JPH1135552A5 - - Google Patents
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- JPH1135552A5 JPH1135552A5 JP1997198955A JP19895597A JPH1135552A5 JP H1135552 A5 JPH1135552 A5 JP H1135552A5 JP 1997198955 A JP1997198955 A JP 1997198955A JP 19895597 A JP19895597 A JP 19895597A JP H1135552 A5 JPH1135552 A5 JP H1135552A5
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【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、前記の優れた機能を有する新規なジアゾメタン化合物を開発すべく鋭意研究を重ねた結果、低級アルコキシアルキルオキシ基を有するシクロヘキサン環又は７，７‐ジメチル‐ビシクロ［２．２．１］ヘプタン環を両端にもつ特定構造のビススルホニルジアゾメタンが、文献未載の新規な化合物であって、その目的に適合しうることを見出し、この知見に基づいて本発明を完成するに至った。
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、前記の優れた機能を有する新規なジアゾメタン化合物を開発すべく鋭意研究を重ねた結果、低級アルコキシアルキルオキシ基を有するシクロヘキサン環又は７，７‐ジメチル‐ビシクロ［２．２．１］ヘプタン環を両端にもつ特定構造のビススルホニルジアゾメタンが、文献未載の新規な化合物であって、その目的に適合しうることを見出し、この知見に基づいて本発明を完成するに至った。
【００３０】
（２）ポジ型レジスト組成物の調製
実施例１−（２）において、酸発生剤を上記（１）で得たビス〔２‐［１‐エトキシエチルオキシ］‐７，７‐ジメチルビシクロ［２．２．１］ヘプタニルメチルスルホニル〕ジアゾメタン７重量部に変えた以外は、実施例１−（２）と同様にしてポジ型レジスト組成物を調製した。
このポジ型レジスト組成物について、諸特性を評価した結果、感度は１８ｍＪ／ｃｍ2、解像性は０．２１μｍ、レジストパターン形状は○、引き置き経時安定性は４、残膜率は９８％であった。
（２）ポジ型レジスト組成物の調製
実施例１−（２）において、酸発生剤を上記（１）で得たビス〔２‐［１‐エトキシエチルオキシ］‐７，７‐ジメチルビシクロ［２．２．１］ヘプタニルメチルスルホニル〕ジアゾメタン７重量部に変えた以外は、実施例１−（２）と同様にしてポジ型レジスト組成物を調製した。
このポジ型レジスト組成物について、諸特性を評価した結果、感度は１８ｍＪ／ｃｍ2、解像性は０．２１μｍ、レジストパターン形状は○、引き置き経時安定性は４、残膜率は９８％であった。
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