JPH11316906A - 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッド及びその製造方法Info
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- JPH11316906A JPH11316906A JP12239498A JP12239498A JPH11316906A JP H11316906 A JPH11316906 A JP H11316906A JP 12239498 A JP12239498 A JP 12239498A JP 12239498 A JP12239498 A JP 12239498A JP H11316906 A JPH11316906 A JP H11316906A
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Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 薄膜磁気ヘッドを構成する磁極層（コア）の
耐食性の向上を図り、良好な信号の記録・再生を行うと
ともに、このような有用な薄膜磁気ヘッドを容易に製造
する。 【解決手段】 非磁性基板１上に磁性膜２０を成膜し、
下部コア２の形状にレジスト材２１によってパターニン
グを行い（ａ）、下部コア２を形成し（ｂ）、非磁性基
板１及び下部コア２上に絶縁材料２２を堆積し（ｃ）、
これの上面に、被覆層２７を成膜し、この上に、磁性膜
２４を成膜するとともにレジスト材２５によってパター
ニングを行い（ｄ）、イオンビームにより磁性膜２４と
ともに被覆層２７をエッチングして被覆膜７を形成し
（ｅ）、絶縁材料２３の堆積及び平坦化研磨を行い
（ｆ）、薄膜コイル層２４を形成し（ｇ）、ギャップ層
５を形成した後、上部コア６を形成する（ｈ）。
耐食性の向上を図り、良好な信号の記録・再生を行うと
ともに、このような有用な薄膜磁気ヘッドを容易に製造
する。 【解決手段】 非磁性基板１上に磁性膜２０を成膜し、
下部コア２の形状にレジスト材２１によってパターニン
グを行い（ａ）、下部コア２を形成し（ｂ）、非磁性基
板１及び下部コア２上に絶縁材料２２を堆積し（ｃ）、
これの上面に、被覆層２７を成膜し、この上に、磁性膜
２４を成膜するとともにレジスト材２５によってパター
ニングを行い（ｄ）、イオンビームにより磁性膜２４と
ともに被覆層２７をエッチングして被覆膜７を形成し
（ｅ）、絶縁材料２３の堆積及び平坦化研磨を行い
（ｆ）、薄膜コイル層２４を形成し（ｇ）、ギャップ層
５を形成した後、上部コア６を形成する（ｈ）。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、記録媒体への情報
の書込や読み出しに用いられる磁気ヘッドに関し、特に
基板上に磁性体からなる磁極層をイオンビームによって
成形してなる薄膜磁気ヘッド及びその製造方法に関す
る。
の書込や読み出しに用いられる磁気ヘッドに関し、特に
基板上に磁性体からなる磁極層をイオンビームによって
成形してなる薄膜磁気ヘッド及びその製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、ハードディスクやＶＴＲ、ＤＡＴ
等の磁気記録再生装置に用いられる磁気ヘッドとして薄
膜磁気ヘッドがある。
等の磁気記録再生装置に用いられる磁気ヘッドとして薄
膜磁気ヘッドがある。
【０００３】図６は、従来の薄膜磁気ヘッドを示すもの
である。同図において、この薄膜磁気ヘッド６０は、非
磁性基板６１上に下部コア（下部磁極層）６２を形成
し、その下部コア６２の上に中間コア（中間磁極層）６
３及び薄膜コイル層６４を形成し、これらの上部にギャ
ップ層６５を成膜し、さらにこのギャップ層６５上に上
部コア（上部磁極層）６６を形成することによって構成
される。
である。同図において、この薄膜磁気ヘッド６０は、非
磁性基板６１上に下部コア（下部磁極層）６２を形成
し、その下部コア６２の上に中間コア（中間磁極層）６
３及び薄膜コイル層６４を形成し、これらの上部にギャ
ップ層６５を成膜し、さらにこのギャップ層６５上に上
部コア（上部磁極層）６６を形成することによって構成
される。
【０００４】図７は、かかる従来の薄膜磁気ヘッド６０
の製造方法の工程を示すものである。先ず、非磁性基板
６１上に磁性膜７０をスパッタリング法などによって成
膜し、下部コア６２の形状にレジスト材７１によってパ
ターニングを行う（同図（ａ））。その後イオンビーム
によってエッチングを行い、下部コア６２を形成し（同
図（ｂ））、レジスト材７１を除去した後、非磁性基板
６１及び下部コア６２上に例えばSiO2からなる絶縁材料
７２をスパッタリングで堆積し、平坦化研磨を行って下
部コア６２の上面を露出させる（同図（ｃ））。
の製造方法の工程を示すものである。先ず、非磁性基板
６１上に磁性膜７０をスパッタリング法などによって成
膜し、下部コア６２の形状にレジスト材７１によってパ
ターニングを行う（同図（ａ））。その後イオンビーム
によってエッチングを行い、下部コア６２を形成し（同
図（ｂ））、レジスト材７１を除去した後、非磁性基板
６１及び下部コア６２上に例えばSiO2からなる絶縁材料
７２をスパッタリングで堆積し、平坦化研磨を行って下
部コア６２の上面を露出させる（同図（ｃ））。
【０００５】次に、上記と同様の工程によって、下部コ
ア６２及び絶縁材料７２上に磁性膜７４を成膜し、これ
の上面にレジスト材７５によってパターニングを行い
（同図（ｄ））、イオンビームによってエッチングを行
い中間コア６３を形成する（同図（ｅ））。
ア６２及び絶縁材料７２上に磁性膜７４を成膜し、これ
の上面にレジスト材７５によってパターニングを行い
（同図（ｄ））、イオンビームによってエッチングを行
い中間コア６３を形成する（同図（ｅ））。
【０００６】その後、絶縁材料７３の堆積及び平坦化研
磨を行うとともに（同図（ｆ））、コイル形状に絶縁材
料７３中に溝をＲＩＥ法などにより形成し、例えばＣｕ
等の導体を充填して薄膜コイル層６４を形成する（同図
（ｇ））。
磨を行うとともに（同図（ｆ））、コイル形状に絶縁材
料７３中に溝をＲＩＥ法などにより形成し、例えばＣｕ
等の導体を充填して薄膜コイル層６４を形成する（同図
（ｇ））。
【０００７】そして、ギャップ層６５を例えばSiO2をス
パッタリングやCVD法などにより形成した後、上記の工
程と同様にして、上部コア６６を形成する（同図
（ｈ））。
パッタリングやCVD法などにより形成した後、上記の工
程と同様にして、上部コア６６を形成する（同図
（ｈ））。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記工
程による薄膜磁気ヘッドの製造方法においては、コアの
エッジ部に錆が発生しやすく、これにより良好な信号再
生に支障を来す可能性があるということが判明した。
程による薄膜磁気ヘッドの製造方法においては、コアの
エッジ部に錆が発生しやすく、これにより良好な信号再
生に支障を来す可能性があるということが判明した。
【０００９】図８（ａ）は、上記工程においてイオンビ
ームによるエッチングによりコアの形成を行っている状
態を模式的に示すものである。
ームによるエッチングによりコアの形成を行っている状
態を模式的に示すものである。
【００１０】すなわち、磁性膜７４をレジスト材７５の
形状にエッチングする際、磁性膜７４はイオンビームに
よって削られていくが、このとき削られた粒子は中間コ
ア６３の側面に付着し、この付着した粒子はイオンビー
ムにより再度削られた後さらに付着するという現象を繰
り返し、エッチングの完了後には、同図（ｂ）に示すよ
うな再付着層７６が形成する。
形状にエッチングする際、磁性膜７４はイオンビームに
よって削られていくが、このとき削られた粒子は中間コ
ア６３の側面に付着し、この付着した粒子はイオンビー
ムにより再度削られた後さらに付着するという現象を繰
り返し、エッチングの完了後には、同図（ｂ）に示すよ
うな再付着層７６が形成する。
【００１１】この再付着層７６について、本願発明者等
が塩水噴霧試験を行ったところ錆が生じたことから、こ
の再付着層は極めて活性であり発錆しやすいという性質
を有するものであり、これが上述したコアのエッチ部の
錆の原因となることが判明した。
が塩水噴霧試験を行ったところ錆が生じたことから、こ
の再付着層は極めて活性であり発錆しやすいという性質
を有するものであり、これが上述したコアのエッチ部の
錆の原因となることが判明した。
【００１２】そこで、本発明は、上記事情に鑑みて成さ
れたものであり、その目的は、薄膜磁気ヘッドを構成す
る磁極層（コア）の耐食性の向上を図り、良好な信号の
記録・再生を行うことのできる薄膜磁気ヘッドを提供す
るとともに、このような有用な薄膜磁気ヘッドを容易に
製造することのできる製造方法を提供することを目的と
する。
れたものであり、その目的は、薄膜磁気ヘッドを構成す
る磁極層（コア）の耐食性の向上を図り、良好な信号の
記録・再生を行うことのできる薄膜磁気ヘッドを提供す
るとともに、このような有用な薄膜磁気ヘッドを容易に
製造することのできる製造方法を提供することを目的と
する。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本願請求項１に係る発明は、基板上方に形成された
磁極層を有する薄膜磁気ヘッドであって、前記磁極層の
下面及び側面が耐食性材料で被覆されているものであ
る。
に、本願請求項１に係る発明は、基板上方に形成された
磁極層を有する薄膜磁気ヘッドであって、前記磁極層の
下面及び側面が耐食性材料で被覆されているものであ
る。
【００１４】ここで、磁極層は、酸化あるいは塩化によ
り腐食する傾向のある材料により形成されるものであ
り、例えば鉄を主とするセンダスト（ＦｅＡｌＳｉ）や
窒化鉄（ＦｅＴａＮ、ＦｅＳｉＮ）、ＦｅＳｉＯＮ等の
結晶質磁性材料からなるものをいう。
り腐食する傾向のある材料により形成されるものであ
り、例えば鉄を主とするセンダスト（ＦｅＡｌＳｉ）や
窒化鉄（ＦｅＴａＮ、ＦｅＳｉＮ）、ＦｅＳｉＯＮ等の
結晶質磁性材料からなるものをいう。
【００１５】また、耐食性材料としては、例えば、Ｃｏ
ＺｒＮｂやＣｏＺｒＭｏ等のコバルト系非結晶質磁性材
料（コバルト系アモルファス）を用いることができる。
ＺｒＮｂやＣｏＺｒＭｏ等のコバルト系非結晶質磁性材
料（コバルト系アモルファス）を用いることができる。
【００１６】このような請求項１に係る発明によれば、
磁極層の下面及び側面が耐食性材料で被覆されているた
め、磁極層の発錆を防止することができる。
磁極層の下面及び側面が耐食性材料で被覆されているた
め、磁極層の発錆を防止することができる。
【００１７】請求項２に係る発明は、請求項１記載の薄
膜磁気ヘッドの製造方法であって、前記磁極層が形成さ
れる面に耐食性材料からなる被覆層を成膜し、この被覆
層上に磁性膜を成膜するとともに、イオンビームにより
前記磁性膜とともに前記被覆層をエッチングするもので
ある。
膜磁気ヘッドの製造方法であって、前記磁極層が形成さ
れる面に耐食性材料からなる被覆層を成膜し、この被覆
層上に磁性膜を成膜するとともに、イオンビームにより
前記磁性膜とともに前記被覆層をエッチングするもので
ある。
【００１８】このような請求項２に係る発明によれば、
磁性膜をエッチングして磁極層を形成する際、磁性膜の
下面に成膜した被覆層をイオンビームにより磁性膜と共
にエッチングすることによって、形成された磁極層の側
面に再付着した磁性膜の粒子を覆うように、削られた被
覆層の粒子を再付着させて、結果的に、磁極層の側面を
耐食性材料で被覆することができ、磁極層の耐食性を向
上させることができる。
磁性膜をエッチングして磁極層を形成する際、磁性膜の
下面に成膜した被覆層をイオンビームにより磁性膜と共
にエッチングすることによって、形成された磁極層の側
面に再付着した磁性膜の粒子を覆うように、削られた被
覆層の粒子を再付着させて、結果的に、磁極層の側面を
耐食性材料で被覆することができ、磁極層の耐食性を向
上させることができる。
【００１９】請求項３に係る発明は、基板上に成形され
た磁極層を有する薄膜磁気ヘッドであって、前記磁極層
がそのほぼ中間部に磁気ギャップ層を備えているととも
に、この磁極層の下面及び側面が耐食性材料で被覆され
ているものである。
た磁極層を有する薄膜磁気ヘッドであって、前記磁極層
がそのほぼ中間部に磁気ギャップ層を備えているととも
に、この磁極層の下面及び側面が耐食性材料で被覆され
ているものである。
【００２０】このような請求項３に係る発明によれば、
磁極層の中間部に磁気ギャップ層を備えているため、被
覆層に覆われた磁極層が早期に飽和するのを防止するこ
とができ、薄膜磁気ヘッドの記録能力を維持しつつ、磁
極層の耐食性の向上を図ることができる。
磁極層の中間部に磁気ギャップ層を備えているため、被
覆層に覆われた磁極層が早期に飽和するのを防止するこ
とができ、薄膜磁気ヘッドの記録能力を維持しつつ、磁
極層の耐食性の向上を図ることができる。
【００２１】請求項４に係る発明は、請求項２記載の薄
膜磁気ヘッドの製造方法であって、前記磁極層が形成さ
れる面に耐食性材料からなる被覆層を成膜し、この被覆
層上に下部磁性膜を成膜するとともに、この下部磁性膜
上にギャップ材からなるギャップ層を形成し、このギャ
ップ層上に上部磁性膜を成膜し、イオンビームにより前
記上部、下部磁性膜及びギャップ層とともに被覆層をエ
ッチングするものである。
膜磁気ヘッドの製造方法であって、前記磁極層が形成さ
れる面に耐食性材料からなる被覆層を成膜し、この被覆
層上に下部磁性膜を成膜するとともに、この下部磁性膜
上にギャップ材からなるギャップ層を形成し、このギャ
ップ層上に上部磁性膜を成膜し、イオンビームにより前
記上部、下部磁性膜及びギャップ層とともに被覆層をエ
ッチングするものである。
【００２２】このような請求項４に係る発明によれば、
ギャップ層を挟むように上下部磁性膜を成膜し、これら
をイオンビームによりエッチングすることにより、エッ
チングにより生じた被覆層の粒子を、磁極層の側面に再
付着させて、中間部に磁気ギャップ層を備えた磁極層を
被覆膜によって覆ってなる薄膜磁気ヘッドを容易に製造
することができる。
ギャップ層を挟むように上下部磁性膜を成膜し、これら
をイオンビームによりエッチングすることにより、エッ
チングにより生じた被覆層の粒子を、磁極層の側面に再
付着させて、中間部に磁気ギャップ層を備えた磁極層を
被覆膜によって覆ってなる薄膜磁気ヘッドを容易に製造
することができる。
【００２３】
【発明の実施の形態】第１の実施形態 以下に、本発明の好適な第１の実施形態について詳細に
説明する。図１は、本実施形態に係る薄膜磁気ヘッド１
０の概要を示すものである。
説明する。図１は、本実施形態に係る薄膜磁気ヘッド１
０の概要を示すものである。
【００２４】同図において、この薄膜磁気ヘッド１０
は、非磁性基板１上に形成された下部コア（下部磁極
層）２と、その下部コア２の上部に形成された、中間コ
ア（中間磁極層）３及び薄膜コイル層４と、これら中間
コア３及び薄膜コイル層４の上部に成膜されたギャップ
層５と、このギャップ層５の上部に形成された上部コア
（上部磁極層）６とから構成されるものである。
は、非磁性基板１上に形成された下部コア（下部磁極
層）２と、その下部コア２の上部に形成された、中間コ
ア（中間磁極層）３及び薄膜コイル層４と、これら中間
コア３及び薄膜コイル層４の上部に成膜されたギャップ
層５と、このギャップ層５の上部に形成された上部コア
（上部磁極層）６とから構成されるものである。
【００２５】下部コア２、中間コア３及び上部コア６
は、例えば鉄を主とするセンダスト（ＦｅＡｌＳｉ）や
窒化鉄（ＦｅＴａＮ、ＦｅＳｉＮ）、ＦｅＳｉＯＮ等の
結晶質磁性材料から構成されるものである。
は、例えば鉄を主とするセンダスト（ＦｅＡｌＳｉ）や
窒化鉄（ＦｅＴａＮ、ＦｅＳｉＮ）、ＦｅＳｉＯＮ等の
結晶質磁性材料から構成されるものである。
【００２６】そして特に、本実施形態に係る中間コア３
は、その下面及び側面が耐食性材料からなる被覆膜７に
より覆われている。この耐食性材料としては、例えば、
ＣｏＺｒＮｂやＣｏＺｒＭｏ等のコバルト系非結晶質磁
性材料（コバルト系アモルファス）が用いられる。
は、その下面及び側面が耐食性材料からなる被覆膜７に
より覆われている。この耐食性材料としては、例えば、
ＣｏＺｒＮｂやＣｏＺｒＭｏ等のコバルト系非結晶質磁
性材料（コバルト系アモルファス）が用いられる。
【００２７】このような本実施形態に係る薄膜磁気ヘッ
ド１０によれば、中間コア３の下面及び側面が被覆膜７
で被覆されているため、中間コア３の発錆を防止するこ
とができる。
ド１０によれば、中間コア３の下面及び側面が被覆膜７
で被覆されているため、中間コア３の発錆を防止するこ
とができる。
【００２８】次いで、このような薄膜磁気ヘッド１０の
製造方法の工程について説明する。図２は、本実施形態
に係る薄膜磁気ヘッド１０の製造方法の工程を示すもの
である。
製造方法の工程について説明する。図２は、本実施形態
に係る薄膜磁気ヘッド１０の製造方法の工程を示すもの
である。
【００２９】先ず、非磁性基板１上に磁性膜２０をスパ
ッタリング法などによって成膜し、下部コア２の形状に
レジスト材２１によってパターニングを行う（同図
（ａ））。その後、イオンビームによってエッチングを
行って下部コア２を形成し（同図（ｂ））、レジスト材
２１を除去した後、非磁性基板１及び下部コア２上に例
えばSiO2からなる絶縁材料２２をスパッタリングで堆積
し、平坦化研磨を行って下部コア２の上面を露出させる
（同図（ｃ））。
ッタリング法などによって成膜し、下部コア２の形状に
レジスト材２１によってパターニングを行う（同図
（ａ））。その後、イオンビームによってエッチングを
行って下部コア２を形成し（同図（ｂ））、レジスト材
２１を除去した後、非磁性基板１及び下部コア２上に例
えばSiO2からなる絶縁材料２２をスパッタリングで堆積
し、平坦化研磨を行って下部コア２の上面を露出させる
（同図（ｃ））。
【００３０】次に、絶縁材料２２及び露出された下部コ
ア２の上面に、耐食性材料からなる被覆層２７を成膜
し、この被覆層２７上に、さらに磁性膜２４を成膜する
とともに、この磁性膜２４の上面にレジスト材２５によ
ってパターニングを行う（同図（ｄ））。
ア２の上面に、耐食性材料からなる被覆層２７を成膜
し、この被覆層２７上に、さらに磁性膜２４を成膜する
とともに、この磁性膜２４の上面にレジスト材２５によ
ってパターニングを行う（同図（ｄ））。
【００３１】そして、イオンビームによってエッチング
を行い中間コア３を形成する（同図（ｅ））。このと
き、イオンビームにより、磁性膜２４とともに被覆層２
７をエッチングして被覆膜７を形成する。図３は、かか
るイオンビームによるエッチングの状況を拡大して示す
図である。
を行い中間コア３を形成する（同図（ｅ））。このと
き、イオンビームにより、磁性膜２４とともに被覆層２
７をエッチングして被覆膜７を形成する。図３は、かか
るイオンビームによるエッチングの状況を拡大して示す
図である。
【００３２】すなわち、イオンビームによって磁性膜２
４をエッチングして中間コア３を形成するとき、イオン
ビームによって削られた磁性膜２４の粒子が、削出され
た中間コア３の側面に再付着して活性膜２８を形成す
る。ところが、更にイオンビームにより磁性膜２４下方
に成膜した被覆層２７をエッチングすることにより、削
られた被覆層２７の粒子が、活性膜２８の表面を覆うよ
うに再付着し、被覆膜７を形成することができる。
４をエッチングして中間コア３を形成するとき、イオン
ビームによって削られた磁性膜２４の粒子が、削出され
た中間コア３の側面に再付着して活性膜２８を形成す
る。ところが、更にイオンビームにより磁性膜２４下方
に成膜した被覆層２７をエッチングすることにより、削
られた被覆層２７の粒子が、活性膜２８の表面を覆うよ
うに再付着し、被覆膜７を形成することができる。
【００３３】その後、図２（ｆ）に示すように、絶縁材
料２３の堆積及び平坦化研磨を行い、次いで、絶縁材料
２３中にコイル形状の溝２４をＲＩＥ法などにより形成
し（同図（ｇ））、例えばＣｕ等の導体を充填して薄膜
コイル層４を形成した後、ギャップ層５を例えばSio2を
スパッタリングやCVD法などにより形成し、上記の工程
と同様にして、上部コア６を形成する（同図（ｈ））。
料２３の堆積及び平坦化研磨を行い、次いで、絶縁材料
２３中にコイル形状の溝２４をＲＩＥ法などにより形成
し（同図（ｇ））、例えばＣｕ等の導体を充填して薄膜
コイル層４を形成した後、ギャップ層５を例えばSio2を
スパッタリングやCVD法などにより形成し、上記の工程
と同様にして、上部コア６を形成する（同図（ｈ））。
【００３４】このような工程の薄膜磁気ヘッド１０の製
造方法によれば、中間コア３を形成する際に行うイオン
ビームによるエッチングによって、中間コア３の削出及
び被覆膜７の成膜を同時に行うことができ、耐食性に優
れた薄膜磁気ヘッド１０を容易に製造することができ
る。
造方法によれば、中間コア３を形成する際に行うイオン
ビームによるエッチングによって、中間コア３の削出及
び被覆膜７の成膜を同時に行うことができ、耐食性に優
れた薄膜磁気ヘッド１０を容易に製造することができ
る。
【００３５】第２の実施形態 次いで、本発明の第２の実施形態について説明する。図
４は、本実施形態に係る薄膜磁気ヘッド４０を示すもの
である。
４は、本実施形態に係る薄膜磁気ヘッド４０を示すもの
である。
【００３６】同図において、この薄膜磁気ヘッド４０
は、前述した第１の実施形態に係る薄膜磁気ヘッド１０
と同様に、非磁性基板１上に形成された下部コア（下部
磁極層）２と、その下部コア２の上部に形成された、中
間コア（中間磁極層）４３及び薄膜コイル層４と、これ
ら中間コア４３及び薄膜コイル層４の上部に成膜された
ギャップ層５と、このギャップ層５上部に形成された上
部コア（上部磁極層）６とから構成されるものである。
は、前述した第１の実施形態に係る薄膜磁気ヘッド１０
と同様に、非磁性基板１上に形成された下部コア（下部
磁極層）２と、その下部コア２の上部に形成された、中
間コア（中間磁極層）４３及び薄膜コイル層４と、これ
ら中間コア４３及び薄膜コイル層４の上部に成膜された
ギャップ層５と、このギャップ層５上部に形成された上
部コア（上部磁極層）６とから構成されるものである。
【００３７】中間コア４３は、前述した中間コア３と同
様に、その下面及び側面が耐食性材料からなる被覆膜７
により覆われているとともに、特に、本実施形態におい
ては、そのほぼ中間部にギャップ層４１を備えている。
様に、その下面及び側面が耐食性材料からなる被覆膜７
により覆われているとともに、特に、本実施形態におい
ては、そのほぼ中間部にギャップ層４１を備えている。
【００３８】このような本実施形態に係る薄膜磁気ヘッ
ド４０によれば、中間コア４３の中間部にギャップ層４
１を備えているため、被覆膜７に覆われた中間コア４３
が早期に飽和するのを防止することができ、薄膜磁気ヘ
ッドの記録能力を維持しつつ、中間コア４３の耐食性の
向上を図ることができる。
ド４０によれば、中間コア４３の中間部にギャップ層４
１を備えているため、被覆膜７に覆われた中間コア４３
が早期に飽和するのを防止することができ、薄膜磁気ヘ
ッドの記録能力を維持しつつ、中間コア４３の耐食性の
向上を図ることができる。
【００３９】次いで、このような薄膜磁気ヘッド４０の
製造方法の工程について説明する。図５は、本実施形態
に係る薄膜磁気ヘッド４０の製造方法の工程を示すもの
である。
製造方法の工程について説明する。図５は、本実施形態
に係る薄膜磁気ヘッド４０の製造方法の工程を示すもの
である。
【００４０】先ず、非磁性基板１上に磁性膜２０をスパ
ッタリング法などによって成膜し、下部コア２の形状に
レジスト材２１によってパターニングを行う（同図
（ａ））。その後、イオンビームによってエッチングを
行って下部コア２を形成し（同図（ｂ））、レジスト材
２１を除去した後、非磁性基板１及び下部コア２上に例
えばSiO2からなる絶縁材料２２をスパッタリングで堆積
し、平坦化研磨を行って下部コア２の上面を露出させる
（同図（ｃ））。
ッタリング法などによって成膜し、下部コア２の形状に
レジスト材２１によってパターニングを行う（同図
（ａ））。その後、イオンビームによってエッチングを
行って下部コア２を形成し（同図（ｂ））、レジスト材
２１を除去した後、非磁性基板１及び下部コア２上に例
えばSiO2からなる絶縁材料２２をスパッタリングで堆積
し、平坦化研磨を行って下部コア２の上面を露出させる
（同図（ｃ））。
【００４１】次に、絶縁材料２２及び露出された下部コ
ア２の上面に、耐食性材料からなる被覆層２７を成膜
し、この被覆層２７上に下部磁性膜５１を成膜するとと
もに、この下部磁性膜５１上にギャップ材からなるギャ
ップ層４１を形成し、このギャップ層４１上に上部磁性
膜５２を成膜するとともに（同図（ｄ））、上部磁性膜
５２の上面にレジスト材２５によってパターニングを行
う。
ア２の上面に、耐食性材料からなる被覆層２７を成膜
し、この被覆層２７上に下部磁性膜５１を成膜するとと
もに、この下部磁性膜５１上にギャップ材からなるギャ
ップ層４１を形成し、このギャップ層４１上に上部磁性
膜５２を成膜するとともに（同図（ｄ））、上部磁性膜
５２の上面にレジスト材２５によってパターニングを行
う。
【００４２】そして、イオンビームにより上部磁性膜５
２、ギャップ層４１、下部磁性膜５１の順でエッチング
して中間コア４３を形成する（同図（ｅ））。このと
き、イオンビームにより磁性膜５２等とともに、最下層
の被覆層２７をもエッチングして被覆層７を形成する。
２、ギャップ層４１、下部磁性膜５１の順でエッチング
して中間コア４３を形成する（同図（ｅ））。このと
き、イオンビームにより磁性膜５２等とともに、最下層
の被覆層２７をもエッチングして被覆層７を形成する。
【００４３】すなわち、ギャップ層４１を挟むように上
下部磁性膜５１，５２を成膜し、これらとともに被覆層
２７をイオンビームによりエッチングすることにより、
エッチングにより生じた被覆層２７の粒子を、削出され
た中間コア４３の側面に再付着させて、中間部に磁気ギ
ャップ層４１を備えた中間コア４３を被覆膜７によって
覆うことができる。
下部磁性膜５１，５２を成膜し、これらとともに被覆層
２７をイオンビームによりエッチングすることにより、
エッチングにより生じた被覆層２７の粒子を、削出され
た中間コア４３の側面に再付着させて、中間部に磁気ギ
ャップ層４１を備えた中間コア４３を被覆膜７によって
覆うことができる。
【００４４】そして、絶縁材料２３の堆積及び平坦化研
磨を行い（図２（ｆ））、絶縁材料２３中にコイル形状
の溝２４をＲＩＥ法などにより形成し（同図（ｇ））、
例えばＣｕ等の導体を充填して薄膜コイル層４を形成
し、ギャップ層５を例えばSiO2をスパッタリングやCVD
法などにより形成した後、上記の工程と同様にして、上
部コア６を形成する（同図（ｈ））。
磨を行い（図２（ｆ））、絶縁材料２３中にコイル形状
の溝２４をＲＩＥ法などにより形成し（同図（ｇ））、
例えばＣｕ等の導体を充填して薄膜コイル層４を形成
し、ギャップ層５を例えばSiO2をスパッタリングやCVD
法などにより形成した後、上記の工程と同様にして、上
部コア６を形成する（同図（ｈ））。
【００４５】このような工程の薄膜磁気ヘッド４０の製
造方法によれば、イオンビームによる中間コア４３のエ
ッチングの際、中間コア４３の削出とともに、これのほ
ぼ中間部にギャップ層を形成し併せて被覆膜７の成膜を
同時に行うことができ、記録能力を維持しつつ中間コア
４３耐食性の向上を図ることができるという有用な薄膜
磁気ヘッド４０を容易に製造することができる。
造方法によれば、イオンビームによる中間コア４３のエ
ッチングの際、中間コア４３の削出とともに、これのほ
ぼ中間部にギャップ層を形成し併せて被覆膜７の成膜を
同時に行うことができ、記録能力を維持しつつ中間コア
４３耐食性の向上を図ることができるという有用な薄膜
磁気ヘッド４０を容易に製造することができる。
【００４６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の磁気ヘッ
ドによれば、薄膜磁気ヘッドを構成する磁極層の耐食性
の向上を図り、良好な信号の記録・再生を行うことがで
きる。
ドによれば、薄膜磁気ヘッドを構成する磁極層の耐食性
の向上を図り、良好な信号の記録・再生を行うことがで
きる。
【００４７】また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法
によれば、上記効果を奏する有用な薄膜磁気ヘッドを容
易に製造することができる。
によれば、上記効果を奏する有用な薄膜磁気ヘッドを容
易に製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る薄膜磁気ヘッド
を一部切り欠いて示す斜視図である。
を一部切り欠いて示す斜視図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係る薄膜磁気ヘッド
の製造工程を示す図である。
の製造工程を示す図である。
【図３】本発明の第１の実施形態に係る薄膜磁気ヘッド
の製造工程において、イオンビームによるエッチングの
状況を拡大して示す図である。
の製造工程において、イオンビームによるエッチングの
状況を拡大して示す図である。
【図４】本発明の第２の実施形態に係る薄膜磁気ヘッド
を一部切り欠いて示す斜視図である。
を一部切り欠いて示す斜視図である。
【図５】本発明の第２の実施形態に係る薄膜磁気ヘッド
の製造工程を示す図である。
の製造工程を示す図である。
【図６】従来の薄膜磁気ヘッドを一部切り欠いて示す斜
視図である。
視図である。
【図７】従来の薄膜磁気ヘッドの製造工程を示す図であ
る。
る。
【図８】従来の薄膜磁気ヘッドの製造工程において、イ
オンビームによるエッチングの状況を拡大して示す図で
ある。
オンビームによるエッチングの状況を拡大して示す図で
ある。
１ 非磁性基板 ２ 下部コア（磁極層） ３，４３ 中間コア（磁極層） ５，４１ ギャップ層 ６ 上部コア ７ 被覆膜 １０ 薄膜磁気ヘッド ２４ 磁性膜 ２７ 被覆層
Claims (4)
- 【請求項１】 基板上方に形成された磁極層を有する薄
膜磁気ヘッドであって、前記磁極層の下面及び側面が耐
食性材料で被覆されていることを特徴とする薄膜磁気ヘ
ッド。 - 【請求項２】 請求項１記載の薄膜磁気ヘッドの製造方
法であって、 前記磁極層が形成される面に耐食性材料からなる被覆層
を成膜し、この被覆層上に磁性膜を成膜するとともに、
イオンビームにより前記磁性膜とともに前記被覆層をエ
ッチングすることを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方
法。 - 【請求項３】 基板上に成形された磁極層を有する薄膜
磁気ヘッドであって、 前記磁極層がそのほぼ中間部に磁気ギャップ層を備えて
いるとともに、この磁極層の下面及び側面が耐食性材料
で被覆されていることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項４】 請求項２記載の薄膜磁気ヘッドの製造方
法であって、 前記磁極層が形成される面に耐食性材料からなる被覆層
を成膜し、この被覆層上に下部磁性膜を成膜するととも
に、この下部磁性膜上にギャップ材からなるギャップ層
を形成し、このギャップ層上に上部磁性膜を成膜し、イ
オンビームにより前記上部、下部磁性膜及びギャップ層
とともに被覆層をエッチングすることを特徴とする薄膜
磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12239498A JPH11316906A (ja) | 1998-05-01 | 1998-05-01 | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12239498A JPH11316906A (ja) | 1998-05-01 | 1998-05-01 | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11316906A true JPH11316906A (ja) | 1999-11-16 |
Family
ID=14834717
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12239498A Pending JPH11316906A (ja) | 1998-05-01 | 1998-05-01 | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11316906A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6567239B1 (en) | 2000-03-08 | 2003-05-20 | Fujitsu Limited | Thin film magnetic head including a coil insulating resin filler and an insulating metallic layer covering at least partly the insulating resin filler on a datum plane |
| US7111387B2 (en) | 2000-01-24 | 2006-09-26 | Alps Electric Co., Ltd. | Method of manufacturing a thin film magnetic head comprising an insulating layer provided between a core and coil |
-
1998
- 1998-05-01 JP JP12239498A patent/JPH11316906A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7111387B2 (en) | 2000-01-24 | 2006-09-26 | Alps Electric Co., Ltd. | Method of manufacturing a thin film magnetic head comprising an insulating layer provided between a core and coil |
| US6567239B1 (en) | 2000-03-08 | 2003-05-20 | Fujitsu Limited | Thin film magnetic head including a coil insulating resin filler and an insulating metallic layer covering at least partly the insulating resin filler on a datum plane |
| US6813824B2 (en) | 2000-03-08 | 2004-11-09 | Fujitsu Limited | Method of producing thin film magnetic head |
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