JPH11312969A - 半導体回路 - Google Patents

半導体回路

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JPH11312969A
JPH11312969A JP10118160A JP11816098A JPH11312969A JP H11312969 A JPH11312969 A JP H11312969A JP 10118160 A JP10118160 A JP 10118160A JP 11816098 A JP11816098 A JP 11816098A JP H11312969 A JPH11312969 A JP H11312969A
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JP
Japan
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circuit
transistor
control
nmos transistor
pmos transistor
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JP10118160A
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Inventor
Koichi Kunii
浩一 国井
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Hitachi Ltd
Hitachi Industry and Control Solutions Co Ltd
Original Assignee
Hitachi Engineering Co Ltd Ibaraki
Hitachi Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】従来のCMOS回路は、マイコンシステムの動
作状態に対応した最適な消費電流値に調整できないとい
う問題点があった。 【解決手段】駆動能力可変回路において、出力信号を生
成するPMOSトランジスタおよびNMOSトランジス
タを複数接続してスイッチング制御を行い、動作するPM
OSトランジスタとNMOSトランジスタの組み合わせを
マイコンシステムの動作状態に対応させる。 【効果】マイコンシステムの動作状態に対応した最適な
消費電流値に調整可能となる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体回路に関し、
特に、マイコンシステムの消費電流低減に適用して有効
な技術に関する。
【0002】
【従来の技術】図11は、従来、半導体回路に用いられ
ていたインバータ回路111、およびその出力信号に接
続されている周辺回路A13と周辺回路B14、および
ユーザが任意に周辺回路の動作を制御できる制御レジス
タ112、および制御レジスタ112の設定値を解析し
てインバータ回路111の出力信号を停止できる制御回
路113を示すものである。ユーザは、制御レジスタ1
12を用いて未使用時の周辺回路A13と周辺回路B1
4の動作を停止することができる。この時、インバータ
回路111の出力信号に接続されている周辺回路を全て
停止させた場合は、制御回路113がインバータ回路1
11の出力信号を“1"レベルまたは“0"レベルに固定
してマイコンシステムの消費電流低減を図ることができ
る。インバータ回路111のPMOSトランジスタP1
とNMOSトランジスタN1のゲートサイズは、インバ
ータ回路111の出力信号に接続される周辺回路の数や
出力信号の配線容量、およびマイコンシステムの動作周
波数や動作電圧を考慮して最適な固定ゲートサイズを決
めていた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】前記従来回路におい
て、出力信号に接続されている周辺回路がマイコンの外
部にあり接続されてない場合、およびマイコンシステム
の動作周波数が低くインバータ回路111の出力信号の
動作速度が遅くても良い場合でも、PMOSトランジス
タP1とNMOSトランジスタN1のゲートサイズが固
定であるため出力信号部分に流れる電流値を最適に調整
できない。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明においては、入力
信号に対して電源電圧側にPMOSトランジスタを複数
直列に、接地側にNMOSトランジスタを複数直列に接
続したCMOS回路を複数接続した構成の駆動能力可変
回路を用い、電源電圧側に接続してあるPMOSトランジス
タ、および接地してあるNMOSトランジスタにスイッ
チング制御機能を備え、周辺回路の動作状態や接続状態
を解析する制御回路、および制御レジスタを備え、周辺
回路の状態、および制御レジスタの設定に対応するよう
に複数存在する出力信号側のPMOSトランジスタとN
MOSトランジスタの駆動能力を組み合わせることで全
体の駆動能力を自動調整し、出力信号部分に対する消費
電流値の自動調整機能を有する。
【0005】
【発明の実施の形態】(実施例1)図1は、本発明の第
1の実施例の回路図であり、二組のCMOS回路11と
12、および制御回路15で駆動能力可変回路を実現す
る場合の例である。図1の回路図は、CMOS回路11
において、PMOSトランジスタP12のソースが電源
電圧Vccに接続され、PMOSトランジスタP12の
ドレインがPMOSトランジスタP11のソースに接続さ
れ、PMOSトランジスタP11とNMOSトランジス
タN11のゲートが入力信号に接続され、PMOSトラ
ンジスタP11とNMOSトランジスタN12のドレイン
が出力信号に接続され、NMOSトランジスタN11の
ソースがNMOSトランジスタN12のドレインに接続
され、NMOSトランジスタN12のソースが接地電位
GNDに接続され、PMOSトランジスタP12とNM
OSトランジスタN12のゲートが制御信号Aに接続さ
れる。さらに、CMOS回路12において、CMOS回
路11と同様にPMOSトランジスタP22とP21、
およびNMOSトランジスタN21とN22が接続され
る。また前記出力信号に周辺回路A13と周辺回路B1
4が接続されており、それぞれの動作状態や接続状態を
示す状態信号Aと状態信号Bが制御回路15に接続され
て全体を構成している。ただし、ここで示す前記周辺回
路A13や周辺回路B14がマイコン外部に接続される
場合は、前記出力信号と状態信号がマイコンのI/O端
子で接続してあるものとする。
【0006】図2に第1の実施例における制御回路15
の真理値表の例を示す。例えば周辺回路A13と周辺回
路B14が両方動作していない、または両方接続されて
いない(状態信号A=状態信号B=“0”レベル)場合
は、制御信号A=制御信号B=“1”レベルとなり、P
12とN12とP22とN22がオフとなり、その結
果、入力信号の変化に対応するP11とN11とP21
とN21は出力信号に対する駆動能力がなくなる。従っ
て本駆動能力可変回路の出力信号に接続されている周辺
回路が全て動作していない場合は、出力信号部分の電流
は消費しない。
【0007】次に、周辺回路A13と周辺回路B14の
両方が動作、または両方が接続してある(状態信号A=
状態信号B=“1”レベル)場合は、制御信号A=制御
信号B=“0”レベルとなり、P12とN12とP22
とN22がオンとなり、入力信号の変化に対応する出力
信号において、“1”レベルの駆動能力はP11とP2
1の和となり、“0”レベルの駆動能力はN11とN2
1の和になるため一番大きくなり、さらにこの場合の出
力信号部分の消費電流は最大となる。
【0008】次に、周辺回路A13と周辺回路B14の
どちらか一方のみが動作、またはどちらか一方のみが接
続してある(状態信号A=“0”レベルでかつ状態信号
B=“1”レベル、または状態信号A=“1”レベルで
かつ状態信号B=“0”レベル)場合は、制御信号A=
“1”レベル,制御信号B=“0”レベルとなり、P1
2とN12がオフ、P22とN22がオンとなり、入力
信号の変化に対応する出力信号において、“1”レベル
を駆動するのはP21のみとなり、“0”レベルを駆動
するのはN21のみとなるため、出力信号に対する駆動
能力はP11とN11が動作してない分だけ小さくな
る。この時、全ての周辺回路がマイコンに内蔵してある
場合は、出力信号に接続されている周辺回路数は変わら
ないため配線容量も変わらない。その結果、駆動能力が
小さくなる分、出力信号の伝搬速度が低下するが、マイ
コンの動作速度を下げた場合などは出力信号の伝搬速度
が遅くても問題ないので消費電流の低減に有効である。
また、周辺回路がマイコンの外に接続してある場合は、
接続先の周辺回路が少なければ、出力信号の配線容量も
小さくなるのでさらに消費電流は低減する。
【0009】(実施例2)図3は、本発明の第2の実施
例の回路図である。この例では実施例1の様に周辺回路
からの状態信号で制御信号を生成するのではなく、制御
レジスタを持たせソフトウェアで制御信号を生成する方
法で本発明を実現したものである。
【0010】ここでは、実施例1と同様のCMOS回路
11とCMOS回路12と、1つの駆動能力制御レジス
タ35を備え、この制御レジスタ35内に2ビットの制
御ビット(ビットAとビットB)がある場合を示す。ビ
ットAからの制御信号AでPMOSトランジスタP12
とNMOSトランジスタN12のスイッチング制御を行
い、ビットBからの制御信号BでPMOSトランジスタ
P22とNMOSトランジスタN22のスイッチング制
御を行うことで、実施例1と同じ効果を得ることができ
る。
【0011】図4に第2の実施例における真理値表の例
を示す。例えばビットA=ビットB=“1"レベルの場
合は、制御信号A=制御信号B=“1"レベルとなり、
P12とN12とP22とN22がオフとなり、その結
果入力信号の変化に対応するP11とN11とP21と
N21は、出力信号に対する駆動能力がなくなる。
【0012】次に、ビットA=ビットB=“0”レベル
の場合は、制御信号A=制御信号B=“0”レベルとな
り、P12とN12とP22とN22がオンとなり、入
力信号の変化に対応するP11とN11とP21とN2
1が動作するため、出力信号に対する駆動能力が最大に
なる。
【0013】次に、ビットA=“0”レベルでかつビッ
トB=“1”レベルの場合は、制御信号A=“0"レベ
ル,制御信号B=“1"レベルとなり、P22とN22
がオフ,P12とN12がオンとなり、入力信号の変化
に対応する出力信号において、“1”レベルの駆動能力
はP11のみとなり、“0”レベルの駆動能力はN11
のみとなるため、出力信号に対する駆動能力はP21と
N21が動作してない分だけ小さくなる。
【0014】次に、ビットA=“1”レベルでかつビッ
トB=“0”レベルの場合は、制御信号A=“1"レベ
ル、制御信号B=“0"レベルとなり、P12とN12
がオフ、P22とN22がオンとなり、入力信号の変化
に対応する出力信号において、“1”レベルの駆動能力
はP21のみとなり、“0”レベルの駆動能力はN21
のみとなるため、出力信号に対する駆動能力はP11と
N11が動作してない分だけ小さくなる。
【0015】実施例2では、ユーザが任意に出力信号の
駆動能力を調整できるので、出力信号に接続される周辺
回路の動作状態や接続状態、およびシステムの動作周波
数や動作電圧に対応した最適な消費電流値にできる。
【0016】(実施例3)図5は、本発明の第3の実施
例の回路図である。この例は、実施例1の周辺回路から
の動作状態信号と実施例2の制御レジスタ15を組み合
わせて制御信号を生成し本発明を実現したものである。
ここでは、実施例1と同様のCMOS回路11とCMO
S回路12,制御回路15,1つの駆動能力制御レジス
タ35,2つの周辺回路A13と周辺回路B14が接続
してあり、この制御レジスタ35内に2ビットの制御ビ
ットがある場合を示す。周辺回路A13と周辺回路B1
4からの状態信号Aと状態信号B、および制御レジスタ
35にあるビットAとビットBを制御回路15が解析し
て最適な駆動能力となるような制御信号Aと制御信号B
を生成し、PMOSトランジスタP12とP22とNM
OSトランジスタN12とN22のスイッチング制御を行
うことで、実施例1や実施例2と同じ効果を得ることが
できる。
【0017】(実施例4)図6は、本発明の第4の実施
例の回路図である。この例は、実施例1のCMOS回路11
に対するCMOS回路61として、PMOSトランジス
タP11とP21のソースが電源電圧に接続され、NM
OSトランジスタN11とN21のソースが接地電位G
NDに接続された構成となる。また、実施例1のCMO
S回路12に対して、前記CMOS回路61と同様の接
続となるCMOS回路62で構成される。さらに、入力
信号にインバータ,NAND,NORで構成される制御
回路63および制御回路64が接続され、PMOSトラ
ンジスタP11のゲートとNMOSトランジスタN11
のゲートに制御回路63が接続され、PMOSトランジ
スタP21のゲートとNMOSトランジスタN21のゲ
ートに制御回路64が接続され、CMOS回路61とC
MOS回路62の出力信号に周辺回路A13と周辺回路
B14が接続され、周辺回路A13と周辺回路B14か
らの状態信号Aと状態信号Bが制御回路15に接続され
て全体を構成している。
【0018】図7に第4の実施例における制御回路15
の真理値表の例を示す。例えば周辺回路A13と周辺回
路B14が両方動作しない、または両方が接続されてい
ない(状態信号A=状態信号B=“0”レベル)場合
は、制御信号A=制御信号B=“1”レベルとなり、さ
らに制御回路63と制御回路64が、P11とN11と
P21とN21をオフにすることで、出力信号に対する
駆動能力がなくなる。
【0019】次に、周辺回路A13と周辺回路B14が
両方動作する(状態信号A=状態信号B=“1”レベ
ル)場合は、制御信号A=制御信号B=“0”レベルと
なり、入力信号の変化に対応する出力信号において、制
御回路63と制御回路64が、P11とN11とP21
とN21をオンにすることで、出力信号に対する駆動能
力が最大となる。
【0020】次に、周辺回路A13と周辺回路B14の
どちらか一方が動作する場合は、制御信号A=“1”レ
ベル、制御信号B=“0”レベルとなり、さらに制御回
路66でP11とN11をオフにし、制御回路67でP
21とN21をオンにすることで、出力信号に対する駆
動能力が小さくなる。
【0021】第4の実施例では、周辺回路A13と周辺
回路B14の動作状態に対応したPMOSトランジスタ
P11およびNMOSトランジスタN11の駆動能力
と、PMOSトランジスタP21およびNMOSトラン
ジスタN21の駆動能力を組み合わせることで、第1の
実施例のように出力信号部分の電流値を最適に調整でき
る。
【0022】(実施例5)図8は、本発明の第5の実施
例の回路図である。この例は、実施例4の制御回路63
に対する制御回路83として、PMOSトランジスタP
81、およびNMOSトランジスタN81,N82,N83
がPMOSトランジスタP11とNMOSトランジスタ
N11のゲートに接続され、実施例4の制御回路64に
対する制御回路84として、PMOSトランジスタP8
2、およびNMOSトランジスタN84,N85,N8
6がPMOSトランジスタP21とNMOSトランジス
タN21のゲートに接続された構成となる。また、実施
例1と同様に周辺回路A13と周辺回路B14が接続さ
れ、周辺回路A13と周辺回路B14からの状態信号A
と状態信号Bが制御回路15に接続されて全体を構成し
ている。
【0023】図9に第5の実施例における制御回路15
の真理値表の例を示す。
【0024】周辺回路A13と周辺回路B14の動作状
態を制御回路15が解析して、制御信号Aと制御信号B
を出力する。制御信号A=“0”レベルの場合は、N8
1,N82がオフ,P81とN83がオンとなり、その
結果、P11とN11がオフになり出力信号を駆動しな
い。また、制御信号A=“1”レベルの場合は、N81,
N82がオン、P81とN83がオフとなり、入力信号
レベルに対応して、P11およびN11が出力信号を駆
動する。
【0025】上記同様に制御信号Bにより、P82,N
84,N85,N86が、P21とN21を制御するこ
とで出力信号の駆動状態を制御する。
【0026】第5の実施例では、周辺回路A13と周辺
回路B14の動作状態に対応したPMOSトランジスタ
P11およびNMOSトランジスタN11の駆動能力
と、PMOSトランジスタP21およびNMOSトラン
ジスタN21の駆動能力を組み合わせることで、第1の
実施例のように出力信号部分の電流値を最適に調整でき
る。
【0027】(実施例6)図10は、実施例1におい
て、2入力NAND回路に適用した第6の実施例の回路
図である。この回路は、CMOS回路101において、
入力信号Aに対しては、実施例1と同様の回路構成と
し、さらに入力信号Bに対しPMOSトランジスタP1
1と並列にPMOSトランジスタP13を接続し、NM
OSトランジスタN11と直列にNMOSトランジスタ
N13を接続して2入力NAND回路構成にする。さら
にCMOS回路102において、CMOS回路101と
同様に入力信号Bに対しPMOSトランジスタP23、
およびNMOSトランジスタN23が接続された構成であ
る。さらに、周辺回路A13と周辺回路B14、および
制御回路15が接続されて構成する。
【0028】この実施例6の回路の動作は、実施例1と
同様に周辺回路A13と周辺回路B14の状態に対応し
て、PMOSトランジスタP12とP22、およびNMOS
トランジスタN12とN22のスイッチング制御を行う
ことで、実施例1と同じ効果を得ることができる。
【0029】
【発明の効果】本発明によれば、回路を構成するPMO
SトランジスタおよびNMOSトランジスタのスイッチ
ング制御をすることで、マイコンシステムの各種動作状
態に対応した消費電流値の最適化が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の駆動能力可変回路の第1の実施例を示
す回路図である。
【図2】本発明の駆動能力可変回路の第1の実施例を示
す真理値表である。
【図3】本発明の駆動能力可変回路の第2の実施例を示
す回路図である。
【図4】本発明の駆動能力可変回路の第2の実施例を示
す真理値表である。
【図5】本発明の駆動能力可変回路の第3の実施例を示
す回路図である。
【図6】本発明の駆動能力可変回路の第4の実施例を示
す回路図である。
【図7】本発明の駆動能力可変回路の第4の実施例を示
す真理値表である。
【図8】本発明の駆動能力可変回路の第5の実施例を示
す回路図である。
【図9】本発明の駆動能力可変回路の第5の実施例を示
す真理値表である。
【図10】本発明の駆動能力可変回路の第6の実施例を
示す回路図である。
【図11】従来のCMOS回路の一例を示す回路図であ
る。
【符号の説明】
11,12,61,62,101,102,111…C
MOS回路、13,14…周辺回路、15,63,6
4,83,84,113…制御回路、35,112…制
御レジスタ、P1,P11,P12,P13,P21,
P22,P23,P81,P82…PMOSトランジス
タ、N1,N11,N12,N13,N21,N22,
N23,N81〜N86…NMOSトランジスタ

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】入力信号に応答して出力信号を発生する半
    導体回路において、第1のPMOSトランジスタと第2
    のPMOSトランジスタと第1のNMOSトランジスタ
    と第2のNMOSトランジスタを一組とするCMOS回
    路を二組以上備え、第2のPMOSトランジスタのソー
    スが電源電圧に接続され、第2のPMOSトランジスタ
    のドレインが第1のPMOSトランジスタのソースに接
    続され、第1のPMOSトランジスタおよび第1のNMOS
    トランジスタのゲートに入力信号が接続され、第1のP
    MOSトランジスタと第1のNMOSトランジスタの各
    々のドレインが共通の出力信号に接続され、第1のNM
    OSトランジスタのソースが第2のNMOSトランジス
    タのドレインに接続され、第2のNMOSトランジスタ
    のソースが接地され、第2のPMOSトランジスタおよ
    び第2のNMOSトランジスタのゲートに制御信号が接
    続され、出力信号が複数の周辺回路に接続され、周辺回
    路の動作状態を解析して第2のPMOSトランジスタ及
    び第2のNMOSトランジスタの制御信号を生成する制
    御回路を備えることを特徴とする半導体回路。
  2. 【請求項2】請求項1において、ソフトウェアで任意に
    第2のPMOSトランジスタと第2のNMOSトランジ
    スタのスイッチング制御を設定できる制御レジスタを備
    えることを特徴とする半導体回路。
  3. 【請求項3】請求項2において、制御回路と制御レジス
    タからの制御信号の組み合わせにより、任意に第2のP
    MOSトランジスタと第2のNMOSトランジスタのス
    イッチング制御を設定できることを特徴とする半導体回
    路。
  4. 【請求項4】請求項1において、第1のPMOSトラン
    ジスタのソースが電源電圧に接続され、第1のNMOS
    トランジスタのソースが接地され、第1のPMOSトラ
    ンジスタおよび第1のNMOSトランジスタのゲートに
    入力信号を共通に接続し、更に入力信号に対する制御回
    路を備え、制御回路からの制御信号を第1のPMOSト
    ランジスタおよび第1のNMOSトランジスタのゲート
    に接続し、第1のPMOSトランジスタと第1のNMOSト
    ランジスタのスイッチング制御ができることを特徴とす
    る半導体回路。
  5. 【請求項5】請求項1において、2入力以上の入力信号
    で構成される論理回路(例えば、2NAND,3NAN
    D,2NOR,3NOR等)において、1入力に対して
    電源電圧側の第1のPMOSトランジスタと並列や直列
    に第3,第4のPMOSトランジスタを接続し、さらに
    1入力に対して接地側の第1のNMOSトランジスタと
    直列や並列に第3,第4のNMOSトランジスタを接続
    し、制御回路からの制御信号の組み合わせにより、第2
    のPMOSトランジスタと第2のNMOSトランジスタ
    のスイッチング制御ができることを特徴とする半導体回
    路。
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