JPH11288112A - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
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- JPH11288112A JPH11288112A JP9331598A JP9331598A JPH11288112A JP H11288112 A JPH11288112 A JP H11288112A JP 9331598 A JP9331598 A JP 9331598A JP 9331598 A JP9331598 A JP 9331598A JP H11288112 A JPH11288112 A JP H11288112A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】電子写真プロセス内で繰り返し使用するにあた
り、白色光並びに長波長光除電の両プロセスにおいて、
高感度で繰り返し安定性に優れた電子写真感光体を提供
する。 【解決手段】導電性支持体上に感光層を設けた電子写真
感光体において、感光層に下記一般式(I)で表される
アゾ顔料の少なくとも一種と一般式(II)又は(III)
で表されるアゾ顔料の少なくとも1種を含有させること
が、前記課題を解決するのに有効であることを見いだし
本発明を完成するに至った。 【化12】 式(I)中で、Aは水素、アルキル基、アリール基、複
素環基、m及びnは0又は1、Cp1はカップラー残基
を表す。式(II)中で、E及びGはアルキル基、アリー
ル基、複素環基、qは0又は1、Cp2はカップラー残
基を表す。式(III)中で、Jはピリジン環基、キノリ
ン環基、フラン環基、チオフェン環基、ピロール環基、
rは0又は1、Cp3はカップラー残基を表す。
り、白色光並びに長波長光除電の両プロセスにおいて、
高感度で繰り返し安定性に優れた電子写真感光体を提供
する。 【解決手段】導電性支持体上に感光層を設けた電子写真
感光体において、感光層に下記一般式(I)で表される
アゾ顔料の少なくとも一種と一般式(II)又は(III)
で表されるアゾ顔料の少なくとも1種を含有させること
が、前記課題を解決するのに有効であることを見いだし
本発明を完成するに至った。 【化12】 式(I)中で、Aは水素、アルキル基、アリール基、複
素環基、m及びnは0又は1、Cp1はカップラー残基
を表す。式(II)中で、E及びGはアルキル基、アリー
ル基、複素環基、qは0又は1、Cp2はカップラー残
基を表す。式(III)中で、Jはピリジン環基、キノリ
ン環基、フラン環基、チオフェン環基、ピロール環基、
rは0又は1、Cp3はカップラー残基を表す。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は高感度で繰り返し安
定性に優れた電子写真感光体に関するものである。
定性に優れた電子写真感光体に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、電子写真方式の感光体としては、
セレン、硫化カドミウム、酸化亜鉛、シリコン等の無機
光導電体を主成分とする感光層を有するものが広く知ら
れていた。しかし、これらは感度、熱安定性、耐湿性、
耐久性等において必ずしも満足し得るものではなく、ま
た特にセレン及び硫化カドミウムはその毒性のために製
造上、取扱上にも制約があった。
セレン、硫化カドミウム、酸化亜鉛、シリコン等の無機
光導電体を主成分とする感光層を有するものが広く知ら
れていた。しかし、これらは感度、熱安定性、耐湿性、
耐久性等において必ずしも満足し得るものではなく、ま
た特にセレン及び硫化カドミウムはその毒性のために製
造上、取扱上にも制約があった。
【0003】一方、有機光導電性化合物を主成分とする
感光層を有する電子写真感光体は、製造が比較的容易で
あること、安価であること、取扱いが容易であること、
また一般にセレン感光体に比べて熱安定性が優れている
こと等多くの利点を有し、近年多くの注目を集めてい
る。
感光層を有する電子写真感光体は、製造が比較的容易で
あること、安価であること、取扱いが容易であること、
また一般にセレン感光体に比べて熱安定性が優れている
こと等多くの利点を有し、近年多くの注目を集めてい
る。
【0004】このような有機光導電性化合物としては、
ポリ−N−ビニルカルバゾールがよく知られており、こ
れと2,4,7−トリニトロ−9−フルオレノン等のル
イス酸とから形成される電荷移動錯体を主成分とする感
光層を有する電子写真感光体が、特公昭50−1049
6号公報に記載されている。しかしながら、この感光体
は感度、成膜性、耐久性等において必ずしも満足できる
ものではなかった。
ポリ−N−ビニルカルバゾールがよく知られており、こ
れと2,4,7−トリニトロ−9−フルオレノン等のル
イス酸とから形成される電荷移動錯体を主成分とする感
光層を有する電子写真感光体が、特公昭50−1049
6号公報に記載されている。しかしながら、この感光体
は感度、成膜性、耐久性等において必ずしも満足できる
ものではなかった。
【0005】これに対し、フタロシアニン顔料、アゾ顔
料等の電荷発生剤と、トリフェニルアミン類、スチルベ
ン類、ヒドラゾン類等の電荷移動物質とを組み合わせた
感光層を有する機能分離型電子写真感光体は、それぞれ
の材料の選択範囲が広く、帯電特性、感度、耐久性等に
おいて、任意の特性を有する電子写真感光体を比較的容
易に作製できるという利点を有している。
料等の電荷発生剤と、トリフェニルアミン類、スチルベ
ン類、ヒドラゾン類等の電荷移動物質とを組み合わせた
感光層を有する機能分離型電子写真感光体は、それぞれ
の材料の選択範囲が広く、帯電特性、感度、耐久性等に
おいて、任意の特性を有する電子写真感光体を比較的容
易に作製できるという利点を有している。
【0006】しかしながら、機能分離型感光体として実
用化されているものは僅かであり、また帯電特性、感
度、残留電位、前露光特性、繰り返し使用特性等の電気
的特性や耐傷性、耐摩耗性等の機械的強度等の要求され
る多くの特性全てを満足しているとはいい難いのが現状
である。
用化されているものは僅かであり、また帯電特性、感
度、残留電位、前露光特性、繰り返し使用特性等の電気
的特性や耐傷性、耐摩耗性等の機械的強度等の要求され
る多くの特性全てを満足しているとはいい難いのが現状
である。
【0007】特に、高感度でしかも繰り返し使用によっ
て、帯電電位及び残留電位の変化が小さく安定な電子写
真感光体が望まれているが、未だ十分満足できるものは
得られていない。繰り返し使用により感光体が変化する
要因には、コロナ帯電やロール帯電等に繰り返し曝され
る電気的な劣化と静電画像形成に必要な露光やクリーニ
ング後の余分な電荷を除去する除電光等による光劣化や
摩耗による感光層の膜厚の変化等が挙げられる。この中
で、光劣化は短波長光ほど大きく、静電画像形成時の露
光光や除電光では、紫外光減光フィルターや紫外光カッ
トフィルターが用いられているものもある。特に除電光
については、光劣化を抑えるために、余分な電荷を除去
できる必要最低限の光量で、かつ光劣化の小さい長波長
光であることが望ましい。そのため、複写機の中には、
コンパクトな赤色発光ダイオードアレイを用いたものや
赤色フィルターを用いたものが検討されている。しかし
ながら、長波長光で除電を行うためには、長波長領域に
までかなりの分光感度を有する電荷発生物質が必要であ
り、可視短波長領域から長波長領域まで十分な分光感度
を有し、高感度である電荷発生物質を見いだすことは困
難であった。
て、帯電電位及び残留電位の変化が小さく安定な電子写
真感光体が望まれているが、未だ十分満足できるものは
得られていない。繰り返し使用により感光体が変化する
要因には、コロナ帯電やロール帯電等に繰り返し曝され
る電気的な劣化と静電画像形成に必要な露光やクリーニ
ング後の余分な電荷を除去する除電光等による光劣化や
摩耗による感光層の膜厚の変化等が挙げられる。この中
で、光劣化は短波長光ほど大きく、静電画像形成時の露
光光や除電光では、紫外光減光フィルターや紫外光カッ
トフィルターが用いられているものもある。特に除電光
については、光劣化を抑えるために、余分な電荷を除去
できる必要最低限の光量で、かつ光劣化の小さい長波長
光であることが望ましい。そのため、複写機の中には、
コンパクトな赤色発光ダイオードアレイを用いたものや
赤色フィルターを用いたものが検討されている。しかし
ながら、長波長光で除電を行うためには、長波長領域に
までかなりの分光感度を有する電荷発生物質が必要であ
り、可視短波長領域から長波長領域まで十分な分光感度
を有し、高感度である電荷発生物質を見いだすことは困
難であった。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、電子
写真プロセス内で繰り返し使用するにあたり、白色光並
びに長波長光除電の両プロセスにおいて、高感度で繰り
返し安定性に優れた電子写真感光体を提供することにあ
る。
写真プロセス内で繰り返し使用するにあたり、白色光並
びに長波長光除電の両プロセスにおいて、高感度で繰り
返し安定性に優れた電子写真感光体を提供することにあ
る。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明者らは上記の目的
を達成するために種々の検討を重ねた結果、導電性支持
体上に少なくとも電荷発生物質と電荷移動物質を含有す
る単層又は複数層からなる感光層を有する電子写真感光
体において、感光層に下記一般式(I)で表されるアゾ
顔料の少なくとも一種と一般式(II)又は(III)で表
されるアゾ顔料の少なくとも1種を含有させることが、
前記課題を解決するのに有効であることを見いだし本発
明を完成するに至った。
を達成するために種々の検討を重ねた結果、導電性支持
体上に少なくとも電荷発生物質と電荷移動物質を含有す
る単層又は複数層からなる感光層を有する電子写真感光
体において、感光層に下記一般式(I)で表されるアゾ
顔料の少なくとも一種と一般式(II)又は(III)で表
されるアゾ顔料の少なくとも1種を含有させることが、
前記課題を解決するのに有効であることを見いだし本発
明を完成するに至った。
【0010】
【化4】
【0011】式(I)中において、Aは水素、置換され
ていてもよいアルキル基、アリール基、複素環基を表
し、m及びnは0又は1であり、Cp1はカップラー残
基を表す。
ていてもよいアルキル基、アリール基、複素環基を表
し、m及びnは0又は1であり、Cp1はカップラー残
基を表す。
【0012】
【化5】
【0013】式(II)中において、E及びGは置換され
ていてもよいアルキル基、アリール基、複素環基を表
し、qは0又は1であり、Cp2はカップラー残基を表
す。
ていてもよいアルキル基、アリール基、複素環基を表
し、qは0又は1であり、Cp2はカップラー残基を表
す。
【0014】
【化6】
【0015】式(III)中において、Jは置換されてい
てもよいピリジン環基、キノリン環基、フラン環基、チ
オフェン環基、ピロール環基を表し、rは0又は1であ
り、Cp3はカップラー残基を表す。
てもよいピリジン環基、キノリン環基、フラン環基、チ
オフェン環基、ピロール環基を表し、rは0又は1であ
り、Cp3はカップラー残基を表す。
【0016】本発明は、具体的には導電性支持体上に必
要に応じブロッキング層を設け、その上に少なくとも電
荷発生物質と電荷移動物質を含有する単層又は複数層か
らなる感光層を有する電子写真感光体であって、この感
光層が上記一般式(I)及び一般式(II)又は(III)
で表されるアゾ顔料の少なくとも一種を含有する電子写
真感光体である。
要に応じブロッキング層を設け、その上に少なくとも電
荷発生物質と電荷移動物質を含有する単層又は複数層か
らなる感光層を有する電子写真感光体であって、この感
光層が上記一般式(I)及び一般式(II)又は(III)
で表されるアゾ顔料の少なくとも一種を含有する電子写
真感光体である。
【0017】また、導電性支持体上に設けた感光層が、
少なくとも電荷発生物質を含む電荷発生層と、少なくと
も電荷移動物質を含む電荷移動層とを積層した積層型電
子写真感光体であって、その電荷発生層中に上記一般式
(I)及び一般式(II)又は(III)で表されるアゾ顔
料の少なくとも一種を含有させることにより、高感度で
より繰り返し安定性に優れた電子写真感光体が提供でき
る。
少なくとも電荷発生物質を含む電荷発生層と、少なくと
も電荷移動物質を含む電荷移動層とを積層した積層型電
子写真感光体であって、その電荷発生層中に上記一般式
(I)及び一般式(II)又は(III)で表されるアゾ顔
料の少なくとも一種を含有させることにより、高感度で
より繰り返し安定性に優れた電子写真感光体が提供でき
る。
【0018】
【発明の実施の形態】以下、本発明の電子写真感光体に
おける各構成要素について詳細に説明する。本発明の電
子写真感光体は、導電性支持体上に少なくとも電荷発生
物質と電荷移動物質を含有する単層又は複数層からなる
感光層を有する電子写真感光体であって、この感光層に
上記一般式(I)で表されるアゾ顔料の少なくとも一種
と一般式(II)又は(III)で表されるアゾ顔料の少な
くとも一種を含有させた電子写真感光体である。
おける各構成要素について詳細に説明する。本発明の電
子写真感光体は、導電性支持体上に少なくとも電荷発生
物質と電荷移動物質を含有する単層又は複数層からなる
感光層を有する電子写真感光体であって、この感光層に
上記一般式(I)で表されるアゾ顔料の少なくとも一種
と一般式(II)又は(III)で表されるアゾ顔料の少な
くとも一種を含有させた電子写真感光体である。
【0019】上記一般式(I)において、Aは水素、置
換されていてもよいアルキル基、アリール基、複素環基
を表し、好ましいものとして、下記の(A−1)から
(A−45)が挙げられる。中でも(A−9)から(A
−21)及び(A−23)から(A−45)で示される
置換又は無置換のフェニル基が特に好ましい。
換されていてもよいアルキル基、アリール基、複素環基
を表し、好ましいものとして、下記の(A−1)から
(A−45)が挙げられる。中でも(A−9)から(A
−21)及び(A−23)から(A−45)で示される
置換又は無置換のフェニル基が特に好ましい。
【0020】
【表1】
【0021】
【表2】
【0022】上記一般式(I)において、Cp1で表さ
れるカップラー残基として、好ましいものとして、下記
一般式(I−1)から(I−10)で表される構造のも
のが挙げられる。中でも、下記一般式(I−5)で表さ
れる構造のものが特に好ましい。
れるカップラー残基として、好ましいものとして、下記
一般式(I−1)から(I−10)で表される構造のも
のが挙げられる。中でも、下記一般式(I−5)で表さ
れる構造のものが特に好ましい。
【0023】
【化7】
【0024】上記一般式(I−1)から(I−10)に
おいて、Y1はベンゼン環と縮合してナフタレン環、ア
ントラセン環等の多環式芳香族環又は、ベンゼン環と縮
合してカルバゾール環、ベンゾカルバゾール環、ジベン
ゾフラン環等の複素環を形成するのに必要な原子群を表
す。R1は置換されていてもよいアルキル基(例えば、
メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル
基、n−ブチル基、sec−ブチル基、アミル基、n−
オクチル基、ベンジル基、p−クロロベンジル基、3,
4−ジクロロベンジル基、p−メチルベンジル基、2−
フェニルエチル基、α−ナフチルメチル基、β−ナフチ
ルメチル基)、置換されていてもよいアリール基(例え
ば、フェニル基、トリル基、キシリル基、ビフェニル
基、クロロフェニル基、ジクロロフェニル基、ブロモフ
ェニル基、メトキシフェニル基、エトキシフェニル基、
ブトキシフェニル基、フェノキシフェニル基、ニトロフ
ェニル基、シアノフェニル基、ヒドロキシフェニル基、
カルボキシフェニル基、N,N−ジメチルアミノフェニ
ル基、α,α,α−トリフルオロメチルフェニル基、α
−ナフチル基、β−ナフチル基)を表す。
おいて、Y1はベンゼン環と縮合してナフタレン環、ア
ントラセン環等の多環式芳香族環又は、ベンゼン環と縮
合してカルバゾール環、ベンゾカルバゾール環、ジベン
ゾフラン環等の複素環を形成するのに必要な原子群を表
す。R1は置換されていてもよいアルキル基(例えば、
メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル
基、n−ブチル基、sec−ブチル基、アミル基、n−
オクチル基、ベンジル基、p−クロロベンジル基、3,
4−ジクロロベンジル基、p−メチルベンジル基、2−
フェニルエチル基、α−ナフチルメチル基、β−ナフチ
ルメチル基)、置換されていてもよいアリール基(例え
ば、フェニル基、トリル基、キシリル基、ビフェニル
基、クロロフェニル基、ジクロロフェニル基、ブロモフ
ェニル基、メトキシフェニル基、エトキシフェニル基、
ブトキシフェニル基、フェノキシフェニル基、ニトロフ
ェニル基、シアノフェニル基、ヒドロキシフェニル基、
カルボキシフェニル基、N,N−ジメチルアミノフェニ
ル基、α,α,α−トリフルオロメチルフェニル基、α
−ナフチル基、β−ナフチル基)を表す。
【0025】さらにR2はR1で表される基及び置換され
ていてもよい複素環基(例えば、チアゾリル基、5−ニ
トロチアゾリル基、カルバゾリル基、インドリル基、ピ
ロリル基、アクリジル基、ベンゾ[b]チエニル基、ベ
ンゾイミダゾリル基、オキサゾリル基、クロロオキサゾ
リル基、トリアゾリル基、ピペリジル基、ピリジル基、
キノリル基)を表す。
ていてもよい複素環基(例えば、チアゾリル基、5−ニ
トロチアゾリル基、カルバゾリル基、インドリル基、ピ
ロリル基、アクリジル基、ベンゾ[b]チエニル基、ベ
ンゾイミダゾリル基、オキサゾリル基、クロロオキサゾ
リル基、トリアゾリル基、ピペリジル基、ピリジル基、
キノリル基)を表す。
【0026】R3は、O、S、NHを表し、R4、R
5は、水素、置換されていてもよいアルキル基、ニトロ
基、メトキシ基、エトキシ基、アセチル基、シアノ基、
ハロゲンを表し、Z1は5員環、6員環を形成するのに
必要な鎖式炭化水素を表す。
5は、水素、置換されていてもよいアルキル基、ニトロ
基、メトキシ基、エトキシ基、アセチル基、シアノ基、
ハロゲンを表し、Z1は5員環、6員環を形成するのに
必要な鎖式炭化水素を表す。
【0027】上記一般式(I−1)から(I−10)で
表されるカップラー残基の具体例を下記の表3から表1
0に示す。
表されるカップラー残基の具体例を下記の表3から表1
0に示す。
【0028】
【表3】
【0029】
【表4】
【0030】
【表5】
【0031】
【表6】
【0032】
【表7】
【0033】
【表8】
【0034】
【表9】
【0035】
【表10】
【0036】本発明に係わる一般式(I)で表されるア
ゾ顔料の具体例を下記の表11から表13に示すが、こ
れによって限定されるものではない。
ゾ顔料の具体例を下記の表11から表13に示すが、こ
れによって限定されるものではない。
【0037】
【表11】
【0038】
【表12】
【0039】
【表13】
【0040】一般式(II)において、E及びGは置換さ
れていてもよいアルキル基、アリール基、複素環基を表
し、好ましいものとして、下記の(EG−1)から(E
G−36)が挙げられる。中でも(EG−1)から(E
G−3)で表されるアルキル基、(EG−9)から(E
G−26)及び(EG−34)から(EG−36)で表
される置換又は無置換のフェニル基が特に好ましい。
れていてもよいアルキル基、アリール基、複素環基を表
し、好ましいものとして、下記の(EG−1)から(E
G−36)が挙げられる。中でも(EG−1)から(E
G−3)で表されるアルキル基、(EG−9)から(E
G−26)及び(EG−34)から(EG−36)で表
される置換又は無置換のフェニル基が特に好ましい。
【0041】
【表14】
【0042】
【表15】
【0043】上記一般式(II)において、Cp2で表さ
れるカップラー残基として、好ましいものとして、下記
一般式(II−1)から(II−8)で表される構造のもの
が挙げられる。中でも、下記一般式(II−1)で表され
る構造のものが特に好ましい。
れるカップラー残基として、好ましいものとして、下記
一般式(II−1)から(II−8)で表される構造のもの
が挙げられる。中でも、下記一般式(II−1)で表され
る構造のものが特に好ましい。
【0044】
【化8】
【0045】上記一般式(II−1)から(II−8)にお
いて、Y2はベンゼン環と縮合してナフタレン環、アン
トラセン環等の多環式芳香族環又は、ベンゼン環と縮合
してカルバゾール環、ベンゾカルバゾール環、ジベンゾ
フラン環等の複素環を形成するのに必要な原子群を表
す。R6は置換されていてもよいアルキル基(例えば、
メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル
基、n−ブチル基、sec−ブチル基、アミル基、n−
オクチル基、ベンジル基、p−クロロベンジル基、3,
4−ジクロロベンジル基、p−メチルベンジル基、2−
フェニルエチル基、α−ナフチルメチル基、β−ナフチ
ルメチル基)、置換されていてもよいアリール基(例え
ば、フェニル基、トリル基、キシリル基、ビフェニル
基、クロロフェニル基、ジクロロフェニル基、ブロモフ
ェニル基、メトキシフェニル基、エトキシフェニル基、
ブトキシフェニル基、フェノキシフェニル基、ニトロフ
ェニル基、シアノフェニル基、ヒドロキシフェニル基、
カルボキシフェニル基、N,N−ジメチルアミノフェニ
ル基、α,α,α−トリフルオロメチルフェニル基、α
−ナフチル基、β−ナフチル基)、並びに置換されてい
てもよい複素環基(例えば、チアゾリル基、5−ニトロ
チアゾリル基、カルバゾリル基、インドリル基、ピロリ
ル基、アクリジル基、ベンゾ[b]チエニル基、ベンゾ
イミダゾリル基、オキサゾリル基、クロロオキサゾリル
基、トリアゾリル基、ピペリジル基、ピリジル基、キノ
リル基)を表す。
いて、Y2はベンゼン環と縮合してナフタレン環、アン
トラセン環等の多環式芳香族環又は、ベンゼン環と縮合
してカルバゾール環、ベンゾカルバゾール環、ジベンゾ
フラン環等の複素環を形成するのに必要な原子群を表
す。R6は置換されていてもよいアルキル基(例えば、
メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル
基、n−ブチル基、sec−ブチル基、アミル基、n−
オクチル基、ベンジル基、p−クロロベンジル基、3,
4−ジクロロベンジル基、p−メチルベンジル基、2−
フェニルエチル基、α−ナフチルメチル基、β−ナフチ
ルメチル基)、置換されていてもよいアリール基(例え
ば、フェニル基、トリル基、キシリル基、ビフェニル
基、クロロフェニル基、ジクロロフェニル基、ブロモフ
ェニル基、メトキシフェニル基、エトキシフェニル基、
ブトキシフェニル基、フェノキシフェニル基、ニトロフ
ェニル基、シアノフェニル基、ヒドロキシフェニル基、
カルボキシフェニル基、N,N−ジメチルアミノフェニ
ル基、α,α,α−トリフルオロメチルフェニル基、α
−ナフチル基、β−ナフチル基)、並びに置換されてい
てもよい複素環基(例えば、チアゾリル基、5−ニトロ
チアゾリル基、カルバゾリル基、インドリル基、ピロリ
ル基、アクリジル基、ベンゾ[b]チエニル基、ベンゾ
イミダゾリル基、オキサゾリル基、クロロオキサゾリル
基、トリアゾリル基、ピペリジル基、ピリジル基、キノ
リル基)を表す。
【0046】R7は、O、S、NHを表し、R8、R
9は、水素、置換されていてもよいアルキル基、ニトロ
基、メトキシ基、エトキシ基、アセチル基、シアノ基、
ハロゲンを表し、Z2は5員環、6員環を形成するのに
必要な鎖式炭化水素を表す。
9は、水素、置換されていてもよいアルキル基、ニトロ
基、メトキシ基、エトキシ基、アセチル基、シアノ基、
ハロゲンを表し、Z2は5員環、6員環を形成するのに
必要な鎖式炭化水素を表す。
【0047】上記一般式(II−1)から(II−8)で表
されるカップラー残基の具体例を下記の表16から表2
5に示す。
されるカップラー残基の具体例を下記の表16から表2
5に示す。
【0048】
【表16】
【0049】
【表17】
【0050】
【表18】
【0051】
【表19】
【0052】
【表20】
【0053】
【表21】
【0054】
【表22】
【0055】
【表23】
【0056】
【表24】
【0057】
【表25】
【0058】本発明に係わる一般式(II)で表されるア
ゾ顔料の具体例を下記の表26から表28に示すが、こ
れによって限定されるものではない。
ゾ顔料の具体例を下記の表26から表28に示すが、こ
れによって限定されるものではない。
【0059】
【表26】
【0060】
【表27】
【0061】
【表28】
【0062】一般式(III)において、Jは置換されて
いてもよいピリジン環基、キノリン環基、フラン環基、
チオフェン環基、ピロール環基を表し、好ましいものと
して、下記の(J−1)から(J−21)が挙げられ
る。中でも、(J−17)から(J−21)で表される
置換又は無置換のピリジン基、キノリン基が特に好まし
い。
いてもよいピリジン環基、キノリン環基、フラン環基、
チオフェン環基、ピロール環基を表し、好ましいものと
して、下記の(J−1)から(J−21)が挙げられ
る。中でも、(J−17)から(J−21)で表される
置換又は無置換のピリジン基、キノリン基が特に好まし
い。
【0063】
【表29】
【0064】上記一般式(III)において、Cp3で表さ
れるカップラー残基として、好ましいものとして、下記
一般式(III−1)から(III−4)で表される構造のも
のが挙げられる。中でも、(III−1)で表される構造
のものが特に好ましい。
れるカップラー残基として、好ましいものとして、下記
一般式(III−1)から(III−4)で表される構造のも
のが挙げられる。中でも、(III−1)で表される構造
のものが特に好ましい。
【0065】
【化9】
【0066】上記一般式(III−1)から(III−4)に
おいて、Y3はベンゼン環と縮合してナフタレン環、ア
ントラセン環等の多環式芳香族環又は、ベンゼン環と縮
合してカルバゾール環、ベンゾカルバゾール環、ジベン
ゾフラン環等の複素環を形成するのに必要な原子群を表
す。R10及びR11は置換されていてもよいアルキル基
(例えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソ
プロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、アミル
基、n−オクチル基、ベンジル基、p−クロロベンジル
基、3,4−ジクロロベンジル基、p−メチルベンジル
基、2−フェニルエチル基、α−ナフチルメチル基、β
−ナフチルメチル基)、置換されていてもよいアリール
基(例えば、フェニル基、トリル基、キシリル基、ビフ
ェニル基、クロロフェニル基、ジクロロフェニル基、ブ
ロモフェニル基、メトキシフェニル基、エトキシフェニ
ル基、ブトキシフェニル基、フェノキシフェニル基、ニ
トロフェニル基、シアノフェニル基、ヒドロキシフェニ
ル基、カルボキシフェニル基、N,N−ジメチルアミノ
フェニル基、α,α,α−トリフルオロメチルフェニル
基、α−ナフチル基、β−ナフチル基)、並びに置換さ
れていてもよい複素環基(例えば、チアゾリル基、5−
ニトロチアゾリル基、カルバゾリル基、インドリル基、
ピロリル基、アクリジル基、ベンゾ[b]チエニル基、
ベンゾイミダゾリル基、オキサゾリル基、クロロオキサ
ゾリル基、トリアゾリル基、ピペリジル基、ピリジル
基、キノリル基)を表す。
おいて、Y3はベンゼン環と縮合してナフタレン環、ア
ントラセン環等の多環式芳香族環又は、ベンゼン環と縮
合してカルバゾール環、ベンゾカルバゾール環、ジベン
ゾフラン環等の複素環を形成するのに必要な原子群を表
す。R10及びR11は置換されていてもよいアルキル基
(例えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソ
プロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、アミル
基、n−オクチル基、ベンジル基、p−クロロベンジル
基、3,4−ジクロロベンジル基、p−メチルベンジル
基、2−フェニルエチル基、α−ナフチルメチル基、β
−ナフチルメチル基)、置換されていてもよいアリール
基(例えば、フェニル基、トリル基、キシリル基、ビフ
ェニル基、クロロフェニル基、ジクロロフェニル基、ブ
ロモフェニル基、メトキシフェニル基、エトキシフェニ
ル基、ブトキシフェニル基、フェノキシフェニル基、ニ
トロフェニル基、シアノフェニル基、ヒドロキシフェニ
ル基、カルボキシフェニル基、N,N−ジメチルアミノ
フェニル基、α,α,α−トリフルオロメチルフェニル
基、α−ナフチル基、β−ナフチル基)、並びに置換さ
れていてもよい複素環基(例えば、チアゾリル基、5−
ニトロチアゾリル基、カルバゾリル基、インドリル基、
ピロリル基、アクリジル基、ベンゾ[b]チエニル基、
ベンゾイミダゾリル基、オキサゾリル基、クロロオキサ
ゾリル基、トリアゾリル基、ピペリジル基、ピリジル
基、キノリル基)を表す。
【0067】上記一般式(III−1)から(III−4)で
表されるカップラー残基の具体例を下記の表30から表
37に示す。
表されるカップラー残基の具体例を下記の表30から表
37に示す。
【0068】
【表30】
【0069】
【表31】
【0070】
【表32】
【0071】
【表33】
【0072】
【表34】
【0073】
【表35】
【0074】
【表36】
【0075】
【表37】
【0076】本発明に係わる一般式(III)で表される
アゾ顔料の具体例を下記の表38及び表39に示すが、
これによって限定されるものではない。
アゾ顔料の具体例を下記の表38及び表39に示すが、
これによって限定されるものではない。
【0077】
【表38】
【0078】
【表39】
【0079】本発明の電子写真感光体は、上記に示した
様な一般式(I)で表されるアゾ顔料の少なくとも一種
と一般式(II)又は(III)で表されるアゾ顔料の少な
くとも一種を感光層に含有させることによって得られ、
高感度で繰り返し安定性に優れた性能を有する。
様な一般式(I)で表されるアゾ顔料の少なくとも一種
と一般式(II)又は(III)で表されるアゾ顔料の少な
くとも一種を感光層に含有させることによって得られ、
高感度で繰り返し安定性に優れた性能を有する。
【0080】本発明の電子写真感光体にける上記一般式
(I)で表されるアゾ顔料と一般式(II)又は(III)
で表されるアゾ顔料を感光層に含有させる方法として
は、一般式(I)で表されるアゾ顔料を含有する層と一
般式(II)又は(III)で表されるアゾ顔料を含有する
層を積層する方法並びに一般式(I)で表されるアゾ顔
料と一般式(II)又は(III)で表されるアゾ顔料を同
一層に含有させる方法の何れも可能であるが、後者の様
に同一層に含有させる方がより好ましい。
(I)で表されるアゾ顔料と一般式(II)又は(III)
で表されるアゾ顔料を感光層に含有させる方法として
は、一般式(I)で表されるアゾ顔料を含有する層と一
般式(II)又は(III)で表されるアゾ顔料を含有する
層を積層する方法並びに一般式(I)で表されるアゾ顔
料と一般式(II)又は(III)で表されるアゾ顔料を同
一層に含有させる方法の何れも可能であるが、後者の様
に同一層に含有させる方がより好ましい。
【0081】上記の様に一般式(I)で表されるアゾ顔
料と一般式(II)又は(III)で表されるアゾ顔料を同
一層に含有させる場合、一般式(I)で表されるアゾ顔
料100重量部に対して、一般式(II)又は(III)で
表されるアゾ顔料は5重量部から200重量部、好まし
くは15重量部から120重量部、さらに好ましくは2
5から85重量部である。
料と一般式(II)又は(III)で表されるアゾ顔料を同
一層に含有させる場合、一般式(I)で表されるアゾ顔
料100重量部に対して、一般式(II)又は(III)で
表されるアゾ顔料は5重量部から200重量部、好まし
くは15重量部から120重量部、さらに好ましくは2
5から85重量部である。
【0082】また、前記感光層の反射スペクトルにおい
て、560nmにおける吸光度をA1、680nmにお
ける吸光度をA2とした場合、A2/A1の比が0.2
から1.0未満であることが好ましく、さらに好ましく
は、0.3以上0.8以下である。
て、560nmにおける吸光度をA1、680nmにお
ける吸光度をA2とした場合、A2/A1の比が0.2
から1.0未満であることが好ましく、さらに好ましく
は、0.3以上0.8以下である。
【0083】上記感光層の反射スペクトルにおいて、一
般式(I)で表されるアゾ顔料を含有する層と一般式
(II)又は(III)で表されるアゾ顔料を含有する層を
積層する場合には、各層の膜厚を適度に調整したり、各
層におけるアゾ顔料の含有率を変化させることによっ
て、A2/A1の比を調節することができる。一方、一
般式(I)で表されるアゾ顔料と一般式(II)又は(II
I)で表されるアゾ顔料を同一層に含有する場合には、
各アゾ顔料の含有量を調節することによって、A2/A
1の比を調節することができる。
般式(I)で表されるアゾ顔料を含有する層と一般式
(II)又は(III)で表されるアゾ顔料を含有する層を
積層する場合には、各層の膜厚を適度に調整したり、各
層におけるアゾ顔料の含有率を変化させることによっ
て、A2/A1の比を調節することができる。一方、一
般式(I)で表されるアゾ顔料と一般式(II)又は(II
I)で表されるアゾ顔料を同一層に含有する場合には、
各アゾ顔料の含有量を調節することによって、A2/A
1の比を調節することができる。
【0084】次に、上記一般式(I)及び一般式(II)
又は(III)で表されるアゾ顔料以外の本発明の電子写
真感光体に係わる構成要素について説明する。
又は(III)で表されるアゾ顔料以外の本発明の電子写
真感光体に係わる構成要素について説明する。
【0085】本発明の電子写真感光体は、導電性支持体
上に少なくとも電荷発生物質と電荷移動物質を含有する
単層又は複数層からなる感光層を有する電子写真感光体
である。感光層が形成される導電性支持体としては、周
知の電子写真感光体に採用されているものがいずれも使
用できる。具体的には、例えば金、銀、白金、チタン、
アルミニウム、銅、亜鉛、鉄、導電処理を施した金属酸
化物等のドラム、シート、ベルトあるいはこれらの薄膜
のラミネート物、蒸着物等が挙げられる。
上に少なくとも電荷発生物質と電荷移動物質を含有する
単層又は複数層からなる感光層を有する電子写真感光体
である。感光層が形成される導電性支持体としては、周
知の電子写真感光体に採用されているものがいずれも使
用できる。具体的には、例えば金、銀、白金、チタン、
アルミニウム、銅、亜鉛、鉄、導電処理を施した金属酸
化物等のドラム、シート、ベルトあるいはこれらの薄膜
のラミネート物、蒸着物等が挙げられる。
【0086】更に、金属粉末、金属酸化物、カーボンブ
ラック、炭素繊維、ヨウ化銅、電荷移動錯体、無機塩、
イオン伝導性の高分子電解質等の導電性物質を適当なバ
インダーと共に塗布し、表面に導電処理を施したプラス
チックやセラミック、紙等で構成されるドラム、シー
ト、ベルト等、またこのような導電性物質を含有し導電
性となったプラスチック、セラミック、紙等のドラム、
シート、ベルト等が挙げられる。
ラック、炭素繊維、ヨウ化銅、電荷移動錯体、無機塩、
イオン伝導性の高分子電解質等の導電性物質を適当なバ
インダーと共に塗布し、表面に導電処理を施したプラス
チックやセラミック、紙等で構成されるドラム、シー
ト、ベルト等、またこのような導電性物質を含有し導電
性となったプラスチック、セラミック、紙等のドラム、
シート、ベルト等が挙げられる。
【0087】本発明に係わる感光層は、上記のような導
電性支持体上に設けてなるが、電荷発生物質と電荷移動
物質を分散混合しバインダー中に閉じこめた単層型、電
荷発生物質を含む電荷発生層と電荷移動物質を含む電荷
移動層を積層した機能分離積層型等により構成される。
本発明は何れの系にも適用させることが可能であるが、
電荷発生物質と電荷移動物質の性能を最大限に発揮させ
易い機能分離積層型感光体の系において用いられるのが
好ましい。
電性支持体上に設けてなるが、電荷発生物質と電荷移動
物質を分散混合しバインダー中に閉じこめた単層型、電
荷発生物質を含む電荷発生層と電荷移動物質を含む電荷
移動層を積層した機能分離積層型等により構成される。
本発明は何れの系にも適用させることが可能であるが、
電荷発生物質と電荷移動物質の性能を最大限に発揮させ
易い機能分離積層型感光体の系において用いられるのが
好ましい。
【0088】機能分離積層型感光体の系において、感光
層は少なくとも電荷発生層と電荷移動層から成り、電荷
発生層と電荷移動層の積層順序は、導電性支持体に近い
方から電荷発生層、電荷移動層の順でも、電荷移動層、
電荷発生層の順のどちらでも構わないが、本発明におい
ては、導電性支持体に近い方から電荷発生層、電荷移動
層の順に設けることが好ましい。
層は少なくとも電荷発生層と電荷移動層から成り、電荷
発生層と電荷移動層の積層順序は、導電性支持体に近い
方から電荷発生層、電荷移動層の順でも、電荷移動層、
電荷発生層の順のどちらでも構わないが、本発明におい
ては、導電性支持体に近い方から電荷発生層、電荷移動
層の順に設けることが好ましい。
【0089】感光層を構成する電荷発生層は、少なくと
も電荷発生物質を含有し、電荷発生物質単独もしくは電
荷発生物質とバインダー樹脂とを溶媒中で混合分散し、
塗布乾燥することによって形成される。
も電荷発生物質を含有し、電荷発生物質単独もしくは電
荷発生物質とバインダー樹脂とを溶媒中で混合分散し、
塗布乾燥することによって形成される。
【0090】本発明に係わる感光層に、上記一般式
(I)及び(II)又は(III)と共に必要に応じて含有
される電荷発生物質としては、金属フタロシアニン、無
金属フタロシアニン等に代表されるフタロシアニン顔
料、金属ナフタロシアニン、無金属ナフタロシアニン等
に代表されるナフタロシアニン顔料、ペリレン酸無水
物、ペリレン酸イミド等に代表されるペリレン顔料、ア
ントラキノン誘導体、アンスアンスロン誘導体、ジベン
ズピレンキノン誘導体、ピラントロン誘導体、ビオラン
トロン誘導体に代表されるアントラキノン顔料又は多環
キノン顔料、モノアゾ顔料、ビスアゾ顔料、トリスアゾ
顔料等に代表されるアゾ顔料、ポルフィリン顔料、キナ
クリドン顔料、メチルバイオレットに代表されるトリフ
ェニルメタン染料、キニザリン等のキノン染料やピリリ
ウム塩、チアピリリウム塩、ベンゾピリリウム塩等の染
料が挙げられる。
(I)及び(II)又は(III)と共に必要に応じて含有
される電荷発生物質としては、金属フタロシアニン、無
金属フタロシアニン等に代表されるフタロシアニン顔
料、金属ナフタロシアニン、無金属ナフタロシアニン等
に代表されるナフタロシアニン顔料、ペリレン酸無水
物、ペリレン酸イミド等に代表されるペリレン顔料、ア
ントラキノン誘導体、アンスアンスロン誘導体、ジベン
ズピレンキノン誘導体、ピラントロン誘導体、ビオラン
トロン誘導体に代表されるアントラキノン顔料又は多環
キノン顔料、モノアゾ顔料、ビスアゾ顔料、トリスアゾ
顔料等に代表されるアゾ顔料、ポルフィリン顔料、キナ
クリドン顔料、メチルバイオレットに代表されるトリフ
ェニルメタン染料、キニザリン等のキノン染料やピリリ
ウム塩、チアピリリウム塩、ベンゾピリリウム塩等の染
料が挙げられる。
【0091】電荷発生層に用いられるバインダー樹脂と
しては、従来より知られているスチレン、酢酸ビニル、
塩化ビニル、アクリル酸エステル、メタクリル酸エステ
ル等のビニル化合物の重合体及び共重合体、ホルマール
樹脂、ブチラール樹脂等のアセタール樹脂、シリコーン
樹脂、フェノキシ樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、
ケトン樹脂、フェノール樹脂、キシレン樹脂、ポリアミ
ド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエーテルポリオール樹
脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリア
リレート樹脂等が挙げられるが、これらに限定されな
い。
しては、従来より知られているスチレン、酢酸ビニル、
塩化ビニル、アクリル酸エステル、メタクリル酸エステ
ル等のビニル化合物の重合体及び共重合体、ホルマール
樹脂、ブチラール樹脂等のアセタール樹脂、シリコーン
樹脂、フェノキシ樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、
ケトン樹脂、フェノール樹脂、キシレン樹脂、ポリアミ
ド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエーテルポリオール樹
脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリア
リレート樹脂等が挙げられるが、これらに限定されな
い。
【0092】電荷発生層は電荷発生物質単独でも構わな
いが、電荷発生物質と共にバインダー樹脂を用いる場合
は、バインダー樹脂は、電荷発生物質100重量部に対
し、1から1000重量部、好ましくは1から400重
量部の範囲で用いられる。また、電荷発生層の厚さは
0.05から20μm、好ましくは0.1から3μmの
範囲で用いられる。
いが、電荷発生物質と共にバインダー樹脂を用いる場合
は、バインダー樹脂は、電荷発生物質100重量部に対
し、1から1000重量部、好ましくは1から400重
量部の範囲で用いられる。また、電荷発生層の厚さは
0.05から20μm、好ましくは0.1から3μmの
範囲で用いられる。
【0093】電荷発生層の形成に用いられる溶媒として
は、1,2−ジメトキシエタン、テトラヒドロフラン、
1,4−ジオキサン、1,3−ジオキソラン等のエーテ
ル類、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、
ジイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、
トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素、N,N−ジメ
チルホルムアミド、アセトニトリル、N−メチルピロリ
ドン、ジメチルスルホキシド等の非プロトン性極性溶
媒、メタノール、エタノール、2−プロパノール等のア
ルコール類、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、
酢酸ブチル、メチルセロソルブアセテート等のエステル
類、ジクロロエタン、ジクロロメタン、クロロホルム等
のハロゲン化炭化水素類等が挙げられる。
は、1,2−ジメトキシエタン、テトラヒドロフラン、
1,4−ジオキサン、1,3−ジオキソラン等のエーテ
ル類、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、
ジイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、
トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素、N,N−ジメ
チルホルムアミド、アセトニトリル、N−メチルピロリ
ドン、ジメチルスルホキシド等の非プロトン性極性溶
媒、メタノール、エタノール、2−プロパノール等のア
ルコール類、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、
酢酸ブチル、メチルセロソルブアセテート等のエステル
類、ジクロロエタン、ジクロロメタン、クロロホルム等
のハロゲン化炭化水素類等が挙げられる。
【0094】本発明に係わる感光体が、少なくとも上記
単層型や機能分離積層型で構成される場合は、その単層
型感光体や電荷移動層等に電荷移動物質を含有させる
が、電荷移動物質には正孔移動物質と電子移動物質とが
ある。正孔移動物質の例としては、例えば特公昭34−
5466号公報に示されているオキサジアゾール化合
物、特公昭45−555号公報に示されているトリフェ
ニルメタン化合物、特公昭52−4188号公報に示さ
れているピラゾリン化合物、特公昭55−42380号
公報に示されているヒドラゾン化合物、特開昭56−1
23544号公報に示されているオキサジアゾール化合
物、特公昭58−32372号公報に示されているトリ
アリールアミン化合物、特開昭58−198043号公
報に示されているスチルベン化合物、特開昭62−23
7458号公報に示されているエナミン化合物等が挙げ
られる。一方、電子移動物質の例としては、クロラニ
ル、テトラシアノエチレン、ジフェノキノン、2,4,
7−トリニトロ−9−フルオレノン、2,4,5,7−
テトラニトロキサントン、1,3,7−トリニトロジベ
ンゾチオフェン等が挙げられる。これらの電荷移動物質
は単独又は2種以上組み合わせて用いることができる。
単層型や機能分離積層型で構成される場合は、その単層
型感光体や電荷移動層等に電荷移動物質を含有させる
が、電荷移動物質には正孔移動物質と電子移動物質とが
ある。正孔移動物質の例としては、例えば特公昭34−
5466号公報に示されているオキサジアゾール化合
物、特公昭45−555号公報に示されているトリフェ
ニルメタン化合物、特公昭52−4188号公報に示さ
れているピラゾリン化合物、特公昭55−42380号
公報に示されているヒドラゾン化合物、特開昭56−1
23544号公報に示されているオキサジアゾール化合
物、特公昭58−32372号公報に示されているトリ
アリールアミン化合物、特開昭58−198043号公
報に示されているスチルベン化合物、特開昭62−23
7458号公報に示されているエナミン化合物等が挙げ
られる。一方、電子移動物質の例としては、クロラニ
ル、テトラシアノエチレン、ジフェノキノン、2,4,
7−トリニトロ−9−フルオレノン、2,4,5,7−
テトラニトロキサントン、1,3,7−トリニトロジベ
ンゾチオフェン等が挙げられる。これらの電荷移動物質
は単独又は2種以上組み合わせて用いることができる。
【0095】これらの電荷移動物質の中で、ヒドラゾン
化合物、スチルベン化合物、エナミン化合物等は高い正
孔移動能を有し、高感度の感光体を提供するため好まし
い。例えばヒドラゾン化合物の場合であれば、前述の特
公昭55−42380号公報に示される化合物をはじめ
として、特開平1−100555号公報、同2−103
67号公報、同2−51163号公報、同2−9676
7号公報、同2−183260号公報、同2−1848
56号公報、同2−184858号公報、同2−184
859号公報に示されるヒドラゾン化合物を使用するこ
とができるが、特に特開平2−226160号公報、同
5−188609号公報等に示されるヒドラゾン化合物
が好ましい。また、スチルベン化合物としては、特開平
3−75660号公報、エナミン化合物としては、特開
平2−51162号公報、同6−194851号公報に
示されている化合物が好ましい。
化合物、スチルベン化合物、エナミン化合物等は高い正
孔移動能を有し、高感度の感光体を提供するため好まし
い。例えばヒドラゾン化合物の場合であれば、前述の特
公昭55−42380号公報に示される化合物をはじめ
として、特開平1−100555号公報、同2−103
67号公報、同2−51163号公報、同2−9676
7号公報、同2−183260号公報、同2−1848
56号公報、同2−184858号公報、同2−184
859号公報に示されるヒドラゾン化合物を使用するこ
とができるが、特に特開平2−226160号公報、同
5−188609号公報等に示されるヒドラゾン化合物
が好ましい。また、スチルベン化合物としては、特開平
3−75660号公報、エナミン化合物としては、特開
平2−51162号公報、同6−194851号公報に
示されている化合物が好ましい。
【0096】電荷移動層に用いられるバインダー樹脂と
しては、スチレン、塩化ビニル、酢酸ビニル、アクリル
酸エステル、メタクリル酸エステル等のビニル化合物の
重合体及び共重合体、ポリカーボネート樹脂、ポリアリ
レート樹脂、ポリエステル樹脂、フェノキシ樹脂、ポリ
スルホン、セルロースエステル樹脂、セルロースエーテ
ル樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂
等の各種ポリマーが挙げられる。
しては、スチレン、塩化ビニル、酢酸ビニル、アクリル
酸エステル、メタクリル酸エステル等のビニル化合物の
重合体及び共重合体、ポリカーボネート樹脂、ポリアリ
レート樹脂、ポリエステル樹脂、フェノキシ樹脂、ポリ
スルホン、セルロースエステル樹脂、セルロースエーテ
ル樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂
等の各種ポリマーが挙げられる。
【0097】電荷移動層の形成に用いられる溶媒として
は、テトラヒドロフラン、1,3−ジオキソラン、1,
4−ジオキサン、メチルエチルケトン、ベンゼン、トル
エン、モノクロロベンゼン、1,2−ジクロロエタン、
ジクロロメタン、クロロホルム、酢酸エチル等が挙げら
れる。
は、テトラヒドロフラン、1,3−ジオキソラン、1,
4−ジオキサン、メチルエチルケトン、ベンゼン、トル
エン、モノクロロベンゼン、1,2−ジクロロエタン、
ジクロロメタン、クロロホルム、酢酸エチル等が挙げら
れる。
【0098】電荷移動層に用いられるバインダー樹脂
は、電荷移動物質100重量部に対し10から500重
量部、好ましくは50から200重量部の範囲で用いら
れる。電荷移動層の厚さは1から100μm、好ましく
は10から50μmの範囲で用いられる。
は、電荷移動物質100重量部に対し10から500重
量部、好ましくは50から200重量部の範囲で用いら
れる。電荷移動層の厚さは1から100μm、好ましく
は10から50μmの範囲で用いられる。
【0099】電荷移動層はヒドラゾン化合物やスチリル
化合物等の電荷移動物質とバインダー樹脂を適当な溶媒
に溶解し、塗布、乾燥することによって設けることがで
きる。
化合物等の電荷移動物質とバインダー樹脂を適当な溶媒
に溶解し、塗布、乾燥することによって設けることがで
きる。
【0100】本発明の電子写真感光体の構成中には、感
光層と導電性支持体の間に、感光層から導電性支持体へ
の電荷の注入をコントロールするためのブロッキング層
を必要に応じ設け、また感光層表面には感光体の耐久性
を向上させるために表面保護層を設けても構わない。
光層と導電性支持体の間に、感光層から導電性支持体へ
の電荷の注入をコントロールするためのブロッキング層
を必要に応じ設け、また感光層表面には感光体の耐久性
を向上させるために表面保護層を設けても構わない。
【0101】ブロッキング層は、バインダー樹脂単独、
あるいはバインダー樹脂と無機顔料等との混合で構成さ
れる。バインダー樹脂としては、ポリアミド系樹脂、エ
ポキシ系樹脂、ウレタン系樹脂等が挙げられる。また、
無機顔料としては、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化ジルコ
ニウム等が挙げられる。
あるいはバインダー樹脂と無機顔料等との混合で構成さ
れる。バインダー樹脂としては、ポリアミド系樹脂、エ
ポキシ系樹脂、ウレタン系樹脂等が挙げられる。また、
無機顔料としては、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化ジルコ
ニウム等が挙げられる。
【0102】また、感光層は成膜性、可撓性、機械的強
度を向上させるために周知の可塑剤を含有していてもよ
い。可塑剤としては、フタル酸エステル、リン酸エステ
ル、塩素化パラフィン、塩素化脂肪酸エステル、メチル
ナフタレン等の芳香族化合物等が挙げられる。
度を向上させるために周知の可塑剤を含有していてもよ
い。可塑剤としては、フタル酸エステル、リン酸エステ
ル、塩素化パラフィン、塩素化脂肪酸エステル、メチル
ナフタレン等の芳香族化合物等が挙げられる。
【0103】更に、感光体の電子写真特性の改良のため
に、酸化防止剤等の添加物を含有させても構わない。
に、酸化防止剤等の添加物を含有させても構わない。
【0104】
【実施例】次に本発明を実施例により更に詳細に説明す
るが、本発明はこれらに何ら限定されるものではない。
るが、本発明はこれらに何ら限定されるものではない。
【0105】以下に本発明の実施例及び比較例で用いる
電荷移動物質、及び比較例で用いる比較アゾ顔料を示
す。
電荷移動物質、及び比較例で用いる比較アゾ顔料を示
す。
【0106】
【化10】
【0107】
【化11】
【0108】実施例1−20 表40で示される例示アゾ顔料とポリビニルブチラール
樹脂(電気化学工業製、デンカブチラール#3000−
K)1重量部をメチルイソブチルケトン100重量部に
混合し、ペイントコンディショナーによりガラスビーズ
(シンマルエンタープライゼズ製、ハイビーD−20)
と共に4時間分散した。こうして得た顔料分散液をアプ
リケーターにて金属アルミニウム薄板(JIS規格#1
050)上に塗布し、80℃で15分乾燥して膜厚約
0.4μmの電荷発生層を得た。
樹脂(電気化学工業製、デンカブチラール#3000−
K)1重量部をメチルイソブチルケトン100重量部に
混合し、ペイントコンディショナーによりガラスビーズ
(シンマルエンタープライゼズ製、ハイビーD−20)
と共に4時間分散した。こうして得た顔料分散液をアプ
リケーターにて金属アルミニウム薄板(JIS規格#1
050)上に塗布し、80℃で15分乾燥して膜厚約
0.4μmの電荷発生層を得た。
【0109】次に例示化合物(CT−1)で示される電
荷移動物質10重量部と酸化防止剤(dl−α−トコフ
ェロール)0.1重量部とポリカーボネート樹脂(帝人
化成製、パンライトC−1400)をジクロロメタン1
40重量部に溶解させて、上記電荷発生層の上に、この
溶液をアプリケーターにより塗布し、80℃で60分乾
燥して乾燥膜厚24μmの電荷移動層を形成した。乾燥
後の感光層の反射スペクトルを紫外可視分光光度計(U
V−2100、島津製作所製)に積分球反射付属装置
(ISR−260、島津製作所製)を装着して測定した
ところ、680nmにおける吸光度A2と560nmに
おける吸光度A1の比(A2/A1)は0.58であっ
た。結果を表41に示す。また、この感光層の反射スペ
クトルを図1に示す。
荷移動物質10重量部と酸化防止剤(dl−α−トコフ
ェロール)0.1重量部とポリカーボネート樹脂(帝人
化成製、パンライトC−1400)をジクロロメタン1
40重量部に溶解させて、上記電荷発生層の上に、この
溶液をアプリケーターにより塗布し、80℃で60分乾
燥して乾燥膜厚24μmの電荷移動層を形成した。乾燥
後の感光層の反射スペクトルを紫外可視分光光度計(U
V−2100、島津製作所製)に積分球反射付属装置
(ISR−260、島津製作所製)を装着して測定した
ところ、680nmにおける吸光度A2と560nmに
おける吸光度A1の比(A2/A1)は0.58であっ
た。結果を表41に示す。また、この感光層の反射スペ
クトルを図1に示す。
【0110】この様にして作製した積層型電子写真感光
体を室温暗中に一昼夜保管した後、静電記録試験装置
(川口電機製作所製、EPA−8200)により電子写
真特性評価を行った。測定条件は、コロナ印加電圧:−
4.8kV、スタティックモードNo.3(プロセス速
度167mm/s)、照射光(白色光)照度:2lxで
あった。その結果、半減露光量0.66lx・sと非常
に高感度の値を示した。結果を表41に示す。
体を室温暗中に一昼夜保管した後、静電記録試験装置
(川口電機製作所製、EPA−8200)により電子写
真特性評価を行った。測定条件は、コロナ印加電圧:−
4.8kV、スタティックモードNo.3(プロセス速
度167mm/s)、照射光(白色光)照度:2lxで
あった。その結果、半減露光量0.66lx・sと非常
に高感度の値を示した。結果を表41に示す。
【0111】次に、この感光体をアルミニウム製のドラ
ム素管に張り付け、ドラム感光体評価装置(ジェンテッ
ク製、シンシア90)により帯電及び光除電の繰り返し
特性を評価した。測定は、コロナ印加電圧:−5.8k
V、プロセス速度160mm/s、TCCD2モードで
の5000回の帯電及び光除電の繰り返しを行った。光
除電はタングステンランプアレイに赤色フィルター(東
芝製色ガラスフィルターV−R1D)を装着して行っ
た。帯電後の表面電位即ち帯電電位、光除電後の表面電
位即ち残留電位の測定結果を表41に示す。帯電電位及
び残留電位の変化が極めて小さいことがわかる。
ム素管に張り付け、ドラム感光体評価装置(ジェンテッ
ク製、シンシア90)により帯電及び光除電の繰り返し
特性を評価した。測定は、コロナ印加電圧:−5.8k
V、プロセス速度160mm/s、TCCD2モードで
の5000回の帯電及び光除電の繰り返しを行った。光
除電はタングステンランプアレイに赤色フィルター(東
芝製色ガラスフィルターV−R1D)を装着して行っ
た。帯電後の表面電位即ち帯電電位、光除電後の表面電
位即ち残留電位の測定結果を表41に示す。帯電電位及
び残留電位の変化が極めて小さいことがわかる。
【0112】比較例1−5 実施例1において、電荷発生物質として表40で示され
るアゾ顔料を用いた以外は、実施例1と同様にして電子
写真感光体を作製し、実施例1と同様の試験を行った。
結果を表41に示す。
るアゾ顔料を用いた以外は、実施例1と同様にして電子
写真感光体を作製し、実施例1と同様の試験を行った。
結果を表41に示す。
【0113】
【表40】
【0114】
【表41】
【0115】上記のように、実施例1から20で例示し
た感光体は、実施例19、20では感度及び繰り返し安
定性が他に比べるとやや劣っているものの、全般的に高
感度で繰り返し安定性に優れている。一方、比較例1か
ら5で例示した感光体は、比較例1はそれ程低感度では
ないが、全体的に低感度で繰り返し安定性に劣り、繰り
返しにより帯電電位が低下し、残留電位が大きく上昇す
る。このように繰り返し安定性が劣っていると、コピー
実写評価では、繰り返しにより実写画像のコントラスト
が低下すると共に画像カブリが発生する。
た感光体は、実施例19、20では感度及び繰り返し安
定性が他に比べるとやや劣っているものの、全般的に高
感度で繰り返し安定性に優れている。一方、比較例1か
ら5で例示した感光体は、比較例1はそれ程低感度では
ないが、全体的に低感度で繰り返し安定性に劣り、繰り
返しにより帯電電位が低下し、残留電位が大きく上昇す
る。このように繰り返し安定性が劣っていると、コピー
実写評価では、繰り返しにより実写画像のコントラスト
が低下すると共に画像カブリが発生する。
【0116】実施例21−40 表42で示される例示アゾ顔料とポリビニルブチラール
樹脂(積水化学工業製、エスレックBM−S)1重量部
を1,2−ジメトキシエタン100重量部に混合し、ペ
イントコンディショナーによりガラスビーズ(シンマル
エンタープライゼズ製、ハイビーD−20)と共に4時
間分散した。こうして得た顔料分散液をアプリケーター
にて金属アルミニウム薄板(JIS規格#1050)上
に塗布し、80℃で15分乾燥して膜厚約0.4μmの
電荷発生層を得た。
樹脂(積水化学工業製、エスレックBM−S)1重量部
を1,2−ジメトキシエタン100重量部に混合し、ペ
イントコンディショナーによりガラスビーズ(シンマル
エンタープライゼズ製、ハイビーD−20)と共に4時
間分散した。こうして得た顔料分散液をアプリケーター
にて金属アルミニウム薄板(JIS規格#1050)上
に塗布し、80℃で15分乾燥して膜厚約0.4μmの
電荷発生層を得た。
【0117】次に例示化合物(CT−2)で示される電
荷移動物質10重量部と酸化防止剤(2,6−ジ−te
rt−ブチル−4−メチルフェノール)0.1重量部と
ポリカーボネート樹脂(帝人化成製、TS−2050)
8重量部とポリエステル樹脂(東洋紡績製、バイロン2
00)2重量部をジクロロメタン140重量部に溶解さ
せて、上記電荷発生層の上に、この溶液をアプリケータ
ーにより塗布し、80℃で60分乾燥して乾燥膜厚24
μmの電荷移動層を形成した。乾燥後の感光層の反射ス
ペクトルを紫外可視分光光度計(UV−2100、島津
製作所製)に積分球反射付属装置(ISR−260、島
津製作所製)を装着して測定したところ、680nmに
おける吸光度A2と560nmにおける吸光度A1の比
(A2/A1)は0.45であった。結果を表43に示
す。
荷移動物質10重量部と酸化防止剤(2,6−ジ−te
rt−ブチル−4−メチルフェノール)0.1重量部と
ポリカーボネート樹脂(帝人化成製、TS−2050)
8重量部とポリエステル樹脂(東洋紡績製、バイロン2
00)2重量部をジクロロメタン140重量部に溶解さ
せて、上記電荷発生層の上に、この溶液をアプリケータ
ーにより塗布し、80℃で60分乾燥して乾燥膜厚24
μmの電荷移動層を形成した。乾燥後の感光層の反射ス
ペクトルを紫外可視分光光度計(UV−2100、島津
製作所製)に積分球反射付属装置(ISR−260、島
津製作所製)を装着して測定したところ、680nmに
おける吸光度A2と560nmにおける吸光度A1の比
(A2/A1)は0.45であった。結果を表43に示
す。
【0118】この様にして作製した積層型電子写真感光
体を室温暗中に一昼夜保管した後、静電記録試験装置
(川口電機製作所製、EPA−8200)により電子写
真特性評価を行った。測定条件は、コロナ印加電圧:−
4.8kV、スタティックモードNo.3(プロセス速
度167mm/s)、照射光(白色光)照度:2lxで
あった。その結果、半減露光量0.69lx・sと非常
に高感度の値を示した。結果を表43に示す。
体を室温暗中に一昼夜保管した後、静電記録試験装置
(川口電機製作所製、EPA−8200)により電子写
真特性評価を行った。測定条件は、コロナ印加電圧:−
4.8kV、スタティックモードNo.3(プロセス速
度167mm/s)、照射光(白色光)照度:2lxで
あった。その結果、半減露光量0.69lx・sと非常
に高感度の値を示した。結果を表43に示す。
【0119】次に、この感光体をアルミニウム製のドラ
ム素管に張り付け、ドラム感光体評価装置(ジェンテッ
ク製、シンシア90)により帯電及び光除電の繰り返し
特性を評価した。測定は、コロナ印加電圧:−5.8k
V、プロセス速度160mm/s、TCCD2モードで
の5000回の帯電及び光除電の繰り返しを行った。光
除電はタングステンランプアレイに赤色フィルター(東
芝製色ガラスフィルターV−R1D)を装着して行っ
た。帯電後の表面電位即ち帯電電位、光除電後の表面電
位即ち残留電位の測定結果を表43に示す。帯電電位及
び残留電位の変化が極めて小さいことがわかる。
ム素管に張り付け、ドラム感光体評価装置(ジェンテッ
ク製、シンシア90)により帯電及び光除電の繰り返し
特性を評価した。測定は、コロナ印加電圧:−5.8k
V、プロセス速度160mm/s、TCCD2モードで
の5000回の帯電及び光除電の繰り返しを行った。光
除電はタングステンランプアレイに赤色フィルター(東
芝製色ガラスフィルターV−R1D)を装着して行っ
た。帯電後の表面電位即ち帯電電位、光除電後の表面電
位即ち残留電位の測定結果を表43に示す。帯電電位及
び残留電位の変化が極めて小さいことがわかる。
【0120】比較例6−10 実施例21において、電荷発生物質として表42で表さ
れるアゾ顔料を用いた以外は、実施例21と同様にして
電子写真感光体を作製し、実施例21と同様の試験を行
った。結果を表43に示す。
れるアゾ顔料を用いた以外は、実施例21と同様にして
電子写真感光体を作製し、実施例21と同様の試験を行
った。結果を表43に示す。
【0121】
【表42】
【0122】
【表43】
【0123】上記のように、実施例21から40で例示
した感光体は、実施例25、37、38、39、40で
は感度及び繰り返し安定性が、他に比べるとやや劣って
いるものの、全体的に高感度で、繰り返し安定性に優れ
ている。一方、比較例6から10で例示した感光体は、
比較例6はそれ程低感度ではないが、全体的に低感度で
繰り返し安定性に劣り、繰り返しにより帯電電位が低下
し、残留電位が大きく上昇する。このように繰り返し安
定性が劣っていると、コピー実写評価では、繰り返しに
より実写画像のコントラストが低下すると共に画像カブ
リが発生する。
した感光体は、実施例25、37、38、39、40で
は感度及び繰り返し安定性が、他に比べるとやや劣って
いるものの、全体的に高感度で、繰り返し安定性に優れ
ている。一方、比較例6から10で例示した感光体は、
比較例6はそれ程低感度ではないが、全体的に低感度で
繰り返し安定性に劣り、繰り返しにより帯電電位が低下
し、残留電位が大きく上昇する。このように繰り返し安
定性が劣っていると、コピー実写評価では、繰り返しに
より実写画像のコントラストが低下すると共に画像カブ
リが発生する。
【0124】実施例41−60 表44で示される例示アゾ顔料とポリビニルブチラール
樹脂(積水化学工業製、エスレックKS−1)1重量部
を1,2−ジメトキシエタン100重量部に混合し、ペ
イントコンディショナーによりガラスビーズ(シンマル
エンタープライゼズ製、ハイビーD−20)と共に4時
間分散した。こうして得た顔料分散液をアプリケーター
にて金属アルミニウム薄板(JIS規格#1050)上
に塗布し、80℃で15分乾燥して膜厚約0.4μmの
電荷発生層を得た。
樹脂(積水化学工業製、エスレックKS−1)1重量部
を1,2−ジメトキシエタン100重量部に混合し、ペ
イントコンディショナーによりガラスビーズ(シンマル
エンタープライゼズ製、ハイビーD−20)と共に4時
間分散した。こうして得た顔料分散液をアプリケーター
にて金属アルミニウム薄板(JIS規格#1050)上
に塗布し、80℃で15分乾燥して膜厚約0.4μmの
電荷発生層を得た。
【0125】次に例示化合物(CT−3)で示される電
荷移動物質10重量部とポリカーボネート樹脂(出光興
産製、タフゼットB−500)をジクロロメタン140
重量部に溶解させて、上記電荷発生層の上に、この溶液
をアプリケーターにより塗布し、80℃で60分乾燥し
て乾燥膜厚24μmの電荷移動層を形成した。乾燥後の
感光層の反射スペクトルを紫外可視分光光度計(UV−
2100、島津製作所製)に積分球反射付属装置(IS
R−260、島津製作所製)を装着して測定したとこ
ろ、680nmにおける吸光度A2と560nmにおけ
る吸光度A1の比(A2/A1)は0.14であった。
結果を表45に示す。
荷移動物質10重量部とポリカーボネート樹脂(出光興
産製、タフゼットB−500)をジクロロメタン140
重量部に溶解させて、上記電荷発生層の上に、この溶液
をアプリケーターにより塗布し、80℃で60分乾燥し
て乾燥膜厚24μmの電荷移動層を形成した。乾燥後の
感光層の反射スペクトルを紫外可視分光光度計(UV−
2100、島津製作所製)に積分球反射付属装置(IS
R−260、島津製作所製)を装着して測定したとこ
ろ、680nmにおける吸光度A2と560nmにおけ
る吸光度A1の比(A2/A1)は0.14であった。
結果を表45に示す。
【0126】この様にして作製した積層型電子写真感光
体を室温暗中に一昼夜保管した後、静電記録試験装置
(川口電機製作所製、EPA−8200)により電子写
真特性評価を行った。測定条件は、コロナ印加電圧:−
4.8kV、スタティックモードNo.3(プロセス速
度167mm/s)、照射光(白色光)照度:2lxで
あった。その結果、半減露光量0.82lx・sと高感
度の値を示した。結果を表45に示す。
体を室温暗中に一昼夜保管した後、静電記録試験装置
(川口電機製作所製、EPA−8200)により電子写
真特性評価を行った。測定条件は、コロナ印加電圧:−
4.8kV、スタティックモードNo.3(プロセス速
度167mm/s)、照射光(白色光)照度:2lxで
あった。その結果、半減露光量0.82lx・sと高感
度の値を示した。結果を表45に示す。
【0127】次に、この感光体をアルミニウム製のドラ
ム素管に張り付け、ドラム感光体評価装置(ジェンテッ
ク製、シンシア90)により帯電及び光除電の繰り返し
特性を評価した。測定は、コロナ印加電圧:−5.8k
V、プロセス速度160mm/s、TCCD2モードで
の5000回の帯電及び光除電の繰り返しを行った。光
除電はタングステンランプアレイに赤色フィルター(東
芝製色ガラスフィルターV−R1D)を装着して行っ
た。帯電後の表面電位即ち帯電電位、光除電後の表面電
位即ち残留電位の測定結果を表45に示す。帯電電位及
び残留電位の変化が小さいことがわかる。
ム素管に張り付け、ドラム感光体評価装置(ジェンテッ
ク製、シンシア90)により帯電及び光除電の繰り返し
特性を評価した。測定は、コロナ印加電圧:−5.8k
V、プロセス速度160mm/s、TCCD2モードで
の5000回の帯電及び光除電の繰り返しを行った。光
除電はタングステンランプアレイに赤色フィルター(東
芝製色ガラスフィルターV−R1D)を装着して行っ
た。帯電後の表面電位即ち帯電電位、光除電後の表面電
位即ち残留電位の測定結果を表45に示す。帯電電位及
び残留電位の変化が小さいことがわかる。
【0128】
【表44】
【0129】
【表45】
【0130】上記のように、実施例41から60で例示
した感光体の中で、実施例42、43、46、47、5
0、51、54、55、58、59では、A2/A1比
が好ましい範囲であり、高感度で繰り返し安定性に優れ
ており、中でも実施例42、46、50、54、58
は、A2/A1比が特に好ましい範囲にあり、非常に高
感度で繰り返し安定性に優れている。また実施例41、
45、49、53、57では、A2/A1比がやや低
く、実施例44、48、52、56、60では、A2/
A1比が高く、感度及び繰り返し安定性は、A2/A1
比が好ましい範囲にある実施例に比べるとやや劣ってい
る。しかしながら、実施例41から60で例示した感光
体は、全体的に十分高感度で繰り返し安定性に優れてい
る。
した感光体の中で、実施例42、43、46、47、5
0、51、54、55、58、59では、A2/A1比
が好ましい範囲であり、高感度で繰り返し安定性に優れ
ており、中でも実施例42、46、50、54、58
は、A2/A1比が特に好ましい範囲にあり、非常に高
感度で繰り返し安定性に優れている。また実施例41、
45、49、53、57では、A2/A1比がやや低
く、実施例44、48、52、56、60では、A2/
A1比が高く、感度及び繰り返し安定性は、A2/A1
比が好ましい範囲にある実施例に比べるとやや劣ってい
る。しかしながら、実施例41から60で例示した感光
体は、全体的に十分高感度で繰り返し安定性に優れてい
る。
【0131】
【発明の効果】以上から明らかなように、本発明によれ
ば、高感度で、しかも繰り返し安定性に優れた電子写真
感光体を提供することができる。
ば、高感度で、しかも繰り返し安定性に優れた電子写真
感光体を提供することができる。
【図1】実施例1の感光層の反射スペクトル。
A1 560nmにおける吸光度(Abs.) A2 680nmにおける吸光度(Abs.)
Claims (2)
- 【請求項1】 導電性支持体上に感光層を設けてなる電
子写真感光体において、電荷発生物質として、下記一般
式(I)で表されるアゾ顔料の少なくとも一種と下記一
般式(II)又は(III)で表されるアゾ顔料の少なくと
も1種を含有する感光層を有することを特徴とする電子
写真感光体。 【化1】 (式(I)中において、Aは水素、置換されていてもよ
いアルキル基、アリール基、複素環基を表し、m及びn
は0又は1であり、Cp1はカップラー残基を表す。) 【化2】 (式(II)中において、E及びGは置換されていてもよ
いアルキル基、アリール基、複素環基を表し、qは0又
は1であり、Cp2はカップラー残基を表す。) 【化3】 (式(III)中において、Jは置換されていてもよいピ
リジン環基、キノリン環基、フラン環基、チオフェン環
基、ピロール環基を表し、rは0又は1であり、Cp3
はカップラー残基を表す。) - 【請求項2】 前記感光層の反射スペクトルにおいて、
560nmにおける吸光度をA1、680nmにおける
吸光度をA2とした場合、A2/A1が0.2以上1.
0未満であることを特徴とする請求項1記載の電子写真
感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9331598A JPH11288112A (ja) | 1998-04-06 | 1998-04-06 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9331598A JPH11288112A (ja) | 1998-04-06 | 1998-04-06 | 電子写真感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11288112A true JPH11288112A (ja) | 1999-10-19 |
Family
ID=14078881
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9331598A Pending JPH11288112A (ja) | 1998-04-06 | 1998-04-06 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11288112A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7192976B2 (en) | 2002-12-21 | 2007-03-20 | Angion Biomedica Corporation | Small molecule modulators of hepatocyte growth factor (scatter factor) activity |
| US8772326B2 (en) | 2008-07-10 | 2014-07-08 | Anigion Biomedica Corp. | Methods and compositions of small molecule modulators of hepatocyte growth factor (scatter factor) activity |
| US10875849B2 (en) | 2019-04-11 | 2020-12-29 | Angion Biomedica Corp. | Solid forms of (E)-3-[2-(2-thienyl)vinyl]-1H-pyrazole |
-
1998
- 1998-04-06 JP JP9331598A patent/JPH11288112A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7192976B2 (en) | 2002-12-21 | 2007-03-20 | Angion Biomedica Corporation | Small molecule modulators of hepatocyte growth factor (scatter factor) activity |
| US7250437B2 (en) | 2002-12-21 | 2007-07-31 | Angion Biomedica Corp. | Small molecule modulators of hepatocyte growth factor (scatter factor) activity |
| US7265112B2 (en) | 2002-12-21 | 2007-09-04 | Angion Biomedica Corp. | Small molecule modulators of hepatocyte growth factor (scatter factor) activity |
| US8580834B2 (en) | 2002-12-21 | 2013-11-12 | Angion Biomedica Corp. | Small molecule modulators of hepatocyte growth factor (scatter factor) activity |
| US9663471B2 (en) | 2002-12-21 | 2017-05-30 | Angion Biomedica Corporation | Pyrazole derivatives as modulators of hepatocyte growth factor (scatter factor) activity |
| US8772326B2 (en) | 2008-07-10 | 2014-07-08 | Anigion Biomedica Corp. | Methods and compositions of small molecule modulators of hepatocyte growth factor (scatter factor) activity |
| US10899750B2 (en) | 2008-07-10 | 2021-01-26 | Angion Biomedica Corp. | Methods and compositions of small molecule modulators of hepatocyte growth factor (scatter factor) activity |
| US10875849B2 (en) | 2019-04-11 | 2020-12-29 | Angion Biomedica Corp. | Solid forms of (E)-3-[2-(2-thienyl)vinyl]-1H-pyrazole |
| US11370783B2 (en) | 2019-04-11 | 2022-06-28 | Angion Biomedica Corp. | Solid forms of (E)-3-[2-(2-thienyl)vinyl]-1H-pyrazole |
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