JPH11316909A - 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッド及びその製造方法Info
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- JPH11316909A JPH11316909A JP11984098A JP11984098A JPH11316909A JP H11316909 A JPH11316909 A JP H11316909A JP 11984098 A JP11984098 A JP 11984098A JP 11984098 A JP11984098 A JP 11984098A JP H11316909 A JPH11316909 A JP H11316909A
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- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ヘッドチップと外部との接続を容易かつ確実
に行うことができる量産性に優れた薄膜磁気ヘッドを提
供する。 【解決手段】 ヘッドサポート10の先端部12には、
所定のアジマス角を有するヘッドチップ20,30が対
称に取り付けられている。ヘッドチップ20,30間に
は、中継ブロック40が設けられている。ヘッドチップ
20の側面先端には磁気コアが形成されており、これに
巻回されているコイルパターンの両端は、引出パター
ン,接続端子を介して、台形状の中継ブロック40に形
成されている中継端子42,44,46,48に接合し
ている。外部への引出しは、中継ブロック40の上面か
ら露出している中継端子42,44,46,48から行
われる。
に行うことができる量産性に優れた薄膜磁気ヘッドを提
供する。 【解決手段】 ヘッドサポート10の先端部12には、
所定のアジマス角を有するヘッドチップ20,30が対
称に取り付けられている。ヘッドチップ20,30間に
は、中継ブロック40が設けられている。ヘッドチップ
20の側面先端には磁気コアが形成されており、これに
巻回されているコイルパターンの両端は、引出パター
ン,接続端子を介して、台形状の中継ブロック40に形
成されている中継端子42,44,46,48に接合し
ている。外部への引出しは、中継ブロック40の上面か
ら露出している中継端子42,44,46,48から行
われる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、VTRやDATなど
の回転ヘッド型の磁気記録装置もしくは磁気再生装置に
好適な薄膜磁気ヘッド及びその製造方法の改良に関する
ものである。
の回転ヘッド型の磁気記録装置もしくは磁気再生装置に
好適な薄膜磁気ヘッド及びその製造方法の改良に関する
ものである。
【0002】
【従来技術】従来の薄膜磁気ヘッドは、磁気回路構成部
を形成した非磁性基板面上に設けられた端子部分を、ヘ
ッドサポート上に予め設けられている中継基板にワイヤ
などで接続した構成となっている。そして、その中継基
板を介して、外部電極にワイヤなどを使用して接続され
ている。
を形成した非磁性基板面上に設けられた端子部分を、ヘ
ッドサポート上に予め設けられている中継基板にワイヤ
などで接続した構成となっている。そして、その中継基
板を介して、外部電極にワイヤなどを使用して接続され
ている。
【0003】図18には、従来技術の概観が示されてい
る。この例は、一般的なVTR用ダブルアジマス薄膜磁
気ヘッドである。同図中、(A)はヘッドチップ側から
みた図であり、(B)はテープ摺動面側、すなわち
(A)の矢印F側から見た図である。これらの図におい
て、ヘッドサポート900の先端部には、所定のアジマ
ス角を有するヘッドチップ910,920が対称に取り
付けられている。ヘッドチップ910,920に対する
接続端子は、ヘッド貼り付け面と略直交する側面91
2,922に設けられている。そして、これらの側面9
12,922からワイヤ914,924によってヘッド
サポート側の中継基板(図示せず)に接続されている。
る。この例は、一般的なVTR用ダブルアジマス薄膜磁
気ヘッドである。同図中、(A)はヘッドチップ側から
みた図であり、(B)はテープ摺動面側、すなわち
(A)の矢印F側から見た図である。これらの図におい
て、ヘッドサポート900の先端部には、所定のアジマ
ス角を有するヘッドチップ910,920が対称に取り
付けられている。ヘッドチップ910,920に対する
接続端子は、ヘッド貼り付け面と略直交する側面91
2,922に設けられている。そして、これらの側面9
12,922からワイヤ914,924によってヘッド
サポート側の中継基板(図示せず)に接続されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、以上の
ような従来技術には、次のような不都合がある。 (1)上述したダブルアジマスヘッドの場合、ヘッドチ
ップのギャップ間隔GW(図18(B)参照)が狭くな
るに従って、ワイヤによる接続が困難になる。このた
め、予め各ヘッドチップにワイヤを接合しておき、その
後に2ケのヘッドチップをヘッドサポートに貼り付ける
ことになる。従って、作業性が低下するとともに、導通
不良などの発生によって信頼性が劣化する恐れがある。 (2)また、前記ギャップ間隔GWが狭くなると、ヘッ
ドチップに多数のワイヤを精度よく接続することも次第
に困難となる。特に、ダブルアジマス構造では、一つの
ヘッドチップに4〜6本の端子を接続しなければなら
ず、作業性,信頼性,歩留まりは著しく低下してしま
う。
ような従来技術には、次のような不都合がある。 (1)上述したダブルアジマスヘッドの場合、ヘッドチ
ップのギャップ間隔GW(図18(B)参照)が狭くな
るに従って、ワイヤによる接続が困難になる。このた
め、予め各ヘッドチップにワイヤを接合しておき、その
後に2ケのヘッドチップをヘッドサポートに貼り付ける
ことになる。従って、作業性が低下するとともに、導通
不良などの発生によって信頼性が劣化する恐れがある。 (2)また、前記ギャップ間隔GWが狭くなると、ヘッ
ドチップに多数のワイヤを精度よく接続することも次第
に困難となる。特に、ダブルアジマス構造では、一つの
ヘッドチップに4〜6本の端子を接続しなければなら
ず、作業性,信頼性,歩留まりは著しく低下してしま
う。
【0005】本発明は、これらの点に着目したもので、
ヘッドチップと外部との接続を容易かつ確実に行うこと
ができる量産性に優れた薄膜磁気ヘッド及びその製造方
法を提供することを、その目的とするものである。
ヘッドチップと外部との接続を容易かつ確実に行うこと
ができる量産性に優れた薄膜磁気ヘッド及びその製造方
法を提供することを、その目的とするものである。
【0006】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明は、コイル端子部と外部とを中継ブロックを
介して接続することを特徴とする。中継ブロックは、ヘ
ッドチップの位置決め,例えば、貼り付けの間隔規制や
角度規制に用いられる。
め、本発明は、コイル端子部と外部とを中継ブロックを
介して接続することを特徴とする。中継ブロックは、ヘ
ッドチップの位置決め,例えば、貼り付けの間隔規制や
角度規制に用いられる。
【0007】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を、添
付図面の実施例を参照しながら詳細に説明する。
付図面の実施例を参照しながら詳細に説明する。
【0008】[実施例1] 最初に、図1〜図4を参照
しながら実施例1について説明する。図1に実施例1の
主要部の外観を示すように、ヘッドサポート10の先端
部12には、所定のアジマス角を有するヘッドチップ2
0,30が対称に取り付けられている。更に本実施例で
は、ヘッドチップ20,30間に中継ブロック40が設
けられている。
しながら実施例1について説明する。図1に実施例1の
主要部の外観を示すように、ヘッドサポート10の先端
部12には、所定のアジマス角を有するヘッドチップ2
0,30が対称に取り付けられている。更に本実施例で
は、ヘッドチップ20,30間に中継ブロック40が設
けられている。
【0009】図2には、ヘッドチップ20と中継ブロッ
ク40が詳細に示されている。同図において、ヘッドチ
ップ20の側面22先端には、磁気コア24が形成され
ており、これに巻回されているコイルパターンの両端
は、引出パターン26A,26Bにそれぞれ接続されて
いる。これら引出パターン26A,26Bの先端は、幅
広の接続端子28A,28Bとなっている。ヘッドチッ
プ30についても同様である。一方、中継ブロック40
は、両翼がヘッドチップ20,30の側面に沿った断面
台形の形状となっている。そして、前記接続端子に対応
するように、別言すれば略同一ピッチとなるように、中
継端子42,44,46,48が角部分に形成されてい
る。これらの各パターンや端子には、良好な電気的接触
を得るため、例えば金メッキが施されている。
ク40が詳細に示されている。同図において、ヘッドチ
ップ20の側面22先端には、磁気コア24が形成され
ており、これに巻回されているコイルパターンの両端
は、引出パターン26A,26Bにそれぞれ接続されて
いる。これら引出パターン26A,26Bの先端は、幅
広の接続端子28A,28Bとなっている。ヘッドチッ
プ30についても同様である。一方、中継ブロック40
は、両翼がヘッドチップ20,30の側面に沿った断面
台形の形状となっている。そして、前記接続端子に対応
するように、別言すれば略同一ピッチとなるように、中
継端子42,44,46,48が角部分に形成されてい
る。これらの各パターンや端子には、良好な電気的接触
を得るため、例えば金メッキが施されている。
【0010】このような構成の中継ブロック40を、そ
の斜面にヘッドチップ20,30の側面を突き当てるよ
うにして、ヘッドサポート10上に接着剤などで固定す
る。なお、前記中継ブロック40の厚みBtは、ヘッド
チップ20,30の厚みHtに対してやや薄く形成す
る。これにより、ヘッドチップ20,30と中継ブロッ
ク40との接合部分に段差が形成される。これが、各端
子部分を半田やボンディングなどで補強する際のガイド
になり、また高精度な位置決めも可能になる。また、中
継ブロック40の寸法Bwを、ヘッドチップ20,30
のギャップ間隔GWに合わせることで、正確なギャップ
間距離を得られる。
の斜面にヘッドチップ20,30の側面を突き当てるよ
うにして、ヘッドサポート10上に接着剤などで固定す
る。なお、前記中継ブロック40の厚みBtは、ヘッド
チップ20,30の厚みHtに対してやや薄く形成す
る。これにより、ヘッドチップ20,30と中継ブロッ
ク40との接合部分に段差が形成される。これが、各端
子部分を半田やボンディングなどで補強する際のガイド
になり、また高精度な位置決めも可能になる。また、中
継ブロック40の寸法Bwを、ヘッドチップ20,30
のギャップ間隔GWに合わせることで、正確なギャップ
間距離を得られる。
【0011】図1を矢印FA方向から見ると、図3に示
すようになる。この例では、中継ブロック40は、上辺
側が狭い台形状となっている。しかし、アジマスの関係
によっては、図4(A)に示すようなヘッドチップ20
A,30Aの配置となることもある。この場合、中継ブ
ロック40Aは、同図(B)に示すように、下辺側が狭
い逆台形状となる。なお、ヘッドチップ側の接続端子と
中継ブロック側の中継端子の対応関係は、図3の例と同
様である。例えば、VTRなどの場合は、アジマスが存
在するために、図2に示す台形状の中継ブロックと、図
4に示す逆台形状の2種類の中継ブロックが必要にな
る。
すようになる。この例では、中継ブロック40は、上辺
側が狭い台形状となっている。しかし、アジマスの関係
によっては、図4(A)に示すようなヘッドチップ20
A,30Aの配置となることもある。この場合、中継ブ
ロック40Aは、同図(B)に示すように、下辺側が狭
い逆台形状となる。なお、ヘッドチップ側の接続端子と
中継ブロック側の中継端子の対応関係は、図3の例と同
様である。例えば、VTRなどの場合は、アジマスが存
在するために、図2に示す台形状の中継ブロックと、図
4に示す逆台形状の2種類の中継ブロックが必要にな
る。
【0012】次に、上述した中継ブロック40,40A
の製造方法について説明する。まず、図5(A)のよう
に、非磁性基板400上に金などの金属膜402を蒸着
などの方法で所定の厚みに形成する。その後、同図
(B)のように、金属膜402をパターンエッチング
し、所定のピッチとなるように複数の金属膜パターン4
04を残す。次に、同図(C)に示すように、金属膜パ
ターン404の間を絶縁膜406で埋めるとともに、図
6(D)のように表面を研磨する。これにより、基板4
00の主面上に形成された絶縁膜406中に所定ピッチ
で金属膜パターン404が存在するパターンブロックが
得られる。次に、このパターンブロックを、図6(E)
のように、所定のアジマス角相当傾斜して切断すること
で、上述した中継ブロックが得られる。
の製造方法について説明する。まず、図5(A)のよう
に、非磁性基板400上に金などの金属膜402を蒸着
などの方法で所定の厚みに形成する。その後、同図
(B)のように、金属膜402をパターンエッチング
し、所定のピッチとなるように複数の金属膜パターン4
04を残す。次に、同図(C)に示すように、金属膜パ
ターン404の間を絶縁膜406で埋めるとともに、図
6(D)のように表面を研磨する。これにより、基板4
00の主面上に形成された絶縁膜406中に所定ピッチ
で金属膜パターン404が存在するパターンブロックが
得られる。次に、このパターンブロックを、図6(E)
のように、所定のアジマス角相当傾斜して切断すること
で、上述した中継ブロックが得られる。
【0013】中継ブロックの他の製作方法を図7に示
す。本例でも、同図(A)のように同様に非磁性基板4
00を用意する。そして、この非磁性基板400の主面
上に、同図(B)のようにエッチングなどで所定の凹形
状のパターン410を形成する。そして、基板主面上
に、同図(C)のように、金などの金属膜412を蒸着
などで所定の厚みとなるように形成する。その後、基板
主面を研磨して中継端子414を形成し、同図(D)に
示すパターンブロックを得る。このパターンブロック
を、前記図6(E)のように、所定のアジマス角で傾斜
切断することで、同様の中継ブロックが得られる。
す。本例でも、同図(A)のように同様に非磁性基板4
00を用意する。そして、この非磁性基板400の主面
上に、同図(B)のようにエッチングなどで所定の凹形
状のパターン410を形成する。そして、基板主面上
に、同図(C)のように、金などの金属膜412を蒸着
などで所定の厚みとなるように形成する。その後、基板
主面を研磨して中継端子414を形成し、同図(D)に
示すパターンブロックを得る。このパターンブロック
を、前記図6(E)のように、所定のアジマス角で傾斜
切断することで、同様の中継ブロックが得られる。
【0014】こうして得られた中継ブロックは、その端
子部分とヘッドチップ側の端子部分とが対応するように
所定の位置に貼付固定される。そして、図8に平面を示
すように、中継ブロック40の中継端子42〜48と、
FPCなどの中継基板50の導体パターン52〜58と
がワイヤボンディングなどで接続される。ボンディング
ワイヤ60は、更にハンダなどで補強され、高精度,高
信頼性のダブルアジマス薄膜磁気ヘッドが得られる。
子部分とヘッドチップ側の端子部分とが対応するように
所定の位置に貼付固定される。そして、図8に平面を示
すように、中継ブロック40の中継端子42〜48と、
FPCなどの中継基板50の導体パターン52〜58と
がワイヤボンディングなどで接続される。ボンディング
ワイヤ60は、更にハンダなどで補強され、高精度,高
信頼性のダブルアジマス薄膜磁気ヘッドが得られる。
【0015】[実施例2] 次に、図9及び図10を参
照して実施例2を説明する。VTRシステムによって
は、本実施例のヘッド形状のようにすると、磁気テープ
との接触が良好な場合がある。図9に示すように、本実
施例では、二つのヘッドチップ20,30が、角度θで
傾斜させてヘッドサポート10の先端12に貼り付けら
れている。この場合、中継ブロック70は、同図(A)
に示すようになる。このような中継ブロックは、図6
(E)における切断を同図の左右方向で角度を付けて行
うことで得られる。なお、本例においても、ヘッドチッ
プの側面の傾斜の関係から、図10(B)に示すような
中継ブロック72を使用する場合もある。中継ブロック
と中継基板との接続は、前記実施例1と同様でよい。
照して実施例2を説明する。VTRシステムによって
は、本実施例のヘッド形状のようにすると、磁気テープ
との接触が良好な場合がある。図9に示すように、本実
施例では、二つのヘッドチップ20,30が、角度θで
傾斜させてヘッドサポート10の先端12に貼り付けら
れている。この場合、中継ブロック70は、同図(A)
に示すようになる。このような中継ブロックは、図6
(E)における切断を同図の左右方向で角度を付けて行
うことで得られる。なお、本例においても、ヘッドチッ
プの側面の傾斜の関係から、図10(B)に示すような
中継ブロック72を使用する場合もある。中継ブロック
と中継基板との接続は、前記実施例1と同様でよい。
【0016】[実施例3] 次に、図11〜図15を参
照して実施例3を説明する。この例は、前記中継ブロッ
クと、ヘッドサポートに配設されている中継基板とを、
予め接続しておくようにしたことを特徴とする。すなわ
ち本例では、図11(A)に示すように、ヘッドサポー
ト80の先端82のヘッドチップ貼付面側に、切り欠き
もしくは溝84が形成されている。この切り欠き84の
深さは、後述する中継基板よりやや深めでよい。一方、
中継基板86には、同図(B)に示すような導体パター
ンが形成されており、更に前記切り欠き84に対しては
め込み可能となっている。そして、その先端には、図1
2(A)もしくは(B)に側面を示すように、対応する
導体パターンが接触するように、ボールボンディングや
ハンダなどで中継ブロック90,92が予め接合され
る。
照して実施例3を説明する。この例は、前記中継ブロッ
クと、ヘッドサポートに配設されている中継基板とを、
予め接続しておくようにしたことを特徴とする。すなわ
ち本例では、図11(A)に示すように、ヘッドサポー
ト80の先端82のヘッドチップ貼付面側に、切り欠き
もしくは溝84が形成されている。この切り欠き84の
深さは、後述する中継基板よりやや深めでよい。一方、
中継基板86には、同図(B)に示すような導体パター
ンが形成されており、更に前記切り欠き84に対しては
め込み可能となっている。そして、その先端には、図1
2(A)もしくは(B)に側面を示すように、対応する
導体パターンが接触するように、ボールボンディングや
ハンダなどで中継ブロック90,92が予め接合され
る。
【0017】そして、例えば、図14(A)に示すよう
に、一方のヘッドチップ94をヘッドサポート80先端
に貼り付けた後に中継基板86を切り欠き84に沿って
はめ込む。そして、中継基板86上の中継ブロック90
又は92を、同図(B)のようにヘッド側面に突き当て
る。その後、同図(C)に示すように、他方のヘッドチ
ップ96をヘッドサポート80先端に貼り付けて固定す
る。図14(C)を矢印FB方向から見ると、図13
(A)又は(B)にそれぞれ示すようになる。中継ブロ
ック90とヘッドチップ94,96との接続、中継ブロ
ック92とヘッドチップ95,97との接続について
は、前記実施例と同様でよい。
に、一方のヘッドチップ94をヘッドサポート80先端
に貼り付けた後に中継基板86を切り欠き84に沿って
はめ込む。そして、中継基板86上の中継ブロック90
又は92を、同図(B)のようにヘッド側面に突き当て
る。その後、同図(C)に示すように、他方のヘッドチ
ップ96をヘッドサポート80先端に貼り付けて固定す
る。図14(C)を矢印FB方向から見ると、図13
(A)又は(B)にそれぞれ示すようになる。中継ブロ
ック90とヘッドチップ94,96との接続、中継ブロ
ック92とヘッドチップ95,97との接続について
は、前記実施例と同様でよい。
【0018】なお、この実施例で使用する中継ブロック
90,92としては、端子が上下方向で貫通形成されて
いるような構造が望ましい。具体的な製作方法として
は、前記図5における金属膜を厚くするか,図7におけ
る金属膜形成用の溝を深く形成する。そして、端子がブ
ロック上下を貫通するように基板裏面側を研磨などによ
って薄くすることで実現できる。
90,92としては、端子が上下方向で貫通形成されて
いるような構造が望ましい。具体的な製作方法として
は、前記図5における金属膜を厚くするか,図7におけ
る金属膜形成用の溝を深く形成する。そして、端子がブ
ロック上下を貫通するように基板裏面側を研磨などによ
って薄くすることで実現できる。
【0019】図15は、本実施例の応用で、中継基板1
00として、同図に示すような導体パターン102〜1
08が形成されたものを使用する。そして、図14のよ
うにして組み立てた後、中継基板100をヘッドサポー
ト80の裏側に折り曲げる。この裏面側の導体パターン
102〜108からワイヤ接続が行われる。
00として、同図に示すような導体パターン102〜1
08が形成されたものを使用する。そして、図14のよ
うにして組み立てた後、中継基板100をヘッドサポー
ト80の裏側に折り曲げる。この裏面側の導体パターン
102〜108からワイヤ接続が行われる。
【0020】[実施例4] 次に、図16〜図17を参
照して実施例4を説明する。前記実施例1においては、
中継ブロック側の導体パターンとヘッドチップ側の導体
パターンの接続をヘッドチップ貼り付け面側で行ってい
るが、本例では、ヘッドチップ貼り付け面と逆側で行っ
ている。図16には、ヘッドサポート110の裏面側,
すなわちヘッドチップ112,114の貼り付け面と反
対側の面が示されている。また、同図を矢印FC方向か
ら見ると、図17(A)もしくは(B)に示すようにな
る。これらの図に示すように、中継ブロック116から
の引き出しは、サポート裏面側に行われている。そし
て、サポート裏面側の中継基板120の導体パターン1
22〜128にそれぞれワイヤ接続されている。
照して実施例4を説明する。前記実施例1においては、
中継ブロック側の導体パターンとヘッドチップ側の導体
パターンの接続をヘッドチップ貼り付け面側で行ってい
るが、本例では、ヘッドチップ貼り付け面と逆側で行っ
ている。図16には、ヘッドサポート110の裏面側,
すなわちヘッドチップ112,114の貼り付け面と反
対側の面が示されている。また、同図を矢印FC方向か
ら見ると、図17(A)もしくは(B)に示すようにな
る。これらの図に示すように、中継ブロック116から
の引き出しは、サポート裏面側に行われている。そし
て、サポート裏面側の中継基板120の導体パターン1
22〜128にそれぞれワイヤ接続されている。
【0021】この実施例によれば、中継ブロック116
は、ヘッドサポート110ではなく、ヘッドチップ11
2,114の側面によって固定支持される。そして、中
継ブロック116からの引き出し部分は、図17(A)
に示すようにヘッドサポート110やヘッドチップ11
2,114によって囲まれるようになり、途中での断線
などが良好に防止される。また、中継基板を使用しなく
ても、容易で確実な接続を行うことが可能である。図1
7(B)の中継ブロック118,ヘッドチップ113,
115についても同様である。
は、ヘッドサポート110ではなく、ヘッドチップ11
2,114の側面によって固定支持される。そして、中
継ブロック116からの引き出し部分は、図17(A)
に示すようにヘッドサポート110やヘッドチップ11
2,114によって囲まれるようになり、途中での断線
などが良好に防止される。また、中継基板を使用しなく
ても、容易で確実な接続を行うことが可能である。図1
7(B)の中継ブロック118,ヘッドチップ113,
115についても同様である。
【0022】この発明には数多くの実施形態があり、以
上の開示に基づいて多様に改変することが可能である。
例えば、前記実施例では、ヘッドチップからの引き出し
が2本の場合であるが、引き出し本数は必要に応じて決
められる。例えば、アースを含めれば3本引き出すこと
になり、導体パターンも引き出し本数に応じて決めるよ
うにする。
上の開示に基づいて多様に改変することが可能である。
例えば、前記実施例では、ヘッドチップからの引き出し
が2本の場合であるが、引き出し本数は必要に応じて決
められる。例えば、アースを含めれば3本引き出すこと
になり、導体パターンも引き出し本数に応じて決めるよ
うにする。
【0023】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば次
のような効果がある。 (1)コイル端子部と外部電極とを、予め形成した中継
ブロックの端子パターンを介して接続することとしたの
で、熱圧着などで容易に接続が可能となる。また、端子
の数が増えても影響がなく、信頼性,作業性,歩留まり
が著しく向上する。 (2)中継ブロックを、ダブルアジマス薄膜磁気ヘッド
の貼り付け間隔規制や貼り付け角度規制に用いることと
したので、高精度よくダブルアジマス薄膜磁気ヘッドを
組み立てることができる。
のような効果がある。 (1)コイル端子部と外部電極とを、予め形成した中継
ブロックの端子パターンを介して接続することとしたの
で、熱圧着などで容易に接続が可能となる。また、端子
の数が増えても影響がなく、信頼性,作業性,歩留まり
が著しく向上する。 (2)中継ブロックを、ダブルアジマス薄膜磁気ヘッド
の貼り付け間隔規制や貼り付け角度規制に用いることと
したので、高精度よくダブルアジマス薄膜磁気ヘッドを
組み立てることができる。
【図1】本発明の実施例1の全体を示す斜視図である。
【図2】実施例1の主要部を示す斜視図である。
【図3】図1を矢印FA方向から見た側面図である。
【図4】実施例1の変形例を示す図である。
【図5】中継ブロックの製造方法を示す図である。
【図6】中継ブロックの製造方法を示す図である。
【図7】中継ブロックの他の製造方法を示す図である。
【図8】実施例1における中継基板への接続を示す図で
ある。
ある。
【図9】実施例2を示す平面図である。
【図10】実施例2の中継ブロックを示す図である。
【図11】実施例3のヘッドサポート及び中継基板を示
す図である。
す図である。
【図12】実施例3の中継ブロックの接続状態を示す図
である。
である。
【図13】図14の矢印FB方向から見た図である。
【図14】実施例3の組み立て手順を示す図である。
【図15】実施例3の中継基板の具体例を示す図であ
る。
る。
【図16】実施例4を示す平面図である。
【図17】図16の矢印FC方向から見た図である。
【図18】従来技術を示す図である。
10…ヘッドサポート 12…先端 20,20A…ヘッドチップ 22…側面 24,24A,34,34A…磁気コア 26A…引出パターン 28A…接続端子 30…ヘッドチップ 40,40A…中継ブロック 42〜48…中継端子 50…中継基板 52〜58…導体パターン 60…ボンディングワイヤ 70,72…中継ブロック 80…ヘッドサポート 82…先端 84…切り欠き(溝) 86…中継基板 90…中継ブロック 94,95,96,97…ヘッドチップ 100…中継基板 102〜108…導体パターン 110…ヘッドサポート 112,113,114,115…ヘッドチップ 116…中継ブロック 120…中継基板 122〜128…導体パターン 400…基板 400…非磁性基板 402…金属膜 404…金属膜パターン 406…絶縁膜 410…パターン 412…金属膜 414…中継端子 900…ヘッドサポート 910…ヘッドチップ 912…側面 914…ワイヤ Bt……厚み Bw……寸法 GW……ギャップ間隔 Ht……厚み θ…角度
Claims (8)
- 【請求項1】 薄膜を非磁性基板上に積層して磁気ヘッ
ドを形成した異なるアジマス角のヘッドチップを、ヘッ
ドサポート上に対向して複数配置したダブルアジマス型
の薄膜磁気ヘッドにおいて、 前記ヘッドチップのコイル端子部分を外部に引き出すた
めの中継ブロックを設けたことを特徴とする薄膜磁気ヘ
ッド。 - 【請求項2】 薄膜を非磁性基板上に積層して磁気ヘッ
ドを形成した異なるアジマス角のヘッドチップを、ヘッ
ドサポート上に対向して複数配置したダブルアジマス型
の薄膜磁気ヘッドにおいて、 前記ヘッドチップのコイル端子部分を外部に引き出すた
めの中継ブロックを設けるとともに、前記コイル端子部
分を、前記中継ブロックを介して、外部と接続するため
の中継基板に接続したことを特徴とする請求項1記載の
薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項3】 前記コイル端子部分と前記中継ブロッ
ク,もしくは前記中継ブロックと前記中継基板とを、ボ
ンディングによって接続したことを特徴とする請求項1
又は2記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項4】 前記ボンディングによる接続面上に被膜
を形成したことを特徴とする請求項3記載の薄膜磁気ヘ
ッド。 - 【請求項5】 前記ヘッドサポートの前記ヘッドチップ
取り付け面と反対側から、前記中継ブロックからの引き
出しを行ったことを特徴とする請求項1又は2記載の薄
膜磁気ヘッド。 - 【請求項6】 請求項1記載の薄膜磁気ヘッドの製造方
法において、 前記ヘッドチップの少なくとも一方を、前記中継ブロッ
クによって位置決めしつつ、前記ヘッドサポート上に取
り付けることを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項7】 請求項2記載の薄膜磁気ヘッドの製造方
法において、前記ヘッドサポートの前記ヘッドチップ取
り付け部分に切り欠きを形成するとともに、前記中継ブ
ロックと前記中継基板とを組み立て前に予め接続し、こ
の中継基板を前記切り欠きに沿ってはめ込んで組み立て
ることを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項8】 前記中継ブロックを、前記ヘッドチップ
貼り付けの間隔規制,角度規制のいずれかに用いること
を特徴とする請求項6又は7記載の薄膜磁気ヘッドの製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11984098A JPH11316909A (ja) | 1998-04-30 | 1998-04-30 | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11984098A JPH11316909A (ja) | 1998-04-30 | 1998-04-30 | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11316909A true JPH11316909A (ja) | 1999-11-16 |
Family
ID=14771568
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11984098A Pending JPH11316909A (ja) | 1998-04-30 | 1998-04-30 | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11316909A (ja) |
-
1998
- 1998-04-30 JP JP11984098A patent/JPH11316909A/ja active Pending
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