JPH11328995A - メモリ試験装置 - Google Patents

メモリ試験装置

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JPH11328995A
JPH11328995A JP10136974A JP13697498A JPH11328995A JP H11328995 A JPH11328995 A JP H11328995A JP 10136974 A JP10136974 A JP 10136974A JP 13697498 A JP13697498 A JP 13697498A JP H11328995 A JPH11328995 A JP H11328995A
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burst
memory
test
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JP10136974A
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Hiroshi Kurosaki
寛 黒▲崎▼
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    • GPHYSICS
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    • G11CSTATIC STORES
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    • G11C7/10Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
    • G11C7/1051Data output circuits, e.g. read-out amplifiers, data output buffers, data output registers, data output level conversion circuits
    • G11C7/1066Output synchronization
    • GPHYSICS
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    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/56External testing equipment for static stores, e.g. automatic test equipment [ATE]; Interfaces therefor

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  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)
  • For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 被試験メモリがバースト・モードで、かつタ
ブルデータレート方式で動作する場合、1テスト周期で
2つのアドレスをフェイルメモリに印加可能にすると共
にプロクラマの負担を軽減する。 【解決手段】 バーストアドレス生成回路8を設け、被
試験メモリ3がバースト・モードで、かつタブルデータ
レート方式で動作する場合、パターン発生器2より入力
されるファストアドレスに適合して、1テスト周期ごと
に前記と後期で異なる2つのバーストアドレスが対応す
るように全てのバーストアドレスを演算し、その演算し
たバーストアドレスをフェイルメモリ5に与える。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は被試験メモリがバ
ースト・モードで、かつダブルデータレート方式で動作
する場合に、パターン発生器からファストアドレスのみ
を発生し、そのファストアドレスを用いて、1テスト周
期ごとに前期と後期で異なる2つのバーストアドレスが
対応するように全てのバーストアドレスをハードウェア
で演算してフェイルメモリに供給するようにして、機能
試験を2回に分けて行う必要がなく、またパターン発生
プログラムの作成を容易にしたメモリ試験装置に関す
る。
【0002】
【従来の技術】従来のメモリ試験装置の概要を図4を参
照して説明する。パターン発生器2から試験パターン信
号S1が被試験メモリ(MUTとも言う)3に、期待値
パターン信号S2が論理比較器4にそれぞれ与えられ
る。またパターン発生器2より、試験パターン信号S1
及び期待値パターン信号S2に付加されているアドレス
信号と同じアドレスを指すアドレス信号ADが不良解析
メモリ(フェイルメモリとも言う)5に与えられる。
【0003】MUT3より試験パターン信号S1に対す
る応答出力S3が論理比較器4に与えられると、論理比
較器4ではその応答出力S3と期待値パターン信号S2
とを比較し、不一致を検出する。そして不一致を検出す
るたびに論理“1”のフェイルデータFDをフェイルメ
モリ5に与える。不一致となった応答出力を発生したM
UT3の不良セルのアドレスと同じ内容のアドレス信号
ADがパターン発生器2からフェイルメモリ5に直接与
えられるので、そのアドレスに論理“1”のフェイルデ
ータFDが書き込まれる。
【0004】ところで、順々に転送されるデータの内、
特定の規定によって1単位として扱われる信号データの
固まりをバースト(burst)と呼ぶが、MUT3がバース
ト・モードで動作する場合には、パターン発生器2から
試験パターン信号S1に付加してMUT3に与えるアド
レスはバースト開始アドレス(ファストアドレスとも言
う)のみであり、それ以降のアドレスはMUT3の内部
で自動生成される。
【0005】バースト・モードで動作中のMUT3の全
てのアドレスのフェイル情報をフェイルメモリ5に取り
込むためには、ファストアドレスのみならず、MUT3
の内部で自動生成されているアドレスもパターン発生器
2で生成してフェイルメモリ5に与える必要がある。こ
のため、パターン発生器2への命令となるパターン発生
プログラム(システムコントローラ6のメモリに格納さ
れる)では、MUT3を動作させるための実アドレス・
データに加えて、フェイルメモリ5に与えるアドレス・
データも発生するようにプログラムを作成する。
【0006】いま、一例としてMUT3がバースト・モ
ードで、かつダブルデータレート方式とし、そのバース
ト長が4アドレスで、MUT3の内部で作られるバース
トアドレスが順次ARD0,ARD1,ARD2,AR
D3と変化する場合のメモリテスタの要部のタイミング
チャートを図5に示す。Aはタイミング発生器7よりパ
ターン発生器2に与えるテスト周期信号TIであり、B
はパターン発生器2よりMUT3に与えるバースト開始
アドレスであり、C及びDはMUT内部で作られるクロ
ック及びバーストアドレスである。MUT3はバースト
開始アドレスADR0を取り込むと、以降のバーストア
ドレスADR1,ADR2,ADR3を自身で作成して
いる。内部クロックの立上り及び立下り時点は、各バー
ストアドレスADRiの時間幅の丁度真中に一致するよ
うにされている。Eはパターン発生器2よりフェイルメ
モリ5に与えるバーストアドレスである。
【0007】メモリテスタでは1クロック周期が1テス
ト周期に相当する。このためダブルデータレート方式の
MUT3のフェイルセル情報をフェイルメモリ5に取り
込む場合、1テスト周期に2つのアドレスをフェイルメ
モリ5に印加するのが望ましい。しかしながら、従来の
メモリテスタでは1テスト周期に1つのアドレスしか発
生できないように構成されているため、図5に示すよう
に測定を2回に分けて行うこととして、パターン発生器
2は1回目の機能試験で各テスト周期ごとに1テスト周
期の前半のバーストアドレスADR0,ADR2を発生
して、フェイルメモリ5に与え、2回目の機能試験で各
テスト周期ごとに1テスト周期の後半のバーストアドレ
スADR1,ADR3を発生して、フェイルメモリ5に
与える。このようにして2回の試験でMUT3の全フェ
イルセル情報を取り込んでいる。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】バースト・モードで、
かつダブルデータレート方式を採用してMUT3は、1
クロック周期で2つのアドレスを内部的に発生する。こ
のMUT3のフェイルセル情報をテストシステムのフェ
イルメモリ5に取り込む場合は、MUT3の内部動作と
同様に1テスト周期で2つのアドレスをフェイルメモリ
5に印加するのが望ましい。しかしながら、従来のメモ
リテストシステムでは、1テスト周期に1つのアドレス
しかフェイルメモリに印加することができない。このた
め1テスト周期の前半のアドレス発生を行うパターン発
生プログラムと、後半のアドレス発生を行うパターン発
生プログラムを別々に用意し、機能試験を2回に分けて
行うことにより全不良セルの情報をフェイルメモリ5に
取り込んでいた。この方法ではテスト時間が2倍かかり
スループットを低下させる。またプログラムが複雑とな
り、プログラマにとって大変な負担となっている。
【0009】このような背景から、この発明は1テスト
周期で2つのアドレスをフェイルメモリ5に印加できる
と共に、プログラマにとって負担とならない技術を実現
することを目的としている。
【0010】
【課題を解決するための手段】(1)請求項1の発明
は、パターン発生器から被試験メモリに試験パターン信
号を与え、被試験メモリの応答出力と前記パターン発生
器から出力される期待値パターンとを論理比較器で比較
し、不一致を検出すると、フェイルメモリの前記不一致
の発生した被試験メモリのアドレスと同じアドレスにフ
ェイルデータが書き込まれるメモリ試験装置に関する。
【0011】請求項1では特に被試験メモリがバースト
・モードで、かつダブルデータレート方式で動作する場
合、パターン発生器より入力されるファストアドレスを
用いて、1テスト周期ごとに前期と後期で異なる2つの
バーストアドレスが対応するように全てのバーストアド
レスを演算し、その演算したバーストアドレスをフェイ
ルメモリに与えるバーストアドレス生成回路を備えたも
のである。
【0012】(2)請求項2の発明は、前記(1)にお
いて、バーストアドレス生成回路は被試験メモリがバー
スト・モードで動作するとき前記の演算したバーストア
ドレスを、またバースト・モードで無いとき前記パター
ン発生器より入力されるアドレス信号をそれぞれ切換選
択して前記フェイルメモリに与える第1のマルチプレク
サを備えているものである。
【0013】(3)請求項3の発明は、前記(1)にお
いて、バーストアドレス生成回路が、ファストアドレス
を保持するアドレス保持回路と、テスト周期信号を2逓
倍して倍速クロックを発生する回路と、その倍速クロッ
クを計数するカウンタと、そのカウンタの出力及びアド
レス保持回路より出力されるファストアドレスから全て
のバーストアドレスを演算する演算器とを具備するもの
である。
【0014】(4)請求項4の発明では、前記(3)に
おいて、バーストアドレス生成回路は、被試験メモリが
ダブルデータレート方式で動作するとき倍速クロック
を、またタブルデータレート方式で無いときテスト周期
信号をそれぞれ切換選択してカウンタに与える第2のマ
ルチプレクサを備えているものである。 (5) 請求項5の発明は、前記(3)において、カウ
ンタは予めバースト長Nに応じて最大カウント数N−1
が設定され、クロックを計数して0→1→2→…(N−
1)→0→1…と変化する計数値を出力するようにした
ものである。
【0015】(6) 請求項6の発明は、前記(3)に
おいて、演算器が加算器より成るものである。
【0016】
【発明の実施の形態】この発明の実施例を図1に、図4
と対応する部分に同じ符号を付して示し、重複説明を省
略する。この発明では、MUT3がバースト・モード
で、かつタブルデータ方式で動作する場合に、パターン
発生器2よりファストアドレスのみを与えられ、そのフ
ァストアドレスに適合して、1テスト周期ごとに前期と
後期で異なる2つのバーストアドレスが対応するように
全てのバーストアドレスを順次演算してフェイルメモリ
5に与えることのできるバーストアドレス生成回路8を
追加している。これによって、1回の機能試験を実行す
れば、全てのアドレスのフェイル情報をフェイルメモリ
に取り込み、テスト時間を従来の1/2に短縮できると
共に、パターン発生器2では従来MUT3に与えていた
ファストアドレスのみをアドレス信号ADとしてバース
トアドレス生成回路8に与えればよくなり、パターン発
生プログラムが極めて簡単になる。
【0017】バーストアドレス生成回路8は、アドレス
保持回路9と、カウンタ10と、加算器11と、マルチ
プレクサ12と、可変遅延回路13及びオア回路14と
より成る倍速クロック発生回路15と、マルチプレクサ
16とで構成される。可変遅延回路13に設定する遅延
量は1/2テスト周期である。バースト・モードのMU
T3を試験する場合は、システムコントローラ6から与
えられるセレクト信号によってマルチプレクサ12のb
〜c間が接続される。またMUT3がダブルデータレー
ト方式である場合には、同様にしてマルチプレクサ16
のb〜c間が接続される。また、システムコントローラ
6は、カウンタ出力が0→1→2…(N−1)と変化す
るときの最大カウント数N−1をバースト長N(アドレ
ス)に合わせて予めカウンタ10に設定する。
【0018】パターン発生器2よりアドレス信号ADと
してバースト開始アドレス(スタートアドレス)ADR
0(図2A)が出力され、アドレス保持回路9に書き込
まれる(図2D)。カウンタ10は倍速クロック発生回
路15より与えられるクロックパルス(図2F)を計数
して、バースト長N=4アドレスで、最大カウント数N
−1が3の場合、つまり2進、2桁の場合に、0→1→
2→3→0→1→2→3→0→1…と変化する計数値を
出力する(図2G)。この計数出力は加算器(一般には
演算器)11でアドレス保持回路9より出力されるファ
ストアドレスADR0と加算されて、ADR0→ADR
0+1→ADR0+2→ADR0+3→ADR0→と変
化するバーストアドレスがマルチプレクサ12を介して
フェイルメモリ5のアドレス入力端子Aに与えられる
(図2H)。
【0019】MUT3がバースト・モードで動作するけ
れども、ダブルデータレート方式で無い場合には、マル
チプレクサ16のa〜c間が接続され、タイミング発生
器7より与えられるテスト周期信号TIがカウンタ10
に与えられる。このときのタイミングチャートを図3に
示す。なお、MUT3がバースト・モードで無いとき
は、マルチプレクサ12のa〜c間が接続され、パター
ン発生器2のアドレス信号ADが従来と同様にフェイル
メモリ5に与えられる。
【0020】
【発明の効果】 この発明では、MUT3がバースト
・モードで、かつダブルデータレート方式で動作する場
合、パターン発生器2より入力されてファストアドレス
に適合して、1テスト周期ごとに2つのバーストアドレ
スが対応するように、全てのバーストアドレスを演算
し、その演算したアドレスをフェイルメモリ5に与える
バーストアドレス生成回路8を追加したので、1回の機
能試験を実行すれば、全てのアドレスのフェイル情報を
フェイルメモリに取り込み、テスト時間を従来の1/2
に短縮できる。
【0021】 パターン発生器2に対するパターン発
生プログラムでは、バーストアドレス生成回路8に与え
るアドレス信号ADとして従来よりMUT3に与えてい
たファストアドレスと同じアドレスを与えるようにプロ
グラムを作成すればよいので、従来に比べて大幅に簡単
化できる。 パターン発生器2よりバーストアドレス生成回路8
に与えるファストアドレス以降は、任意のアドレスを発
生するようにして、そのアドレスを例えばMUT3内の
メモリバンクのプリチャージに使用するなど、種々の応
用が期待できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の実施例を示すブロック図。
【図2】図1のMUT3がバースト・モードで、かつダ
ブルデータレート方式で動作する場合の要部の信号波形
図。
【図3】図1のMUT3がバースト・モードで動作する
も、ダブルデータレート方式で無い場合の要部の信号波
形図。
【図4】従来のメモリ試験装置のブロック図。
【図5】図4のMUT3がバースト・モードで、かつダ
ブルデータレート方式で動作する場合の要部の信号波形
図。

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 パターン発生器から被試験メモリに試験
    パターン信号を与え、被試験メモリの応答出力と前記パ
    ターン発生器から出力される期待値パターンとを論理比
    較器で比較し、不一致を検出すると、フェイルメモリの
    前記不一致の発生した被試験メモリのアドレスと同じア
    ドレスにフェイルデータを書き込むメモリ試験装置にお
    いて、 被試験メモリがバースト・モードで、かつダブルデータ
    レート方式で動作する場合、前記パターン発生器より入
    力されるファストアドレスを用いて、1テスト周期ごと
    に前期と後期で異なる2つのバーストアドレスが対応す
    るように全てのバーストアドレスを演算し、その演算し
    たバーストアドレスを前記フェイルメモリに与えるバー
    ストアドレス生成回路を備えたことを特徴とするメモリ
    試験装置。
  2. 【請求項2】 請求項1において、前記バーストアドレ
    ス生成回路は、被試験メモリがバースト・モードで動作
    するとき前記の演算したバーストアドレスを、またバー
    スト・モードで無いとき前記パターン発生器より入力さ
    れるアドレス信号をそれぞれ切換選択して、前記フェイ
    ルメモリに与える第1のマルチプレクサを備えているこ
    とを特徴とするメモリ試験装置。
  3. 【請求項3】 請求項1において、前記バーストアドレ
    ス生成回路が、前記ファストアドレスを保持するアドレ
    ス保持回路と、テスト周期信号を2逓倍して倍速クロッ
    クを発生する回路と、その倍速クロックを計数するカウ
    ンタと、そのカウンタの出力及び前記アドレス保持回路
    より出力されるファストアドレスから全てのバーストア
    ドレスを演算する演算器とを具備することを特徴とする
    メモリ試験装置。
  4. 【請求項4】 請求項3において、前記バーストアドレ
    ス生成回路は、被試験メモリがダブルデータレート方式
    で動作するとき前記の倍速クロックを、またダブルデー
    タレート方式で無いとき前記テスト周期信号をそれぞれ
    切換選択して前記カウンタに与える第2のマルチプレク
    サを備えていることを特徴とするメモリ試験装置。
  5. 【請求項5】 請求項3において、前記カウンタは予め
    バースト長Nに応じて最大カウント数N−1が設定さ
    れ、クロックを計数して0→1→2→…→(N−1)→
    0→1…と変化する計数値を出力することを特徴とする
    メモリ試験装置。
  6. 【請求項6】 請求項3において、前記演算器が加算器
    より成ることを特徴とするメモリ試験装置。
JP10136974A 1998-05-19 1998-05-19 メモリ試験装置 Withdrawn JPH11328995A (ja)

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