JPH11307614A5 - - Google Patents

Description

【００４６】
本発明の請求項３０記載の半導体素子製造用エッチング設備のマルチチャンバーシステムによると、ウェハ移送装置は、ウェハを選択的に真空吸着して把持するための真空ラインを有する移送アームと、移送アームを移動させることにより工程チャンバーにウェハをローディング及びアンローディングさせることが可能な移送ロボットと、移送ロボットを昇下降させる昇下降駆動部と、移送ロボットを水平移動させる水平移動駆動部と、移送ロボット、昇下降駆動部及び水平移動駆動部に制御信号を与えて制御する制御部とを備える。
本発明の請求項３１から請求項４１にいずれかに記載のマルチチャンバシステムでの半導体素子製造方法によると、複数の基板が積載されたカセットをカセットステージ上部に搭載する段階と、前記カセットとロードロックチャンバー間で大気圧を維持しながら、第１基板を移送するための空間を提供する移送通路を経て、前記カセットから前記ロードロックチャンバーに前記第１基板をローディングする段階と、前記ロードロックチャンバーから前記第１基板を前記移送通路に沿って整列された第１工程チャンバーにローディングする段階とを含む。
本発明の請求項４２記載の半導体素子製造用のマルチチャンバーシステムによると、基板が積層されたカセットを搭載するためのカセットステージと、大気圧を維持し、前記カセットステージと隣接して前記基板を移送するための空間を提供する移送通路と、前記移送通路と平行に整列される複数の工程チャンバーと、前記移送通路に設けられて前記カセットに積層された基板を複数の工程チャンバーにローディングまたはアンローディングするための移送装置とを備え、前記複数の工程チャンバーは長方形を有する前記移送通路と平行に位置することを特徴とする。

Claims (42)

1. ウェハを積載したカセットが安着されるカセットステージと、
   前記カセットステージに面しウェハの移送に必要な空間を有する長方形の移送通路と、
   前記移送通路の側面に並んで配列される多数個の工程チャンバーと、
   前記移送通路に設置され、前記カセットステージに積載されたウェハを前記多数個の工程チャンバーにそれぞれローディング及びアンローディングさせることが可能なウェハ移送装置と、
   を備えることを特徴とする半導体素子製造用エッチング設備のマルチチャンバーシステム。
2. 前記工程チャンバーは、多層をなすことを特徴とする請求項１に記載の半導体素子製造用エッチング設備のマルチチャンバーシステム。
3. 前記工程チャンバーは、前記移送通路方向に、ウェハの出入が可能で選択的に開閉が可能なゲートが形成されることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子製造用エッチング設備のマルチチャンバーシステム。
4. 前記工程チャンバーは、一側面にウェハの待機場所であるロードロックチャンバーを連結して備えることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子製造用エッチング設備のマルチチャンバーシステム。
5. 前記ロードロックチャンバーは、内部に前記ウェハ移送装置からウェハを引受け、これを前記工程チャンバーに移送するようにウェハが安着される移送アーム及び前記移送アームを移動させるチャンバー内移送装置を備え、前記移送通路側の一面と前記工程チャンバー側の一面にそれぞれウェハの出入が可能で、選択的な開閉が可能なゲートが形成されることを特徴とする請求項４に記載の半導体素子製造用エッチング設備のマルチチャンバーシステム。
6. 前記ロードロックチャンバーは、同時に多数個のウェハを個別移送するための多数個の前記移送アームを備えることを特徴とする請求項５に記載の半導体素子製造用エッチング設備のマルチチャンバーシステム。
7. 前記ロードロックチャンバーは、内部の真空圧を形成するための真空圧形成装置を備えることを特徴とする請求項４に記載の半導体素子製造用エッチング設備のマルチチャンバーシステム。
8. 前記工程チャンバーは、多数個の工程チャンバーが１個の前記ロードロックチャンバーを共有することを特徴とする請求項４に記載の半導体素子製造用エッチング設備のマルチチャンバーシステム。
9. 前記工程チャンバーは、工程の連続する工程チャンバー間でウェハが直接移送されるようにゲートを通じて互いに連結されることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子製造用エッチング設備のマルチチャンバーシステム。
10. 前記工程チャンバーは、内部の真空圧を形成するための真空圧形成装置を備えることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子製造用エッチング設備のマルチチャンバーシステム。
11. 前記ウェハ移送装置は、
    ウェハを選択的に把持する移送アームと、
    前記移送アームを移動させることにより前記工程チャンバーにウェハをローディング及びアンローディングさせることが可能な移送ロボットと、
    前記移送ロボットを水平移動させる水平移動駆動部と、
    前記移送ロボット及び水平移動駆動部に制御信号を与えてこれらを制御する制御部と、
    を備えることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子製造用エッチング設備のマルチチャンバーシステム。
12. 前記ウェハ移送装置は、前記制御部から制御信号を与えられて制御され、前記移送ロボットを昇下降させる昇下降駆動部を備えることを特徴とする請求項１１に記載の半導体素子製造用エッチング設備のマルチチャンバーシステム。
13. 前記移送アームは、ウェハを真空吸着可能な真空ラインを備えることを特徴とする請求項１１に記載の半導体素子製造用エッチング設備のマルチチャンバーシステム。
14. 前記ウェハ移送装置は、多数個のウェハを同時に個別移送するための多数個の前記移送アームを備えることを特徴とする請求項１１に記載の半導体素子製造用エッチング設備のマルチチャンバーシステム。
15. 前記水平移動駆動部は、モータまたは空圧シリンダーを備えることを特徴とする請求項１１に記載の半導体素子製造用エッチング設備のマルチチャンバーシステム。
16. 前記昇下降駆動部は、モータまたは空圧シリンダーを備えることを特徴とする請求項１２に記載の半導体素子製造用エッチング設備のマルチチャンバーシステム。
17. 前記移送通路の長さが長い場合、ウェハを互いに引受け、引き継ぐことが可能な複数個の前記ウェハ移送装置を備えることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子製造用エッチング設備のマルチチャンバーシステム。
18. 前記ウェハ移送装置は、工程が行われる前のウェハを積載したカセットが安着される第１カセットステージにより前記ウェハを前記工程チャンバーに移送し、その工程チャンバーで工程を終えたウェハを次の工程のためのウェハ移送に適した位置に設置された第２カセットステージに移送することを特徴とする請求項１に記載の半導体素子製造用エッチング設備のマルチチャンバーシステム。
19. ウェハを積載したカセットが安着されるカセットステージと、
    前記カセットステージに面し、ウェハの移送に必要な空間を有する長方形の移送通路と、
    前記移送通路の側面に多層をなして並んで配列され、ウェハの加工が行われる多数個の工程チャンバーと、
    前記移送通路に設置され、垂直及び水平方向の往復移動が可能で、前記カセットステージに積載されたウェハを前記多数個の工程チャンバーにそれぞれローディング及びアンローディングすることが可能なウェハ移送装置と、
    を備えることを特徴とする半導体素子製造用エッチング設備のマルチチャンバーシステム。
20. 前記工程チャンバーは、２層から５層構造であることを特徴とする請求項１９に記載の半導体素子製造用エッチング設備のマルチチャンバーシステム。
21. 前記工程チャンバーは、一側面にウェハの待機場所であるロードロックチャンバーを連結して備えることを特徴とする請求項１９に記載の半導体素子製造用エッチング設備のマルチチャンバーシステム。
22. 前記ロードロックチャンバーは、内部に前記ウェハ移送装置からウェハを引受け、これを前記工程チャンバーに移送するようにウェハが安着される移送アーム及び前記移送アームを移動させるチャンバー内移送装置を備え、移送通路側の一面と工程チャンバー側の一面にそれぞれウェハの出入が可能で、選択的な開閉が可能なゲートが形成されることを特徴とする請求項２１に記載の半導体素子製造用エッチング設備のマルチチャンバーシステム。
23. 前記ロードロックチャンバーは、多数個のウェハを同時に個別移送するための多数個の前記移送アームを備えることを特徴とする請求項２２に記載の半導体素子製造用エッチング設備のマルチチャンバーシステム。
24. 前記ウェハ移送装置は、
    ウェハを選択的に真空吸着して把持するための真空ラインを有する移送アームと、
    前記移送アームを移動させることにより前記工程チャンバーにウェハをローディング及びアンローディングさせることが可能な移送ロボットと、
    前記移送ロボットを昇下降させる昇下降駆動部と、
    前記移送ロボットを水平移動させる水平移動駆動部と、
    前記移送ロボット、昇下降駆動部及び水平移動駆動部に制御信号を与えて制御する制御部と、
    を備えることを特徴とする請求項１９に記載の半導体素子製造用エッチング設備のマルチチャンバーシステム。
25. 前記ウェハ移送装置は、多数個のウェハを同時に個別移送するための多数個の前記移送アームを備えることを特徴とする請求項２４に記載の半導体素子製造用エッチング設備のマルチチャンバーシステム。
26. 前記昇下降駆動部及び水平移動駆動部は、モータまたは空圧シリンダーを備えることを特徴とする請求項２４に記載の半導体素子製造用エッチング設備のマルチチャンバーシステム。
27. 前記移送通路の長さが長い場合、ウェハを互いに引受け、引き継ぐことが可能である複数個の前記ウェハ移送装置を備えることを特徴とする請求項１９に記載の半導体素子製造用エッチング設備のマルチチャンバーシステム。
28. 前記ウェハ移送装置は、工程が行われる前のウェハを積載したカセットが安着される第１カセットステージにより前記ウェハを前記工程チャンバーに移送し、前記工程チャンバーで工程を終えたウェハを次の工程のためのウェハ移送に適した位置に設置された第２カセットステージに移送することを特徴とする請求項１９に記載の半導体素子製造用エッチング設備のマルチチャンバーシステム。
29. 工程以前にウェハを積載したカセットが安着される第１カセットステージと、
    前記第１カセットステージに面し、ウェハの移送に必要な空間を有する長方形の移送通路と、
    前記移送通路の側面に多層をなして並んで配列され、ウェハの工程が行われる多数個の工程チャンバーと、
    前記移送通路に設置され、垂直及び水平方向の往復運動が可能で、前記第１カセットステージに積載されたウェハを前記多数個の工程チャンバーにそれぞれローディング及びアンローディングすることが可能なウェハ移送装置と、
    前記第１カセットステージに対向し前記移送通路に面し、工程後のウェハを積載するカセットが安着される第２カセットステージと、
    を備えることを特徴とする半導体素子製造用エッチング設備のマルチチャンバーシステム。
30. 前記ウェハ移送装置は、
    ウェハを選択的に真空吸着して把持するための真空ラインを有する移送アームと、
    前記移送アームを移動させることにより前記工程チャンバーにウェハをローディング及びアンローディングさせることが可能な移送ロボットと、
    前記移送ロボットを昇下降させる昇下降駆動部と、
    前記移送ロボットを水平移動させる水平移動駆動部と、
    前記移送ロボット、昇下降駆動部及び水平移動駆動部に制御信号を与えて制御する制御部と、
    を備えることを特徴とする請求項２９に記載の半導体素子製造用エッチング設備のマルチチャンバーシステム。
31. 複数の基板が積載されたカセットをカセットステージ上部に搭載する段階と、
    前記カセットとロードロックチャンバー間で大気圧を維持しながら、第１基板を移送するための空間を提供する移送通路を経て、前記カセットから前記ロードロックチャンバーに前記第１基板をローディングする段階と、
    前記ロードロックチャンバーから前記第１基板を前記移送通路に沿って整列された第１工程チャンバーにローディングする段階と、
    を含むことを特徴とするマルチチャンバーシステムでの半導体素子製造法。
32. 前記カセットから前記ロードロックチャンバーへの基板転送速度が増加することを特徴とする請求項３１に記載のマルチチャンバーシステムでの半導体素子製造方法。
33. 前記移送通路は長方形であることを特徴とする請求項３１に記載のマルチチャンバーシステムでの半導体素子製造方法。
34. 前記ロードロックチャンバーは前記第１工程チャンバーの一面に連結されることを特徴とする請求項３１に記載のマルチチャンバーシステムでの半導体素子製造方法。
35. 前記ロードロックチャンバーは真空状態であることを特徴とする請求項３４に記載のマルチチャンバーシステムでの半導体素子製造方法。
36. 前記ロードロックチャンバーは前記移送通路の第１側に位置し、前記カセットは前記第１側と対向する前記移送通路の第２側に位置することを特徴とする請求項３１に記載のマルチチャンバーシステムでの半導体素子製造方法。
37. 複数の前記ロードロックチャンバーが前記移送通路と平行に位置することを特徴とする請求項３６に記載のマルチチャンバーシステムでの半導体素子製造方法。
38. ａ）前記カセットと前記ロードロックチャンバーとの間で大気圧を維持しながら第２基板を移送するための空間を提供する移送通路を経て、前記カセットから前記ロードロックチャンバーに前記第２基板をローディングする段階と、
    ｂ）前記ロードロックチャンバーから前記第２基板を前記移送通路に沿って整列される第２工程チャンバーにローディングする段階をさらに含み、
    前記ロードロックチャンバーは前記第１工程チャンバーの一側と連結されることを特徴とする請求項３１に記載のマルチチャンバーシステムでの半導体素子製造方法。
39. 前記第１工程チャンバー及び前記第２工程チャンバーは多層構造で形成することを特徴とする請求項３８に記載のマルチチャンバーシステムでの半導体素子製造方法。
40. 前記第１工程チャンバー及び前記第２工程チャンバーは前記移送通路と平行であることを特徴とする請求項３８に記載のマルチチャンバーシステムでの半導体素子製造方法。
41. 前記カセットと前記ロードロックチャンバーとの間で大気圧を維持しながら第２基板を移送するための空間を提供する移送通路を経て、前記カセットから前記第１基板と並んで領域に前記第２基板をローディングする段階をさらに含み、前記第１基板及び第２基板は前記移送通路と平行に整列されることを特徴とする請求項３１に記載のマルチチャンバーシステムでの半導体素子製造方法。
42. 基板が積層されたカセットを搭載するためのカセットステージと、大気圧を維持し、前記カセットステージと隣接して前記基板を移送するための空間を提供する移送通路と、
    前記移送通路と平行に整列される複数の工程チャンバーと、
    前記移送通路に設けられて前記カセットに積層された基板を複数の工程チャン バーにローディングまたはアンローディングするための移送装置とを備え、
    前記複数の工程チャンバーは長方形を有する前記移送通路と平行に位置することを特徴とする半導体素子製造用のマルチチャンバーシステム。