JPH0350552A - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
- Publication number
- JPH0350552A JPH0350552A JP18474689A JP18474689A JPH0350552A JP H0350552 A JPH0350552 A JP H0350552A JP 18474689 A JP18474689 A JP 18474689A JP 18474689 A JP18474689 A JP 18474689A JP H0350552 A JPH0350552 A JP H0350552A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- azo pigment
- general formula
- formula
- group
- ring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は電子写真感光体に関し、特に特定のアゾ顔料を
含有した電子写真感光体に関する。
含有した電子写真感光体に関する。
(従来の技術)
これ迄、セレン、硫化カドミウム、酸化亜鉛等の無機光
導電体を感光成分として利用した電子写真感光体は公知
である。
導電体を感光成分として利用した電子写真感光体は公知
である。
一方、特定の有機化合物が光導電性を示すことが発見さ
れてから、数多くの有機光導電体が開発されできた.例
えば、ポリーN−ビニルカルバゾール、ポリビニルアン
トラセン等の有機光導電性ボリマー、カルバゾール、ア
ントラセン、ビラゾリン類、オキサジアゾール類、ヒド
ラゾン類、ポリアリールアルカン類等の低分子の有機光
導電体やフタロシアニン顔料、アゾ顔料、シアニン染料
,多環キノン顔料、ベリレン系顔料、インジゴ染料、チ
オインジゴ染料或いはスクエアリック酸メチン染料等の
有機顔料や染料が知られている。
れてから、数多くの有機光導電体が開発されできた.例
えば、ポリーN−ビニルカルバゾール、ポリビニルアン
トラセン等の有機光導電性ボリマー、カルバゾール、ア
ントラセン、ビラゾリン類、オキサジアゾール類、ヒド
ラゾン類、ポリアリールアルカン類等の低分子の有機光
導電体やフタロシアニン顔料、アゾ顔料、シアニン染料
,多環キノン顔料、ベリレン系顔料、インジゴ染料、チ
オインジゴ染料或いはスクエアリック酸メチン染料等の
有機顔料や染料が知られている。
特に、光導電性を有する有機顔料や染料は、無機顔料に
較べて合成が容易で、しかも適当な波長域に光導電性を
示す化合物を選択出来るバリエーションが拡大されたこ
と等から、数多くの光導電性有機顔料や染料が提案され
ている。
較べて合成が容易で、しかも適当な波長域に光導電性を
示す化合物を選択出来るバリエーションが拡大されたこ
と等から、数多くの光導電性有機顔料や染料が提案され
ている。
例えば、米国特許第4123270号、同第42476
14号、同第4251613号、同第4251614号
、同第425682 1号、同第4260672号、同
第4268596号、同第4278747号、同第42
93628号明細書等に開示された様に、電荷発生層と
電荷輸送層とに機能分離した感光層における電荷発生物
質として、光導電性を示すアゾ顔料を用いた電子写真感
光体等が知られている。
14号、同第4251613号、同第4251614号
、同第425682 1号、同第4260672号、同
第4268596号、同第4278747号、同第42
93628号明細書等に開示された様に、電荷発生層と
電荷輸送層とに機能分離した感光層における電荷発生物
質として、光導電性を示すアゾ顔料を用いた電子写真感
光体等が知られている。
この様な有機光導電体を用いた電子写真感光体は、バイ
ンダーを適当に選択することによって塗工で生産出来る
為、極めて生産性が高く、安価な感光体を提供出来、し
かも有機顔料の選択によって感光波長域を自在にコント
ロール出来る利点を有している反面、この感光体は感度
と耐久特性の屯で無機系の感光体に劣るのが実情である
.(発明が解決しようとしている問題点)従って本発明
の目的は、新規な電子写真感光体を提供することにある
。
ンダーを適当に選択することによって塗工で生産出来る
為、極めて生産性が高く、安価な感光体を提供出来、し
かも有機顔料の選択によって感光波長域を自在にコント
ロール出来る利点を有している反面、この感光体は感度
と耐久特性の屯で無機系の感光体に劣るのが実情である
.(発明が解決しようとしている問題点)従って本発明
の目的は、新規な電子写真感光体を提供することにある
。
本発明のもう一つの別の目的は、実用的な高感度特性と
繰り返し使用における安定な電位特性を有する電子写真
感光体を提供することにある。
繰り返し使用における安定な電位特性を有する電子写真
感光体を提供することにある。
(問題点を解決する為の手段)
上記目的は以下の本発明によって達成される。
即ち、本発明は、導電性支持体上に
一般式(・I)
CN
l
X ;
一x/
(式中Xはベンゼン環と縮合して置換基を有してもよい
芳香族炭化水素環及び芳香族複素環を形成するのに必要
な残基を示す) で表される有機残基が,結合基を介して結合していても
よい置換若しくは非置換の芳香族炭化水素環又は芳香族
複素環と結合した構造を有するアゾ顔料を含む感光層を
有することを特徴とする電子写真用感光体である。
芳香族炭化水素環及び芳香族複素環を形成するのに必要
な残基を示す) で表される有機残基が,結合基を介して結合していても
よい置換若しくは非置換の芳香族炭化水素環又は芳香族
複素環と結合した構造を有するアゾ顔料を含む感光層を
有することを特徴とする電子写真用感光体である。
(作 用)
感光層を特定のアゾ顔料から形成することによって、実
用的な高感度特性と繰り返し使用における安定な電位特
性を有する電子写真感光体が提供される. (好ましい実施態様) 次ニ好ましい実施態様を挙げて本発明を更に詳しく説明
する。
用的な高感度特性と繰り返し使用における安定な電位特
性を有する電子写真感光体が提供される. (好ましい実施態様) 次ニ好ましい実施態様を挙げて本発明を更に詳しく説明
する。
本発明で使用するアゾ顔料の前記一毅式(1)における
Xの好ましい例としては,ベンゼン環と縮合して置換基
を有してもよいナフタレン環、アントラセン環、カルバ
ゾール環、ペンゾカルバゾール環、ジベンゾカルバゾー
ル環、ジベンゾフラン環、ペンゾナフトフラン環、フル
才レノン環、ジフエニレンサルファイト環等の芳香族炭
化水素環又は芳香族複素環を形成するのに必要な有機残
基が挙げられる。
Xの好ましい例としては,ベンゼン環と縮合して置換基
を有してもよいナフタレン環、アントラセン環、カルバ
ゾール環、ペンゾカルバゾール環、ジベンゾカルバゾー
ル環、ジベンゾフラン環、ペンゾナフトフラン環、フル
才レノン環、ジフエニレンサルファイト環等の芳香族炭
化水素環又は芳香族複素環を形成するのに必要な有機残
基が挙げられる。
尚、上記芳香族炭化水素環又は芳香族複素環の有しても
よい置換基としては、メチル、エチル、プロビル、ブチ
ル等のアルキル基、メトキシ、エトキシ、ブロボキシ等
のアルコキシ基、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ等の
置換アミノ基、弗素、塩素、臭素等のハロゲン原子、ヒ
ドロキシ基、ニトロ基、シアン基及びハロメチル基等が
挙げられる. 一般式(I)で表わされる有機残基が結合する結合基を
介して結合してもよい置換若しくは非置換の芳香族炭化
水素環及び芳香族複素環としては、ベンゼン、ナフタレ
ン、フルオレン、フエナンスレン、アンスラセン、ビレ
ン等の炭化水素系芳香環、.フラン、チオフエノン、ビ
リジン、インドール、ペンゾチアゾール、カルバゾール
、アクリドン、ジベンゾチオフエノン、ペンゾオキサゾ
ール、ペンゾトリアゾール、オキサジアゾール、チアゾ
ール等の複素系芳香環、更に上記芳香環を直接或いは芳
香族性基又は非芳香族性基で結合したもの、例えば、ト
リフェニルアミン、ジフェニルアミン、N−メチルジフ
ェニルアミン、ビフエニル、ターフェニル、ビナフチル
、フルオレノン、フエナンスレンキノン、アンスラキノ
ン、ベンズアントロン、ジフエニルオキサジアゾール、
フェニルベンゾオキサゾール、ジフエニルメタン、ジフ
ェニルスルホン、ジフエニルエーテル、ペンゾフェノン
、スチルベン、ジスチリルベンゼン、テトラフエニルー
p−フエニレンジアミン、テトラフェニルベンジジン等
が挙げられる. 上記結合基を介してよい芳香族炭化水素環又は芳香族複
素環の有してもよい置換基としては、メチル、エチル、
プロビル、ブチル等のアルキル基、メトキシ、エトキシ
等のアルコキシ基、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ等
のジアルキルアミノ基、弗素、塩素、臭素等のハロゲン
原子、ヒドロキシ基、ニトロ基、シアノ基、ハロメチル
基及び下記一般式(III) −N=N−Cp ( III )で示
される置換アゾ基が挙げられる. 上記一般式(IO)におけるCpは、フェノール性水酸
基を有するカップラー残基を示し、好ましい例としては
以下の一般式(TV)乃至(XV)で示される構造を有
するものが挙げられる。
よい置換基としては、メチル、エチル、プロビル、ブチ
ル等のアルキル基、メトキシ、エトキシ、ブロボキシ等
のアルコキシ基、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ等の
置換アミノ基、弗素、塩素、臭素等のハロゲン原子、ヒ
ドロキシ基、ニトロ基、シアン基及びハロメチル基等が
挙げられる. 一般式(I)で表わされる有機残基が結合する結合基を
介して結合してもよい置換若しくは非置換の芳香族炭化
水素環及び芳香族複素環としては、ベンゼン、ナフタレ
ン、フルオレン、フエナンスレン、アンスラセン、ビレ
ン等の炭化水素系芳香環、.フラン、チオフエノン、ビ
リジン、インドール、ペンゾチアゾール、カルバゾール
、アクリドン、ジベンゾチオフエノン、ペンゾオキサゾ
ール、ペンゾトリアゾール、オキサジアゾール、チアゾ
ール等の複素系芳香環、更に上記芳香環を直接或いは芳
香族性基又は非芳香族性基で結合したもの、例えば、ト
リフェニルアミン、ジフェニルアミン、N−メチルジフ
ェニルアミン、ビフエニル、ターフェニル、ビナフチル
、フルオレノン、フエナンスレンキノン、アンスラキノ
ン、ベンズアントロン、ジフエニルオキサジアゾール、
フェニルベンゾオキサゾール、ジフエニルメタン、ジフ
ェニルスルホン、ジフエニルエーテル、ペンゾフェノン
、スチルベン、ジスチリルベンゼン、テトラフエニルー
p−フエニレンジアミン、テトラフェニルベンジジン等
が挙げられる. 上記結合基を介してよい芳香族炭化水素環又は芳香族複
素環の有してもよい置換基としては、メチル、エチル、
プロビル、ブチル等のアルキル基、メトキシ、エトキシ
等のアルコキシ基、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ等
のジアルキルアミノ基、弗素、塩素、臭素等のハロゲン
原子、ヒドロキシ基、ニトロ基、シアノ基、ハロメチル
基及び下記一般式(III) −N=N−Cp ( III )で示
される置換アゾ基が挙げられる. 上記一般式(IO)におけるCpは、フェノール性水酸
基を有するカップラー残基を示し、好ましい例としては
以下の一般式(TV)乃至(XV)で示される構造を有
するものが挙げられる。
CN
/
゛一X一
R,
ノ
,イ,
上記一般式中のXは、ベンゼン環と縮合して置換基を有
してもよいナフタレン環、アントラセン環、カルバゾー
ル環、ペンゾカルバゾール環、ジベンゾカルバゾール環
、ジベンゾフラン環、ペンゾナフトフラン環、フルオレ
ノン環,ジフエニレンサルファイト環等の芳香族炭化水
素環又は芳香族複素環を形成するのに必要な有機残基を
示す。
してもよいナフタレン環、アントラセン環、カルバゾー
ル環、ペンゾカルバゾール環、ジベンゾカルバゾール環
、ジベンゾフラン環、ペンゾナフトフラン環、フルオレ
ノン環,ジフエニレンサルファイト環等の芳香族炭化水
素環又は芳香族複素環を形成するのに必要な有機残基を
示す。
R,及びR,は水素原子、置換基を有してもよいアルキ
ル基、アラルキル基、アリール基、複素環基又はR,と
R4の結合する窒素原子を環内に含む環状アミノ基を示
す。
ル基、アラルキル基、アリール基、複素環基又はR,と
R4の結合する窒素原子を環内に含む環状アミノ基を示
す。
R.及びR.は水素原子、・置換基を有してもよいアル
キル基,アラルキル基、アリール基、複素環基を示す。
キル基,アラルキル基、アリール基、複素環基を示す。
R,は置換基を有してもよいアルキル基、アラルキル基
、アリール基、複素環基を示す.Y.は置換基を有して
もよい2価の炭化水素環基又はヘテロ環基を示す. Y1を含む=C=Y.とじては 等が挙げられる。
、アリール基、複素環基を示す.Y.は置換基を有して
もよい2価の炭化水素環基又はヘテロ環基を示す. Y1を含む=C=Y.とじては 等が挙げられる。
Y,は置換基を有してもよいZ価の芳香族炭化水素環基
を示し、O−フエニレン、O−ナフチレン,ベリナフチ
レン、1.2−アンスリレン、9.10−フエナンスリ
レン基等が挙げられる. Y,は置換基を有してもよい2価の芳香族炭化水素環基
又は窒素原子を環内に含む2価の複素環基を示し、2価
の芳香族炭化水素環基としては、0−フェニレン、O−
ナフチレン、ペリナフチレン、L,2−アンスリレン、
9,lO−フェナンスリレン基等が挙げられ、又、窒素
原子を環内に含む2価の複素環基としては、3,4−ビ
ラゾールジイル基,2,3−ビリジンジイル基、4,5
一ビリミジンジイル基、6.7−インダゾールジイル基
、5.6−ペンズイミダゾールジイル基、6.7−キノ
リンジイル基等が挙げられる。
を示し、O−フエニレン、O−ナフチレン,ベリナフチ
レン、1.2−アンスリレン、9.10−フエナンスリ
レン基等が挙げられる. Y,は置換基を有してもよい2価の芳香族炭化水素環基
又は窒素原子を環内に含む2価の複素環基を示し、2価
の芳香族炭化水素環基としては、0−フェニレン、O−
ナフチレン、ペリナフチレン、L,2−アンスリレン、
9,lO−フェナンスリレン基等が挙げられ、又、窒素
原子を環内に含む2価の複素環基としては、3,4−ビ
ラゾールジイル基,2,3−ビリジンジイル基、4,5
一ビリミジンジイル基、6.7−インダゾールジイル基
、5.6−ペンズイミダゾールジイル基、6.7−キノ
リンジイル基等が挙げられる。
Bは酸素原子、硫黄原子、N一置換又は非置換のイミノ
基を示し、Nの置換基としては置換基を有してもよいア
ルキル基、アラルキル基、アリール基を示す。
基を示し、Nの置換基としては置換基を有してもよいア
ルキル基、アラルキル基、アリール基を示す。
Zは酸素原子、硫黄原子を示す。
上記表現のアルキル基としてはメチル、エチル、プロビ
ル、ブチル等の基が挙げられる。
ル、ブチル等の基が挙げられる。
7ラルキル基としてはベンジル、フエネチル・ナフチル
メチル等の基が挙げられる。
メチル等の基が挙げられる。
アリール基としてはフエニル、ジフエニル、ナフチル、
アンスリル等の基が挙げられる.複素環基としてはビリ
ジル、チェニル、フリル、チアゾリル、カルバゾリル、
ジベンゾフリル、ペンゾイミダゾリル、ペンゾチアゾリ
ル等の基が挙げられる。
アンスリル等の基が挙げられる.複素環基としてはビリ
ジル、チェニル、フリル、チアゾリル、カルバゾリル、
ジベンゾフリル、ペンゾイミダゾリル、ペンゾチアゾリ
ル等の基が挙げられる。
窒素原子を環内に含む璋状アミノ基としては、ビロール
、ビロリン,ビロリジン、ビロリドン、インドール、イ
ンドリン、イソインドール、カルバゾール、ベンゾイン
ドール、イミダゾール、ビラゾール、ピラゾリン、オキ
サジン、フェノキサジン、ペンゾカルパゾール等から誘
導される環状アミノ基が挙げられる. 上記表現の置換基とは、メチル、エチル、プロビル等の
アルキル基、メトキシ、エトキシ等のアルコキシ基、弗
素、塩素、臭素、沃素等のハロゲン原子、ジメチルアミ
ノ基、ジエチルアミノ基等のアルキルアミノ基、フエニ
ルカルバモイル基、ニトロ基、シアノ基、トリフルオロ
メチル基等のハロメチル基等を示す。
、ビロリン,ビロリジン、ビロリドン、インドール、イ
ンドリン、イソインドール、カルバゾール、ベンゾイン
ドール、イミダゾール、ビラゾール、ピラゾリン、オキ
サジン、フェノキサジン、ペンゾカルパゾール等から誘
導される環状アミノ基が挙げられる. 上記表現の置換基とは、メチル、エチル、プロビル等の
アルキル基、メトキシ、エトキシ等のアルコキシ基、弗
素、塩素、臭素、沃素等のハロゲン原子、ジメチルアミ
ノ基、ジエチルアミノ基等のアルキルアミノ基、フエニ
ルカルバモイル基、ニトロ基、シアノ基、トリフルオロ
メチル基等のハロメチル基等を示す。
前記一般式(I)の有機残を有するアゾ顔料の代表例を
挙げる. (以下余白) 上記式においてn=1の場合 l−19 @コケ ◎ n=2の場合 NO2 CF. n=3の場合 Z:=Y n =4の場合 (以下余白) 本発明に用いられる一般式( X Vl >で示される
カップラー成分は、下記一般式(X■)で示される対応
するアルデヒドとマロノニトリルとを公知の方法で脱水
縮合することによって合成される. CN / (式中Xは一般式(1)と同じ意味を示す)本発明に用
いられるアゾ顔料は、対応するアミノ化合物を常法によ
りジアゾ化し、アルカリ存在下で上記合成されるカップ
ラーとカップリングさせるか又は対応するアミノ化合物
のジアゾニウム塩を硼弗化塩又は塩化亜鉛複塩等の塩の
形で一旦単離した後、適当な溶媒、例えば、DMF (
N,N−ジメチルホルムアミド),ジメチルスルホキシ
ド等の有機溶媒中、酢酸ソーダ、ビリジン、トリエチル
アミン等の塩基の存在下でカップリングすることにより
製造することが出来る。
挙げる. (以下余白) 上記式においてn=1の場合 l−19 @コケ ◎ n=2の場合 NO2 CF. n=3の場合 Z:=Y n =4の場合 (以下余白) 本発明に用いられる一般式( X Vl >で示される
カップラー成分は、下記一般式(X■)で示される対応
するアルデヒドとマロノニトリルとを公知の方法で脱水
縮合することによって合成される. CN / (式中Xは一般式(1)と同じ意味を示す)本発明に用
いられるアゾ顔料は、対応するアミノ化合物を常法によ
りジアゾ化し、アルカリ存在下で上記合成されるカップ
ラーとカップリングさせるか又は対応するアミノ化合物
のジアゾニウム塩を硼弗化塩又は塩化亜鉛複塩等の塩の
形で一旦単離した後、適当な溶媒、例えば、DMF (
N,N−ジメチルホルムアミド),ジメチルスルホキシ
ド等の有機溶媒中、酢酸ソーダ、ビリジン、トリエチル
アミン等の塩基の存在下でカップリングすることにより
製造することが出来る。
又、本発明で使用するアゾ顔料のうち、ジスアゾ、トリ
スアゾ、テトラキスアゾ顔料の場合は、同一分子内に一
般式(XVI)で示されるカップラー成分が1個以上含
まれていれば他のカップラー成分を含んでいてもかまわ
ない。この場合の合成法としては一般式(X■) (CL(:ONHI −−Ar− (NH*l +
( X■)(Arは一般式(n)と同じ意味を表
わす.I2、mは1、2又は3の整数を表わし、[+m
は2、3又は4を表わす)で示されるアミノ化合物をジ
アゾ化し、前記一般式(XVT)で示されるカップラー
とカップリングさせた後、塩酸等の鉱酸類により加水分
解し、 CN l (Ar, mは一般式(X■)と同じ意味を表わし、X
は一般式(I)と同じ意味を表わす)を得、再度ジアゾ
化し、別のフェノール性水酸基を有するカップラーとカ
ップリングして製造しても構わないし,或いは一般式(
XrX)Ar− tNHal ,l( X IX )(
Arは一般式(n)と同じ意味を表わし、nは2、3或
いは4の整数を表わす) で示されるアミノ化合物を常法によりジアゾニウム塩と
し、これを一般式(X■)で示されるカップラーと、こ
れとは別のカップラーとを混合溶解した溶液中でカップ
リングして製造しても構わない。
スアゾ、テトラキスアゾ顔料の場合は、同一分子内に一
般式(XVI)で示されるカップラー成分が1個以上含
まれていれば他のカップラー成分を含んでいてもかまわ
ない。この場合の合成法としては一般式(X■) (CL(:ONHI −−Ar− (NH*l +
( X■)(Arは一般式(n)と同じ意味を表
わす.I2、mは1、2又は3の整数を表わし、[+m
は2、3又は4を表わす)で示されるアミノ化合物をジ
アゾ化し、前記一般式(XVT)で示されるカップラー
とカップリングさせた後、塩酸等の鉱酸類により加水分
解し、 CN l (Ar, mは一般式(X■)と同じ意味を表わし、X
は一般式(I)と同じ意味を表わす)を得、再度ジアゾ
化し、別のフェノール性水酸基を有するカップラーとカ
ップリングして製造しても構わないし,或いは一般式(
XrX)Ar− tNHal ,l( X IX )(
Arは一般式(n)と同じ意味を表わし、nは2、3或
いは4の整数を表わす) で示されるアミノ化合物を常法によりジアゾニウム塩と
し、これを一般式(X■)で示されるカップラーと、こ
れとは別のカップラーとを混合溶解した溶液中でカップ
リングして製造しても構わない。
次に本発明に用いるアゾ顔料の代表的な合成例を示す。
合成例1(前記例示のアゾ顔料No. 2 − 1の合
成) 3 0 0mI2のビーカーに水Loomβ、濃塩酸2
4mI2(0.27モル)を入れ、氷水浴で冷却しなが
ら、0−ジアニシジ:/ 1 0. 0 g (0.(
l41 モル)を加え、撹拌しつり液温を3℃とした.
次に亜硝酸ソーダ6. 0 g (0.087モル)を
氷1 0mj!に溶かした液を液温5℃以下にコントロ
ールしながらlO分間で滴下し、滴下終了後同温度で更
に30分間撹拌した.反応液にカーボンを加えて濾過し
た後に、硼弗化ソーダ13.5g(0. 123モル)
を水20mεに溶かした液を滴下し、析出した硼弗化塩
を濾取し、水洗後真空乾燥した(収量13.6g,収率
75%).次に2QのビーカーにDMF1 gを入れ、
これに CN l 10.57g (0.048モル)を溶解し、液温を5
℃に冷却し、先に得た硼弗化塩10.Og(0. 02
3モル)を溶解させた後、トリエチルアミン5. 8
g (0.038モル)を10分間で滴下し、その後2
時間撹拌した. 反応液を濾過した後,DMFIβでS回洗浄し、アセト
ンで置換し真空乾燥により目的のアゾ顔料No. 2
− 1を得た(収量17.4g、収率80%(硼弗化塩
ベース)). C: 71.38% 71.35%H7
3.71% 3. 73%N:
15.86% 15.87%前述のア
ゾ顔料を有する被膜は光導電性を示し、従って下述する
電子写真感光体の感光層に用いることが出来る。
成) 3 0 0mI2のビーカーに水Loomβ、濃塩酸2
4mI2(0.27モル)を入れ、氷水浴で冷却しなが
ら、0−ジアニシジ:/ 1 0. 0 g (0.(
l41 モル)を加え、撹拌しつり液温を3℃とした.
次に亜硝酸ソーダ6. 0 g (0.087モル)を
氷1 0mj!に溶かした液を液温5℃以下にコントロ
ールしながらlO分間で滴下し、滴下終了後同温度で更
に30分間撹拌した.反応液にカーボンを加えて濾過し
た後に、硼弗化ソーダ13.5g(0. 123モル)
を水20mεに溶かした液を滴下し、析出した硼弗化塩
を濾取し、水洗後真空乾燥した(収量13.6g,収率
75%).次に2QのビーカーにDMF1 gを入れ、
これに CN l 10.57g (0.048モル)を溶解し、液温を5
℃に冷却し、先に得た硼弗化塩10.Og(0. 02
3モル)を溶解させた後、トリエチルアミン5. 8
g (0.038モル)を10分間で滴下し、その後2
時間撹拌した. 反応液を濾過した後,DMFIβでS回洗浄し、アセト
ンで置換し真空乾燥により目的のアゾ顔料No. 2
− 1を得た(収量17.4g、収率80%(硼弗化塩
ベース)). C: 71.38% 71.35%H7
3.71% 3. 73%N:
15.86% 15.87%前述のア
ゾ顔料を有する被膜は光導電性を示し、従って下述する
電子写真感光体の感光層に用いることが出来る。
本発明の好ましい具体例では、感光層を電荷発生層と電
荷輸送層とに機能分離した電子写真感光体における電荷
発生物質に前述のアゾ顔料を用いることが出来る. 電荷発生層は、十分な吸光度を得る為に出来る限り多く
の電荷発生物質を含有し、且つ発生した電荷キャリアの
飛程を短くする為に薄膜層、例えば、5um以下、好ま
しくは0.01乃至1umの膜厚をもつ薄膜層とするこ
とが望ましい。このことは、入射光量の大部分が電荷発
生層で吸収されて、多くの電荷キャリアを生成すること
、更に発生した電荷キャリアを再結合や捕獲(トラップ
)により失活することなく、電荷輸送層に注入する必要
があることに帰因している. 電荷発生層は、前述のアゾ顔料を適当なバインダーに分
散させ、これを基体の上に塗工することによって形成出
来る. 電荷発生層を塗工によって形成する際に用い得るバイン
ダーとしては、広範な絶縁性樹脂から選択出来、又、ポ
リーN−ビニルカルバゾール,ポリビニルアントラセン
、ポリビニルピレン等の有機光導電性ポリマーから選択
出来る. 好ましくはポリビニルブチラール、ポリビニルベンザー
ル,ポリアリレート(ビスフェノールAとフタル酸との
縮重合体等)、ポリカーボネート、ポリエステル、フェ
ノキシ樹脂、ポリ酢酸ビニル、アクリル樹脂、ポリアク
リルアミド樹脂、ポリアミド、ポリビニルビリジン、セ
ルロース系樹脂、ウレタン樹脂、エボキシ樹脂、カゼイ
ン、ポリビニルアルコール,ポリビニルビロリドン等の
絶縁性樹脂を挙げることが出来る.N荷発生層中に含有
する樹脂は80重量%以下、好ましくは40重量%以下
が適している。
荷輸送層とに機能分離した電子写真感光体における電荷
発生物質に前述のアゾ顔料を用いることが出来る. 電荷発生層は、十分な吸光度を得る為に出来る限り多く
の電荷発生物質を含有し、且つ発生した電荷キャリアの
飛程を短くする為に薄膜層、例えば、5um以下、好ま
しくは0.01乃至1umの膜厚をもつ薄膜層とするこ
とが望ましい。このことは、入射光量の大部分が電荷発
生層で吸収されて、多くの電荷キャリアを生成すること
、更に発生した電荷キャリアを再結合や捕獲(トラップ
)により失活することなく、電荷輸送層に注入する必要
があることに帰因している. 電荷発生層は、前述のアゾ顔料を適当なバインダーに分
散させ、これを基体の上に塗工することによって形成出
来る. 電荷発生層を塗工によって形成する際に用い得るバイン
ダーとしては、広範な絶縁性樹脂から選択出来、又、ポ
リーN−ビニルカルバゾール,ポリビニルアントラセン
、ポリビニルピレン等の有機光導電性ポリマーから選択
出来る. 好ましくはポリビニルブチラール、ポリビニルベンザー
ル,ポリアリレート(ビスフェノールAとフタル酸との
縮重合体等)、ポリカーボネート、ポリエステル、フェ
ノキシ樹脂、ポリ酢酸ビニル、アクリル樹脂、ポリアク
リルアミド樹脂、ポリアミド、ポリビニルビリジン、セ
ルロース系樹脂、ウレタン樹脂、エボキシ樹脂、カゼイ
ン、ポリビニルアルコール,ポリビニルビロリドン等の
絶縁性樹脂を挙げることが出来る.N荷発生層中に含有
する樹脂は80重量%以下、好ましくは40重量%以下
が適している。
塗工は、浸漬コーティング法、スプレーコーティング法
、スビンナーコーティング法、ビードコーティング法、
マイヤーバーコーティング法、ブレードコーティング法
、ローラーコーティング法、カーテンコーティング法等
のコーティング法を用いて行うことが出来る.乾燥は、
室温における指触乾燥後、加熱乾燥する方法が好ましい
。加熱乾燥は30乃至200℃の温度で5分間乃至2時
間の範囲で静止又は送風下で行うことが出来る.これら
の樹脂を溶解する溶剤は、樹脂の種類によって異なり、
又、下述する電荷輸送層や下引層を溶解しないものから
選択することが好ましい. 具体的な有機溶剤としては、メタノール、エタノール、
イソブロビルアルコール等のアルコール類・アセトン、
メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、
DMF%N,N−ジメチルアセトアミド等のアミド類、
ジメチルスルボキシド等のスルホキシド類、テトラヒド
ロフラン、ジオキサン、エチレングリコールモノメチル
エーテル等のエーテル類、酢酸メチル、酢酸エチル等の
エステル類、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロルエ
チレン、四塩化炭素、トリクロルエチレン等の脂肪族ハ
ロゲン化炭化水素類或いはベンゼン、トルエン、キシレ
ン、リグロイン、モノクロルベンゼン、ジクロルベンゼ
ン等の芳香族類等を用いることが出来る. 電荷輸送層は、前述の電荷発生層と電気的に接続されて
おり、電界の存在下で電荷発生層から注入された電荷キ
ャリアを受け取ると共に、これらの電荷キャリアを表面
迄輸送出来る機能を有している。この際、電荷輸送層は
電荷発生層の上に積層されていてもよく、又、下に積層
されていてもよい.しかし、電荷輸送層は,電荷発生層
の上に積層されていることが望ましい. 光導電体は、一般に電荷キャリアを輸送する機能を有し
ているので、電荷輸送層はこの光導電体によって形成出
来る. 電荷輸送層における電荷キャリアを輸送する物質(以下
、単に電荷輸送物質という)は、前述の電荷発生層が感
応する電磁波の波長域に実質的に非感応性であることが
好ましい.ここで言う「電磁波」とは、γ線、X線、紫
外線、可視光線、近赤外線、赤外線、遠赤外線等を包含
する広義の「光線」の定義を包含する.電荷輸送層の光
感応性波長域が電荷発生層のそれと一致又はオーバーラ
ップする時には、両者で発生した電荷キャリアが相互に
捕獲し合い結果的には感度の低下の原因となる。
、スビンナーコーティング法、ビードコーティング法、
マイヤーバーコーティング法、ブレードコーティング法
、ローラーコーティング法、カーテンコーティング法等
のコーティング法を用いて行うことが出来る.乾燥は、
室温における指触乾燥後、加熱乾燥する方法が好ましい
。加熱乾燥は30乃至200℃の温度で5分間乃至2時
間の範囲で静止又は送風下で行うことが出来る.これら
の樹脂を溶解する溶剤は、樹脂の種類によって異なり、
又、下述する電荷輸送層や下引層を溶解しないものから
選択することが好ましい. 具体的な有機溶剤としては、メタノール、エタノール、
イソブロビルアルコール等のアルコール類・アセトン、
メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、
DMF%N,N−ジメチルアセトアミド等のアミド類、
ジメチルスルボキシド等のスルホキシド類、テトラヒド
ロフラン、ジオキサン、エチレングリコールモノメチル
エーテル等のエーテル類、酢酸メチル、酢酸エチル等の
エステル類、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロルエ
チレン、四塩化炭素、トリクロルエチレン等の脂肪族ハ
ロゲン化炭化水素類或いはベンゼン、トルエン、キシレ
ン、リグロイン、モノクロルベンゼン、ジクロルベンゼ
ン等の芳香族類等を用いることが出来る. 電荷輸送層は、前述の電荷発生層と電気的に接続されて
おり、電界の存在下で電荷発生層から注入された電荷キ
ャリアを受け取ると共に、これらの電荷キャリアを表面
迄輸送出来る機能を有している。この際、電荷輸送層は
電荷発生層の上に積層されていてもよく、又、下に積層
されていてもよい.しかし、電荷輸送層は,電荷発生層
の上に積層されていることが望ましい. 光導電体は、一般に電荷キャリアを輸送する機能を有し
ているので、電荷輸送層はこの光導電体によって形成出
来る. 電荷輸送層における電荷キャリアを輸送する物質(以下
、単に電荷輸送物質という)は、前述の電荷発生層が感
応する電磁波の波長域に実質的に非感応性であることが
好ましい.ここで言う「電磁波」とは、γ線、X線、紫
外線、可視光線、近赤外線、赤外線、遠赤外線等を包含
する広義の「光線」の定義を包含する.電荷輸送層の光
感応性波長域が電荷発生層のそれと一致又はオーバーラ
ップする時には、両者で発生した電荷キャリアが相互に
捕獲し合い結果的には感度の低下の原因となる。
電荷輸送物質としては、電子輸送性物質と正札輸送性物
質とがあり、電子輸送性物質としては、クロルアニル、
プロモアニル、テトラシアノエチレン、テトラシアノキ
ノジメタン、2,4,7一トリニトロー9−フルオレノ
ン、2,4,5.7−テトラニトロ−9−フルオレノン
、2,4.7−トリニトロ−9−ジシアノメチレンフル
オレノン、2,4,5.7−テトラニトロキサントン,
2,4.8−}リニトロチオキサントン等の電子吸引性
物質や、これら電子吸引性物質を高分子化したもの等が
ある。
質とがあり、電子輸送性物質としては、クロルアニル、
プロモアニル、テトラシアノエチレン、テトラシアノキ
ノジメタン、2,4,7一トリニトロー9−フルオレノ
ン、2,4,5.7−テトラニトロ−9−フルオレノン
、2,4.7−トリニトロ−9−ジシアノメチレンフル
オレノン、2,4,5.7−テトラニトロキサントン,
2,4.8−}リニトロチオキサントン等の電子吸引性
物質や、これら電子吸引性物質を高分子化したもの等が
ある。
正孔輸送性物質としては、ビレン、N一エチルカルバゾ
ール、N−イソプロビルカルバゾール、N−メチルーN
−フェニルヒドラジノー3−メチリデン−9−エチルカ
ルバゾール、N,N−ジフエニルヒドラジノ−3−メチ
リデン−9−エチル力ルバゾール、N,N−ジフエニル
ヒドラジノ−3−メチリデン−10一二チルフェノチア
ジン、N,N−ジフェニルヒドラジノ−3−メチリデン
−10−エチルフェノキサジン、p−ジエチルアミノベ
ンズアルデヒドーN,N−ジフエニルヒドラゾン、p−
ジエチルアミノベンズアルデヒドーN一α−ナフチルー
N−フエニルヒドラゾン、p−ビロリジノベンズアルデ
ヒドーN,N−ジフエニルヒドラゾン、l,3.3−ト
リメチルインドレニンーω−アルデヒドーN,N−ジフ
エニルヒドラゾン、p−ジエチルベンズアルデヒド−3
−メチルベンズチアゾリノン−2−ヒドラゾン等のヒド
ラゾン類、2.5−ビス(p−ジエチルアミノフェニル
)−1.3.4−オキサジアゾール、l−フェニル−3
−(p−ジエチルアミノスチリル)−5−(p−ジエチ
ルアミノフエニル)ピラゾリン、1−(キノリル(2)
)−3−(p−ジエチルアミノスチリル)−5−(p−
ジエチルアミノフェニル)ビラゾリン、1−(ビリジル
(2))−3−(p−ジエチルアミノスチリル)−5−
(p−ジエチルアミノフェニル)ビラゾ刃ン、1−(6
−メトキシービリジル(2))−3−(p−ジエチルア
ミノスチリル)−5−(p−ジエチルアミノフエニル)
ビラゾリン、l一(ビリジル(3))−3−(p−ジエ
チルアミノスチリル)−5−(p−ジエチルアミノフェ
ニル)ビラゾリン、l−(ビリジル(2))−3−(p
−ジエチルアミノスチリル)−5−(p−ジエチルアミ
ノフエニル)ビラゾリン、1−(ビリジル(2))−3
−(p−ジエチルアミノスチリル)−4−メチル−5−
(p−ジェチルアミノフェニル)ビラゾリン、】一(ビ
リジル(2))−3−(α−メチルーp−ジェチルアミ
ノスチリル)−5−(p−ジエチルア゜ミノフェニル)
ビラゾリン、■−フェニルー3−(p−ジエチルアミノ
スチリル)−4−メチル−5−(p−ジエチルアミノフ
ェニル)ビラゾリン、1−フェニルー3一(α−ベンジ
ルーp−ジエチルアミノスチリル)−5− (p−ジエ
チルアミノフエニル)ピラゾリン、スビロビラゾリン等
のビラゾリン類、αーフエニルー4−N,N−ジフェニ
ルアミノスチルベン、N一エチル−3(α−フエニルス
チリル)カルバゾール、4−N,N−ジベンジルアミノ
−9−フルオレニリデン等のスチリル系化合物、2−C
P−ジエチルアミノスチリル)一6一ジエチルアミノベ
ンズオキサゾール、2−(p −ジエチルアミノフェニ
ル)−4−(p−ジメチルアミノフエニル) −5−
(2−クロロフエニル)オキサゾール等のオキサゾール
系化合物、2一(p−ジエチルアミノスチリル)−6−
ジェチルアミノベンゾチアゾール等のチアゾール系化合
物、ビス(4−ジエチルアミノー2−メチルフェニル)
フエニルメタン等のトリアリールメタン系化合物、1.
1−ビス(4−N,N−ジエチルアミノー2−メチルフ
ェニル)へブタン、l,1,2,2−テトラキス(4−
N,N−ジメチルアミノー2−メチルフエニル)エタン
等のボリアリールアルカン類、トリフェニルアミン、ポ
リ−N−ビニルカルバゾール、ポリビニルビレン、ポリ
ビニルアントラセン、ポリビニルアクリジン、ポリ−9
−ビニルアントラセン、ビレンーホルムアルデヒド樹脂
、エチルカルバゾールホルムアルデヒド樹脂等が挙げら
れる。これらの有機電荷輸送物質の他に、セレン、セレ
ンーテルル、アモルファスシリコン、硫化カドミウム等
の無機材料も用いることが出来る.又、これらの電荷輸
送物質は、1種又は2種以上組合せて用いることが出来
る。
ール、N−イソプロビルカルバゾール、N−メチルーN
−フェニルヒドラジノー3−メチリデン−9−エチルカ
ルバゾール、N,N−ジフエニルヒドラジノ−3−メチ
リデン−9−エチル力ルバゾール、N,N−ジフエニル
ヒドラジノ−3−メチリデン−10一二チルフェノチア
ジン、N,N−ジフェニルヒドラジノ−3−メチリデン
−10−エチルフェノキサジン、p−ジエチルアミノベ
ンズアルデヒドーN,N−ジフエニルヒドラゾン、p−
ジエチルアミノベンズアルデヒドーN一α−ナフチルー
N−フエニルヒドラゾン、p−ビロリジノベンズアルデ
ヒドーN,N−ジフエニルヒドラゾン、l,3.3−ト
リメチルインドレニンーω−アルデヒドーN,N−ジフ
エニルヒドラゾン、p−ジエチルベンズアルデヒド−3
−メチルベンズチアゾリノン−2−ヒドラゾン等のヒド
ラゾン類、2.5−ビス(p−ジエチルアミノフェニル
)−1.3.4−オキサジアゾール、l−フェニル−3
−(p−ジエチルアミノスチリル)−5−(p−ジエチ
ルアミノフエニル)ピラゾリン、1−(キノリル(2)
)−3−(p−ジエチルアミノスチリル)−5−(p−
ジエチルアミノフェニル)ビラゾリン、1−(ビリジル
(2))−3−(p−ジエチルアミノスチリル)−5−
(p−ジエチルアミノフェニル)ビラゾ刃ン、1−(6
−メトキシービリジル(2))−3−(p−ジエチルア
ミノスチリル)−5−(p−ジエチルアミノフエニル)
ビラゾリン、l一(ビリジル(3))−3−(p−ジエ
チルアミノスチリル)−5−(p−ジエチルアミノフェ
ニル)ビラゾリン、l−(ビリジル(2))−3−(p
−ジエチルアミノスチリル)−5−(p−ジエチルアミ
ノフエニル)ビラゾリン、1−(ビリジル(2))−3
−(p−ジエチルアミノスチリル)−4−メチル−5−
(p−ジェチルアミノフェニル)ビラゾリン、】一(ビ
リジル(2))−3−(α−メチルーp−ジェチルアミ
ノスチリル)−5−(p−ジエチルア゜ミノフェニル)
ビラゾリン、■−フェニルー3−(p−ジエチルアミノ
スチリル)−4−メチル−5−(p−ジエチルアミノフ
ェニル)ビラゾリン、1−フェニルー3一(α−ベンジ
ルーp−ジエチルアミノスチリル)−5− (p−ジエ
チルアミノフエニル)ピラゾリン、スビロビラゾリン等
のビラゾリン類、αーフエニルー4−N,N−ジフェニ
ルアミノスチルベン、N一エチル−3(α−フエニルス
チリル)カルバゾール、4−N,N−ジベンジルアミノ
−9−フルオレニリデン等のスチリル系化合物、2−C
P−ジエチルアミノスチリル)一6一ジエチルアミノベ
ンズオキサゾール、2−(p −ジエチルアミノフェニ
ル)−4−(p−ジメチルアミノフエニル) −5−
(2−クロロフエニル)オキサゾール等のオキサゾール
系化合物、2一(p−ジエチルアミノスチリル)−6−
ジェチルアミノベンゾチアゾール等のチアゾール系化合
物、ビス(4−ジエチルアミノー2−メチルフェニル)
フエニルメタン等のトリアリールメタン系化合物、1.
1−ビス(4−N,N−ジエチルアミノー2−メチルフ
ェニル)へブタン、l,1,2,2−テトラキス(4−
N,N−ジメチルアミノー2−メチルフエニル)エタン
等のボリアリールアルカン類、トリフェニルアミン、ポ
リ−N−ビニルカルバゾール、ポリビニルビレン、ポリ
ビニルアントラセン、ポリビニルアクリジン、ポリ−9
−ビニルアントラセン、ビレンーホルムアルデヒド樹脂
、エチルカルバゾールホルムアルデヒド樹脂等が挙げら
れる。これらの有機電荷輸送物質の他に、セレン、セレ
ンーテルル、アモルファスシリコン、硫化カドミウム等
の無機材料も用いることが出来る.又、これらの電荷輸
送物質は、1種又は2種以上組合せて用いることが出来
る。
電荷輸送物質が成膜性を有しでいないときには、適当な
バインダーを選択することによって被膜形成が出来る。
バインダーを選択することによって被膜形成が出来る。
バインダーとして使用出来る樹脂は、例えば、アクリル
樹脂、ポリアリレート、ポリエステル、ボリヵーボネー
ト、ポリスチレン、アクリロニトリルースチレンコポリ
マー,アクリロニトリルーブタジエンコボリマー、ポリ
ビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ボリスルホ
ン、ポリアクリルアミド、ボリアミド、塩素化ゴム等の
絶縁性樹脂或いはポリーN−ビニル力ルバゾール、ポリ
ビニルアントラセン、ポリビニルビレン等の有機光導電
性ボリマー等が挙げられる. 電荷輸送層は、電荷キャリアを輸送出来る限界があるの
で、必要以上に膜厚を厚くすることが出来ない.一般的
には5乃至30μmであるが、好ましい範囲は8乃至2
0umである.塗工によって電荷輸送層を形成する際に
は、前述した様な適当なコーティング法を用いることが
出来る.この様な電荷発生層と電荷輸送層との積層構造
からなる感光層は、導電層を有する基体の上に設けられ
る.導電層を有する基体としては基体自体が導電性をも
つもの、例えば、アルミニウム、アルミニウム合金、銅
、亜鉛、ステンレス、バナジウム、モリブデン、クロム
、チタン、ニッケル、インジウム、金や白金等を用いる
ことが出来、その他には、アルミニウム、アルミニウム
合金、酸化インジウム、酸化錫、酸化インジウム一酸化
錫合金等を真空蒸着法によって被膜形成された層を有す
るプラスチック(例えば、ポリエチレン、ボリブロビレ
ン、ポリ塩化ビニル、ポリエチレンテレフタレート、ア
クリル樹脂、ポリ弗化エチレン等)、導電性粒子(例え
ば,カーボンブラック、銀粒子等)を適当なバインダー
と共にプラスチックの上に被覆した基体、導電性粒子を
プラスチックや紙に含浸した基体や導電性ボリマーを有
するプラスチック等を用いることが出来る。
樹脂、ポリアリレート、ポリエステル、ボリヵーボネー
ト、ポリスチレン、アクリロニトリルースチレンコポリ
マー,アクリロニトリルーブタジエンコボリマー、ポリ
ビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ボリスルホ
ン、ポリアクリルアミド、ボリアミド、塩素化ゴム等の
絶縁性樹脂或いはポリーN−ビニル力ルバゾール、ポリ
ビニルアントラセン、ポリビニルビレン等の有機光導電
性ボリマー等が挙げられる. 電荷輸送層は、電荷キャリアを輸送出来る限界があるの
で、必要以上に膜厚を厚くすることが出来ない.一般的
には5乃至30μmであるが、好ましい範囲は8乃至2
0umである.塗工によって電荷輸送層を形成する際に
は、前述した様な適当なコーティング法を用いることが
出来る.この様な電荷発生層と電荷輸送層との積層構造
からなる感光層は、導電層を有する基体の上に設けられ
る.導電層を有する基体としては基体自体が導電性をも
つもの、例えば、アルミニウム、アルミニウム合金、銅
、亜鉛、ステンレス、バナジウム、モリブデン、クロム
、チタン、ニッケル、インジウム、金や白金等を用いる
ことが出来、その他には、アルミニウム、アルミニウム
合金、酸化インジウム、酸化錫、酸化インジウム一酸化
錫合金等を真空蒸着法によって被膜形成された層を有す
るプラスチック(例えば、ポリエチレン、ボリブロビレ
ン、ポリ塩化ビニル、ポリエチレンテレフタレート、ア
クリル樹脂、ポリ弗化エチレン等)、導電性粒子(例え
ば,カーボンブラック、銀粒子等)を適当なバインダー
と共にプラスチックの上に被覆した基体、導電性粒子を
プラスチックや紙に含浸した基体や導電性ボリマーを有
するプラスチック等を用いることが出来る。
導電層と感光層との中間に、バリャー機能と接着機能を
有する下引層を設けることも出来る。下引層は、カゼイ
ン、ポリビニルアルコール、ニトロセルロース、エチレ
ンーアクリル酸コボリマー、ボリアミド(ナイロン6、
ナイロン66、ナイロン6i0、共重合ナイロン、アル
コキシメチル化ナイロン等)、ポリウレタン、ゼラチン
、酸化アルミニウム等によって形成出来る。下引層の膜
厚は、O.l乃至5μm、好ましくは0.5乃至3μm
が適当である。
有する下引層を設けることも出来る。下引層は、カゼイ
ン、ポリビニルアルコール、ニトロセルロース、エチレ
ンーアクリル酸コボリマー、ボリアミド(ナイロン6、
ナイロン66、ナイロン6i0、共重合ナイロン、アル
コキシメチル化ナイロン等)、ポリウレタン、ゼラチン
、酸化アルミニウム等によって形成出来る。下引層の膜
厚は、O.l乃至5μm、好ましくは0.5乃至3μm
が適当である。
導電層、電荷発生層、電荷輸送層の順に積層した感光体
を使用する場合において、電荷輸送物質が電子輸送物質
からなるときは、電荷輸送層表面を正に帯電する必要が
あり、帯電後露光すると露光部では電荷発生層において
生成した電子が電荷輸送層に注入され、その後表面に達
して正電荷を中和し、表面電位の減衰が生じ未露光部と
の間に静電コントラストが生じる。この様にして出来た
静電潜像を負荷電性のトナーで現像すれば可視像が得ら
れる.これを直接定看するか、或るいはトナー像を紙や
プラスチックフイルム等に転写後、現像し定着すること
が出来る。
を使用する場合において、電荷輸送物質が電子輸送物質
からなるときは、電荷輸送層表面を正に帯電する必要が
あり、帯電後露光すると露光部では電荷発生層において
生成した電子が電荷輸送層に注入され、その後表面に達
して正電荷を中和し、表面電位の減衰が生じ未露光部と
の間に静電コントラストが生じる。この様にして出来た
静電潜像を負荷電性のトナーで現像すれば可視像が得ら
れる.これを直接定看するか、或るいはトナー像を紙や
プラスチックフイルム等に転写後、現像し定着すること
が出来る。
又、感光体上に静1!潜像を転写紙の絶縁層上に転写現
像し、定着する方法もとれる.現像剤の種類や現像方法
、定着方法は公知のものや公知の方法のいずれをい採用
してもよく、特定のものに限定されるものではない. 一方、電荷輸送物質が正孔輸送物質からなる場合、電荷
輸送層表面を負に帯電する必要があり、帯電後、露光す
ると露光部では電荷発生層において生成した正孔が電荷
輸送層に注入され、その後表面に達して負電荷を中和し
,表面電位の減衰が生じ未露光部との間に静電コントラ
ストが生じる.現像時には電子輸送性物質を用いた場合
とは逆に正電荷性トナーを用いる必要がある.本発明の
別の具体例としては、前述のアゾ顔料を電荷輸送物質と
共に同一層に含有させた電子写真感光体を挙げることが
出来る.この際、前述の電荷輸送物質の他にボリーN−
ビニル力ルバゾールとトリニトロフルオレインからなる
電荷移動鑵化合物を用いることが出来る。
像し、定着する方法もとれる.現像剤の種類や現像方法
、定着方法は公知のものや公知の方法のいずれをい採用
してもよく、特定のものに限定されるものではない. 一方、電荷輸送物質が正孔輸送物質からなる場合、電荷
輸送層表面を負に帯電する必要があり、帯電後、露光す
ると露光部では電荷発生層において生成した正孔が電荷
輸送層に注入され、その後表面に達して負電荷を中和し
,表面電位の減衰が生じ未露光部との間に静電コントラ
ストが生じる.現像時には電子輸送性物質を用いた場合
とは逆に正電荷性トナーを用いる必要がある.本発明の
別の具体例としては、前述のアゾ顔料を電荷輸送物質と
共に同一層に含有させた電子写真感光体を挙げることが
出来る.この際、前述の電荷輸送物質の他にボリーN−
ビニル力ルバゾールとトリニトロフルオレインからなる
電荷移動鑵化合物を用いることが出来る。
この例の電子写真感光体は、前述のアゾ顔料と電荷移動
錯化合物をテトラヒドロフランに溶解されたポリエステ
ル溶液中に分散させた後、被膜形成させて調製出来る。
錯化合物をテトラヒドロフランに溶解されたポリエステ
ル溶液中に分散させた後、被膜形成させて調製出来る。
いずれの感光体においても、用いる顔料は一般式(I)
で示される有機残基を有するアゾ顔料から選ばれる少な
くと01種類の顔料を含有し・必要に応じて光吸収の異
なる顔料を組合せて使用して感光体の感度を高めたり、
バンクロマチツクな感光体を得る等の目的で一般式(I
)で示される有機残基を有するアゾ顔料を2種類以上組
合せたり、又は公知の染料、顔料から選ばれた電荷発生
物質と組合せて使用することも可能である.本発明の電
子写真感光体は電子写真複写機に利用するのみならず、
レーザープリンターやCRTプリンター等の電子写真応
用分野にも広く用いることが出来る. (実施例) 次に実施例を挙げて本発明を更に詳しく説明する. 実施例l乃至14 アルミ板上にカゼインのアンモニア水溶液(カゼイン1
1.2g,28%アンモニア水1g及び水222mI
2)をマイヤーバーで乾燥後の膜厚が1.0umとなる
様に塗布し乾燥した.次に、前記例示のアゾ顔料No.
2 (15g)を、テトラヒドロフラン9 5 m (
?.にブチラール樹脂(ブチラール化度63モル%)2
gを溶かした液に加え、サンドミルで2時間分散した。
で示される有機残基を有するアゾ顔料から選ばれる少な
くと01種類の顔料を含有し・必要に応じて光吸収の異
なる顔料を組合せて使用して感光体の感度を高めたり、
バンクロマチツクな感光体を得る等の目的で一般式(I
)で示される有機残基を有するアゾ顔料を2種類以上組
合せたり、又は公知の染料、顔料から選ばれた電荷発生
物質と組合せて使用することも可能である.本発明の電
子写真感光体は電子写真複写機に利用するのみならず、
レーザープリンターやCRTプリンター等の電子写真応
用分野にも広く用いることが出来る. (実施例) 次に実施例を挙げて本発明を更に詳しく説明する. 実施例l乃至14 アルミ板上にカゼインのアンモニア水溶液(カゼイン1
1.2g,28%アンモニア水1g及び水222mI
2)をマイヤーバーで乾燥後の膜厚が1.0umとなる
様に塗布し乾燥した.次に、前記例示のアゾ顔料No.
2 (15g)を、テトラヒドロフラン9 5 m (
?.にブチラール樹脂(ブチラール化度63モル%)2
gを溶かした液に加え、サンドミルで2時間分散した。
この分散液を先に形成したカゼイン層の上に乾燥後の膜
厚が0.4μmとなる様にマイヤーバーで塗布し、乾燥
して電荷発生層を形成した。次いで、構造式のヒドラゾ
ン化合物5gとポリメチルメタクリレート樹脂(数平均
分子量100,000)5gをベンゼン70m!2に溶
解し、これを電荷発生層の上に乾燥後の膜厚が19μm
となる様にマイヤーバーで塗布し、乾燥して電荷輸送層
を形成した。又、アゾ顔料No.2−1に代えて下記第
1表に示す例示顔料を用いて実施例2乃至14に対応す
る感光体を同様にして作成しな. この様にして作成した電子写真感光体を川口電機■製静
電複写紙試験装置ModelSP−428を用いてスタ
チック方式で−5.5KVでコoナ帯電し、暗所で1秒
間保持した後、照度5lux.で露光し帯電特性を調べ
た。帯電特性としては、表面電位(Vo)とl秒間暗減
衰させた時の電位をl/2に減衰するに必要な露光量(
El/2)を測定した.これらの結果を第1表に示す。
厚が0.4μmとなる様にマイヤーバーで塗布し、乾燥
して電荷発生層を形成した。次いで、構造式のヒドラゾ
ン化合物5gとポリメチルメタクリレート樹脂(数平均
分子量100,000)5gをベンゼン70m!2に溶
解し、これを電荷発生層の上に乾燥後の膜厚が19μm
となる様にマイヤーバーで塗布し、乾燥して電荷輸送層
を形成した。又、アゾ顔料No.2−1に代えて下記第
1表に示す例示顔料を用いて実施例2乃至14に対応す
る感光体を同様にして作成しな. この様にして作成した電子写真感光体を川口電機■製静
電複写紙試験装置ModelSP−428を用いてスタ
チック方式で−5.5KVでコoナ帯電し、暗所で1秒
間保持した後、照度5lux.で露光し帯電特性を調べ
た。帯電特性としては、表面電位(Vo)とl秒間暗減
衰させた時の電位をl/2に減衰するに必要な露光量(
El/2)を測定した.これらの結果を第1表に示す。
比較例1乃至3
実施例3、10,11のアゾ顔料に対して下記構造式の
アゾ顔料を用い、前実施例と同様な方法により感光体を
作成し、 同様に評価した結果を下 記の第2表に示す。
アゾ顔料を用い、前実施例と同様な方法により感光体を
作成し、 同様に評価した結果を下 記の第2表に示す。
■
A−N=N−@)−(;H=CI−@−CH=CI{−
@−N=N−8V. (−V) 705 E+. (lux. sec. 1 6. 4 V. (−V) 684 E+.(lux.sec.1 7. 3 v.(−v) 7 0 1 E+/t(lux.sec.l 8. 5以上の第
1表及び第2表より、本発明による電子写真感光体は、
いずれち優れた感度を有することがわかる. 実施例15乃至22 実施例7乃至14で作成した感光体を、780ns+の
半導体レーザー及びそのスキャニングユニットをタング
ステン光源に置き代えて静電複写紙試験装置(川口電l
j!m製Model SP−428の改造機)を用い
てスタティック方式で−5.5KVでコロナ帯電し、暗
所で1秒間保持した後レーザー光で露光し帯電特性を調
べた.帯電特性としては表面電位(vO)とl秒間暗減
衰させた時の電位を175に減衰するに必要な露光量(
El/5)を測定した. この結果を第3表に示す。
@−N=N−8V. (−V) 705 E+. (lux. sec. 1 6. 4 V. (−V) 684 E+.(lux.sec.1 7. 3 v.(−v) 7 0 1 E+/t(lux.sec.l 8. 5以上の第
1表及び第2表より、本発明による電子写真感光体は、
いずれち優れた感度を有することがわかる. 実施例15乃至22 実施例7乃至14で作成した感光体を、780ns+の
半導体レーザー及びそのスキャニングユニットをタング
ステン光源に置き代えて静電複写紙試験装置(川口電l
j!m製Model SP−428の改造機)を用い
てスタティック方式で−5.5KVでコロナ帯電し、暗
所で1秒間保持した後レーザー光で露光し帯電特性を調
べた.帯電特性としては表面電位(vO)とl秒間暗減
衰させた時の電位を175に減衰するに必要な露光量(
El/5)を測定した. この結果を第3表に示す。
実施例23乃至27
実施例3、5、8、10及びl1で作成した感光体を用
いて繰り返し使用時の明部電位と暗部電位の変動を測定
した. 方法としては−5、6KVのコロナ帯電器、露光光学系
、現像器、転写帯電器、除電露光光学系が及びクリーナ
ーを備えた電子写真複写機のシリンダーに感光体を貼り
付けた。この複写機を用いて初期の明部電位(VL)と
暗部電位(V.)を夫々−2 0 0 V , − 7
0 0 V ニ設定し、5,000回繰り返し便用し
た後のvLとV0 の結果を下記第4表に示す. とを測定した。
いて繰り返し使用時の明部電位と暗部電位の変動を測定
した. 方法としては−5、6KVのコロナ帯電器、露光光学系
、現像器、転写帯電器、除電露光光学系が及びクリーナ
ーを備えた電子写真複写機のシリンダーに感光体を貼り
付けた。この複写機を用いて初期の明部電位(VL)と
暗部電位(V.)を夫々−2 0 0 V , − 7
0 0 V ニ設定し、5,000回繰り返し便用し
た後のvLとV0 の結果を下記第4表に示す. とを測定した。
比較例4乃至6
比較例l乃至3で作成した感光体を実施例l5と同様の
方法で繰り返し使用時の電位変動を測定した。この結果
を下記第5表に示す. (以下余白) 5 以上の第3表乃至第5表より、.本発明による電子写真
感光体は、繰り返し使用時における電位変動の少ない優
れた特性を有していることがわかる。
方法で繰り返し使用時の電位変動を測定した。この結果
を下記第5表に示す. (以下余白) 5 以上の第3表乃至第5表より、.本発明による電子写真
感光体は、繰り返し使用時における電位変動の少ない優
れた特性を有していることがわかる。
実施例28
実施例2で作成した電荷発生層の上に、2,4.7−ト
リニトロ−9−フルオレノン5gとポリ−4,4゜−ジ
オキシジフエニル−2,2゜プロパンカーポネート(分
子量300,000)5gをテトラヒド口フラン70m
I2に溶解して作成した塗布液を乾燥後の塗工量がlo
g/rn”となる様に塗布し、乾燥した. こうして作成した電子写真感光体を実施例1と同様の方
法で帯電測定を行った.この時、帯電極性は十とした.
この結果を次に示す。
リニトロ−9−フルオレノン5gとポリ−4,4゜−ジ
オキシジフエニル−2,2゜プロパンカーポネート(分
子量300,000)5gをテトラヒド口フラン70m
I2に溶解して作成した塗布液を乾燥後の塗工量がlo
g/rn”となる様に塗布し、乾燥した. こうして作成した電子写真感光体を実施例1と同様の方
法で帯電測定を行った.この時、帯電極性は十とした.
この結果を次に示す。
V,;+704ボルト
E+/z ; 4. 61ux.sec.実施例29
アルミ蒸着ポリエチレンテレフタレートフイルムのアル
ミ面上に,膜厚0.5μmのポリビニルアルコールの被
膜を形成した. 次に実施例lで用いたジスアゾ顔料の分散液を先に形成
したポリビニルアルコール層の上に、乾燥後の膜厚が0
.5umとなる様にマイヤーバーで塗布し、乾燥して電
荷発生層を形成した。
ミ面上に,膜厚0.5μmのポリビニルアルコールの被
膜を形成した. 次に実施例lで用いたジスアゾ顔料の分散液を先に形成
したポリビニルアルコール層の上に、乾燥後の膜厚が0
.5umとなる様にマイヤーバーで塗布し、乾燥して電
荷発生層を形成した。
次いで、構造式
のスチルベン化合物5gとポリアリレート樹脂(ビスフ
ェノールAとテレフタル酸−イソフタル酸の縮重合体)
5gをテトラヒドロフラン70m℃に溶かした液を電荷
発生層の上に乾燥後の膜厚が18μmとなる様に塗布し
、乾燥して電荷輸送層を形成した。
ェノールAとテレフタル酸−イソフタル酸の縮重合体)
5gをテトラヒドロフラン70m℃に溶かした液を電荷
発生層の上に乾燥後の膜厚が18μmとなる様に塗布し
、乾燥して電荷輸送層を形成した。
こうして作成した感光体の帯電特性及び耐久特性を実施
例lと同じ方法によって測定した。この結果を次に示す
。
例lと同じ方法によって測定した。この結果を次に示す
。
帯電特性;■。(−Vl694
El/2 (lux.sec.) 2. 1耐久特
性;初期 V.(−Vl 700V,f・−Vl 2
0 1 5.000回使用後 ■。(−Vl680 V.(−Vl 2 1 0 実施例30 厚さlooumのアルミ板上にカゼインのアンモニア水
溶液を塗布し、乾燥して膜厚0、5μmの下引層を形成
した. 次ニ・2.4.7−トリニトロ−9−フルオレノン5g
とポリーN−ビニルカルバゾール(数平均分子量300
,000)5gをテトラヒドロフラン70mj2に溶か
して電荷移動錯化合物を形成した。この電荷移動錯化合
物と前記例示のアゾ顔料No.2−25 (Ig)を、
ポリエステル樹脂(バイロン:東洋紡製)5gをテトラ
ヒドロフラン70mI2に溶かした液に加え、分散した
。この分散液を下引層の上に乾燥後の膜厚が16μmと
なる様に塗布し、乾燥した。
性;初期 V.(−Vl 700V,f・−Vl 2
0 1 5.000回使用後 ■。(−Vl680 V.(−Vl 2 1 0 実施例30 厚さlooumのアルミ板上にカゼインのアンモニア水
溶液を塗布し、乾燥して膜厚0、5μmの下引層を形成
した. 次ニ・2.4.7−トリニトロ−9−フルオレノン5g
とポリーN−ビニルカルバゾール(数平均分子量300
,000)5gをテトラヒドロフラン70mj2に溶か
して電荷移動錯化合物を形成した。この電荷移動錯化合
物と前記例示のアゾ顔料No.2−25 (Ig)を、
ポリエステル樹脂(バイロン:東洋紡製)5gをテトラ
ヒドロフラン70mI2に溶かした液に加え、分散した
。この分散液を下引層の上に乾燥後の膜厚が16μmと
なる様に塗布し、乾燥した。
こうして調製した感光体の帯電特性を実施例工と同様の
方法によって測定した.この結果を次に示す。但し、帯
電極性は十とした. ■。;+710ボルト El/l ; 5. 51ux.sec.実施例3l アルミ板上にカゼインの下引層を設け、この上に実施例
7で用いた電荷輸送層及び電荷発生層をこの順に積層し
た感光体を作成した.層構成を異にする以外は全く実施
例1と同様に感光体を作成し、同様に帯電特性を測定し
た.但し帯電極性は十とした.この結果を次に示す。
方法によって測定した.この結果を次に示す。但し、帯
電極性は十とした. ■。;+710ボルト El/l ; 5. 51ux.sec.実施例3l アルミ板上にカゼインの下引層を設け、この上に実施例
7で用いた電荷輸送層及び電荷発生層をこの順に積層し
た感光体を作成した.層構成を異にする以外は全く実施
例1と同様に感光体を作成し、同様に帯電特性を測定し
た.但し帯電極性は十とした.この結果を次に示す。
V.f+Vl ;+694ボルト
E,/,;3、]. lux.sec.(発明の効果)
以上から明らかな如く、本発明によればジシアノビニル
基のあるカップラー成分を有する特定のアゾ顔料を感光
層に用いることにより、当該のアゾ顔料を含む感光層内
部におけるキャリャー発生効率又はキャリャー輸送効率
のいずれか一方或いは双方が改善され、感度や耐久使用
時における電位安定性の優れた感光体が得られる,更に
は長波長域にまで感度を有する優れた感光体が得られる
。
基のあるカップラー成分を有する特定のアゾ顔料を感光
層に用いることにより、当該のアゾ顔料を含む感光層内
部におけるキャリャー発生効率又はキャリャー輸送効率
のいずれか一方或いは双方が改善され、感度や耐久使用
時における電位安定性の優れた感光体が得られる,更に
は長波長域にまで感度を有する優れた感光体が得られる
。
Claims (5)
- (1)導電性支持体上に 一般式( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) (式中Xはベンゼン環と縮合して置換基を有してもよい
芳香族炭化水素環及び芳香族複素環を形成するのに必要
な残基を示す) で表される有機残基が、結合基を介して結合していても
よい置換若しくは非置換の芳香族炭化水素環又は芳香族
複素環と結合した構造を有するアゾ顔料を含む感光層を
有することを特徴とする電子写真用感光体。 - (2)アゾ顔料が、一般式(II) ▲数式、化学式、表等があります▼(II) (式中、Arは結合基を介して結合してもよい置換若し
くは非置換の芳香族炭化水素環又は芳香族複素環を示し
、Xは一般式( I )におけると同意義を有し、nは1
、2、3又は4の整数を示す)で表されるアゾ顔料であ
る請求項1に記載の電子写真用感光体。 - (3)アゾ顔料が、一般式( I )で表される有機残基
より選択される少なくとも1個の有機残基と、該選択さ
れた有機残基とは異なった一般式(III) −N=N−Cp(III) (式中のCpはフェノール性水酸基を有するカプラー残
基を示す) で表わされる少なくとも1個の有機残基とが、同一分子
内で結合基を介して結合していてもよい置換若しくは非
置換の芳香族炭化水素環又は芳香族複素環と結合した構
造を有するアゾ顔料である請求項1に記載の電子写真感
光体。 - (4)アゾ顔料が、請求項2に記載の少なくとも1種の
アゾ顔料と、請求項3に記載の少なくとも1種のアゾ顔
料との混合物である請求項1に記載の電子写真感光体。 - (5)導電層と、一般式( I )で示される有機残を有
するアゾ顔料を含有する電荷発生層と、電荷輸送層の少
なくとも3層とからなる請求項1に記載の電子写真感光
体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18474689A JPH0350552A (ja) | 1989-07-19 | 1989-07-19 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18474689A JPH0350552A (ja) | 1989-07-19 | 1989-07-19 | 電子写真感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0350552A true JPH0350552A (ja) | 1991-03-05 |
Family
ID=16158620
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18474689A Pending JPH0350552A (ja) | 1989-07-19 | 1989-07-19 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0350552A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002264683A (ja) * | 2001-03-06 | 2002-09-18 | Tokai Rika Co Ltd | シフト装置 |
| JP2005015475A (ja) * | 2003-06-05 | 2005-01-20 | Mitsubishi Chemicals Corp | アゾベンゼン誘導体、並びにそれを用いた電子写真感光体および画像形成装置 |
-
1989
- 1989-07-19 JP JP18474689A patent/JPH0350552A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002264683A (ja) * | 2001-03-06 | 2002-09-18 | Tokai Rika Co Ltd | シフト装置 |
| JP2005015475A (ja) * | 2003-06-05 | 2005-01-20 | Mitsubishi Chemicals Corp | アゾベンゼン誘導体、並びにそれを用いた電子写真感光体および画像形成装置 |
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