JPH1194876A - コンタクトプローブの製造方法 - Google Patents
コンタクトプローブの製造方法Info
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- JPH1194876A JPH1194876A JP25392897A JP25392897A JPH1194876A JP H1194876 A JPH1194876 A JP H1194876A JP 25392897 A JP25392897 A JP 25392897A JP 25392897 A JP25392897 A JP 25392897A JP H1194876 A JPH1194876 A JP H1194876A
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/20—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by affixing prefabricated conductor pattern
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 接着剤や樹脂フィルムを予め、所定形状に正
確に形成しておく必要がなく、前記パターン配線におい
て、前記樹脂フィルムを被着すべき部分とフィルムから
露出させる部分との境界を位置精度良く形成することの
できるコンタクトプローブの製造方法を提供する。 【解決手段】 第1の金属層の上に第1のマスクを施し
てマスクされていない部分に、コンタクトピンに供され
る第2の金属層をメッキ処理してパターン配線を形成す
るメッキ処理工程と、前記第1のマスクを取り除いた第
2の金属層からなるパターン配線の上に、フィルムを接
着手段を用いて被着するフィルム被着工程と、前記パタ
ーン配線の上に被着した前記フィルムの上に第2のマス
クを施してマスクされていない部分に、レーザーを照射
して前記フィルムおよび前記接着手段のうち前記コンタ
クトピンに供されるパターン配線を覆う部分を除去する
フィルム除去工程とを備えている。
確に形成しておく必要がなく、前記パターン配線におい
て、前記樹脂フィルムを被着すべき部分とフィルムから
露出させる部分との境界を位置精度良く形成することの
できるコンタクトプローブの製造方法を提供する。 【解決手段】 第1の金属層の上に第1のマスクを施し
てマスクされていない部分に、コンタクトピンに供され
る第2の金属層をメッキ処理してパターン配線を形成す
るメッキ処理工程と、前記第1のマスクを取り除いた第
2の金属層からなるパターン配線の上に、フィルムを接
着手段を用いて被着するフィルム被着工程と、前記パタ
ーン配線の上に被着した前記フィルムの上に第2のマス
クを施してマスクされていない部分に、レーザーを照射
して前記フィルムおよび前記接着手段のうち前記コンタ
クトピンに供されるパターン配線を覆う部分を除去する
フィルム除去工程とを備えている。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、プローブピンやソ
ケットピン等として用いられ、プローブカードやテスト
用ソケット等に組み込まれて半導体ICチップや液晶デ
バイス等の各端子に接触して電気的なテストを行うコン
タクトプローブおよびその製造方法に関する。
ケットピン等として用いられ、プローブカードやテスト
用ソケット等に組み込まれて半導体ICチップや液晶デ
バイス等の各端子に接触して電気的なテストを行うコン
タクトプローブおよびその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】一般に、ICチップやLSIチップ等の
半導体チップ又はLCD(液晶表示体)の各端子に接触
させて電気的なテストを行うために、コンタクトピンが
用いられている。近年、ICチップ等の高集積化および
微細化に伴って電極であるコンタクトパッドが狭ピッチ
化されるとともに、コンタクトピンの多ピン狭ピッチ化
が要望されている。しかしながら、コンタクトピンとし
て用いられていたタングステン針のコンタクトプローブ
では、タングステン針の径の限界から多ピン狭ピッチへ
の対応が困難になっていた。
半導体チップ又はLCD(液晶表示体)の各端子に接触
させて電気的なテストを行うために、コンタクトピンが
用いられている。近年、ICチップ等の高集積化および
微細化に伴って電極であるコンタクトパッドが狭ピッチ
化されるとともに、コンタクトピンの多ピン狭ピッチ化
が要望されている。しかしながら、コンタクトピンとし
て用いられていたタングステン針のコンタクトプローブ
では、タングステン針の径の限界から多ピン狭ピッチへ
の対応が困難になっていた。
【0003】これに対して、例えば、特公平7−820
27号公報に、複数のパターン配線が樹脂フィルム上に
形成されこれらのパターン配線の各先端が前記樹脂フィ
ルムから突出状態に配されてコンタクトピンとされるコ
ンタクトプローブの技術が提案されている。この技術例
では、写真製版技術を用いて精密に形成されたパターン
配線の先端部をコンタクトピンとすることによって、多
ピン狭ピッチ化を図るとともに、複雑な多数の部品を不
要とするものである。
27号公報に、複数のパターン配線が樹脂フィルム上に
形成されこれらのパターン配線の各先端が前記樹脂フィ
ルムから突出状態に配されてコンタクトピンとされるコ
ンタクトプローブの技術が提案されている。この技術例
では、写真製版技術を用いて精密に形成されたパターン
配線の先端部をコンタクトピンとすることによって、多
ピン狭ピッチ化を図るとともに、複雑な多数の部品を不
要とするものである。
【0004】ところで、図10に示すように、前記コン
タクトプローブ1の製造は、以下の工程を経て行われ
る。 図10(a)に示すように、ステンレス板5の上面に
銅めっき6を施す。 この銅層6にレジストマスク(マスク)7を形成し、
同図(b)に示すように、フォトマスク8を介して露光
・現像を行う。 同図(c)および(d)に示すように、前記により
レジストマスク7に形成された開口部 7aに、ニッケ
ルめっきNを施してパターン配線3を形成する。同図
(e)に示すように、レジストマスク7を除去した後
に、同図(f)に示すように、前記パターン配線3のう
ち、コンタクトピン3aとする部分(ポリイミド樹脂フ
ィルムPIから突出させる部分)を除いた部分の上面
に、樹脂フィルムPIを、接着剤(接着シート)2aを
介して接着させ、その後、同図(g)および(h)に示
すように、樹脂フィルムPIとパターン配線3とからな
る部分と、前記ステンレス板5と銅層6とからなる部分
とを分離させて、前記コンタクトプローブ1を作製す
る。
タクトプローブ1の製造は、以下の工程を経て行われ
る。 図10(a)に示すように、ステンレス板5の上面に
銅めっき6を施す。 この銅層6にレジストマスク(マスク)7を形成し、
同図(b)に示すように、フォトマスク8を介して露光
・現像を行う。 同図(c)および(d)に示すように、前記により
レジストマスク7に形成された開口部 7aに、ニッケ
ルめっきNを施してパターン配線3を形成する。同図
(e)に示すように、レジストマスク7を除去した後
に、同図(f)に示すように、前記パターン配線3のう
ち、コンタクトピン3aとする部分(ポリイミド樹脂フ
ィルムPIから突出させる部分)を除いた部分の上面
に、樹脂フィルムPIを、接着剤(接着シート)2aを
介して接着させ、その後、同図(g)および(h)に示
すように、樹脂フィルムPIとパターン配線3とからな
る部分と、前記ステンレス板5と銅層6とからなる部分
とを分離させて、前記コンタクトプローブ1を作製す
る。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
製造方法によれば、上記の工程にて使用される、前記
接着シート2aおよび前記ポリイミド樹脂フィルムPI
が、予め所定形状に正確に形成されていないと次のよう
な問題が生じていた。図11は、図10(f)に示した
ように、パターン配線3に樹脂フィルムPIを接着しよ
うとする状態を示した斜視図であり、図12(a)は、
図11のX−X線矢視図である。これらの図に示すよう
に、樹脂フィルムPIおよび接着シート2aは、パター
ン配線3において該樹脂フィルムPIから突出させる基
準位置(コンタクトピン3aとなる部分の基端位置)K
に合わせて形状ないし大きさが整えられている。
製造方法によれば、上記の工程にて使用される、前記
接着シート2aおよび前記ポリイミド樹脂フィルムPI
が、予め所定形状に正確に形成されていないと次のよう
な問題が生じていた。図11は、図10(f)に示した
ように、パターン配線3に樹脂フィルムPIを接着しよ
うとする状態を示した斜視図であり、図12(a)は、
図11のX−X線矢視図である。これらの図に示すよう
に、樹脂フィルムPIおよび接着シート2aは、パター
ン配線3において該樹脂フィルムPIから突出させる基
準位置(コンタクトピン3aとなる部分の基端位置)K
に合わせて形状ないし大きさが整えられている。
【0006】そして、樹脂フィルムPIおよび接着シー
ト2aの形状が正確に形成されている場合には、図12
(b)に示すように、樹脂フィルムPIおよび接着シー
ト2aは、パターン配線3における前記基準位置Kから
はみ出ることはないが、例えば接着シート2aが若干大
きく、接着剤の量が多い場合には、図12(c)に示す
ように、パターン配線3における前記基準位置Kよりも
先方まで接着剤2aがはみ出すことがあった。同様に、
図示はしないが、樹脂フィルムPIの形状が例えば若干
でも大きいと、前記基準位置Kよりも先方まで被ること
があった。
ト2aの形状が正確に形成されている場合には、図12
(b)に示すように、樹脂フィルムPIおよび接着シー
ト2aは、パターン配線3における前記基準位置Kから
はみ出ることはないが、例えば接着シート2aが若干大
きく、接着剤の量が多い場合には、図12(c)に示す
ように、パターン配線3における前記基準位置Kよりも
先方まで接着剤2aがはみ出すことがあった。同様に、
図示はしないが、樹脂フィルムPIの形状が例えば若干
でも大きいと、前記基準位置Kよりも先方まで被ること
があった。
【0007】このように、例えば、複数本あるパターン
配線3のうち特定のものに接着剤2aが誤ってより先方
まで付着すると、そのコンタクトピン3aは、他のもの
に比べて撓み難くなり、その結果、オーバードライブ時
にそのコンタクトピン3aが接触するパッドを損傷させ
たり、あるいはそのコンタクトピン3a自身の摩耗量が
他のものと異なり、接触不良の原因となることがあっ
た。また、ある特定のパターン配線3に前記フィルムP
Iがより多く被ると、その分、フィルムPIからの突出
量(コンタクトピン3aの長さ)が小さくなり、他のコ
ンタクトピン3aに比べて撓み難くなる結果、同様の問
題を生じさせていた。
配線3のうち特定のものに接着剤2aが誤ってより先方
まで付着すると、そのコンタクトピン3aは、他のもの
に比べて撓み難くなり、その結果、オーバードライブ時
にそのコンタクトピン3aが接触するパッドを損傷させ
たり、あるいはそのコンタクトピン3a自身の摩耗量が
他のものと異なり、接触不良の原因となることがあっ
た。また、ある特定のパターン配線3に前記フィルムP
Iがより多く被ると、その分、フィルムPIからの突出
量(コンタクトピン3aの長さ)が小さくなり、他のコ
ンタクトピン3aに比べて撓み難くなる結果、同様の問
題を生じさせていた。
【0008】本発明は、上記の事情に鑑みてなされたも
ので、接着剤や樹脂フィルムを予め、所定形状に正確に
形成しておく必要がなく、前記パターン配線において、
前記樹脂フィルムを被着すべき部分とフィルムから露出
させる部分との境界を位置精度良く形成することのでき
るコンタクトプローブの製造方法を提供することを目的
とする。
ので、接着剤や樹脂フィルムを予め、所定形状に正確に
形成しておく必要がなく、前記パターン配線において、
前記樹脂フィルムを被着すべき部分とフィルムから露出
させる部分との境界を位置精度良く形成することのでき
るコンタクトプローブの製造方法を提供することを目的
とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明は、前記課題を解
決するために以下の構成を採用した。すなわち、請求項
1記載のコンタクトプローブの製造方法では、フィルム
上に複数のパターン配線を形成しこれらのパターン配線
の各先端を前記フィルムから突出状態に配してコンタク
トピンとするコンタクトプローブの製造方法であって、
基板層の上に前記コンタクトピンの材質に被着または結
合する材質の第1の金属層を形成する第1の金属層形成
工程と、前記第1の金属層の上に第1のマスクを施して
マスクされていない部分に、前記コンタクトピンに供さ
れる第2の金属層をメッキ処理して前記パターン配線を
形成するメッキ処理工程と、前記第1のマスクを取り除
いた第2の金属層からなるパターン配線の上に、前記フ
ィルムを接着手段を用いて被着するフィルム被着工程
と、前記パターン配線の上に被着した前記フィルムの上
に第2のマスクを施してマスクされていない部分に、レ
ーザーを照射して前記フィルムおよび前記接着手段のう
ち前記コンタクトピンに供されるパターン配線を覆う部
分を除去するフィルム除去工程と、前記フィルムと第2
の金属層とからなる部分と、前記基板層と第1の金属層
とからなる部分とを分離する分離工程とを備えている技
術が採用される。
決するために以下の構成を採用した。すなわち、請求項
1記載のコンタクトプローブの製造方法では、フィルム
上に複数のパターン配線を形成しこれらのパターン配線
の各先端を前記フィルムから突出状態に配してコンタク
トピンとするコンタクトプローブの製造方法であって、
基板層の上に前記コンタクトピンの材質に被着または結
合する材質の第1の金属層を形成する第1の金属層形成
工程と、前記第1の金属層の上に第1のマスクを施して
マスクされていない部分に、前記コンタクトピンに供さ
れる第2の金属層をメッキ処理して前記パターン配線を
形成するメッキ処理工程と、前記第1のマスクを取り除
いた第2の金属層からなるパターン配線の上に、前記フ
ィルムを接着手段を用いて被着するフィルム被着工程
と、前記パターン配線の上に被着した前記フィルムの上
に第2のマスクを施してマスクされていない部分に、レ
ーザーを照射して前記フィルムおよび前記接着手段のう
ち前記コンタクトピンに供されるパターン配線を覆う部
分を除去するフィルム除去工程と、前記フィルムと第2
の金属層とからなる部分と、前記基板層と第1の金属層
とからなる部分とを分離する分離工程とを備えている技
術が採用される。
【0010】このコンタクトプローブの製造方法では、
前記パターン配線の上に被着した前記フィルムの上に第
2のマスクを施してマスクされていない部分に、レーザ
ーを照射して前記フィルムおよび前記接着手段のうち前
記コンタクトピンに供されるパターン配線を覆う部分を
除去するフィルム除去工程を備えているため、フィルム
被着工程にて使用するフィルムや接着手段の形状を、予
め正確に形成しておく必要がない。また、第2のマスク
でマスクされていないフィルムと接着手段とをレーザー
照射により切断することから、マスクされていない領域
では、フィルムと接着手段とが完全に除去され、パター
ン配線のみを残すことができる。これにより、本来、コ
ンタクトピンとすべき部分に誤って接着剤が付着した
り、フィルムが被ることがない。また、マスクによりレ
ーザー照射領域を仕切ることができるため、前記パター
ン配線における、前記フィルムを被着すべき部分とフィ
ルムから突出させる部分との境界を位置精度良く形成す
ることができ、フィルムから突出してなるコンタクトピ
ンの長さを一定に揃えることができる。ここで、前記第
2のマスクとしては、レーザーを反射し透過させない機
能を有するもので、銅箔板やアルミ箔等の金属板が適当
である。
前記パターン配線の上に被着した前記フィルムの上に第
2のマスクを施してマスクされていない部分に、レーザ
ーを照射して前記フィルムおよび前記接着手段のうち前
記コンタクトピンに供されるパターン配線を覆う部分を
除去するフィルム除去工程を備えているため、フィルム
被着工程にて使用するフィルムや接着手段の形状を、予
め正確に形成しておく必要がない。また、第2のマスク
でマスクされていないフィルムと接着手段とをレーザー
照射により切断することから、マスクされていない領域
では、フィルムと接着手段とが完全に除去され、パター
ン配線のみを残すことができる。これにより、本来、コ
ンタクトピンとすべき部分に誤って接着剤が付着した
り、フィルムが被ることがない。また、マスクによりレ
ーザー照射領域を仕切ることができるため、前記パター
ン配線における、前記フィルムを被着すべき部分とフィ
ルムから突出させる部分との境界を位置精度良く形成す
ることができ、フィルムから突出してなるコンタクトピ
ンの長さを一定に揃えることができる。ここで、前記第
2のマスクとしては、レーザーを反射し透過させない機
能を有するもので、銅箔板やアルミ箔等の金属板が適当
である。
【0011】請求項2記載のコンタクトプローブの製造
方法では、第3の金属層が形成されたフィルムの、第3
の金属層形成面の裏面側に複数のパターン配線を形成し
これらのパターン配線の各先端を前記フィルムから突出
状態に配してコンタクトピンとするコンタクトプローブ
の製造方法であって、基板層の上に前記コンタクトピン
の材質に被着または結合する材質の第1の金属層を形成
する第1の金属層形成工程と、前記第1の金属層の上に
第1のマスクを施してマスクされていない部分に、前記
コンタクトピンに供される第2の金属層をメッキ処理し
て前記パターン配線を形成するメッキ処理工程と、フィ
ルムの上に形成された第3の金属層のうち前記パターン
配線をカバーする部分を残してエッチング処理を行い、
該エッチング処理した部分の第3の金属層を除去して該
部分に相当する前記フィルムを露出させる第3の金属層
エッチング工程と、前記第1のマスクを取り除いた第2
の金属層からなるパターン配線の上に、前記第3の金属
層エッチング工程を経たフィルムを接着手段を用いて被
着するフィルム被着工程と、前記パターン配線の上に被
着した前記フィルムに、レーザーを照射して前記フィル
ムおよび前記接着手段のうち前記第3の金属層でカバー
されていない部分を除去するフィルム除去工程と、前記
フィルムと第2の金属層とからなる部分と、前記基板層
と第1の金属層とからなる部分とを分離する分離工程と
を備えている技術が採用される。
方法では、第3の金属層が形成されたフィルムの、第3
の金属層形成面の裏面側に複数のパターン配線を形成し
これらのパターン配線の各先端を前記フィルムから突出
状態に配してコンタクトピンとするコンタクトプローブ
の製造方法であって、基板層の上に前記コンタクトピン
の材質に被着または結合する材質の第1の金属層を形成
する第1の金属層形成工程と、前記第1の金属層の上に
第1のマスクを施してマスクされていない部分に、前記
コンタクトピンに供される第2の金属層をメッキ処理し
て前記パターン配線を形成するメッキ処理工程と、フィ
ルムの上に形成された第3の金属層のうち前記パターン
配線をカバーする部分を残してエッチング処理を行い、
該エッチング処理した部分の第3の金属層を除去して該
部分に相当する前記フィルムを露出させる第3の金属層
エッチング工程と、前記第1のマスクを取り除いた第2
の金属層からなるパターン配線の上に、前記第3の金属
層エッチング工程を経たフィルムを接着手段を用いて被
着するフィルム被着工程と、前記パターン配線の上に被
着した前記フィルムに、レーザーを照射して前記フィル
ムおよび前記接着手段のうち前記第3の金属層でカバー
されていない部分を除去するフィルム除去工程と、前記
フィルムと第2の金属層とからなる部分と、前記基板層
と第1の金属層とからなる部分とを分離する分離工程と
を備えている技術が採用される。
【0012】このコンタクトプローブの製造方法では、
フィルムの上に形成された第3の金属層のうち前記パタ
ーン配線をカバーする部分を残してエッチング処理を行
い、該エッチング処理した部分の第3の金属層を除去し
て該部分に相当する前記フィルムを露出させる第3の金
属層エッチング工程を備えているため、該エッチングを
例えばマスク露光を用いて行うことにより、エッチング
領域を正確に仕切ることができる。そして、フィルム除
去工程では、前記エッチングにより第3の金属層が除去
されて露出したフィルムおよび接着手段にレーザーを照
射して該フィルムおよび接着手段を除去するため、該フ
ィルムおよび接着手段の正確に仕切られた領域が除去さ
れて、該フィルムから突出するコンタクトピンの長さを
一定に揃えることができ、また、誤って接着手段がコン
タクトピンに付着すること等もない。
フィルムの上に形成された第3の金属層のうち前記パタ
ーン配線をカバーする部分を残してエッチング処理を行
い、該エッチング処理した部分の第3の金属層を除去し
て該部分に相当する前記フィルムを露出させる第3の金
属層エッチング工程を備えているため、該エッチングを
例えばマスク露光を用いて行うことにより、エッチング
領域を正確に仕切ることができる。そして、フィルム除
去工程では、前記エッチングにより第3の金属層が除去
されて露出したフィルムおよび接着手段にレーザーを照
射して該フィルムおよび接着手段を除去するため、該フ
ィルムおよび接着手段の正確に仕切られた領域が除去さ
れて、該フィルムから突出するコンタクトピンの長さを
一定に揃えることができ、また、誤って接着手段がコン
タクトピンに付着すること等もない。
【0013】請求項3記載のコンタクトプローブの製造
方法では、請求項1または2記載のコンタクトプローブ
の製造方法において、前記フィルム除去工程は、前記レ
ーザーの照射による手段に加えて、プラズマを用いたエ
ッチング手段により行われる技術が採用される。
方法では、請求項1または2記載のコンタクトプローブ
の製造方法において、前記フィルム除去工程は、前記レ
ーザーの照射による手段に加えて、プラズマを用いたエ
ッチング手段により行われる技術が採用される。
【0014】このコンタクトプローブの製造方法では、
前記フィルム除去工程が、前記レーザーの照射による手
段に加えて、プラズマを用いたエッチング手段により行
われるため、レーザーのみの場合と比べて、一層、前記
パターン配線における、前記フィルムを被着すべき部分
とフィルムから突出させる部分との境界を位置精度良く
形成することができ、かつ、はみ出した接着剤等を完全
に除去することができ、フィルムから突出してなるコン
タクトピンの長さを一定に揃えることができる。
前記フィルム除去工程が、前記レーザーの照射による手
段に加えて、プラズマを用いたエッチング手段により行
われるため、レーザーのみの場合と比べて、一層、前記
パターン配線における、前記フィルムを被着すべき部分
とフィルムから突出させる部分との境界を位置精度良く
形成することができ、かつ、はみ出した接着剤等を完全
に除去することができ、フィルムから突出してなるコン
タクトピンの長さを一定に揃えることができる。
【0015】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係るコンタクトプ
ローブの製造方法の一実施形態を図1から図9を参照し
ながら説明する。図2において、符号16はコンタクト
プローブ、2は樹脂フィルム、3はパターン配線を示し
ている。
ローブの製造方法の一実施形態を図1から図9を参照し
ながら説明する。図2において、符号16はコンタクト
プローブ、2は樹脂フィルム、3はパターン配線を示し
ている。
【0016】本実施形態のコンタクトプローブ16は、
ポリイミド製樹脂フィルム2の片面に金属で形成される
パターン配線3を張り付けた構造となっており、前記樹
脂フィルム2の端部から前記パターン配線3の先端が突
出してコンタクトピン3aとされている。
ポリイミド製樹脂フィルム2の片面に金属で形成される
パターン配線3を張り付けた構造となっており、前記樹
脂フィルム2の端部から前記パターン配線3の先端が突
出してコンタクトピン3aとされている。
【0017】次に、図3を参照して、前記コンタクトプ
ローブ16の作製工程について工程順に説明する。
ローブ16の作製工程について工程順に説明する。
【0018】〔ベースメタル層形成工程(第1の金属層
形成工程)〕まず、図3の(a)に示すように、ステン
レス製の支持金属板5の上に、Cu(銅)メッキにより
ベースメタル層(第1の金属層)6を形成する。
形成工程)〕まず、図3の(a)に示すように、ステン
レス製の支持金属板5の上に、Cu(銅)メッキにより
ベースメタル層(第1の金属層)6を形成する。
【0019】〔パターン形成工程〕このベースメタル層
6の上にフォトレジスト層7を形成した後、図3の
(b)に示すように、写真製版技術により、フォトレジ
スト層7に所定のパターンのフォトマスク8を施して露
光し、図3の(c)に示すように、フォトレジスト層7
を現像して前記パターン配線3となる部分を除去して残
存するフォトレジスト層(第1のマスク)7に開口部7
aを形成する。
6の上にフォトレジスト層7を形成した後、図3の
(b)に示すように、写真製版技術により、フォトレジ
スト層7に所定のパターンのフォトマスク8を施して露
光し、図3の(c)に示すように、フォトレジスト層7
を現像して前記パターン配線3となる部分を除去して残
存するフォトレジスト層(第1のマスク)7に開口部7
aを形成する。
【0020】なお、本実施形態においては、フォトレジ
スト層7をネガ型フォトレジストによって形成している
が、ポジ型フォトレジストを採用して所望の開口部7a
を形成しても構わない。また、本実施形態においては、
前記フォトレジスト層7が、本願請求項にいう「第1の
マスク」に相当する。但し、本願請求項の「第1のマス
ク」とは、本実施形態のフォトレジスト層7のように、
フォトマスク8を用いた露光・現像工程を経て開口部7
aが形成されるものに限定されるわけではない。例え
ば、メッキ処理される箇所に予め孔が形成された(すな
わち、予め、図3の(c)の符号7で示す状態に形成さ
れている)フィルム等でもよい。本発明において、この
ようなフィルム等を「第1のマスク」として用いる場合
には、本実施形態におけるパターン形成工程は不要であ
る。
スト層7をネガ型フォトレジストによって形成している
が、ポジ型フォトレジストを採用して所望の開口部7a
を形成しても構わない。また、本実施形態においては、
前記フォトレジスト層7が、本願請求項にいう「第1の
マスク」に相当する。但し、本願請求項の「第1のマス
ク」とは、本実施形態のフォトレジスト層7のように、
フォトマスク8を用いた露光・現像工程を経て開口部7
aが形成されるものに限定されるわけではない。例え
ば、メッキ処理される箇所に予め孔が形成された(すな
わち、予め、図3の(c)の符号7で示す状態に形成さ
れている)フィルム等でもよい。本発明において、この
ようなフィルム等を「第1のマスク」として用いる場合
には、本実施形態におけるパターン形成工程は不要であ
る。
【0021】〔メッキ処理工程〕そして、図3の(d)
に示すように、前記開口部7aに前記パターン配線3と
なるNiまたはNi合金層(第2の金属層)Nを電解メ
ッキ処理により形成した後、図3の(e)に示すよう
に、フォトレジスト層7を除去する。
に示すように、前記開口部7aに前記パターン配線3と
なるNiまたはNi合金層(第2の金属層)Nを電解メ
ッキ処理により形成した後、図3の(e)に示すよう
に、フォトレジスト層7を除去する。
【0022】〔第3の金属層エッチング工程〕次に、図
1(a)に示すように、ポリイミド樹脂フィルムPIと
銅箔(第2のマスク,第3の金属層)500とが一体に
設けられた二層テープである樹脂フィルム2に、エッチ
ング処理を行う。すなわち、前記樹脂フィルム2の銅箔
500に、写真製版技術を用いた銅エッチングを施す。
この場合のエッチング領域は、マスク露光により精密に
仕切られる。エッチング領域は、後述するフィルム被着
工程にて樹脂フィルム2をパターン配線3に被着させた
ときに前記パターン配線3をカバーする部分を除いた領
域、すなわち、コンタクトピン3aとしてパターン配線
3の先端をフィルムから突出させる領域である。そし
て、エッチング処理は、エッチング処理した部分の銅箔
500が、完全に除去されて該部分のポリイミド樹脂フ
ィルムPIが露出するまで行われる。なお、第2のマス
クないし第3の金属層としては、後述するフィルム除去
工程にて用いられるレーザーを反射して透過させない機
能があればよく、銅箔に代えて、アルミ箔やNi、Ni
合金箔等でもよい。
1(a)に示すように、ポリイミド樹脂フィルムPIと
銅箔(第2のマスク,第3の金属層)500とが一体に
設けられた二層テープである樹脂フィルム2に、エッチ
ング処理を行う。すなわち、前記樹脂フィルム2の銅箔
500に、写真製版技術を用いた銅エッチングを施す。
この場合のエッチング領域は、マスク露光により精密に
仕切られる。エッチング領域は、後述するフィルム被着
工程にて樹脂フィルム2をパターン配線3に被着させた
ときに前記パターン配線3をカバーする部分を除いた領
域、すなわち、コンタクトピン3aとしてパターン配線
3の先端をフィルムから突出させる領域である。そし
て、エッチング処理は、エッチング処理した部分の銅箔
500が、完全に除去されて該部分のポリイミド樹脂フ
ィルムPIが露出するまで行われる。なお、第2のマス
クないし第3の金属層としては、後述するフィルム除去
工程にて用いられるレーザーを反射して透過させない機
能があればよく、銅箔に代えて、アルミ箔やNi、Ni
合金箔等でもよい。
【0023】〔フィルム被着工程〕次に、図3の(f)
および図1(a)に示すように、前記NiまたはNi合
金層Nの上であって、図2に示した前記パターン配線3
の先端部、すなわち、コンタクトピン3aとしてフィル
ムから突出させる境界部分に、前記エッチングされて残
った銅箔500の境界端部を合わせた状態で、前記樹脂
フィルム2のポリイミド樹脂フィルムPI側を接着シー
ト(接着手段)2aにより前記NiまたはNi合金層N
(パターン配線3)に接着する。
および図1(a)に示すように、前記NiまたはNi合
金層Nの上であって、図2に示した前記パターン配線3
の先端部、すなわち、コンタクトピン3aとしてフィル
ムから突出させる境界部分に、前記エッチングされて残
った銅箔500の境界端部を合わせた状態で、前記樹脂
フィルム2のポリイミド樹脂フィルムPI側を接着シー
ト(接着手段)2aにより前記NiまたはNi合金層N
(パターン配線3)に接着する。
【0024】〔フィルム除去工程〕図1(b)に示すよ
うに、前記パターン配線3の上に被着した前記樹脂フィ
ルム2の銅箔500側に、レーザーを照射して、不要な
部分のポリイミド樹脂フィルムPIおよび接着シート2
aを除去する。この場合、樹脂フィルム2の銅箔500
は、レーザーを反射して該銅箔500の下のポリイミド
樹脂フィルムPIまでレーザーを透過させないため、銅
箔500の下のポリイミド樹脂フィルムPIおよび接着
シート2aは、除去されずに残る。すなわち、図1
(c)に示すように、前記第3の金属層エッチング工程
にてエッチング処理されてポリイミド樹脂フィルムPI
が露出した部分(銅箔500でカバーされない部分)お
よびその下の接着シート2aのみがレーザーにより除去
される。このとき、レーザーが照射されてもNiまたは
Ni合金層Nは除去されずに残るから、結局、パターン
配線3のうち、コンタクトピン3aとして樹脂フィルム
2から突出させたい部分についての余分なポリイミド樹
脂フィルムPIや接着シート2aが除去される。
うに、前記パターン配線3の上に被着した前記樹脂フィ
ルム2の銅箔500側に、レーザーを照射して、不要な
部分のポリイミド樹脂フィルムPIおよび接着シート2
aを除去する。この場合、樹脂フィルム2の銅箔500
は、レーザーを反射して該銅箔500の下のポリイミド
樹脂フィルムPIまでレーザーを透過させないため、銅
箔500の下のポリイミド樹脂フィルムPIおよび接着
シート2aは、除去されずに残る。すなわち、図1
(c)に示すように、前記第3の金属層エッチング工程
にてエッチング処理されてポリイミド樹脂フィルムPI
が露出した部分(銅箔500でカバーされない部分)お
よびその下の接着シート2aのみがレーザーにより除去
される。このとき、レーザーが照射されてもNiまたは
Ni合金層Nは除去されずに残るから、結局、パターン
配線3のうち、コンタクトピン3aとして樹脂フィルム
2から突出させたい部分についての余分なポリイミド樹
脂フィルムPIや接着シート2aが除去される。
【0025】〔分離工程〕そして、図3の(g)に示す
ように、樹脂フィルム2とパターン配線3とベースメタ
ル層6とからなる部分を、支持金属板5から分離させた
後、銅エッチングを経て、樹脂フィルム2にパターン配
線3のみを接着させた状態とする。
ように、樹脂フィルム2とパターン配線3とベースメタ
ル層6とからなる部分を、支持金属板5から分離させた
後、銅エッチングを経て、樹脂フィルム2にパターン配
線3のみを接着させた状態とする。
【0026】〔金コーティング工程〕そして、露出状態
のパターン配線3に、図3の(h)に示すように、Au
メッキを施し、表面にAu層Aを形成する。このとき、
樹脂フィルム2から突出状態とされた前記コンタクトピ
ン3aでは、全周に亙る表面全体にAu層Aが形成され
る。
のパターン配線3に、図3の(h)に示すように、Au
メッキを施し、表面にAu層Aを形成する。このとき、
樹脂フィルム2から突出状態とされた前記コンタクトピ
ン3aでは、全周に亙る表面全体にAu層Aが形成され
る。
【0027】以上の工程により、図2に示すような、樹
脂フィルム2にパターン配線3を接着させたコンタクト
プローブ16が作製される。
脂フィルム2にパターン配線3を接着させたコンタクト
プローブ16が作製される。
【0028】本実施形態では、前記第3の金属層エッチ
ング工程および前記フィルム除去工程を備えているた
め、前記従来例のように、フィルム被着工程にて使用す
る樹脂フィルム2や接着シート2aの形状を、予め正確
に形成しておく必要がない。
ング工程および前記フィルム除去工程を備えているた
め、前記従来例のように、フィルム被着工程にて使用す
る樹脂フィルム2や接着シート2aの形状を、予め正確
に形成しておく必要がない。
【0029】すなわち、ポリイミド樹脂フィルムPIと
接着シート2aとをカバーする銅箔500の領域を、エ
ッチング処理により決定して、レーザー照射区域を限定
した後に、銅箔500でカバーされていないポリイミド
樹脂フィルムPIと接着シート2aとをレーザー照射に
より除去することから、銅箔500でカバーされていな
い領域では、ポリイミド樹脂フィルムPIと接着シート
2aとが完全に除去され、パターン配線3のみを残すこ
とができる。これにより、本来、コンタクトピン3aと
すべき部分に誤って接着シート2aが付着ないし進出し
たり、樹脂フィルム2(ポリイミド樹脂フィルムPI)
が被ることがない。
接着シート2aとをカバーする銅箔500の領域を、エ
ッチング処理により決定して、レーザー照射区域を限定
した後に、銅箔500でカバーされていないポリイミド
樹脂フィルムPIと接着シート2aとをレーザー照射に
より除去することから、銅箔500でカバーされていな
い領域では、ポリイミド樹脂フィルムPIと接着シート
2aとが完全に除去され、パターン配線3のみを残すこ
とができる。これにより、本来、コンタクトピン3aと
すべき部分に誤って接着シート2aが付着ないし進出し
たり、樹脂フィルム2(ポリイミド樹脂フィルムPI)
が被ることがない。
【0030】この場合、レーザー照射区域を決める銅箔
500の領域は、マスク露光を用いたエッチング処理に
より行うため、前記パターン配線3における、前記樹脂
フィルム2を被着する(残す)部分と、樹脂フィルム2
から突出させる(樹脂フィルム2を除去する)部分との
境界を位置精度良く形成することができる。これによ
り、樹脂フィルム2から突出するコンタクトピン3aの
長さを一定に揃えることができ、また、誤って接着シー
ト2aがコンタクトピン3aに付着すること等を有効に
防止することができる。
500の領域は、マスク露光を用いたエッチング処理に
より行うため、前記パターン配線3における、前記樹脂
フィルム2を被着する(残す)部分と、樹脂フィルム2
から突出させる(樹脂フィルム2を除去する)部分との
境界を位置精度良く形成することができる。これによ
り、樹脂フィルム2から突出するコンタクトピン3aの
長さを一定に揃えることができ、また、誤って接着シー
ト2aがコンタクトピン3aに付着すること等を有効に
防止することができる。
【0031】上記の製造方法を採用することに伴い、銅
箔500は、図5に示すように、コンタクトピン3aの
基端部まで設けられ、コンタクトピン3aは、銅箔50
0の先端部からの突出量が5mm以下とされている。こ
の銅箔500は、グラウンドとして用いることができ、
それにより、プローブ装置の先端近くまでインピーダン
スマッチングをとる設計が可能となり、高周波域でのテ
ストを行う場合にも反射雑音による悪影響を防ぐことが
できる。
箔500は、図5に示すように、コンタクトピン3aの
基端部まで設けられ、コンタクトピン3aは、銅箔50
0の先端部からの突出量が5mm以下とされている。こ
の銅箔500は、グラウンドとして用いることができ、
それにより、プローブ装置の先端近くまでインピーダン
スマッチングをとる設計が可能となり、高周波域でのテ
ストを行う場合にも反射雑音による悪影響を防ぐことが
できる。
【0032】また、樹脂フィルム2(ポリイミド樹脂P
I)に張り付けられた銅箔500には、さらに以下の利
点がある。すなわち、銅箔500が無い場合、樹脂フィ
ルム2は、ポリイミド樹脂からなっているため、水分を
吸収して伸びが生じ、図6に示すように、コンタクトピ
ン3a,3a間の間隔tが変化することがあった。その
ため、コンタクトピン3aが電極パッドの所定位置に接
触することができず、正確な電気テストを行うことがで
きないという問題があった。本実施形態では、樹脂フィ
ルム2に銅箔500を張り付けて設けることにより、湿
度が変化しても前記間隔tの変化を少なくし、コンタク
トピン3aを電極パッドの所定位置に確実に接触させる
ようになっている。
I)に張り付けられた銅箔500には、さらに以下の利
点がある。すなわち、銅箔500が無い場合、樹脂フィ
ルム2は、ポリイミド樹脂からなっているため、水分を
吸収して伸びが生じ、図6に示すように、コンタクトピ
ン3a,3a間の間隔tが変化することがあった。その
ため、コンタクトピン3aが電極パッドの所定位置に接
触することができず、正確な電気テストを行うことがで
きないという問題があった。本実施形態では、樹脂フィ
ルム2に銅箔500を張り付けて設けることにより、湿
度が変化しても前記間隔tの変化を少なくし、コンタク
トピン3aを電極パッドの所定位置に確実に接触させる
ようになっている。
【0033】なお、この銅箔500には、前記フィルム
除去工程の後、第二の樹脂フィルム(図示せず)を直接
張り付けて設けてもよい。これにより、後述するプロー
ブ装置としてコンタクトプローブ16を組み込む際の締
付けに対して緩衝材となるという効果が得られる。
除去工程の後、第二の樹脂フィルム(図示せず)を直接
張り付けて設けてもよい。これにより、後述するプロー
ブ装置としてコンタクトプローブ16を組み込む際の締
付けに対して緩衝材となるという効果が得られる。
【0034】次に、前記コンタクトプローブ16を、I
C用プローブとして採用し、メカニカルパーツ60に組
み込んでプローブ装置(プローブカード)70にする構
成について説明する。
C用プローブとして採用し、メカニカルパーツ60に組
み込んでプローブ装置(プローブカード)70にする構
成について説明する。
【0035】図4は、コンタクトプローブ16をIC用
プローブとして所定形状に切り出したものを示す図であ
り、図5は、図4のC−C線断面図である。
プローブとして所定形状に切り出したものを示す図であ
り、図5は、図4のC−C線断面図である。
【0036】図4に示すように、コンタクトプローブ1
6の樹脂フィルム2には、コンタクトプローブ16を位
置合わせおよび固定するための位置合わせ孔4,9が設
けられ、また、パターン配線3から得られた信号を引き
出し用配線の接触端子10を介してプリント基板20
(図7参照)に伝えるための窓11が設けられている。
6の樹脂フィルム2には、コンタクトプローブ16を位
置合わせおよび固定するための位置合わせ孔4,9が設
けられ、また、パターン配線3から得られた信号を引き
出し用配線の接触端子10を介してプリント基板20
(図7参照)に伝えるための窓11が設けられている。
【0037】前記メカニカルパーツ60は、図7に示す
ように、マウンティングベース30と、トップクランプ
40と、ボトムクランプ50とからなっている。まず、
プリント基板20の上にトップクランプ40を取付け、
次に、コンタクトプローブ16を取り付けたマウンティ
ングベース30をトップクランプ40にボルト穴41に
ボルト42を螺合させて取り付ける(図9参照)。そし
て、ボトムクランプ50でコンタクトプローブ16を押
さえ込むことにより、パターン配線3を一定の傾斜状態
に保つとともに、下方に折曲されたコンタクトピン3a
の先端部を所定角度に設定し、該コンタクトピン3aを
ICチップに押しつける。
ように、マウンティングベース30と、トップクランプ
40と、ボトムクランプ50とからなっている。まず、
プリント基板20の上にトップクランプ40を取付け、
次に、コンタクトプローブ16を取り付けたマウンティ
ングベース30をトップクランプ40にボルト穴41に
ボルト42を螺合させて取り付ける(図9参照)。そし
て、ボトムクランプ50でコンタクトプローブ16を押
さえ込むことにより、パターン配線3を一定の傾斜状態
に保つとともに、下方に折曲されたコンタクトピン3a
の先端部を所定角度に設定し、該コンタクトピン3aを
ICチップに押しつける。
【0038】図8は、組立終了後のプローブ装置70を
示している。図9は、図8のE−E線断面図である。図
9に示すように、パターン配線3の先端、すなわちコン
タクトピン3aは、マウンティングベース30によりI
CチップIに接触している。
示している。図9は、図8のE−E線断面図である。図
9に示すように、パターン配線3の先端、すなわちコン
タクトピン3aは、マウンティングベース30によりI
CチップIに接触している。
【0039】前記マウンティングベース30には、コン
タクトプローブ16の位置を調整するための位置決めピ
ン31が設けられており、この位置決めピン31をコン
タクトプローブ16の前記位置合わせ穴4に挿入するこ
とにより、パターン配線3とICチップIとを正確に位
置合わせすることができるようになっている。コンタク
トプローブ16に設けられた窓11の部分の接触端子1
0に、ボトムクランプ50の弾性体51を押しつけて、
前記接触端子10をプリント基板20の電極21に接触
させ、パターン配線3から得られた信号を電極21を通
して外部に伝えることができるようになっている。
タクトプローブ16の位置を調整するための位置決めピ
ン31が設けられており、この位置決めピン31をコン
タクトプローブ16の前記位置合わせ穴4に挿入するこ
とにより、パターン配線3とICチップIとを正確に位
置合わせすることができるようになっている。コンタク
トプローブ16に設けられた窓11の部分の接触端子1
0に、ボトムクランプ50の弾性体51を押しつけて、
前記接触端子10をプリント基板20の電極21に接触
させ、パターン配線3から得られた信号を電極21を通
して外部に伝えることができるようになっている。
【0040】上記のように構成されたプローブ装置70
を用いて、ICチップIのプローブテスト等を行う場合
は、プローブ装置70をプローバに挿着するとともにテ
スターに電気的に接続し、所定の電気信号をパターン配
線3のコンタクトピン3aからウェーハ上のICチップ
Iに送ることによって、該ICチップIからの出力信号
がコンタクトピン3aからテスターに伝送され、ICチ
ップIの電気的特性が測定される。
を用いて、ICチップIのプローブテスト等を行う場合
は、プローブ装置70をプローバに挿着するとともにテ
スターに電気的に接続し、所定の電気信号をパターン配
線3のコンタクトピン3aからウェーハ上のICチップ
Iに送ることによって、該ICチップIからの出力信号
がコンタクトピン3aからテスターに伝送され、ICチ
ップIの電気的特性が測定される。
【0041】なお、本実施形態では、ポリイミド樹脂フ
ィルムPIと銅箔500とが一体になった二層テープか
らなる樹脂フィルム2を用いて、その銅箔500をレー
ザーを反射する不透過(通過)面として機能させたが、
本発明では、これに限るものではない。例えば、樹脂フ
ィルムをポリイミド樹脂フィルムの単体とし、レーザー
不透過面としては、別体のアルミ箔等を該ポリイミド樹
脂フィルムの上に位置決めしつつマスク(第2のマス
ク)として覆う方法でもよい。
ィルムPIと銅箔500とが一体になった二層テープか
らなる樹脂フィルム2を用いて、その銅箔500をレー
ザーを反射する不透過(通過)面として機能させたが、
本発明では、これに限るものではない。例えば、樹脂フ
ィルムをポリイミド樹脂フィルムの単体とし、レーザー
不透過面としては、別体のアルミ箔等を該ポリイミド樹
脂フィルムの上に位置決めしつつマスク(第2のマス
ク)として覆う方法でもよい。
【0042】また、本実施形態では、フィルム除去工程
において、レーザーを照射する手段を用いたが、該手段
の後にプラズマを用いたエッチング手段を用いてもよ
い。
において、レーザーを照射する手段を用いたが、該手段
の後にプラズマを用いたエッチング手段を用いてもよ
い。
【0043】さらに、本実施形態では、前記コンタクト
プローブ16をIC検査用として用いたが、本発明のコ
ンタクトプローブの用途がこれに限定されないことは勿
論である。すなわち、コンタクトプローブの切り出し形
状および該コンタクトプローブを保持するメカニカルパ
ーツを適宜のものに変更することにより、例えば、特開
平6−317788号等に開示された半導体チップソケ
ットや、特願平8−169701号等に開示された液晶
表示体(LCD)テスト用にも適用可能であることはい
うまでもない。
プローブ16をIC検査用として用いたが、本発明のコ
ンタクトプローブの用途がこれに限定されないことは勿
論である。すなわち、コンタクトプローブの切り出し形
状および該コンタクトプローブを保持するメカニカルパ
ーツを適宜のものに変更することにより、例えば、特開
平6−317788号等に開示された半導体チップソケ
ットや、特願平8−169701号等に開示された液晶
表示体(LCD)テスト用にも適用可能であることはい
うまでもない。
【0044】
【発明の効果】請求項1記載のコンタクトプローブの製
造方法によれば、前記パターン配線の上に被着した前記
フィルムの上に第2のマスクを施してマスクされていな
い部分に、レーザーを照射して前記フィルムおよび前記
接着手段のうち前記コンタクトピンに供されるパターン
配線を覆う部分を除去するフィルム除去工程を備えてい
るため、フィルム被着工程にて使用するフィルムや接着
手段の形状を、予め正確に形成しておく必要がないとい
う効果が得られる。また、第2のマスクでマスクされて
いないフィルムと接着手段とをレーザー照射により切断
することから、マスクされていない領域では、フィルム
と接着手段とが完全に除去され、パターン配線のみを残
すことができる。これにより、本来、コンタクトピンと
すべき部分に誤って接着剤が付着したり、フィルムが被
ることがない。また、マスクによりレーザー照射領域を
仕切ることができるため、前記パターン配線における、
前記フィルムを被着すべき部分とフィルムから突出させ
る部分との境界を位置精度良く形成することができ、フ
ィルムから突出してなるコンタクトピンの長さを一定に
揃えることができる。
造方法によれば、前記パターン配線の上に被着した前記
フィルムの上に第2のマスクを施してマスクされていな
い部分に、レーザーを照射して前記フィルムおよび前記
接着手段のうち前記コンタクトピンに供されるパターン
配線を覆う部分を除去するフィルム除去工程を備えてい
るため、フィルム被着工程にて使用するフィルムや接着
手段の形状を、予め正確に形成しておく必要がないとい
う効果が得られる。また、第2のマスクでマスクされて
いないフィルムと接着手段とをレーザー照射により切断
することから、マスクされていない領域では、フィルム
と接着手段とが完全に除去され、パターン配線のみを残
すことができる。これにより、本来、コンタクトピンと
すべき部分に誤って接着剤が付着したり、フィルムが被
ることがない。また、マスクによりレーザー照射領域を
仕切ることができるため、前記パターン配線における、
前記フィルムを被着すべき部分とフィルムから突出させ
る部分との境界を位置精度良く形成することができ、フ
ィルムから突出してなるコンタクトピンの長さを一定に
揃えることができる。
【0045】請求項2記載のコンタクトプローブの製造
方法によれば、フィルムの上に形成された第3の金属層
のうち前記パターン配線をカバーする部分を残してエッ
チング処理を行い、該エッチング処理した部分の第3の
金属層を除去して該部分に相当する前記フィルムを露出
させる第3の金属層エッチング工程を備えているため、
該エッチングを例えばマスク露光を用いて行うことによ
り、エッチング領域を正確に仕切ることができる。そし
て、フィルム除去工程では、前記エッチングにより第3
の金属層が除去されて露出したフィルムおよび接着手段
にレーザーを照射して該フィルムおよび接着手段を除去
するため、該フィルムおよび接着手段の正確に仕切られ
た領域が除去されて、該フィルムから突出するコンタク
トピンの長さを一定に揃えることができ、また、誤って
接着手段がコンタクトピンに付着すること等もない。
方法によれば、フィルムの上に形成された第3の金属層
のうち前記パターン配線をカバーする部分を残してエッ
チング処理を行い、該エッチング処理した部分の第3の
金属層を除去して該部分に相当する前記フィルムを露出
させる第3の金属層エッチング工程を備えているため、
該エッチングを例えばマスク露光を用いて行うことによ
り、エッチング領域を正確に仕切ることができる。そし
て、フィルム除去工程では、前記エッチングにより第3
の金属層が除去されて露出したフィルムおよび接着手段
にレーザーを照射して該フィルムおよび接着手段を除去
するため、該フィルムおよび接着手段の正確に仕切られ
た領域が除去されて、該フィルムから突出するコンタク
トピンの長さを一定に揃えることができ、また、誤って
接着手段がコンタクトピンに付着すること等もない。
【0046】請求項3記載のコンタクトプローブの製造
方法によれば、前記フィルム除去工程が、前記レーザー
の照射による手段に加えて、プラズマを用いたエッチン
グ手段により行われるため、レーザーのみの場合と比べ
て、一層、前記パターン配線における、前記フィルムを
被着すべき部分とフィルムから突出させる部分との境界
を位置精度良く形成することができ、フィルムから突出
してなるコンタクトピンの長さを一定に揃えることがで
きる。
方法によれば、前記フィルム除去工程が、前記レーザー
の照射による手段に加えて、プラズマを用いたエッチン
グ手段により行われるため、レーザーのみの場合と比べ
て、一層、前記パターン配線における、前記フィルムを
被着すべき部分とフィルムから突出させる部分との境界
を位置精度良く形成することができ、フィルムから突出
してなるコンタクトピンの長さを一定に揃えることがで
きる。
【図1】 本発明に係るコンタクトプローブの製造方法
の一実施形態の特徴部分を示す要部側断面図である。
の一実施形態の特徴部分を示す要部側断面図である。
【図2】 前記一実施形態におけるコンタクトプローブ
を示す要部斜視図である。
を示す要部斜視図である。
【図3】 前記一実施形態における製造方法を工程順に
示す要部正断面図である。
示す要部正断面図である。
【図4】 前記一実施形態におけるコンタクトプローブ
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図5】 図4のC−C線断面図である。
【図6】 前記一実施形態におけるコンタクトプローブ
を示す正断面図である。
を示す正断面図である。
【図7】 前記一実施形態におけるコンタクトプローブ
を組み込んだプローブ装置の一例を示す分解斜視図であ
る。
を組み込んだプローブ装置の一例を示す分解斜視図であ
る。
【図8】 前記プローブ装置の一例を示す要部斜視図で
ある。
ある。
【図9】 図8のE−E線断面図である。
【図10】 従来のコンタクトプローブの製造方法の一
例を工程順に示す要部正断面図である。
例を工程順に示す要部正断面図である。
【図11】 従来のコンタクトプローブの製造方法の一
例を示す斜視図である。
例を示す斜視図である。
【図12】 従来のコンタクトプローブの製造方法の一
例の欠点を示す要部側断面図である。
例の欠点を示す要部側断面図である。
2 フィルム(樹脂フィルム) 2a 接着手段(接着シート) 3 パターン配線 3a コンタクトピン 5 基板層(支持金属板) 6 第1の金属層(ベースメタル層) 7 第1のマスク(フォトレジスト層) 7a 開口部(マスクされていない部分) N 第2の金属層(NiまたはNi合金層) 16 コンタクトプローブ 500 第2のマスク,第3の金属層(銅箔)
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 植木 光芳 兵庫県三田市テクノパーク十二番の六 三 菱マテリアル株式会社三田工場内
Claims (3)
- 【請求項1】 フィルム上に複数のパターン配線を形成
しこれらのパターン配線の各先端を前記フィルムから突
出状態に配してコンタクトピンとするコンタクトプロー
ブの製造方法であって、 基板層の上に前記コンタクトピンの材質に被着または結
合する材質の第1の金属層を形成する第1の金属層形成
工程と、 前記第1の金属層の上に第1のマスクを施してマスクさ
れていない部分に、前記コンタクトピンに供される第2
の金属層をメッキ処理して前記パターン配線を形成する
メッキ処理工程と、 前記第1のマスクを取り除いた第2の金属層からなるパ
ターン配線の上に、前記フィルムを接着手段を用いて被
着するフィルム被着工程と、 前記パターン配線の上に被着した前記フィルムの上に第
2のマスクを施してマスクされていない部分に、レーザ
ーを照射して前記フィルムおよび前記接着手段のうち前
記コンタクトピンに供されるパターン配線を覆う部分を
除去するフィルム除去工程と、 前記フィルムと第2の金属層とからなる部分と、前記基
板層と第1の金属層とからなる部分とを分離する分離工
程とを備えていることを特徴とするコンタクトプローブ
の製造方法。 - 【請求項2】 第3の金属層が形成されたフィルムの、
第3の金属層形成面の裏面側に複数のパターン配線を形
成しこれらのパターン配線の各先端を前記フィルムから
突出状態に配してコンタクトピンとするコンタクトプロ
ーブの製造方法であって、 基板層の上に前記コンタクトピンの材質に被着または結
合する材質の第1の金属層を形成する第1の金属層形成
工程と、 前記第1の金属層の上に第1のマスクを施してマスクさ
れていない部分に、前記コンタクトピンに供される第2
の金属層をメッキ処理して前記パターン配線を形成する
メッキ処理工程と、 フィルムの上に形成された第3の金属層のうち前記パタ
ーン配線をカバーする部分を残してエッチング処理を行
い、該エッチング処理した部分の第3の金属層を除去し
て該部分に相当する前記フィルムを露出させる第3の金
属層エッチング工程と、 前記第1のマスクを取り除いた第2の金属層からなるパ
ターン配線の上に、前記第3の金属層エッチング工程を
経たフィルムを接着手段を用いて被着するフィルム被着
工程と、 前記パターン配線の上に被着した前記フィルムに、レー
ザーを照射して前記フィルムおよび前記接着手段のうち
前記第3の金属層でカバーされていない部分を除去する
フィルム除去工程と、 前記フィルムと第2の金属層とからなる部分と、前記基
板層と第1の金属層とからなる部分とを分離する分離工
程とを備えていることを特徴とするコンタクトプローブ
の製造方法。 - 【請求項3】 請求項1または2記載のコンタクトプロ
ーブの製造方法において、 前記フィルム除去工程は、前記レーザーの照射による手
段に加えて、プラズマを用いたエッチング手段により行
われることを特徴とするコンタクトプローブの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25392897A JPH1194876A (ja) | 1997-09-18 | 1997-09-18 | コンタクトプローブの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25392897A JPH1194876A (ja) | 1997-09-18 | 1997-09-18 | コンタクトプローブの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1194876A true JPH1194876A (ja) | 1999-04-09 |
Family
ID=17257981
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25392897A Pending JPH1194876A (ja) | 1997-09-18 | 1997-09-18 | コンタクトプローブの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1194876A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003004768A (ja) * | 2001-06-19 | 2003-01-08 | Hioki Ee Corp | 高周波プローブ |
-
1997
- 1997-09-18 JP JP25392897A patent/JPH1194876A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003004768A (ja) * | 2001-06-19 | 2003-01-08 | Hioki Ee Corp | 高周波プローブ |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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