JPH11297918A - リードフレーム及び半導体装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
リードフレーム及び半導体装置及び半導体装置の製造方法Info
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- JPH11297918A JPH11297918A JP10098956A JP9895698A JPH11297918A JP H11297918 A JPH11297918 A JP H11297918A JP 10098956 A JP10098956 A JP 10098956A JP 9895698 A JP9895698 A JP 9895698A JP H11297918 A JPH11297918 A JP H11297918A
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- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/541—Dispositions of bond wires
- H10W72/5449—Dispositions of bond wires not being orthogonal to a side surface of the chip, e.g. fan-out arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
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- Wire Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ボンディング部の剥がれ現象を抑え、ボンデ
ィング不良により発生する半導体装置の歩止まりを向上
するリードフレーム及び半導体装置を提供する。 【解決手段】 少なくともアイランド部２に接続させて
いる一部の吊りピン部３若しくはリード部４の一部に、
補助ボンディング部１０が設けられているリードフレー
ム１。
ィング不良により発生する半導体装置の歩止まりを向上
するリードフレーム及び半導体装置を提供する。 【解決手段】 少なくともアイランド部２に接続させて
いる一部の吊りピン部３若しくはリード部４の一部に、
補助ボンディング部１０が設けられているリードフレー
ム１。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、リードフレーム及
び半導体装置とその製造方法に関するものであり、特に
詳しくは、半導体装置に於ける封止樹脂によるそりの問
題、及びボンディング部の剥がれの問題を解決する事が
出来るリードフレーム及び半導体装置とその製造方法に
関するものである。
び半導体装置とその製造方法に関するものであり、特に
詳しくは、半導体装置に於ける封止樹脂によるそりの問
題、及びボンディング部の剥がれの問題を解決する事が
出来るリードフレーム及び半導体装置とその製造方法に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来から、本発明に於ける封止樹脂によ
る歪みが原因で、半導体装置がそり等の変形を発生した
り、封止樹脂割れを発生したりする事があり、その為、
当該半導体装置のチップの上面と下面を構成する当該封
止樹脂の厚みを等しくする様に設計が行われており、
又、当該半導体装置に於けるアウターリード部の配置位
置も、当該半導体装置の全体の厚みに対して略中央部か
ら当該半導体装置から外部に出てくる様に設計されてい
る。
る歪みが原因で、半導体装置がそり等の変形を発生した
り、封止樹脂割れを発生したりする事があり、その為、
当該半導体装置のチップの上面と下面を構成する当該封
止樹脂の厚みを等しくする様に設計が行われており、
又、当該半導体装置に於けるアウターリード部の配置位
置も、当該半導体装置の全体の厚みに対して略中央部か
ら当該半導体装置から外部に出てくる様に設計されてい
る。
【０００３】その為の具体例としては、例えば、図３に
示す様に、リードフレーム１のアイランド部２に接続す
る吊りピン部３若しくはリード部４の一部若しくは全部
に、デプレス処理加工を施して形成した屈曲部５を形成
し、当該アイランド部２を該リードフレームの平面より
も、例えば、当該半導体装置のチップの厚みの少なくと
も略半分の長さだけ凹ませたリードフレーム１が使用さ
れている。
示す様に、リードフレーム１のアイランド部２に接続す
る吊りピン部３若しくはリード部４の一部若しくは全部
に、デプレス処理加工を施して形成した屈曲部５を形成
し、当該アイランド部２を該リードフレームの平面より
も、例えば、当該半導体装置のチップの厚みの少なくと
も略半分の長さだけ凹ませたリードフレーム１が使用さ
れている。
【０００４】尚、１２は当該チップ３の通常の信号端子
部とボンディング処理される信号線用のインナーリード
である。然しながら、係る構成を有するリードフレーム
１のアイランド部２に所定のチップ６を搭載し、そのま
ま当該チップ６の所定の端子部と当該吊りピン部３若し
くはリード部４との間にワイヤー７をボンディングする
操作を行っている。
部とボンディング処理される信号線用のインナーリード
である。然しながら、係る構成を有するリードフレーム
１のアイランド部２に所定のチップ６を搭載し、そのま
ま当該チップ６の所定の端子部と当該吊りピン部３若し
くはリード部４との間にワイヤー７をボンディングする
操作を行っている。
【０００５】然しながら、かかる操作に於いては、図４
に示す様に、通常は、ヒータープレート８上にチップ６
を搭載したリードフレーム１が置かれ、リードフレーム
１の反対側がワークホルダー９により固定されている。
従来に於ける当該リードフレームの段差状の屈曲部５の
凹み量Ｄｐとヒータープレート８の掘り込み量Ｈとでは
５０μｍ程度ヒータープレート８の掘り込み量Ｈの方が
浅くなっているため、ボンディングが行われる当該アイ
ランド部２に接続されたリード部４はヒータープレート
８の表面から浮いた状態となり易く、従って、ボンディ
ング時にリードが完全に固定されておらず、変位する事
が原因で、ボンディング部が剥がれると言う現象が多発
し易く、歩止まりが低下する原因となっていた。
に示す様に、通常は、ヒータープレート８上にチップ６
を搭載したリードフレーム１が置かれ、リードフレーム
１の反対側がワークホルダー９により固定されている。
従来に於ける当該リードフレームの段差状の屈曲部５の
凹み量Ｄｐとヒータープレート８の掘り込み量Ｈとでは
５０μｍ程度ヒータープレート８の掘り込み量Ｈの方が
浅くなっているため、ボンディングが行われる当該アイ
ランド部２に接続されたリード部４はヒータープレート
８の表面から浮いた状態となり易く、従って、ボンディ
ング時にリードが完全に固定されておらず、変位する事
が原因で、ボンディング部が剥がれると言う現象が多発
し易く、歩止まりが低下する原因となっていた。
【０００６】つまり、当該リードフレーム１の段差状の
屈曲部５の凹み量Ｄｐは製造時にバラツキが生じるた
め、例えば、設計値よりも深めに出来上がった場合には
ヒータープレート８の掘り込み量Ｈとの差が大きくな
り、ボンディング部の裏面とヒータープレートの隙間が
さらに大きくなり、ボンディング部の剥がれが発生す
る。この場合のボンディング部の剥がれの発生率は、一
般的に約７％である。
屈曲部５の凹み量Ｄｐは製造時にバラツキが生じるた
め、例えば、設計値よりも深めに出来上がった場合には
ヒータープレート８の掘り込み量Ｈとの差が大きくな
り、ボンディング部の裏面とヒータープレートの隙間が
さらに大きくなり、ボンディング部の剥がれが発生す
る。この場合のボンディング部の剥がれの発生率は、一
般的に約７％である。
【０００７】尚、特許第２５３６２９０号公報には、当
該アイランド部を支持する吊りピンに屈曲部を設ける事
が記載されているが、本発明の様なボンディング処理に
於けるボンディング剥がれを防止する技術に関しては全
くの開示がなく、又特開平４−５６１４３号公報には、
アイランド部を支持する吊りピンを二股状に形成する事
が記載されているが、当該二股状の吊りピン部を何れも
アイランド部に接続せしめる構造であり、本発明の様な
ボンディング処理に於けるボンディング剥がれを防止す
る技術に関しては全くの開示はない。
該アイランド部を支持する吊りピンに屈曲部を設ける事
が記載されているが、本発明の様なボンディング処理に
於けるボンディング剥がれを防止する技術に関しては全
くの開示がなく、又特開平４−５６１４３号公報には、
アイランド部を支持する吊りピンを二股状に形成する事
が記載されているが、当該二股状の吊りピン部を何れも
アイランド部に接続せしめる構造であり、本発明の様な
ボンディング処理に於けるボンディング剥がれを防止す
る技術に関しては全くの開示はない。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、上記した従来技術の欠点を改良し、ボンディング部
の剥がれ現象を極力抑え、ボンディング不良により発生
する半導体装置の歩止まりを向上する事が可能なリード
フレーム及びそれを使用した半導体装置を提供するもの
である。
は、上記した従来技術の欠点を改良し、ボンディング部
の剥がれ現象を極力抑え、ボンディング不良により発生
する半導体装置の歩止まりを向上する事が可能なリード
フレーム及びそれを使用した半導体装置を提供するもの
である。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は上記した目的を
達成するため、基本的には以下に記載されたような技術
構成を採用するものである。即ち、本発明に係る第１の
態様としては、少なくともアイランド部に接続させてい
る一部の吊りピン部若しくはリード部の一部に、補助ボ
ンディング部が設けられているリードフレームであり、
又本発明に係る第２の態様としては、上記したリードフ
レームを使用し、当該アイランド部に搭載されているチ
ップの端子部と該補助ボンディング部との間でボンディ
ングが形成されている半導体装置である。
達成するため、基本的には以下に記載されたような技術
構成を採用するものである。即ち、本発明に係る第１の
態様としては、少なくともアイランド部に接続させてい
る一部の吊りピン部若しくはリード部の一部に、補助ボ
ンディング部が設けられているリードフレームであり、
又本発明に係る第２の態様としては、上記したリードフ
レームを使用し、当該アイランド部に搭載されているチ
ップの端子部と該補助ボンディング部との間でボンディ
ングが形成されている半導体装置である。
【００１０】更に本発明に係る第３の態様としては、上
記したリードフレームの当該アイランド部に所定のチッ
プを搭載した後、当該リードフレームの一面をヒーター
プレート上に搭載されると同時に当該リードフレームの
他面からワークホルダーを押圧して、その状態でボンデ
ィング処理を行うに際し、当該ワークホルダーの先端部
の位置を当該補助ボンディング部と当該吊りピン部若し
くはリード部との分岐部よりもアイランド部側に位置す
る様に配置する半導体装置の製造方法である。
記したリードフレームの当該アイランド部に所定のチッ
プを搭載した後、当該リードフレームの一面をヒーター
プレート上に搭載されると同時に当該リードフレームの
他面からワークホルダーを押圧して、その状態でボンデ
ィング処理を行うに際し、当該ワークホルダーの先端部
の位置を当該補助ボンディング部と当該吊りピン部若し
くはリード部との分岐部よりもアイランド部側に位置す
る様に配置する半導体装置の製造方法である。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明にかかる当該リードフレー
ム及び半導体装置は、上記したような構成を採用してお
り、その特徴は、アイランド接続されたグランドリード
または吊りピンが二又化若しくはそれ以上の分岐状態に
形成されているリードフレームを用い、二又化されたリ
ードの一方をアイランドに接続し、もう一方にワイヤー
ボンディングを行ったことによって、当該リードフレー
ムの当該吊りピン部若しくはリード部に形成される屈曲
部の深さＤｐのバラツキとヒータープレートの掘り込み
量Ｈの差によるボンディングされる当該吊りピン部若し
くはリード部とヒータープレートとの隙間を無くすこと
が可能となり、安定したボンディング性が得られる。
ム及び半導体装置は、上記したような構成を採用してお
り、その特徴は、アイランド接続されたグランドリード
または吊りピンが二又化若しくはそれ以上の分岐状態に
形成されているリードフレームを用い、二又化されたリ
ードの一方をアイランドに接続し、もう一方にワイヤー
ボンディングを行ったことによって、当該リードフレー
ムの当該吊りピン部若しくはリード部に形成される屈曲
部の深さＤｐのバラツキとヒータープレートの掘り込み
量Ｈの差によるボンディングされる当該吊りピン部若し
くはリード部とヒータープレートとの隙間を無くすこと
が可能となり、安定したボンディング性が得られる。
【００１２】
【実施例】以下に、本発明に係るリードフレーム、半導
体装置及び当該半導体装置の製造方法の具体例を図面を
参照しながら詳細に説明する。即ち、図１は、本発明に
係るリードフレームの動き検出装置の一具体例の構造を
示す平面図であり、図中、少なくともアイランド部２に
接続させている一部の吊りピン部３若しくはリード部４
の一部に、補助ボンディング部１０が設けられているリ
ードフレーム１が示されている。
体装置及び当該半導体装置の製造方法の具体例を図面を
参照しながら詳細に説明する。即ち、図１は、本発明に
係るリードフレームの動き検出装置の一具体例の構造を
示す平面図であり、図中、少なくともアイランド部２に
接続させている一部の吊りピン部３若しくはリード部４
の一部に、補助ボンディング部１０が設けられているリ
ードフレーム１が示されている。
【００１３】つまり、本発明に係る当該リードフレーム
１に於いて使用される当該補助ボンディング部１０は、
例えば図１に示す様に、当該吊りピン部３若しくはリー
ド部４の一部から分岐状に枝分かれした形状を有し且つ
当該吊りピン部３若しくはリード部４とは一体的に形成
されているものである事が好ましい。図１に於いては、
当該アイランド部２は、それぞれに所定の段差部である
屈曲部５が形成された２本の当該吊りピン部３と２本の
リード部４によって当該リードフレーム１に保持されて
いる例を示しているが、係る吊りピン部若しくはリード
部の本数、形状は任意である。
１に於いて使用される当該補助ボンディング部１０は、
例えば図１に示す様に、当該吊りピン部３若しくはリー
ド部４の一部から分岐状に枝分かれした形状を有し且つ
当該吊りピン部３若しくはリード部４とは一体的に形成
されているものである事が好ましい。図１に於いては、
当該アイランド部２は、それぞれに所定の段差部である
屈曲部５が形成された２本の当該吊りピン部３と２本の
リード部４によって当該リードフレーム１に保持されて
いる例を示しているが、係る吊りピン部若しくはリード
部の本数、形状は任意である。
【００１４】当該補助ボンディング部１０の形状及び個
数は特に限定はされないが、図１に示す様に、当該リー
ド部４の一側面に一個の当該補助ボンディング部１０を
枝分かれ状に形成したものであっても良く、又当該リー
ド部４の両側にそれぞれ一個ずつ形成したものであって
も良い。場合によっては、一個の当該リード部４に３個
若しくは３個以上の当該補助ボンディング部１０を形成
する事も可能である。
数は特に限定はされないが、図１に示す様に、当該リー
ド部４の一側面に一個の当該補助ボンディング部１０を
枝分かれ状に形成したものであっても良く、又当該リー
ド部４の両側にそれぞれ一個ずつ形成したものであって
も良い。場合によっては、一個の当該リード部４に３個
若しくは３個以上の当該補助ボンディング部１０を形成
する事も可能である。
【００１５】係る条件は、当該吊りピン部３に付いても
同様の事が言える。つまり、当該補助ボンディング部１
０の個数は、当該アイランド部２に搭載されたチップに
設けられている端子の数に応じて適宜決定すれば良い。
本発明に於ける当該補助ボンディング部１０の機能とし
ては、当該吊りピン部３若しくはリード部４の本体部と
は異なる挙動を示す様に構成されている必要がある。
同様の事が言える。つまり、当該補助ボンディング部１
０の個数は、当該アイランド部２に搭載されたチップに
設けられている端子の数に応じて適宜決定すれば良い。
本発明に於ける当該補助ボンディング部１０の機能とし
ては、当該吊りピン部３若しくはリード部４の本体部と
は異なる挙動を示す様に構成されている必要がある。
【００１６】具体的には、後述する様に、ワイヤーをボ
ンディングするに際し、当該吊りピン部３若しくはリー
ド部４の本体部が形成する平面と当該補助ボンディング
部１０が形成する平面とが異なる様に設計されている事
が望ましい。本発明に於ける当該吊りピン部３若しくは
リード部４は、グランド用端子を構成するものである事
が望ましい。
ンディングするに際し、当該吊りピン部３若しくはリー
ド部４の本体部が形成する平面と当該補助ボンディング
部１０が形成する平面とが異なる様に設計されている事
が望ましい。本発明に於ける当該吊りピン部３若しくは
リード部４は、グランド用端子を構成するものである事
が望ましい。
【００１７】又、本発明に於いて、当該吊りピン部３若
しくはリード部４の一部には、段差部５が形成されてい
るものである。従って、本発明により製造される半導体
装置としては、上記した様な構成を有するリードフレー
ム１を使用し、当該アイランド部２に搭載されているチ
ップ６の端子部と該補助ボンディング部１０との間で、
所定のワイヤ７によるボンディングが形成されているも
のである。
しくはリード部４の一部には、段差部５が形成されてい
るものである。従って、本発明により製造される半導体
装置としては、上記した様な構成を有するリードフレー
ム１を使用し、当該アイランド部２に搭載されているチ
ップ６の端子部と該補助ボンディング部１０との間で、
所定のワイヤ７によるボンディングが形成されているも
のである。
【００１８】又、本発明に係る当該半導体装置の製造方
法の一具体例としては、例えば、図２に示す様に、上記
した構成を有するリードフレーム１の当該アイランド部
２に所定のチップ６を搭載した後、当該リードフレーム
１の一面をヒータープレート８上に搭載せしめると同時
に、当該リードフレーム１の他面からワークホルダー９
を押圧して、その状態でボンディング処理を行うに際
し、当該ワークホルダー９の先端部の位置を当該補助ボ
ンディング部１０と当該吊りピン部３若しくはリード部
４との分岐部１１よりもアイランド部２側に位置する様
に配置してボンディング処理を実行するものである。
法の一具体例としては、例えば、図２に示す様に、上記
した構成を有するリードフレーム１の当該アイランド部
２に所定のチップ６を搭載した後、当該リードフレーム
１の一面をヒータープレート８上に搭載せしめると同時
に、当該リードフレーム１の他面からワークホルダー９
を押圧して、その状態でボンディング処理を行うに際
し、当該ワークホルダー９の先端部の位置を当該補助ボ
ンディング部１０と当該吊りピン部３若しくはリード部
４との分岐部１１よりもアイランド部２側に位置する様
に配置してボンディング処理を実行するものである。
【００１９】係るボンディング処理を実行する際には、
上記した様に、当該補助ボンディング部１０と当該吊り
ピン部３若しくはリード部４とが互いに異なる挙動を示
し、互いに異なる平面を形成する様に構成しているか
ら、当該補助ボンディング部１０が当該ヒータープレー
ト８の表面に平行に配置され、当該吊りピン部３若しく
はリード部４の少なくとも一部は当該ヒータープレート
８の表面から離反している状態を顕出させ、その状態で
当該補助ボンディング部１０にボンディング処理を行う
ものである。
上記した様に、当該補助ボンディング部１０と当該吊り
ピン部３若しくはリード部４とが互いに異なる挙動を示
し、互いに異なる平面を形成する様に構成しているか
ら、当該補助ボンディング部１０が当該ヒータープレー
ト８の表面に平行に配置され、当該吊りピン部３若しく
はリード部４の少なくとも一部は当該ヒータープレート
８の表面から離反している状態を顕出させ、その状態で
当該補助ボンディング部１０にボンディング処理を行う
ものである。
【００２０】本発明に係る当該半導体装置の製造方法を
より詳細に説明するならば、図２はボンディング時の断
面図であって、図２（Ａ）は、図１のａ−ａ線でみたア
イランド接続部の断面図であり、図２（Ｂ）は図１のｂ
−ｂ線でみた補助ボンディング部１０のの断面図であ
る。そして当該図２（Ａ）及び図２（Ｂ）には、ヒータ
ープレート８上にチップ６を搭載したリードフレーム１
が置かれ、リードフレーム１のリードフレームの反対側
がワークホルダー９により固定されている状態を示して
いる。
より詳細に説明するならば、図２はボンディング時の断
面図であって、図２（Ａ）は、図１のａ−ａ線でみたア
イランド接続部の断面図であり、図２（Ｂ）は図１のｂ
−ｂ線でみた補助ボンディング部１０のの断面図であ
る。そして当該図２（Ａ）及び図２（Ｂ）には、ヒータ
ープレート８上にチップ６を搭載したリードフレーム１
が置かれ、リードフレーム１のリードフレームの反対側
がワークホルダー９により固定されている状態を示して
いる。
【００２１】図に於いて、ヒータープレート８にはリー
ドフレーム１の当該屈曲部５の深さＤｐに応じて、深さ
Ｈの掘り込み部が設けられているが、ヒータープレート
８の掘り込み量Ｈは、アイランド部２とヒータープレー
ト８が完全に接することが出来るように、リードフレー
ム１の屈曲部の深さＤｐ量よりも５０μｍ程度浅く造ら
れている。
ドフレーム１の当該屈曲部５の深さＤｐに応じて、深さ
Ｈの掘り込み部が設けられているが、ヒータープレート
８の掘り込み量Ｈは、アイランド部２とヒータープレー
ト８が完全に接することが出来るように、リードフレー
ム１の屈曲部の深さＤｐ量よりも５０μｍ程度浅く造ら
れている。
【００２２】そのために、アイランド部２に接続された
当該吊りピン部３若しくはリード部４は当該ヒータープ
レート８の表面より持ち上げられる形となりヒータープ
レート８と当該吊りピン部３若しくはリード部４の間に
は、図２（Ａ）に示す様に隙間が出来るようになるので
上記した問題が発生する。しかし、本発明に於いては、
ボンディングを行うリードの先端部は、アイランド接続
された当該吊りピン部３若しくはリード部４から枝分か
れした、補助ボンディング部１０を形成しており、かつ
二又化した箇所よりも先端寄りの部分をワークホルダー
９で固定することにより、図２（Ｂ）に示す様に、補助
ボンディング部１０とヒータープレート８の間に隙間が
出来ることが無く、ボンディングの際にボンディング剥
がれが発生せず安定したボンディングを行うことが出来
る。
当該吊りピン部３若しくはリード部４は当該ヒータープ
レート８の表面より持ち上げられる形となりヒータープ
レート８と当該吊りピン部３若しくはリード部４の間に
は、図２（Ａ）に示す様に隙間が出来るようになるので
上記した問題が発生する。しかし、本発明に於いては、
ボンディングを行うリードの先端部は、アイランド接続
された当該吊りピン部３若しくはリード部４から枝分か
れした、補助ボンディング部１０を形成しており、かつ
二又化した箇所よりも先端寄りの部分をワークホルダー
９で固定することにより、図２（Ｂ）に示す様に、補助
ボンディング部１０とヒータープレート８の間に隙間が
出来ることが無く、ボンディングの際にボンディング剥
がれが発生せず安定したボンディングを行うことが出来
る。
【００２３】本発明に於いては、当該リードフレームに
おいて、特にグランドリードが二又以上に枝分かれして
おり、そのリード部の一方がアイランド接続され、又リ
ード部の他方がＧｎｄパッドとワイヤーで電気的に接続
されている。また、アイランド部２に接続された当該吊
りピン部３若しくはリード部４はアイランドと位置を合
わせるために、屈曲部５が施されているものであって、
リードの枝分かれしている箇所１１は、出来る限りアイ
ランドから離れた位置に設ける事が望ましい。
おいて、特にグランドリードが二又以上に枝分かれして
おり、そのリード部の一方がアイランド接続され、又リ
ード部の他方がＧｎｄパッドとワイヤーで電気的に接続
されている。また、アイランド部２に接続された当該吊
りピン部３若しくはリード部４はアイランドと位置を合
わせるために、屈曲部５が施されているものであって、
リードの枝分かれしている箇所１１は、出来る限りアイ
ランドから離れた位置に設ける事が望ましい。
【００２４】本発明に於いては、このようにアイランド
ボンディングが必要な当該吊りピン部若しくはリード部
を二又化若しくはそれ以上の分岐構成にすることで、屈
曲部の深さのバラツキとヒータープレートの掘り込み量
の差によるボンディング部とヒータープレートとの隙間
の発生を防止することが可能となり、安定したボンディ
ング性が得られる。
ボンディングが必要な当該吊りピン部若しくはリード部
を二又化若しくはそれ以上の分岐構成にすることで、屈
曲部の深さのバラツキとヒータープレートの掘り込み量
の差によるボンディング部とヒータープレートとの隙間
の発生を防止することが可能となり、安定したボンディ
ング性が得られる。
【００２５】図５は、本発明に係るリードフレームの他
の具体例を示すものであり、図中、アイランドボンディ
ングを行うのに、特に吊りピン３を用いている例を示し
ている。即ち、本具体例に於いては、吊りピン３へのボ
ンディングも当該吊りピンに屈曲部５が施されているの
で、ボンディング部がヒータープレート８から浮くこと
を防止するために吊りピン３の途中から枝分かれした補
助ボンディング部１０が設けられているものである。
の具体例を示すものであり、図中、アイランドボンディ
ングを行うのに、特に吊りピン３を用いている例を示し
ている。即ち、本具体例に於いては、吊りピン３へのボ
ンディングも当該吊りピンに屈曲部５が施されているの
で、ボンディング部がヒータープレート８から浮くこと
を防止するために吊りピン３の途中から枝分かれした補
助ボンディング部１０が設けられているものである。
【００２６】当該枝分かれしている位置１１はワークホ
ルダー９の固定位置よりも後方（アイランドよりも遠
方）であることが望ましい。
ルダー９の固定位置よりも後方（アイランドよりも遠
方）であることが望ましい。
【００２７】
【発明の効果】本発明に係る当該リードフレーム及び半
導体装置は、上記した様な技術構成を採用しているの
で、アイランドに接続された当該吊りピン部３若しくは
リード部４が二又以上に枝分かれした補助ボンディング
部１０を構成し当該枝分かれしたリードにボンディング
することにより、アイランド接続されたリードとヒータ
ープレート８との隙間の影響を無くし、枝分かれしたリ
ードへのボンディング剥がれの無い安定したボンディン
グが可能となる。
導体装置は、上記した様な技術構成を採用しているの
で、アイランドに接続された当該吊りピン部３若しくは
リード部４が二又以上に枝分かれした補助ボンディング
部１０を構成し当該枝分かれしたリードにボンディング
することにより、アイランド接続されたリードとヒータ
ープレート８との隙間の影響を無くし、枝分かれしたリ
ードへのボンディング剥がれの無い安定したボンディン
グが可能となる。
【図１】図１は、本発明に係るリードフレームの一具体
例の構成を示す平面図である。
例の構成を示す平面図である。
【図２】図２は、本発明に係るリードフレームを用いて
ボンディング処理する場合の状態を示す断面図であり、
図２（Ａ）は、図１に於けるａ−ａ線で見た断面図であ
り、図２（Ｂ）は、図１に於けるｂ−ｂ線で見た断面図
である。
ボンディング処理する場合の状態を示す断面図であり、
図２（Ａ）は、図１に於けるａ−ａ線で見た断面図であ
り、図２（Ｂ）は、図１に於けるｂ−ｂ線で見た断面図
である。
【図３】図３は、従来のリードフレームの構成の一具体
例を示す平面図である。
例を示す平面図である。
【図４】図４は、従来のリードフレームを使用してボン
ディング処理した場合の問題点を説明する断面図であ
る。
ディング処理した場合の問題点を説明する断面図であ
る。
【図５】図５は、本発明に係るリードフレームの他の具
体例の構成を示す平面図である。
体例の構成を示す平面図である。
１…リードフレーム ２…アイランド部 ３…吊りピン部 ４…リード部 ５…屈曲部 ６…チップ ７…ワイヤー ８…ヒータープレート ９…ワークホルダー １０…補助ボンディング部 １１…分岐部 １２…インナーリード
Claims (9)
- 【請求項１】 少なくともアイランド部に接続させてい
る一部の吊りピン部若しくはリード部の一部に、補助ボ
ンディング部が設けられている事を特徴とするリードフ
レーム。 - 【請求項２】 当該補助ボンディング部は、当該吊りピ
ン部若しくはリード部の一部から分岐状に一体的に形成
されているものである事を特徴とする請求項１記載のリ
ードフレーム。 - 【請求項３】 当該補助ボンディング部は、当該吊りピ
ン部若しくはリード部の本体部とは異なる挙動が可能で
ある様に構成されている事を特徴とする請求項１又は２
に記載のリードフレーム。 - 【請求項４】 当該補助ボンディング部は、当該吊りピ
ン部若しくはリード部から二又若しくは二又以上に枝わ
かれする様に構成されている事を特徴とする請求項１乃
至３の何れかに記載のリードフレーム。 - 【請求項５】 当該吊りピン部若しくはリード部は、グ
ランド用端子を構成するものである事を特徴とする請求
項１乃至４の何れかに記載のリードフレーム。 - 【請求項６】 当該吊りピン部若しくはリード部の一部
には、段差部が形成されているものである事を特徴とす
る請求項１乃至５の何れかに記載のリードフレーム。 - 【請求項７】 上記各請求項に記載されたリードフレー
ムを使用し、当該アイランド部に搭載されているチップ
の端子部と該補助ボンディング部との間でボンディング
が形成されている事を特徴とする半導体装置。 - 【請求項８】 上記各請求項に記載されたリードフレー
ムの当該アイランド部に所定のチップを搭載した後、当
該リードフレームの一面をヒータープレート上に搭載さ
れると同時に当該リードフレームの他面からワークホル
ダーを押圧して、その状態でボンディング処理を行うに
際し、当該ワークホルダーの先端部の位置を当該補助ボ
ンディング部と当該吊りピン部若しくはリード部との分
岐部よりもアイランド部側に位置する様に配置する事を
特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項９】 当該補助ボンディング部が当該ヒーター
プレートの表面に平行に配置され、当該吊りピン部若し
くはリード部の少なくとも一部は当該ヒータープレート
の表面から離反している様に構成し、その状態で当該補
助ボンディング部にボンディング処理を行う事を特徴と
する請求項８記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09895698A JP3356680B2 (ja) | 1998-04-10 | 1998-04-10 | リードフレーム及び半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09895698A JP3356680B2 (ja) | 1998-04-10 | 1998-04-10 | リードフレーム及び半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11297918A true JPH11297918A (ja) | 1999-10-29 |
| JP3356680B2 JP3356680B2 (ja) | 2002-12-16 |
Family
ID=14233549
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP09895698A Expired - Fee Related JP3356680B2 (ja) | 1998-04-10 | 1998-04-10 | リードフレーム及び半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3356680B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009013665A3 (en) * | 2007-07-23 | 2009-03-26 | Nxp Bv | A leadframe structure for electronic packages |
| US7589399B2 (en) | 2005-08-26 | 2009-09-15 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device, lead frame used in the semiconductor device and electronic equipment using the semiconductor device |
| CN102576698A (zh) * | 2009-10-19 | 2012-07-11 | 国家半导体公司 | 具有增强的接地接合可靠性的引线框封装 |
| CN110931420A (zh) * | 2019-11-19 | 2020-03-27 | 苏州日月新半导体有限公司 | 一种加热块单元及加热装置 |
| WO2023189650A1 (ja) * | 2022-03-31 | 2023-10-05 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
-
1998
- 1998-04-10 JP JP09895698A patent/JP3356680B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7589399B2 (en) | 2005-08-26 | 2009-09-15 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device, lead frame used in the semiconductor device and electronic equipment using the semiconductor device |
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| US8258611B2 (en) | 2007-07-23 | 2012-09-04 | Nxp B.V. | Leadframe structure for electronic packages |
| CN102576698A (zh) * | 2009-10-19 | 2012-07-11 | 国家半导体公司 | 具有增强的接地接合可靠性的引线框封装 |
| JP2013508974A (ja) * | 2009-10-19 | 2013-03-07 | ナショナル セミコンダクター コーポレーション | 向上した接地ボンド信頼性を有するリードフレーム・パッケージ |
| CN110931420A (zh) * | 2019-11-19 | 2020-03-27 | 苏州日月新半导体有限公司 | 一种加热块单元及加热装置 |
| WO2023189650A1 (ja) * | 2022-03-31 | 2023-10-05 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3356680B2 (ja) | 2002-12-16 |
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