JPH11297563A - パルス発生用コンデンサ - Google Patents
パルス発生用コンデンサInfo
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- JPH11297563A JPH11297563A JP10096162A JP9616298A JPH11297563A JP H11297563 A JPH11297563 A JP H11297563A JP 10096162 A JP10096162 A JP 10096162A JP 9616298 A JP9616298 A JP 9616298A JP H11297563 A JPH11297563 A JP H11297563A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
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Abstract
(57)【要約】
【課題】高温・高真空中、還元雰囲気中において特性が
劣化せず、広い温度範囲にわたって高いパルス電圧を発
生することのできる、安価なパルス発生用コンデンサを
提供する。 【解決手段】コンデンサＡの誘電体１は、耐還元性の非
直線性誘電体磁器で構成されている。そしてこの組成
は、一般式（１−ａ−ｂ）ＡＢＯ3＋ａＭ＋ｂＲ（但
し、ＡＢＯ3はＢａＴｉＯ3系成分、ＭはＭｎ、Ｎｉ、Ｃ
ｏのうちの少なくとも1種の酸化物、ＲはＬａ、Ｃｅ、
Ｎｄ、Ｐｒ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅ
ｒ、Ｙｂのうちの少なくとも１種の酸化物、ａ、ｂはモ
ル分率）で表わしたとき、１．０００≦Ａ／Ｂ≦１．０
０６（モル比）、０．３≦ｂ／ａ≦３、０．００１５≦
ａ≦０．００５０、０．００１５≦ｂ≦０．００５０で
あり、かつ、ＭおよびＲの総含有量Ａｄが０．３＜Ａｄ
≦１．０（重量％）である。
劣化せず、広い温度範囲にわたって高いパルス電圧を発
生することのできる、安価なパルス発生用コンデンサを
提供する。 【解決手段】コンデンサＡの誘電体１は、耐還元性の非
直線性誘電体磁器で構成されている。そしてこの組成
は、一般式（１−ａ−ｂ）ＡＢＯ3＋ａＭ＋ｂＲ（但
し、ＡＢＯ3はＢａＴｉＯ3系成分、ＭはＭｎ、Ｎｉ、Ｃ
ｏのうちの少なくとも1種の酸化物、ＲはＬａ、Ｃｅ、
Ｎｄ、Ｐｒ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅ
ｒ、Ｙｂのうちの少なくとも１種の酸化物、ａ、ｂはモ
ル分率）で表わしたとき、１．０００≦Ａ／Ｂ≦１．０
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ａ≦０．００５０、０．００１５≦ｂ≦０．００５０で
あり、かつ、ＭおよびＲの総含有量Ａｄが０．３＜Ａｄ
≦１．０（重量％）である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、放電灯の始動器に
使用されるパルス発生用コンデンサに関し、特に外球の
内部に始動器を収納した高圧蒸気放電灯で使用されるパ
ルス発生用コンデンサに関する。
使用されるパルス発生用コンデンサに関し、特に外球の
内部に始動器を収納した高圧蒸気放電灯で使用されるパ
ルス発生用コンデンサに関する。
【０００２】
【従来の技術】高圧ナトリウムランプのような高圧蒸気
放電灯を始動させるためには、通常の商用電源電圧を印
加するだけでは困難であり、高いパルス電圧を印加する
必要がある。このような高いパルス電圧を発生させる始
動器を、放電灯の外球内に内蔵し、一般の高圧水銀灯用
の安定器と組み合わせて使用するようにした高圧蒸気放
電灯が普及してきた。この高圧蒸気放電灯は、基本的に
は発光管と並列に非直線性誘電体磁器を用いたコンデン
サを接続したものであり、これに半導体スイッチ（ＳＳ
Ｓ）などを組み合わせることによって高いパルス電圧を
発生させ、それを電源電圧とともに発光管に印加して放
電灯を始動させるものである。
放電灯を始動させるためには、通常の商用電源電圧を印
加するだけでは困難であり、高いパルス電圧を印加する
必要がある。このような高いパルス電圧を発生させる始
動器を、放電灯の外球内に内蔵し、一般の高圧水銀灯用
の安定器と組み合わせて使用するようにした高圧蒸気放
電灯が普及してきた。この高圧蒸気放電灯は、基本的に
は発光管と並列に非直線性誘電体磁器を用いたコンデン
サを接続したものであり、これに半導体スイッチ（ＳＳ
Ｓ）などを組み合わせることによって高いパルス電圧を
発生させ、それを電源電圧とともに発光管に印加して放
電灯を始動させるものである。
【０００３】このような高いパルス電圧を安定に発生さ
せる手段であるコンデンサとして、チタン酸バリウム系
多結晶体からなる非直線性誘電体磁器コンデンサが用い
られている。
せる手段であるコンデンサとして、チタン酸バリウム系
多結晶体からなる非直線性誘電体磁器コンデンサが用い
られている。
【０００４】この非直線性誘電体磁器コンデンサは、図
１に示すように、電圧（Ｅ）に対する電気変位（Ｄ）の
変化が急峻なＤ−Ｅヒステリシスカーブを有しており、
この誘電体磁器コンデンサの抗電場よりも大きな電圧が
印加されると、分極反転電圧の近傍で電荷量が急激に飽
和する。この時の電流変化により安定器にも変化が起こ
り、安定器のインダクタンスにより、−Ｌ・ｄｉ／ｄｔ
に相当する高いパルス電圧を発生させることができる。
１に示すように、電圧（Ｅ）に対する電気変位（Ｄ）の
変化が急峻なＤ−Ｅヒステリシスカーブを有しており、
この誘電体磁器コンデンサの抗電場よりも大きな電圧が
印加されると、分極反転電圧の近傍で電荷量が急激に飽
和する。この時の電流変化により安定器にも変化が起こ
り、安定器のインダクタンスにより、−Ｌ・ｄｉ／ｄｔ
に相当する高いパルス電圧を発生させることができる。
【０００５】高圧ナトリウムランプのような高圧蒸気放
電灯用途に使用される非直線性誘電体磁器コンデンサと
しては、Ｄ−Ｅヒステリシス曲線の傾斜が急峻で、かつ
それが広い温度範囲にわたって安定であることが要求さ
れる。この要求に対応して、非直線性誘電体磁器コンデ
ンサが、特開昭６３−２２１５０４号公報、特開昭６３
−２２１５０５号公報、特開平１−１３６３２３号公
報、特開平１−１３６３２４号公報などにおいて開示さ
れている。
電灯用途に使用される非直線性誘電体磁器コンデンサと
しては、Ｄ−Ｅヒステリシス曲線の傾斜が急峻で、かつ
それが広い温度範囲にわたって安定であることが要求さ
れる。この要求に対応して、非直線性誘電体磁器コンデ
ンサが、特開昭６３−２２１５０４号公報、特開昭６３
−２２１５０５号公報、特開平１−１３６３２３号公
報、特開平１−１３６３２４号公報などにおいて開示さ
れている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、通常、高圧
ナトリウムランプなどの高圧蒸気放電灯の外球内は、1
×１０-5ｔｏｒｒ程度の高真空であり、点灯時には、３
００℃、１×１０-5ｔｏｒｒの高温・高真空下に曝され
る。また、放電灯の外球内は、放電灯点灯中に発生する
酸素を吸着するためのバリウムゲッターが設置されてお
り、外球内の真空度を保持している。しかし、放電灯を
点灯し続けると、発光管や発光管を支持する金属製支
柱、外球を構成するガラスなどの部材に吸着した水素お
よび吸着水の分解により発生する水素によって、外球内
が還元性の雰囲気になる。
ナトリウムランプなどの高圧蒸気放電灯の外球内は、1
×１０-5ｔｏｒｒ程度の高真空であり、点灯時には、３
００℃、１×１０-5ｔｏｒｒの高温・高真空下に曝され
る。また、放電灯の外球内は、放電灯点灯中に発生する
酸素を吸着するためのバリウムゲッターが設置されてお
り、外球内の真空度を保持している。しかし、放電灯を
点灯し続けると、発光管や発光管を支持する金属製支
柱、外球を構成するガラスなどの部材に吸着した水素お
よび吸着水の分解により発生する水素によって、外球内
が還元性の雰囲気になる。
【０００７】このため、前述の特開昭６３−２２１５０
４号公報、特開昭６３−２２１５０５号公報、特開平１
−１３６３２３号公報、特開平１−１３６３２４号公報
などにおいて開示されている非直線性誘電体磁器コンデ
ンサをパルス発生用として外球内に内蔵して長時間使用
すると、誘電体磁器が還元してしまい、絶縁抵抗が低下
し、発生パルス電圧が低くなったり、あるいは発生しな
くなったりして、放電灯が点灯しなくなるとういう問題
があった。
４号公報、特開昭６３−２２１５０５号公報、特開平１
−１３６３２３号公報、特開平１−１３６３２４号公報
などにおいて開示されている非直線性誘電体磁器コンデ
ンサをパルス発生用として外球内に内蔵して長時間使用
すると、誘電体磁器が還元してしまい、絶縁抵抗が低下
し、発生パルス電圧が低くなったり、あるいは発生しな
くなったりして、放電灯が点灯しなくなるとういう問題
があった。
【０００８】この対策として、特開昭６０−５２００６
号公報に開示されているように、誘電体磁器コンデンサ
を通電部を除いて無機質ガラスで完全に被覆すること
や、特開平４−３４８３２号公報のように、外球内に水
素吸着用ゲッターを設置することが提案されている。し
かし、この対策では劣化を完全に抑制することはできな
い上、パルス発生用コンデンサ、放電灯の構造が複雑に
なるなど、コストが高くなるという問題がある。また、
特開昭６０−５２００６号公報のように無機質ガラスで
完全に被覆すると、ガラスによって非直線性誘電体磁器
のＤ−Ｅヒステリシス特性が劣化してしまい、高いパル
ス電圧が得られない場合がある。
号公報に開示されているように、誘電体磁器コンデンサ
を通電部を除いて無機質ガラスで完全に被覆すること
や、特開平４−３４８３２号公報のように、外球内に水
素吸着用ゲッターを設置することが提案されている。し
かし、この対策では劣化を完全に抑制することはできな
い上、パルス発生用コンデンサ、放電灯の構造が複雑に
なるなど、コストが高くなるという問題がある。また、
特開昭６０−５２００６号公報のように無機質ガラスで
完全に被覆すると、ガラスによって非直線性誘電体磁器
のＤ−Ｅヒステリシス特性が劣化してしまい、高いパル
ス電圧が得られない場合がある。
【０００９】そこで、本発明の目的は、高温・高真空下
に曝され、さらに還元雰囲気中においても特性が劣化せ
ず、広い温度範囲にわたって高いパルス電圧を発生する
ことのできる、安価なパルス発生用コンデンサを提供す
ることにある。
に曝され、さらに還元雰囲気中においても特性が劣化せ
ず、広い温度範囲にわたって高いパルス電圧を発生する
ことのできる、安価なパルス発生用コンデンサを提供す
ることにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明のパルス発生用コンデンサは、高圧蒸気放電
灯の外球内で用いられるコンデンサであって、その誘電
体素子が耐還元性を有する非直線性誘電体磁器で構成さ
れていることを特徴とする。
め、本発明のパルス発生用コンデンサは、高圧蒸気放電
灯の外球内で用いられるコンデンサであって、その誘電
体素子が耐還元性を有する非直線性誘電体磁器で構成さ
れていることを特徴とする。
【００１１】そして、前記耐還元性を有する非直線性誘
電体磁器は、チタン酸バリウムを主成分とする多結晶体
からなり、これを一般式、 （１−ａ−ｂ）ＡＢＯ3 ＋ ａＭ ＋ ｂＲ （ただし、ＡＢＯ3はチタン酸バリウム系成分であって
ペロブスカイト構造を表わす一般式、ＭはＭｎ、Ｎｉお
よびＣｏから選ばれる少なくとも1種の元素の酸化物、
ＲはＬａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｐｒ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔ
ｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、ＥｒおよびＹｂから選ばれる少なくと
も１種の元素の酸化物、ａおよびｂはそれぞれモル分
率）で表わしたとき、Ａ、Ｂ、ａ、ｂが、１．０００≦
Ａ／Ｂ≦１．００６（モル比）、０．３≦ｂ／ａ≦３、
０．００１５≦ａ≦０．００５０、０．００１５≦ｂ≦
０．００５０であり、かつ、ＭおよびＲの総含有量Ａｄ
が、０．３＜Ａｄ≦１．０（重量％）の関係を満足する
ことを特徴とする。
電体磁器は、チタン酸バリウムを主成分とする多結晶体
からなり、これを一般式、 （１−ａ−ｂ）ＡＢＯ3 ＋ ａＭ ＋ ｂＲ （ただし、ＡＢＯ3はチタン酸バリウム系成分であって
ペロブスカイト構造を表わす一般式、ＭはＭｎ、Ｎｉお
よびＣｏから選ばれる少なくとも1種の元素の酸化物、
ＲはＬａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｐｒ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔ
ｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、ＥｒおよびＹｂから選ばれる少なくと
も１種の元素の酸化物、ａおよびｂはそれぞれモル分
率）で表わしたとき、Ａ、Ｂ、ａ、ｂが、１．０００≦
Ａ／Ｂ≦１．００６（モル比）、０．３≦ｂ／ａ≦３、
０．００１５≦ａ≦０．００５０、０．００１５≦ｂ≦
０．００５０であり、かつ、ＭおよびＲの総含有量Ａｄ
が、０．３＜Ａｄ≦１．０（重量％）の関係を満足する
ことを特徴とする。
【００１２】また、前記耐還元性を有する非直線性誘電
体磁器は、チタン酸バリウムを主成分とする多結晶体か
らなり、これを一般式、 （１−ａ−ｂ）ＡＢＯ3 ＋ ａＭ ＋ ｂＲ （ただし、ＡＢＯ3はチタン酸バリウム系成分であって
ペロブスカイト構造を表わす一般式、ＭはＭｎ、Ｎｉお
よびＣｏから選ばれる少なくとも1種の元素の酸化物、
ＲはＬａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｐｒ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔ
ｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、ＥｒおよびＹｂから選ばれる少なくと
も１種の元素の酸化物、ａおよびｂはそれぞれモル分
率）で表わしたとき、Ａ、Ｂ、ａ、ｂが、１．０００≦
Ａ／Ｂ≦１．００６（モル比）、０．３≦ｂ／ａ≦３、
０．００１５≦ａ≦０．００５０、０．００１５≦ｂ≦
０．００５０であり、かつ、ＭおよびＲの総含有量Ａｄ
が、０．３＜Ａｄ≦１．０（重量％）の関係を満足し、
さらに、上記組成物１００重量部に対して、Ｓｉ元素を
主成分とする酸化物を０．００５〜０．１重量部含有し
ていることを特徴とする。
体磁器は、チタン酸バリウムを主成分とする多結晶体か
らなり、これを一般式、 （１−ａ−ｂ）ＡＢＯ3 ＋ ａＭ ＋ ｂＲ （ただし、ＡＢＯ3はチタン酸バリウム系成分であって
ペロブスカイト構造を表わす一般式、ＭはＭｎ、Ｎｉお
よびＣｏから選ばれる少なくとも1種の元素の酸化物、
ＲはＬａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｐｒ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔ
ｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、ＥｒおよびＹｂから選ばれる少なくと
も１種の元素の酸化物、ａおよびｂはそれぞれモル分
率）で表わしたとき、Ａ、Ｂ、ａ、ｂが、１．０００≦
Ａ／Ｂ≦１．００６（モル比）、０．３≦ｂ／ａ≦３、
０．００１５≦ａ≦０．００５０、０．００１５≦ｂ≦
０．００５０であり、かつ、ＭおよびＲの総含有量Ａｄ
が、０．３＜Ａｄ≦１．０（重量％）の関係を満足し、
さらに、上記組成物１００重量部に対して、Ｓｉ元素を
主成分とする酸化物を０．００５〜０．１重量部含有し
ていることを特徴とする。
【００１３】さらに、前記ＡＢＯ3は ｛（Ｂａ1-x-y-zＳｒxＣａyＭｇz）Ｏ｝m（Ｔｉ1-o-pＺ
ｒoＨｆp）Ｏ2 と表わしたとき、ｘ、ｙ、ｚ、ｏ、ｐ、ｍが、０≦ｘ≦
０．０５、０≦ｙ≦０．０２、０≦ｚ≦０．００５、
０．０３５≦ｏ＋ｐ≦０．１２、（ただし、０≦ｏ≦
０．１２、０≦ｐ≦０．１２）、１．０００≦ｍ≦１．
００６の関係を満足することを特徴とする。
ｒoＨｆp）Ｏ2 と表わしたとき、ｘ、ｙ、ｚ、ｏ、ｐ、ｍが、０≦ｘ≦
０．０５、０≦ｙ≦０．０２、０≦ｚ≦０．００５、
０．０３５≦ｏ＋ｐ≦０．１２、（ただし、０≦ｏ≦
０．１２、０≦ｐ≦０．１２）、１．０００≦ｍ≦１．
００６の関係を満足することを特徴とする。
【００１４】
【発明の実施の形態】本発明のパルス発生用コンデンサ
を図面を参照して説明する。図２は本発明のパルス発生
用コンデンサの一実施例を示す断面図である。
を図面を参照して説明する。図２は本発明のパルス発生
用コンデンサの一実施例を示す断面図である。
【００１５】パルス発生用コンデンサＡは次のようにし
て製作される。即ち、まず、所定の組成比率に配合した
セラミック原料粉末にバインダーを加えて混合し、乾
燥、造粒した後、プレス成形法などにより、円板状の成
形体を得る。その後、この成形体を焼成し、誘電体素子
としての非直線性誘電体磁器１を得る。次に、この非直
線性誘電体磁器１の両主面に一対の電極２を焼き付けな
どの方法で形成する。その後、絶縁のために絶縁ガラス
３をリング状に形成した後、リード端子５を電極２と電
気的に接続するように導電性接着剤６で接続してパルス
発生用コンデンサＡを得る。
て製作される。即ち、まず、所定の組成比率に配合した
セラミック原料粉末にバインダーを加えて混合し、乾
燥、造粒した後、プレス成形法などにより、円板状の成
形体を得る。その後、この成形体を焼成し、誘電体素子
としての非直線性誘電体磁器１を得る。次に、この非直
線性誘電体磁器１の両主面に一対の電極２を焼き付けな
どの方法で形成する。その後、絶縁のために絶縁ガラス
３をリング状に形成した後、リード端子５を電極２と電
気的に接続するように導電性接着剤６で接続してパルス
発生用コンデンサＡを得る。
【００１６】ここで、非直線性誘電体磁器は、チタン酸
バリウムを主成分とする多結晶体から構成されている。
そして、このチタン酸バリウム系成分をペロブスカイト
構造を示す一般式ＡＢＯ3で表わした場合、そのＡ／Ｂ
モル比を制御し、かつ、Ｍｎ、ＮｉおよびＣｏから選ば
れる少なくとも１種の元素の酸化物と、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎ
ｄ、Ｐｒ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ
およびＹｂから選ばれる少なくとも１種の元素の酸化物
の特定量を添加・含有させることによって、耐還元性と
急峻なＤ−Ｅヒステリシス特性を得ている。このため、
高温、高真空下および還元雰囲気下に曝露されても、絶
縁抵抗が低下せず、高い発生パルス電圧が得られる。
バリウムを主成分とする多結晶体から構成されている。
そして、このチタン酸バリウム系成分をペロブスカイト
構造を示す一般式ＡＢＯ3で表わした場合、そのＡ／Ｂ
モル比を制御し、かつ、Ｍｎ、ＮｉおよびＣｏから選ば
れる少なくとも１種の元素の酸化物と、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎ
ｄ、Ｐｒ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ
およびＹｂから選ばれる少なくとも１種の元素の酸化物
の特定量を添加・含有させることによって、耐還元性と
急峻なＤ−Ｅヒステリシス特性を得ている。このため、
高温、高真空下および還元雰囲気下に曝露されても、絶
縁抵抗が低下せず、高い発生パルス電圧が得られる。
【００１７】つまり、Ａ／Ｂ比とＭｎ、Ｎｉ、Ｃｏの酸
化物の添加は、耐還元性付与に効果があるが、これだけ
では、急峻なＤ−Ｅヒステリシス特性が得られず、高い
パルス電圧を発生しない。このため、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎ
ｄ、Ｐｒ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ
およびＹｂから選ばれる酸化物を添加し、その添加量と
Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｏの酸化物との比率を調整することで、
耐還元性と発生パルス電圧特性の双方を両立させてい
る。
化物の添加は、耐還元性付与に効果があるが、これだけ
では、急峻なＤ−Ｅヒステリシス特性が得られず、高い
パルス電圧を発生しない。このため、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎ
ｄ、Ｐｒ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ
およびＹｂから選ばれる酸化物を添加し、その添加量と
Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｏの酸化物との比率を調整することで、
耐還元性と発生パルス電圧特性の双方を両立させてい
る。
【００１８】さらに、Ｓｉを主成分とする酸化物を微量
添加・含有させることで、非直線性誘電体磁器の焼結性
が安定し、粒径バラツキの小さな磁器を得ている。これ
により、高い発生パルス電圧が得られると同時に、破壊
電圧の向上が可能となっている。
添加・含有させることで、非直線性誘電体磁器の焼結性
が安定し、粒径バラツキの小さな磁器を得ている。これ
により、高い発生パルス電圧が得られると同時に、破壊
電圧の向上が可能となっている。
【００１９】
【実施例】次に、本発明を実施例に基づき、さらに具体
的に説明するが、本発明はかかる実施例のみに限定され
るものではない。
的に説明するが、本発明はかかる実施例のみに限定され
るものではない。
【００２０】（実施例１）まず出発原料として、純度９
９％以上のＢａＣＯ3、ＣａＣＯ3、ＳｒＣＯ3、ＭｇＣ
Ｏ3、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2およびＨｆ2Ｏ3を準備した。
９％以上のＢａＣＯ3、ＣａＣＯ3、ＳｒＣＯ3、ＭｇＣ
Ｏ3、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2およびＨｆ2Ｏ3を準備した。
【００２１】次に、これらの原料を、｛（Ｂａ1-x-y-z
ＳｒxＣａyＭｇz）Ｏ｝m（Ｔｉ1-o-pＺｒoＨｆp）O2の
組成式で表わしたとき、ｘ、ｙ、ｚ、ｏ、ｐ、ｍが表１
に示す割合となるように配合した。この配合原料をボー
ルミルで湿式混合し、粉砕したのち乾燥し、空気中にて
１１２０℃で２時間仮焼して仮焼物を得た。この仮焼物
を乾式粉砕機により粉砕し、粒径が１μｍ以下の原料を
得た。
ＳｒxＣａyＭｇz）Ｏ｝m（Ｔｉ1-o-pＺｒoＨｆp）O2の
組成式で表わしたとき、ｘ、ｙ、ｚ、ｏ、ｐ、ｍが表１
に示す割合となるように配合した。この配合原料をボー
ルミルで湿式混合し、粉砕したのち乾燥し、空気中にて
１１２０℃で２時間仮焼して仮焼物を得た。この仮焼物
を乾式粉砕機により粉砕し、粒径が１μｍ以下の原料を
得た。
【００２２】
【表１】
【００２３】その後、この原料に予め準備しておいたＭ
ｎＣＯ3、ＮｉＯ、ＣｏＯ、Ｌａ2Ｏ3、ＣｅＯ2、Ｎｄ2
Ｏ3、Ｐｒ6Ｏ11、Ｓｍ2Ｏ3、Ｅｕ2Ｏ3、Ｇｄ2Ｏ3、Ｔｂ
2Ｏ3、Ｄｙ2Ｏ3、Ｈｏ2Ｏ3、Ｅｒ2Ｏ3、Ｙｂ2Ｏ3および
ＳｉＯ2を表２および表３に示す配合比になるように秤
量し、ポリビニルアルコール３重量％を純水とともに加
えてボールミルで湿式混合し、乾燥・造粒後、２トン／
ｃｍ2の圧力で成形し、円板状の成形体を得た。
ｎＣＯ3、ＮｉＯ、ＣｏＯ、Ｌａ2Ｏ3、ＣｅＯ2、Ｎｄ2
Ｏ3、Ｐｒ6Ｏ11、Ｓｍ2Ｏ3、Ｅｕ2Ｏ3、Ｇｄ2Ｏ3、Ｔｂ
2Ｏ3、Ｄｙ2Ｏ3、Ｈｏ2Ｏ3、Ｅｒ2Ｏ3、Ｙｂ2Ｏ3および
ＳｉＯ2を表２および表３に示す配合比になるように秤
量し、ポリビニルアルコール３重量％を純水とともに加
えてボールミルで湿式混合し、乾燥・造粒後、２トン／
ｃｍ2の圧力で成形し、円板状の成形体を得た。
【００２４】
【表２】
【００２５】
【表３】
【００２６】その後、得られた成形体を、表４に示す温
度で２時間焼成し、直径１８ｍｍ、厚み０．６ｍｍの非
直線性誘電体磁器を得た。
度で２時間焼成し、直径１８ｍｍ、厚み０．６ｍｍの非
直線性誘電体磁器を得た。
【００２７】次に、この非直線性誘電体磁器の両主面
に、直径１６ｍｍの銀の電極を焼き付けで形成した。さ
らに、結晶化ガラスからなる絶縁ガラスを外径１７ｍ
ｍ、内径１４ｍｍのリング状に形成した後、ニッケルの
リード端子を導電性接着剤で接続して、パルス発生用コ
ンデンサＡを作製した。
に、直径１６ｍｍの銀の電極を焼き付けで形成した。さ
らに、結晶化ガラスからなる絶縁ガラスを外径１７ｍ
ｍ、内径１４ｍｍのリング状に形成した後、ニッケルの
リード端子を導電性接着剤で接続して、パルス発生用コ
ンデンサＡを作製した。
【００２８】このようにして得られたコンデンサのパル
ス発生電圧を、図４に示すパルス発生回路およびパルス
測定回路を用いて、−４０℃、室温（２０℃）、５０℃
の温度で測定した。なお、パルス発生回路は、図４に示
すように、上記により作製した各パルス発生用コンデン
サＡを温度槽内に配置し、ブレークオーバー電圧１５０
Ｖの半導体スイッチＣと４００Ｗ水銀灯安定器（入力電
圧；２２０Ｖ、６０Ｈｚ）Ｄとを直列に接続した回路を
１００Ｖ、６０Ｈｚの交流電源Ｅに接続して構成した。
発生パルス電圧は、パルス発生用コンデンサＡと半導体
スイッチＣの直列回路の端子間に接続したオシロスコー
プＦにより測定した。
ス発生電圧を、図４に示すパルス発生回路およびパルス
測定回路を用いて、−４０℃、室温（２０℃）、５０℃
の温度で測定した。なお、パルス発生回路は、図４に示
すように、上記により作製した各パルス発生用コンデン
サＡを温度槽内に配置し、ブレークオーバー電圧１５０
Ｖの半導体スイッチＣと４００Ｗ水銀灯安定器（入力電
圧；２２０Ｖ、６０Ｈｚ）Ｄとを直列に接続した回路を
１００Ｖ、６０Ｈｚの交流電源Ｅに接続して構成した。
発生パルス電圧は、パルス発生用コンデンサＡと半導体
スイッチＣの直列回路の端子間に接続したオシロスコー
プＦにより測定した。
【００２９】次に、絶縁抵抗を測定するために、絶縁抵
抗計を用い、１００Ｖの直流電圧を２分間印加して、絶
縁抵抗を測定し、体積抵抗率（ρ）を計算した。
抗計を用い、１００Ｖの直流電圧を２分間印加して、絶
縁抵抗を測定し、体積抵抗率（ρ）を計算した。
【００３０】また、高温、還元雰囲気下での特性の経時
変化を測定するために、各コンデンサＡを、４００℃、
１×１０-5ｔｏｒｒ、水素濃度０．５％とした真空槽内
に１０００時間放置したのち、図４に示すパルス発生回
路およびパルス測定回路を用いて、室温（２０℃）での
発生パルス電圧を測定した。絶縁抵抗についても測定
し、体積抵抗率（ρ）を求めた。
変化を測定するために、各コンデンサＡを、４００℃、
１×１０-5ｔｏｒｒ、水素濃度０．５％とした真空槽内
に１０００時間放置したのち、図４に示すパルス発生回
路およびパルス測定回路を用いて、室温（２０℃）での
発生パルス電圧を測定した。絶縁抵抗についても測定
し、体積抵抗率（ρ）を求めた。
【００３１】また、交流絶縁破壊電圧として、表４の温
度で焼成して得た直径１８mm、厚み０．６ｍｍの非直線
性誘電体磁器の両主面に直径１４ｍｍの銀電極を焼き付
けた試料を用意し、シリコンオイル中で、６０Ｈｚ、１
００Ｖｒｍｓ／秒で昇圧し、試料が絶縁破壊したときの
電圧を測定した。
度で焼成して得た直径１８mm、厚み０．６ｍｍの非直線
性誘電体磁器の両主面に直径１４ｍｍの銀電極を焼き付
けた試料を用意し、シリコンオイル中で、６０Ｈｚ、１
００Ｖｒｍｓ／秒で昇圧し、試料が絶縁破壊したときの
電圧を測定した。
【００３２】以上の各試験の結果を、表４に合わせて示
す。表１〜４において、試料番号６〜１５は、請求項２
に係る発明の範囲外のものである。試料番号６〜１７
は、請求項３に係る発明の範囲外のものである。試料番
号１〜１７は、請求項４に係る発明の範囲外のものであ
り、＊印を付してある。即ち、試料番号１８〜４１が本
発明において最も好ましい範囲内のものである。
す。表１〜４において、試料番号６〜１５は、請求項２
に係る発明の範囲外のものである。試料番号６〜１７
は、請求項３に係る発明の範囲外のものである。試料番
号１〜１７は、請求項４に係る発明の範囲外のものであ
り、＊印を付してある。即ち、試料番号１８〜４１が本
発明において最も好ましい範囲内のものである。
【００３３】
【表４】
【００３４】表１〜４から明かなように、請求項４に係
るもっとも好ましい範囲内の本発明のパルス発生用コン
デンサは、−４０℃〜５０℃での温度範囲で１．８ｋＶ
以上と高い発生パルス電圧値を示す。しかも、高温、還
元雰囲気下に曝されても、絶縁抵抗が低下せず、発生パ
ルス電圧値が低下しない。さらに、交流絶縁破壊電圧値
が６ｋＶｒｍｓ／mm以上と高い。
るもっとも好ましい範囲内の本発明のパルス発生用コン
デンサは、−４０℃〜５０℃での温度範囲で１．８ｋＶ
以上と高い発生パルス電圧値を示す。しかも、高温、還
元雰囲気下に曝されても、絶縁抵抗が低下せず、発生パ
ルス電圧値が低下しない。さらに、交流絶縁破壊電圧値
が６ｋＶｒｍｓ／mm以上と高い。
【００３５】ここで、本発明の、一般式（１−ａ−ｂ）
ＡＢＯ3＋ａＭ＋ｂＲ（ただし、ＡＢＯ3はチタン酸バリ
ウム系成分であってペロブスカイト構造を表わす一般
式、ＭはＭｎ、ＮｉおよびＣｏから選ばれる少なくとも
1種の元素の酸化物、ＲはＬａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｐｒ、Ｓ
ｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、ＥｒおよびＹｂか
ら選ばれる少なくとも１種の元素の酸化物、ａおよびｂ
はそれぞれモル分率）で表わされる、パルス発生用コン
デンサの誘電体磁器の組成限定理由について以下に説明
する。
ＡＢＯ3＋ａＭ＋ｂＲ（ただし、ＡＢＯ3はチタン酸バリ
ウム系成分であってペロブスカイト構造を表わす一般
式、ＭはＭｎ、ＮｉおよびＣｏから選ばれる少なくとも
1種の元素の酸化物、ＲはＬａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｐｒ、Ｓ
ｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、ＥｒおよびＹｂか
ら選ばれる少なくとも１種の元素の酸化物、ａおよびｂ
はそれぞれモル分率）で表わされる、パルス発生用コン
デンサの誘電体磁器の組成限定理由について以下に説明
する。
【００３６】試料番号６のように、Ａ／Ｂ比［即ち、一
般式ＡＢＯ3を｛（Ｂａ1-x-y-zＳｒxＣａyＭｇz）Ｏ｝m
（Ｔｉ1-o-pＺｒoＨｆp）O2で表わしたときのmの値］が
１．０００未満の場合、高温、還元雰囲気下に曝される
ことにより、誘電体磁器が還元されて絶縁抵抗が低下し
て、発生パルス電圧が極端に低下するため好ましくな
い。交流絶縁破壊電圧も６ｋＶ／ｍｍを越えない。ま
た、試料番号7のように、Ａ／Ｂ比が１．００６を超え
る場合、発生パルス電圧が低くなり好ましくない。
般式ＡＢＯ3を｛（Ｂａ1-x-y-zＳｒxＣａyＭｇz）Ｏ｝m
（Ｔｉ1-o-pＺｒoＨｆp）O2で表わしたときのmの値］が
１．０００未満の場合、高温、還元雰囲気下に曝される
ことにより、誘電体磁器が還元されて絶縁抵抗が低下し
て、発生パルス電圧が極端に低下するため好ましくな
い。交流絶縁破壊電圧も６ｋＶ／ｍｍを越えない。ま
た、試料番号7のように、Ａ／Ｂ比が１．００６を超え
る場合、発生パルス電圧が低くなり好ましくない。
【００３７】試料番号８のように、Ｍ量ａが０．００１
５未満の場合、高温、還元雰囲気下に曝されることで、
発生パルス電圧が極端に低下するため好ましくない。ま
た、試料番号９のように、Ｍ量ａが０．００５０を超え
る場合、−４０℃〜５０℃における発生パルス電圧が低
くなり好ましくない。
５未満の場合、高温、還元雰囲気下に曝されることで、
発生パルス電圧が極端に低下するため好ましくない。ま
た、試料番号９のように、Ｍ量ａが０．００５０を超え
る場合、−４０℃〜５０℃における発生パルス電圧が低
くなり好ましくない。
【００３８】試料番号１０のように、Ｒ量ｂが０．００
１５未満であるかまたは試料番号１１のように０．００
５０を超える場合、発生パルス電圧が１．８ｋＶを超え
ず好ましくない。
１５未満であるかまたは試料番号１１のように０．００
５０を超える場合、発生パルス電圧が１．８ｋＶを超え
ず好ましくない。
【００３９】試料番号１２のように、Ｍ量ａとＲ量bの
比率b／aが０．３より小さい場合、発生パルス電圧が低
くなり、また、試料番号１３のように、３を超える場
合、高温、還元雰囲気下に曝されると、発生パルス電圧
が極端に低下するため好ましくない。
比率b／aが０．３より小さい場合、発生パルス電圧が低
くなり、また、試料番号１３のように、３を超える場
合、高温、還元雰囲気下に曝されると、発生パルス電圧
が極端に低下するため好ましくない。
【００４０】試料番号１４のように、Ｍ量とＲ量の総含
有量Ａｄが０．３重量％以下の場合、高温、還元雰囲気
下に曝されると、体積抵抗率が低下し、発生パルス電圧
が極端に低下し好ましくない。また、試料番号１５のよ
うに、総含有量Ａｄが１．０重量％を超える場合、発生
パルス電圧が１．８ｋＶを超えなくなり好ましくない。
有量Ａｄが０．３重量％以下の場合、高温、還元雰囲気
下に曝されると、体積抵抗率が低下し、発生パルス電圧
が極端に低下し好ましくない。また、試料番号１５のよ
うに、総含有量Ａｄが１．０重量％を超える場合、発生
パルス電圧が１．８ｋＶを超えなくなり好ましくない。
【００４１】また、試料番号１６のように、Ｓｉ元素を
主成分とする酸化物量（即ち、ＳｉＯ2量）が０．００
５重量部未満の場合、発生パルス電圧値が１．８ｋＶを
越えず、交流破壊電圧値も低くなり、ランプに内蔵した
際に、繰り返しの点灯などにより、絶縁破壊を生じやす
くなる。また、試料番号１７のように、０．１重量部を
超える場合、発生パルス電圧が低下する場合がある。
主成分とする酸化物量（即ち、ＳｉＯ2量）が０．００
５重量部未満の場合、発生パルス電圧値が１．８ｋＶを
越えず、交流破壊電圧値も低くなり、ランプに内蔵した
際に、繰り返しの点灯などにより、絶縁破壊を生じやす
くなる。また、試料番号１７のように、０．１重量部を
超える場合、発生パルス電圧が低下する場合がある。
【００４２】さらに、一般式ＡＢＯ3を｛（Ｂａ1-x-y-z
ＳｒxＣａyＭｇz）Ｏ｝m（Ｔｉ1-o-pＺｒoＨｆp）O2で
表わした場合、試料番号１のように、Ｓｒ量ｘが０．０
５より多いと、５０℃での発生パルス電圧値が１．８ｋ
Ｖよりも小さくなる。これに対して、Ｓｒ量を０．０５
以下の範囲とすることで発生パルス電圧を向上させるこ
とができる。
ＳｒxＣａyＭｇz）Ｏ｝m（Ｔｉ1-o-pＺｒoＨｆp）O2で
表わした場合、試料番号１のように、Ｓｒ量ｘが０．０
５より多いと、５０℃での発生パルス電圧値が１．８ｋ
Ｖよりも小さくなる。これに対して、Ｓｒ量を０．０５
以下の範囲とすることで発生パルス電圧を向上させるこ
とができる。
【００４３】試料番号２のように、Ｃａ量ｙが０．０２
より多くなると、発生パルス電圧が低くなる。これに対
して、Ｃａ量を０．０２以下の範囲とすることにより、
高温、還元雰囲気下での発生パルス電圧が低下しない。
より多くなると、発生パルス電圧が低くなる。これに対
して、Ｃａ量を０．０２以下の範囲とすることにより、
高温、還元雰囲気下での発生パルス電圧が低下しない。
【００４４】試料番号３のように、Ｍｇ量ｚが０．００
５よりも多いと、発生パルス電圧値が１．８ｋＶを超え
なくなる。これに対して、Ｍｇ量を０．００５以下の範
囲とすることにより、耐還元性が向上し、高温、還元雰
囲気下での発生パルス電圧の低下が起こりにくくなる。
５よりも多いと、発生パルス電圧値が１．８ｋＶを超え
なくなる。これに対して、Ｍｇ量を０．００５以下の範
囲とすることにより、耐還元性が向上し、高温、還元雰
囲気下での発生パルス電圧の低下が起こりにくくなる。
【００４５】試料番号４のように、Ｚｒ量ｏ、Ｈｆ量p
の総和ｏ＋ｐが０．０３５未満の場合、発生パルス電圧
が低くなる。一方、試料番号５のように、Ｚｒ量ｏ、Ｈ
ｆ量ｐの総和ｏ＋ｐが０．１２よりも多い場合、室温あ
るいは５０℃での発生パルス電圧値が１．８ｋＶを越え
なくなる。
の総和ｏ＋ｐが０．０３５未満の場合、発生パルス電圧
が低くなる。一方、試料番号５のように、Ｚｒ量ｏ、Ｈ
ｆ量ｐの総和ｏ＋ｐが０．１２よりも多い場合、室温あ
るいは５０℃での発生パルス電圧値が１．８ｋＶを越え
なくなる。
【００４６】（実施例２）請求項４に係る発明の範囲内
のものである、実施例１の試料番号２６のパルス発生用
コンデンサＡを用意し、このコンデンサＡを外球内に入
れた高圧ナトリウムランプを作製した。
のものである、実施例１の試料番号２６のパルス発生用
コンデンサＡを用意し、このコンデンサＡを外球内に入
れた高圧ナトリウムランプを作製した。
【００４７】比較例として、請求項２に係る発明の範囲
外のものである、実施例１の試料番号１４のコンデンサ
に用いた非直線性誘電体磁器を実施例１と同様にして作
製した。次に、図３に示すように、非直線性誘電体磁器
１１の両主面に直径１６ｍｍの銀の電極１２を焼き付
け、結晶化ガラスからなる絶縁ガラス１３を通電部１４
を除いた非直線性誘電体磁器１１の両主面の全面に形成
し、ニッケルのリード端子１５を電極１２と通電部１４
を通して、電気的に接続するように導電性接着剤１６で
接続してパルス発生用コンデンサＢを作製した。このコ
ンデンサＢを外球内に入れた高圧ナトリウムランプを作
製した。
外のものである、実施例１の試料番号１４のコンデンサ
に用いた非直線性誘電体磁器を実施例１と同様にして作
製した。次に、図３に示すように、非直線性誘電体磁器
１１の両主面に直径１６ｍｍの銀の電極１２を焼き付
け、結晶化ガラスからなる絶縁ガラス１３を通電部１４
を除いた非直線性誘電体磁器１１の両主面の全面に形成
し、ニッケルのリード端子１５を電極１２と通電部１４
を通して、電気的に接続するように導電性接着剤１６で
接続してパルス発生用コンデンサＢを作製した。このコ
ンデンサＢを外球内に入れた高圧ナトリウムランプを作
製した。
【００４８】さらに、他の比較例として、このコンデン
サＢを外球内に入れ、同時に、Ｚｒ／Ａｌ＝８７／１３
（重量比）の組成比からなる水素吸着ゲッターを外球内
に設けた高圧ナトリウムランプも作製した。
サＢを外球内に入れ、同時に、Ｚｒ／Ａｌ＝８７／１３
（重量比）の組成比からなる水素吸着ゲッターを外球内
に設けた高圧ナトリウムランプも作製した。
【００４９】次に、これらの高圧ナトリウムランプにつ
いて、点灯試験をおこなった。なお、点灯に使用した安
定器は、４００Ｗの高圧水銀ランプ用安定器（入力電圧
２２０Ｖ、６０Ｈｚ）であり、点灯サイクルは１０時間
点灯／１時間消灯である。
いて、点灯試験をおこなった。なお、点灯に使用した安
定器は、４００Ｗの高圧水銀ランプ用安定器（入力電圧
２２０Ｖ、６０Ｈｚ）であり、点灯サイクルは１０時間
点灯／１時間消灯である。
【００５０】図５にランプ点灯時間による発生パルス電
圧の変化を示す。図５から明らかのように、請求項４に
係る発明の範囲内のものであるコンデンサＡでは、パル
ス電圧はほとんど変化していないのに対して、請求項２
に係る発明の範囲外のものであるコンデンサＢでは、水
素吸着ゲッターを設置しても、パルス電圧は時間ととも
に低下している。
圧の変化を示す。図５から明らかのように、請求項４に
係る発明の範囲内のものであるコンデンサＡでは、パル
ス電圧はほとんど変化していないのに対して、請求項２
に係る発明の範囲外のものであるコンデンサＢでは、水
素吸着ゲッターを設置しても、パルス電圧は時間ととも
に低下している。
【００５１】
【発明の効果】以上の説明で明らかな通り、本発明のパ
ルス発生用コンデンサは、耐還元性を有し、かつ広い温
度範囲にわたって急峻なＤ−Ｅヒステリシス特性を有す
る非直線性誘電体磁器で構成される。また、本発明のパ
ルス発生用コンデンサは、絶縁ガラスで完全に被覆する
必要がないので、被覆ガラスによって特性が劣化するよ
うなことがない。さらに、コンデンサ自体の交流絶縁破
壊電圧が高い。
ルス発生用コンデンサは、耐還元性を有し、かつ広い温
度範囲にわたって急峻なＤ−Ｅヒステリシス特性を有す
る非直線性誘電体磁器で構成される。また、本発明のパ
ルス発生用コンデンサは、絶縁ガラスで完全に被覆する
必要がないので、被覆ガラスによって特性が劣化するよ
うなことがない。さらに、コンデンサ自体の交流絶縁破
壊電圧が高い。
【００５２】したがって、高温・高真空中において、さ
らに還元雰囲気中において特性が劣化することのない、
広い温度範囲にわたって高いパルス電圧を発生すること
のできる、安価なパルス発生用コンデンサを得ることが
できる。
らに還元雰囲気中において特性が劣化することのない、
広い温度範囲にわたって高いパルス電圧を発生すること
のできる、安価なパルス発生用コンデンサを得ることが
できる。
【００５３】さらに、本発明のパルス発生用コンデンサ
を用いることにより、外球内に水素吸着用ゲッターを設
置する必要がなくなる。このため、始動器を放電灯の外
球に内蔵した、信頼性の高い始動器内蔵型高圧蒸気放電
灯を安価に得ることができる。
を用いることにより、外球内に水素吸着用ゲッターを設
置する必要がなくなる。このため、始動器を放電灯の外
球に内蔵した、信頼性の高い始動器内蔵型高圧蒸気放電
灯を安価に得ることができる。
【図１】本発明のコンデンサに用いる非直線性誘電体磁
器の、Ｄ−Ｅヒステリシス特性図の一例である。
器の、Ｄ−Ｅヒステリシス特性図の一例である。
【図２】本発明のパルス発生用コンデンサの一例を示す
断面図である。
断面図である。
【図３】従来のパルス発生用コンデンサの一例を示す断
面図である。
面図である。
【図４】パルス発生回路とパルス測定回路を示す図であ
る。
る。
【図５】パルス発生用コンデンサの、ランプ点灯時間と
発生パルス電圧の関係を示すグラフである。
発生パルス電圧の関係を示すグラフである。
Ａ、Ｂ パルス発生用コンデンサ １ １１ 非直線性誘電体磁器 ２、１２ 電極 ３、１３ 絶縁ガラス １４ 通電部 ５、１５ リード端子 ６、１６ 導電性接着剤
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｂ 3/12 ３１５ Ｈ０１Ｂ 3/12 ３１５ ３１９ ３１９ ３２２ ３２２ ３２３ ３２３ ３４１ ３４１ (72)発明者 小林 真一 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 (72)発明者 江角 俊也 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 (72)発明者 影山 善隆 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内
Claims (4)
- 【請求項１】 高圧蒸気放電灯の外球内で用いられるコ
ンデンサであって、その誘電体素子が耐還元性を有する
非直線性誘電体磁器で構成されていることを特徴とする
パルス発生用コンデンサ。 - 【請求項２】 前記耐還元性を有する非直線性誘電体磁
器は、チタン酸バリウムを主成分とする多結晶体からな
り、これを一般式、 （１−ａ−ｂ）ＡＢＯ3 ＋ ａＭ ＋ ｂＲ （ただし、ＡＢＯ3はチタン酸バリウム系成分であって
ペロブスカイト構造を表わす一般式、ＭはＭｎ、Ｎｉお
よびＣｏから選ばれる少なくとも1種の元素の酸化物、
ＲはＬａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｐｒ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔ
ｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、ＥｒおよびＹｂから選ばれる少なくと
も１種の元素の酸化物、ａおよびｂはそれぞれモル分
率）で表わしたとき、Ａ、Ｂ、ａ、ｂが １．０００≦Ａ／Ｂ≦１．００６ （モル比） ０．３≦ｂ／ａ≦３ ０．００１５≦ａ≦０．００５０ ０．００１５≦ｂ≦０．００５０ であり、かつ、ＭおよびＲの総含有量Ａｄが ０．３＜Ａｄ≦１．０ （重量％） の関係を満足することを特徴とする、請求項１記載のパ
ルス発生用コンデンサ。 - 【請求項３】 前記耐還元性を有する非直線性誘電体磁
器は、チタン酸バリウムを主成分とする多結晶体からな
り、これを一般式、 （１−ａ−ｂ）ＡＢＯ3 ＋ ａＭ ＋ ｂＲ （ただし、ＡＢＯ3はチタン酸バリウム系成分であって
ペロブスカイト構造を表わす一般式、ＭはＭｎ、Ｎｉお
よびＣｏから選ばれる少なくとも1種の元素の酸化物、
ＲはＬａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｐｒ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔ
ｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、ＥｒおよびＹｂから選ばれる少なくと
も１種の元素の酸化物、ａおよびｂはそれぞれモル分
率）で表わしたとき、Ａ、Ｂ、ａ、ｂが １．０００≦Ａ／Ｂ≦１．００６ （モル比） ０．３≦ｂ／ａ≦３ ０．００１５≦ａ≦０．００５０ ０．００１５≦ｂ≦０．００５０ であり、かつ、ＭおよびＲの総含有量Ａｄが ０．３＜Ａｄ≦１．０ （重量％） の関係を満足し、さらに、上記組成物１００重量部に対
して、Ｓｉ元素を主成分とする酸化物を０．００５〜
０．１重量部含有していることを特徴とする、請求項１
記載のパルス発生用コンデンサ。 - 【請求項４】 前記ＡＢＯ3は ｛（Ｂａ1-x-y-zＳｒxＣａyＭｇz）Ｏ｝m（Ｔｉ1-o-pＺ
ｒoＨｆp）Ｏ2 と表わしたとき、ｘ、ｙ、ｚ、ｏ、ｐ、ｍが ０≦ｘ≦０．０５ ０≦ｙ≦０．０２ ０≦ｚ≦０．００５ ０．０３５≦ｏ＋ｐ≦０．１２ （ただし、０≦ｏ≦０．１２、０≦ｐ≦０．１２） １．０００≦ｍ≦１．００６ の関係を満足することを特徴とする、請求項２または３
に記載のパルス発生用コンデンサ。
Priority Applications (4)
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|---|---|---|---|
| JP09616298A JP3344314B2 (ja) | 1998-04-08 | 1998-04-08 | パルス発生用コンデンサ |
| DE19913867A DE19913867B4 (de) | 1998-04-08 | 1999-03-26 | Hochdruckdampf-Entladungslampe sowie Verwendung eines Kondensators in einer solchen Hochdruckdampf-Entladungslampe |
| CNB991049098A CN1171256C (zh) | 1998-04-08 | 1999-03-31 | 介电陶瓷和使用它的电容器 |
| US09/287,710 US6356037B1 (en) | 1998-04-08 | 1999-04-07 | Dielectric ceramic and a capacitor using the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09616298A JP3344314B2 (ja) | 1998-04-08 | 1998-04-08 | パルス発生用コンデンサ |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11297563A true JPH11297563A (ja) | 1999-10-29 |
| JP3344314B2 JP3344314B2 (ja) | 2002-11-11 |
Family
ID=14157657
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP09616298A Expired - Lifetime JP3344314B2 (ja) | 1998-04-08 | 1998-04-08 | パルス発生用コンデンサ |
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| JP2020203824A (ja) * | 2019-06-17 | 2020-12-24 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． | 誘電体磁器組成物及びこれを含む積層セラミックキャパシタ |
| JP2021020845A (ja) * | 2019-07-24 | 2021-02-18 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． | 誘電体磁器組成物及びこれを含む積層セラミックキャパシタ |
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| JPS63221505A (ja) | 1987-03-09 | 1988-09-14 | ティーディーケイ株式会社 | 非直線性誘電体素子 |
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-
1998
- 1998-04-08 JP JP09616298A patent/JP3344314B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1999
- 1999-03-26 DE DE19913867A patent/DE19913867B4/de not_active Expired - Lifetime
- 1999-03-31 CN CNB991049098A patent/CN1171256C/zh not_active Expired - Lifetime
- 1999-04-07 US US09/287,710 patent/US6356037B1/en not_active Expired - Lifetime
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