ系金属板２２と複数個のＮｉ
系金属板２３とを交互に積層・圧着した後、長軸Ｄ方向
に沿ってスライスしてスライス体２４を形成する工程
と、スライス体２４のスライス面２４ａに第２のＣｕ系
金属板２５を貼り付けてＣｕ貼りパック材２６を形成す
る工程と、Ｃｕ貼りパック材２６をスライス面２４ａに
沿って長軸Ｄ方向に圧延し、長軸Ｄと直交する方向に切
断して定尺パック材２７を形成する工程と、定尺パック
材２７を交互に直交するように積層した後に所定方向に
圧延する工程とを含んで製造されたものであり、第１の
Ｃｕ系金属板２２は第２のＣｕ系金属板２５を介して連
続的に接続されるので、Ｓｉチップ３５（図１）より発
生した熱を一層確実に外方へ放散させることができる。
またヤング率が高く、圧延方向の異なるＮｉ系金属板２
３により第１及び第２のＣｕ系金属板２２、２５が挟ま
れて補強されているので、放熱板２１の剛性を一層高め
ることができる。
（２）に係る放熱板付きプラスチックパッケージでは、
放熱板２１を形成するクラッド材が、長軸Ｄ方向に圧延
された複数個の第１のＣｕ系金属板２２と複数個のＮｉ
系金属板２３とを交互に積層・圧着した後、長軸Ｄ方向
に沿ってスライスしてスライス体２４を形成する工程
と、スライス体２４のスライス面２４ａに第２のＣｕ系
金属板２５を貼り付けてＣｕ貼りパック材２６を形成す
る工程と、Ｃｕ貼りパック材２６をスライス面２４ａに
沿って長軸Ｄ方向に圧延し、長軸Ｄと直交する方向に切
断して定尺パック材２７を形成する工程と、定尺パック
材２７を交互に直交するように積層した後に所定方向に
圧延する工程とを含んで製造されたものであり、第１の
Ｃｕ系金属板２２は第２のＣｕ系金属板２５を介して連
続的に接続されるので、Ｓｉチップ３５（図１）より発
生した熱を一層確実に外方へ放散させることができる。
またヤング率が高く、圧延方向の異なるＮｉ系金属板２
３により第１及び第２のＣｕ系金属板２２、２５が挟ま
れて補強されているので、放熱板２１の剛性を一層高め
ることができる。
【００２４】なお、実施の形態（２）に係る放熱板付き
プラスチックパッケージでは、放熱板２１が第１、第２
のＣｕ系金属板２２、２５とＮｉ系金属板２３とを含ん
で構成されている場合について説明したが、別の実施の
形態のものでは、放熱板が第１、第２のＣｕ系金属板２
２、２５とＦｅ系またはＭｏ系金属板とを含んで構成さ
れたものであってもよい。
プラスチックパッケージでは、放熱板２１が第１、第２
のＣｕ系金属板２２、２５とＮｉ系金属板２３とを含ん
で構成されている場合について説明したが、別の実施の
形態のものでは、放熱板が第１、第２のＣｕ系金属板２
２、２５とＦｅ系またはＭｏ系金属板とを含んで構成さ
れたものであってもよい。
【００２５】また、実施の形態（１）、（２）に係る放
熱板付きプラスチックパッケージでは、いずれも放熱板
１３、２１の外形寸法がプラスチック基板３１と同様で
ある場合について説明したが、別の実施の形態のもので
はプラスチック基板３１よりも小さくてもよい。
熱板付きプラスチックパッケージでは、いずれも放熱板
１３、２１の外形寸法がプラスチック基板３１と同様で
ある場合について説明したが、別の実施の形態のもので
はプラスチック基板３１よりも小さくてもよい。
【００２６】
【実施例及び比較例】以下、実施例に係る放熱板付きプ
ラスチックパッケージに関し、チップ割れの発生率及び
放熱性能を調査した結果について説明する。実施例に係
る放熱板付きプラスチックパッケージとしては、図１に
示したものを用い、Ｎｉ系金属板１３ａ、１３ｃの厚さ
ｔ1 、ｔ3 は共に約６３μｍ、Ｃｕ系金属板１３ｂの厚
さは約１２７μｍ、一辺の長さＬは約３５ｍｍに設定さ
れたものを使用した。この放熱板１３におけるヤング率
は約１６０００ｋｇ／ｍｍ2、また熱伝導率は約２４０
Ｗ／ｍＫであった。なお比較例としては、図６に示した
ものを用い、放熱板３３は材料が純Ｃｕであり、厚さｔ
が約２５４μｍに設定されたもので実施した。
ラスチックパッケージに関し、チップ割れの発生率及び
放熱性能を調査した結果について説明する。実施例に係
る放熱板付きプラスチックパッケージとしては、図１に
示したものを用い、Ｎｉ系金属板１３ａ、１３ｃの厚さ
ｔ1 、ｔ3 は共に約６３μｍ、Ｃｕ系金属板１３ｂの厚
さは約１２７μｍ、一辺の長さＬは約３５ｍｍに設定さ
れたものを使用した。この放熱板１３におけるヤング率
は約１６０００ｋｇ／ｍｍ2、また熱伝導率は約２４０
Ｗ／ｍＫであった。なお比較例としては、図６に示した
ものを用い、放熱板３３は材料が純Ｃｕであり、厚さｔ
が約２５４μｍに設定されたもので実施した。
【００２７】サンプル５０個について調査した結果、比
較例のものでは５０個中２個にチップ割れが発生した
が、実施例に係るものではチップ割れをゼロにすること
ができ、かつ放熱性能を比較例のものと略同程度に確保
することができた。
較例のものでは５０個中２個にチップ割れが発生した
が、実施例に係るものではチップ割れをゼロにすること
ができ、かつ放熱性能を比較例のものと略同程度に確保
することができた。
【図１】本発明に係る放熱板付きプラスチックパッケー
ジの実施の形態（１）を摸式的に示した断面図である。
ジの実施の形態（１）を摸式的に示した断面図である。
【図２】実施の形態（１）に係る放熱板付きプラスチッ
クパッケージの主要部を概略的に示した斜視図である。
クパッケージの主要部を概略的に示した斜視図である。
【図３】実施の形態（２）に係る放熱板付きプラスチッ
クパッケージの放熱板を概略的に示した部分断面斜視図
である。
クパッケージの放熱板を概略的に示した部分断面斜視図
である。
【図４】絶縁ペーストを介してＳｉチップを放熱板に仮
付けし、所定温度Ｔが１５０℃の加熱処理を施して常温
まで冷却した際、Ｓｉチップにかかる曲げ応力と、放熱
板のヤング率との関係をシミュレーションにより調査し
た結果を示した曲線図であり、Ｓｉチップにかかる曲げ
応力は、放熱板が純Ｃｕ材料を用いて形成されている場
合（Ｂ点）を１００％としてそれぞれ相対的に表示して
いる。
付けし、所定温度Ｔが１５０℃の加熱処理を施して常温
まで冷却した際、Ｓｉチップにかかる曲げ応力と、放熱
板のヤング率との関係をシミュレーションにより調査し
た結果を示した曲線図であり、Ｓｉチップにかかる曲げ
応力は、放熱板が純Ｃｕ材料を用いて形成されている場
合（Ｂ点）を１００％としてそれぞれ相対的に表示して
いる。
【図５】熱抵抗Ｒと熱伝導率λとの関係をシミュレーシ
ョンにより調査した結果を示した曲線図であり、図中Ｃ
は前記放熱板が純Ｃｕ材料を用いて形成されている場合
を示している。
ョンにより調査した結果を示した曲線図であり、図中Ｃ
は前記放熱板が純Ｃｕ材料を用いて形成されている場合
を示している。
【図６】従来の放熱板付きプラスチックパッケージを摸
式的に示した断面図である。
式的に示した断面図である。
【図７】従来の放熱板上にＳｉチップを貼り付ける工程
を概略的に示した断面図であり、（ａ）は加熱処理を施
す前の状態、（ｂ）は加熱処理を施した後における冷却
中の状態を示している。
を概略的に示した断面図であり、（ａ）は加熱処理を施
す前の状態、（ｂ）は加熱処理を施した後における冷却
中の状態を示している。
１０ 放熱板付きプラスチックパッケージ １３ 放熱板 ３１ プラスチック基板 ３１ｂ キャビティ ３５ Ｓｉチップ
Claims (3)
- 【請求項１】 シリコンチップを収容するキャビティが
形成されたプラスチック基板と、該プラスチック基板に
貼り付けられた放熱板とを備えた放熱板付きプラスチッ
クパッケージにおいて、ヤング率が１５０００ｋｇ／ｍ
ｍ2 以上であり、かつ熱伝導率が１００Ｗ／ｍＫ以上で
ある材料を用いて前記放熱板が形成されていることを特
徴とする放熱板付きプラスチックパッケージ。 - 【請求項２】 前記放熱板がＣｕ／Ｎｉ／Ｃｕ系、Ｃｕ
／Ｆｅ／Ｃｕ系、Ｃｕ／Ｍｏ／Ｃｕ系、またはＮｉ／Ｃ
ｕ／Ｎｉ系金属板のクラッド材、またはロー付け接合材
からなることを特徴とする請求項１記載の放熱板付きプ
ラスチックパッケージ。 - 【請求項３】 前記クラッド材が、長軸方向に圧延され
た複数個の第１のＣｕ系金属板と複数個のＮｉ、Ｆｅま
たはＭｏ系金属板とを交互に積層・圧着した後、前記長
軸方向に沿ってスライスしてスライス体を形成する工程
と、該スライス体のスライス面に第２のＣｕ系金属板を
貼り付けてＣｕ貼りパック材を形成する工程と、該Ｃｕ
貼りパック材を前記スライス面に沿って前記長軸方向に
圧延し、該長軸と直交する方向に切断して定尺パック材
を形成する工程と、該定尺パック材を交互に直交するよ
うに積層した後に所定方向に圧延する工程とを含んで製
造されたものであることを特徴とする請求項２記載の放
熱板付きプラスチックパッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10069657A JPH11274355A (ja) | 1998-03-19 | 1998-03-19 | 放熱板付きプラスチックパッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10069657A JPH11274355A (ja) | 1998-03-19 | 1998-03-19 | 放熱板付きプラスチックパッケージ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11274355A true JPH11274355A (ja) | 1999-10-08 |
Family
ID=13409138
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10069657A Pending JPH11274355A (ja) | 1998-03-19 | 1998-03-19 | 放熱板付きプラスチックパッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11274355A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100432715B1 (ko) * | 2001-07-18 | 2004-05-24 | 엘지전자 주식회사 | 방열부재를 갖는 인쇄회로기판 및 그 제조방법 |
| KR100437478B1 (ko) * | 2000-08-22 | 2004-06-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 개선된 방열 구조물이 있는 유기 전기 발광 소자 |
-
1998
- 1998-03-19 JP JP10069657A patent/JPH11274355A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100437478B1 (ko) * | 2000-08-22 | 2004-06-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 개선된 방열 구조물이 있는 유기 전기 발광 소자 |
| KR100432715B1 (ko) * | 2001-07-18 | 2004-05-24 | 엘지전자 주식회사 | 방열부재를 갖는 인쇄회로기판 및 그 제조방법 |
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