JPH1136055A

JPH1136055A - 電子機器用銅合金材の製造方法

Info

Publication number: JPH1136055A
Application number: JP9191499A
Authority: JP
Inventors: Yoshinori Yamamoto; 佳紀山本; Takeshi Shimada; 健嶋田
Original assignee: Hitachi Cable Ltd
Current assignee: Hitachi Cable Ltd
Priority date: 1997-07-16
Filing date: 1997-07-16
Publication date: 1999-02-09
Anticipated expiration: 2017-07-16
Also published as: JP3465541B2

Abstract

(57)【要約】【課題】エッチングによるリード成形性に優れ、か
つ、マトリックス中における結晶粒および析出物サイズ
が微細な電子機器用銅合金材の製造方法を提供するもの
である。【解決手段】少なくともＮｉとＳｉを含有する銅合金
に、溶体化処理と時効処理を施してなるリードフレーム
などの電子機器用銅合金材の製造方法において、上記銅
合金に７５０〜８１０℃の温度範囲で上記溶体化処理を
施した後、その銅合金に加工率６０％以上の第１次冷間
加工を施し、その後、その銅合金に３７０〜４７０℃×
０．５〜３ｈｒの第１次時効処理を施した後、その銅合
金に再び加工率５０％以下の第２次冷間加工を施し、そ
の後、その銅合金に４００〜５００℃×０．５〜３ｈｒ
の第２次時効処理を施すものである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電子機器用銅合金
材の製造方法に係り、特に、半導体部品のリードフレー
ムなどに用いる電子機器用銅合金材の製造方法に関する
ものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体集積回路の高集積化によって、リ
ードフレーム材の多ピン化、ピン幅・ピンピッチの縮小
化が進んでいる。こうした多ピンリードフレームには、
材料の薄板化が必要であり、これに対応できる高強度と
消費電力増に対応できる放熱性を持った銅合金が用いら
れている。

【０００３】Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系の銅合金は析出硬化性
を示す合金であり、熱処理によってＮｉとＳｉの化合物
を微細な形状に析出させると、高い強度と良好な熱・電
気伝導性が得られるため、多ピンリードフレーム用の材
料に適している。

【０００４】一般に、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系のような析出
硬化性銅合金の製造方法は、銅合金インゴットに成形加
工を施して銅合金材を形成し、その銅合金材に高温加熱
（溶体化処理）を施すことにより、不均一に析出した合
金元素（析出元素）をＣｕマトリックス中に固溶させ、
その後、銅合金材に第１次冷間加工を施した後、所定温
度に加熱（時効処理）することにより、Ｃｕマトリック
ス中に固溶元素を均一に析出させ、その後、第２次冷間
加工を施すものである。

【０００５】例えば、結晶粒度が５μｍ以上になるよう
に７００℃以上の温度で溶体化処理を施した後、順次、
加工度９５％以下の冷間加工、３５０〜７００℃の時効
処理、加工度２０〜９５％の冷間加工、および１５０〜
８００℃の熱処理を施す方法などがある（特開昭６１−
２５０１５４号公報）。

【０００６】従来のＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系析出硬化性銅合
金の製造方法における溶体化処理は、析出元素のマトリ
ックス中への固溶を促進させる目的から高温（９００℃
程度）で施されることが多い。また、その後の冷間加工
と時効処理条件の選択については、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系
析出硬化性銅合金の導電率や強度の向上のみを目的とす
ることも多いため、比較的高温（５００〜６００℃）で
時効処理することも見受けられる。

【０００７】リードフレームの外形加工には、スタンピ
ング法とエッチング法が挙げられるが、２００ピンを超
えるような高密多ピンフレームでは微細加工が比較的容
易なエッチング法が用いられている。

【０００８】高密多ピンフレームにおいては、インナー
リードのピン幅が狭く、ワイヤボンディングに必要とさ
れるピン幅の略限界に達しており、また、ピンピッチも
狭くなるため、エッチング時にインナーリードの直線性
および寸法精度を正確にコントロールすることが重要に
なる。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、インナ
ーリードの直線性および寸法精度は、エッチングの処理
条件以外にも、材料の結晶組織や析出物の形態による影
響も大きく、結晶組織における粒界部と結晶粒内部で被
エッチング性が異なることにより、結晶粒が大きく成長
した材料はエッチング面に組織模様の凹凸が生じやす
い。また、析出物の大きさもエッチング性に影響を与
え、析出物が大きい場合にはエッチング面に凹凸が生じ
やすい。このような凹凸の発生により、インナーリード
の直線性や寸法精度の悪化が生じる。

【００１０】Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系析出硬化性銅合金で
は、溶体化や時効のための熱処理工程が必要であるが、
その際、結晶粒が粗大になったり、析出物が大きく成長
するおそれがあった。

【００１１】すなわち、従来の製造方法においては、析
出元素のマトリックス中への固溶を促進させる目的から
溶体化処理を高温（９００℃程度）で行うことが多いた
め、高温の加熱により結晶粒が成長して粗大な結晶組織
になる可能性が高い。

【００１２】また、時効処理も、固溶元素の析出を十分
に進行させるために比較的高温で加熱する場合が多いた
め、結晶粒が過度に成長して粗大な結晶組織になるおそ
れがあると共に、析出物サイズが大きくなりやすい。

【００１３】そこで本発明は、上記課題を解決し、エッ
チングによるリード成形性に優れ、かつ、マトリックス
中における結晶粒および析出物サイズが微細な電子機器
用銅合金材の製造方法を提供することにある。

【００１４】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に請求項１の発明は、少なくともＮｉとＳｉを含有する
銅合金に、溶体化処理と時効処理を施してなるリードフ
レームなどの電子機器用銅合金材の製造方法において、
上記銅合金に７５０〜８１０℃の温度範囲で上記溶体化
処理を施した後、その銅合金に加工率６０％以上の第１
次冷間加工を施し、その後、その銅合金に３７０〜４７
０℃×０．５〜３ｈｒの第１次時効処理を施した後、そ
の銅合金に再び加工率５０％以下の第２次冷間加工を施
し、その後、その銅合金に４００〜５００℃×０．５〜
３ｈｒの第２次時効処理を施すものである。

【００１５】請求項２の発明は、上記銅合金が、少なく
ともＮｉを１．０〜５．０ｗｔ％、Ｓｉを０．２〜１．
０ｗｔ％、Ｚｎを１．０〜５．０ｗｔ％、Ｐを０．００
３〜０．３ｗｔ％含有すると共に、Ｎｉ／Ｓｉの重量比
が４．５〜５．５である請求項１記載の電子機器用銅合
金材の製造方法である。

【００１６】上記数値範囲を規定した理由を以下に説明
する。

【００１７】溶体化処理の温度範囲を７５０〜８１０℃
と規定したのは、溶体化処理温度が７５０℃よりも低い
と溶体化が十分に進行せず、後の時効処理において、固
溶しきれなかった析出元素の粗大化が生じ、高強度が得
られないと共に、エッチングのリード成形性が低下する
ためである。また、溶体化処理温度が８１０℃よりも高
いと析出元素の固溶は十分に進行するが、結晶粒の粗大
化が生じ、最終材において微細な結晶粒が得られないと
共に、エッチングのリード成形性が低下するためであ
る。

【００１８】第１次冷間加工の加工率を６０％以上と規
定したのは、加工率が６０％よりも低いと結晶粒の微細
化が不十分になるおそれがあると共に、次の時効処理工
程における微細析出物の析出が不十分になるおそれがあ
るためである。

【００１９】第１次時効処理を３７０〜４７０℃×０．
５〜３ｈｒと規定したのは、時効処理温度・時間が３７
０℃よりも低い又は０．５時間よりも短いと、時効によ
る固溶元素の析出が十分に進行せず、最終材において良
好な強度および導電率が得られないためである。また、
時効処理温度・時間が４７０℃よりも高い又は３時間よ
りも長いと、時効により粗大析出物の析出が生じ、最終
材において高強度が得られないと共に、再結晶が進行し
て結晶粒径が大きくなるためである。

【００２０】第２次冷間加工の加工率を５０％以下と規
定したのは、加工率が５０％よりも高いと次の時効処理
によって粗大析出物が析出しやすくなると共に、最終材
での残留歪みが大きくなり、リード成形時に反りが生じ
るためである。

【００２１】第２次時効処理を４００〜５００℃×０．
５〜３ｈｒと規定したのは、時効処理温度・時間が４０
０℃よりも低い又は０．５時間よりも短いと、新たな析
出物の析出が十分に進行しないと共に、残留歪みが大き
くなり、リード成形時に反りが生じ易くなるためであ
る。また、時効処理温度・時間が５００℃よりも高い又
は３時間よりも長いと、時効により粗大析出物の析出が
生じ、最終材において高強度が得られないと共に、再結
晶が進行して結晶粒径が大きくなるためである。

【００２２】ＮｉおよびＳｉの添加量を、それぞれ１．
０〜５．０ｗｔ％、０．２〜１．０ｗｔ％と規定したの
は、時効処理後の固溶元素量を減少させるためであり、
添加量がそれぞれ１．０ｗｔ％、０．２ｗｔ％よりも少
ないと、析出による高強度化が十分ではなく、添加量が
それぞれ５．０ｗｔ％、１．０ｗｔ％よりも多いと、析
出しきれない固溶元素量が増加するためである。

【００２３】Ｎｉ／Ｓｉの重量比を４．５〜５．５と規
定したのは、ＮｉとＳｉがＮｉ₂Ｓｉとして析出するも
のであり、余剰分として存在するＮｉ若しくはＳｉの量
を少なくするためである。

【００２４】Ｚｎは半田付け時の界面剥離を防ぐ効果が
あり、Ｚｎの添加量を１．０〜５．０ｗｔ％と規定した
のは、添加量が１．０ｗｔ％よりも少ないと前述した効
果が十分ではなく、添加量が５．０ｗｔ％よりも多いと
特に導電性を低下させるためである。

【００２５】Ｐは脱酸材としての効果があると共に、鋳
造時のＳｉの酸化による悪影響を防止する効果があり、
Ｐの添加量を０．００３〜０．３ｗｔ％と規定したの
は、添加量が０．００３ｗｔ％よりも少ないと前述した
効果が十分ではなく、添加量が０．３ｗｔ％よりも多い
と特に導電性を低下させるためである。

【００２６】以上の構成によれば、少なくともＮｉとＳ
ｉを含有する銅合金に、溶体化処理と時効処理を施して
なるリードフレームなどの電子機器用銅合金材の製造方
法において、上記銅合金に７５０〜８１０℃の温度範囲
で上記溶体化処理を施した後、その銅合金に加工率６０
％以上の第１次冷間加工を施し、その後、その銅合金に
３７０〜４７０℃×０．５〜３ｈｒの第１次時効処理を
施した後、その銅合金に再び加工率５０％以下の第２次
冷間加工を施し、その後、その銅合金に４００〜５００
℃×０．５〜３ｈｒの第２次時効処理を施すため、エッ
チングによるリード成形性に優れ、かつ、マトリックス
中における結晶粒および析出物サイズが微細な電子機器
用銅合金材を得ることができる。

【００２７】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を説明
する。

【００２８】本発明の電子機器用銅合金材の製造方法
は、先ず、所定の化学組成の銅合金インゴットに、成形
加工（押出加工、冷間加工など）を施して銅合金材を形
成する。

【００２９】銅合金インゴットは、少なくともＮｉを
１．０〜５．０ｗｔ％、Ｓｉを０．２〜１．０ｗｔ％、
Ｚｎを１．０〜５．０ｗｔ％、Ｐを０．００３〜０．３
ｗｔ％含有するものであり、Ｎｉ／Ｓｉの重量比は４．
５〜５．５である。ここで、特に好ましい化学組成範囲
は、Ｎｉが１．５〜２．５ｗｔ％、Ｓｉが０．３〜０．
５ｗｔ％、Ｚｎが１．５〜３．０ｗｔ％、Ｐが０．０１
〜０．０５ｗｔ％である。

【００３０】この銅合金材に、結晶粒の粗大化を防止す
ると共に、析出元素を十分に固溶させるべく、７５０〜
８１０℃の温度範囲で溶体化処理を施す。ここで、特に
好ましい溶体化処理の温度範囲は、７８０〜８００℃で
ある。

【００３１】その後、溶体化処理を施した銅合金材に、
加工率６０％以上の第１次冷間加工を施す。この第１次
冷間加工によって、銅合金材の結晶粒を微細化させると
共に、固溶元素析出の起点となる格子欠陥を導入し、第
１次時効処理時における微細析出物の形成を促進させ
る。特に、エッチング時のリード成形性を向上させるた
めには、銅合金材の結晶粒を十分に微細化させることが
必要であり、この第１次冷間加工の加工率を高めること
により、結晶粒微細化の効果が大きくなる。

【００３２】その後、第１次冷間加工後の銅合金材に、
第１次時効処理を施す。第１次時効処理においては、固
溶元素を微細な形状で多量に析出させることが重要であ
るが、本発明においては、第１次冷間加工の加工率が高
いため、固溶元素の析出が進行し易いと共に、粗大析出
物が析出し易くなっている。このため、第１次時効処理
の温度・時間条件を３７０〜４７０℃×０．５〜３ｈｒ
とし、粗大析出物の析出を抑えると共に、固溶元素を微
細な形状で多量に析出させる。ここで、特に好ましい第
１次時効処理の温度・時間条件は、４４０〜４６０℃×
１〜２ｈｒである。

【００３３】第１次時効処理のみではマトリックス中の
固溶元素が析出しきれないため、第１次時効処理後にお
いても固溶状態で残留する合金元素がある。このため、
このままでは最終材において良好な導電率を達成するこ
とが不十分となる。そこで、固溶状態で残留する合金元
素を析出させるための起点となる格子欠陥を導入すべ
く、第１次時効処理後の銅合金材に、加工率５０％以下
の第２次冷間加工を施す。

【００３４】その後、第２次冷間加工後の銅合金材に、
第２次時効処理を施す。第２次時効処理においては、粗
大析出物の発生を抑えると共に、結晶粒径を微細に保ち
ながら、新たな析出物を発生させ、固溶元素量を減らす
ことが重要である。このため、第２次時効処理の温度・
時間条件は４００〜５００℃×０．５〜３ｈｒとする。
ここで、特に好ましい第２次時効処理の温度・時間条件
は、４００〜４６０℃×１〜２ｈｒである。

【００３５】銅合金材に第２次時効処理を施すことによ
って、最終材である電子機器用銅合金材を得る。

【００３６】すなわち、本発明の電子機器用銅合金材の
製造方法によれば、銅合金材に対する溶体化処理温度、
各冷間加工の加工率、および各時効処理の処理温度を規
定しているため、得られる電子機器用銅合金材は、エッ
チングによるリード成形性に優れ、かつ、マトリックス
中における結晶粒および析出物サイズが微細になる。

【００３７】また、マトリックス中における結晶粒およ
び析出物サイズが微細であるため、高強度および良好な
電気・熱伝導性を有している。

【００３８】さらに、エッチングによるリード成形性に
優れているため、本発明の製造方法により得られた電子
機器用銅合金材を、より小型・多ピンのリードフレーム
の材料として供することができる。

【００３９】

【実施例】

（実施例１）無酸素銅を高周波溶解炉で溶解すると共
に、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｚｎ、Ｐを適宜添加し、この溶湯を鋳
型に注入して直径３０ｍｍ、長さ２５０ｍｍ、かつ、化
学組成が、Ｎｉ：２．５ｗｔ％、Ｓｉ：０．５ｗｔ％、
Ｚｎ：１．５ｗｔ％、Ｐ：０．０３ｗｔ％、Ｎｉ／Ｓｉ
の重量比：５．０の銅合金インゴット（試料Ａ）を鋳造
する。

【００４０】（実施例２）実施例１と同様にして直径３
０ｍｍ、長さ２５０ｍｍ、かつ、化学組成が、Ｎｉ：
３．５ｗｔ％、Ｓｉ：０．７ｗｔ％、Ｚｎ：３．５ｗｔ
％、Ｐ：０．０３ｗｔ％、Ｎｉ／Ｓｉの重量比：５．０
の銅合金インゴット（試料Ｂ）を鋳造する。

【００４１】（比較例１）実施例１と同様にして直径３
０ｍｍ、長さ２５０ｍｍ、かつ、化学組成が、Ｎｉ：
６．０ｗｔ％、Ｓｉ：１．２ｗｔ％、Ｚｎ：１．５ｗｔ
％、Ｐ：０．０３ｗｔ％、Ｎｉ／Ｓｉの重量比：５．０
の銅合金インゴット（試料Ｃ）を鋳造する。

【００４２】（比較例２）実施例１と同様にして直径３
０ｍｍ、長さ２５０ｍｍ、かつ、化学組成が、Ｎｉ：
２．０ｗｔ％、Ｓｉ：０．５ｗｔ％、Ｚｎ：１．５ｗｔ
％、Ｐ：０．０３ｗｔ％、Ｎｉ／Ｓｉの重量比：４．０
の銅合金インゴット（試料Ｄ）を鋳造する。

【００４３】（比較例３）実施例１と同様にして直径３
０ｍｍ、長さ２５０ｍｍ、かつ、化学組成が、Ｎｉ：
３．０ｗｔ％、Ｓｉ：０．５ｗｔ％、Ｚｎ：１．５ｗｔ
％、Ｐ：０．０３ｗｔ％、Ｎｉ／Ｓｉの重量比：６．０
の銅合金インゴット（試料Ｅ）を鋳造する。実施例１、
２および比較例１〜３の銅合金インゴットの化学組成を
表１に示す。

【００４４】

【表１】

【００４５】次に、試料Ａ〜Ｅの銅合金インゴットを用
いて、電子機器用銅合金材を作製する。

【００４６】（実施例３）実施例１の銅合金インゴット
を８５０℃に加熱すると共に、銅合金インゴットに押出
加工を施して、幅２０ｍｍ、厚さ８ｍｍの板状に形成す
る。この板状銅合金材に冷間圧延加工を施し、厚さ０．
７ｍｍの薄板状銅合金材に形成する。

【００４７】次に、この薄板状銅合金材を８００℃に加
熱した後、水中に投入して急冷し、薄板状銅合金材に溶
体化処理を施す。溶体化後の薄板状銅合金材に加工率７
０％の第１次冷間圧延加工を施し、厚さ０．２１ｍｍに
形成する。

【００４８】その後、この薄板状銅合金材に４６０℃×
１ｈｒの第１次時効処理を施す。この薄板状銅合金材に
加工率約２９％の第２次冷間圧延加工を施し、厚さ０．
１５ｍｍに形成する。

【００４９】その後、この薄板状銅合金材に４００℃×
１ｈｒの第２次時効処理を施して、電子機器用銅合金材
（試料Ｎｏ．１）を作製する。

【００５０】（実施例４）実施例１の銅合金インゴット
を用い、第１次時効処理を４４０℃×１ｈｒ、第２次時
効処理を４２０℃×１ｈｒとする以外は実施例３と同様
にして電子機器用銅合金材（試料Ｎｏ．２）を作製す
る。

【００５１】（実施例５）実施例１の銅合金インゴット
を用い、第１次時効処理を４００℃×１ｈｒ、第２次時
効処理を４５０℃×１ｈｒとする以外は実施例３と同様
にして電子機器用銅合金材（試料Ｎｏ．３）を作製す
る。

【００５２】（比較例４）実施例１の銅合金インゴット
を用い、溶体化処理温度を８３０℃とする以外は実施例
３と同様にして電子機器用銅合金材（試料Ｎｏ．４）を
作製する。

【００５３】（比較例５）実施例１の銅合金インゴット
を用い、溶体化処理温度を７４０℃とする以外は実施例
３と同様にして電子機器用銅合金材（試料Ｎｏ．５）を
作製する。

【００５４】（比較例６）実施例１の銅合金インゴット
を用い、第１次冷間加工の加工率を５０％とする以外は
実施例３と同様にして電子機器用銅合金材（試料Ｎｏ．
６）を作製する。

【００５５】（比較例７）実施例１の銅合金インゴット
を用い、第１次時効処理を４８０℃×１ｈｒ、第２次時
効処理を３８０℃×１ｈｒとする以外は実施例３と同様
にして電子機器用銅合金材（試料Ｎｏ．７）を作製す
る。

【００５６】（比較例８）実施例１の銅合金インゴット
を用い、第１次時効処理を３６０℃×１ｈｒ、第２次時
効処理を４６０℃×１ｈｒとする以外は実施例３と同様
にして電子機器用銅合金材（試料Ｎｏ．８）を作製す
る。

【００５７】（比較例９）実施例１の銅合金インゴット
を用い、第２次冷間加工の加工率を６０％とする以外は
実施例３と同様にして電子機器用銅合金材（試料Ｎｏ．
９）を作製する。

【００５８】（比較例１０）実施例１の銅合金インゴッ
トを用い、第２次時効処理を３８０℃×１ｈｒとする以
外は実施例３と同様にして電子機器用銅合金材（試料Ｎ
ｏ．１０）を作製する。

【００５９】（比較例１１）実施例１の銅合金インゴッ
トを用い、第２次時効処理を５２０℃×１ｈｒとする以
外は実施例３と同様にして電子機器用銅合金材（試料Ｎ
ｏ．１１）を作製する。

【００６０】（実施例６）実施例２の銅合金インゴット
を用い、実施例３と同様にして電子機器用銅合金材（試
料Ｎｏ．１２）を作製する。

【００６１】（比較例１１）比較例１の銅合金インゴッ
トを用い、実施例３と同様にして電子機器用銅合金材
（試料Ｎｏ．１３）を作製する。

【００６２】（比較例１２）比較例２の銅合金インゴッ
トを用い、実施例３と同様にして電子機器用銅合金材
（試料Ｎｏ．１４）を作製する。

【００６３】（比較例１３）比較例３の銅合金インゴッ
トを用い、実施例３と同様にして電子機器用銅合金材
（試料Ｎｏ．１４）を作製する。

【００６４】実施例３〜６および比較例４〜１４の電子
機器用銅合金材の製造条件を表２に示す。

【００６５】

【表２】

【００６６】次に、試料Ｎｏ．１〜１４について、引張
強さ（ＭＰａ）、導電率（％ＩＡＣＳ）、結晶粒径（μ
ｍ）を測定した。その測定結果を表３に示す。

【００６７】

【表３】

【００６８】表３に示すように、試料Ｎｏ．１〜３およ
び１２は、本発明の電子機器用銅合金材の製造方法に基
づいて作製しているため、７００ＭＰａ以上の引張強
さ、４０％ＩＡＣＳ以上の導電率、微細な結晶粒が得ら
れた。

【００６９】これに対して、試料Ｎｏ．４，５は、溶体
化処理温度（８３０℃、７４０℃）が規定範囲（７５０
〜８１０℃）外であるため、溶体化処理温度が高すぎる
試料Ｎｏ．４においては結晶粒が粗大（２００μｍ）に
なっており、逆に、溶体化処理温度が低すぎる試料Ｎ
ｏ．５においては引張強さが７００ＭＰａ以下（６２８
ＭＰａ）となると共に、導電率が４０％ＩＡＣＳ以下
（３８．０％ＩＡＣＳ）となっている。

【００７０】試料Ｎｏ．６は、第１次冷間加工の加工率
（５０％）が規定範囲（６０％以上）外であるため、結
晶粒が粗大（１２０μｍ）になっている。

【００７１】試料Ｎｏ．７，８は、第１次時効処理温度
（４８０℃、３６０℃）が規定範囲（３７０〜４７０
℃）外であるため、第１次時効処理温度が高すぎる試料
Ｎｏ．７においては引張強さが７００ＭＰａ以下（６３
６ＭＰａ）となると共に、結晶粒が粗大（１２０μｍ）
になっており、逆に、第１次時効処理温度が低すぎる試
料Ｎｏ．８においては引張強さが７００ＭＰａ以下（６
１０ＭＰａ）、導電率が４０％ＩＡＣＳ以下（３９．６
％ＩＡＣＳ）となっていると共に、結晶粒が粗大（１２
０μｍ）になっている。

【００７２】試料Ｎｏ．９は、第２次冷間加工の加工率
（６０％）が規定範囲（５０％以下）外であるため、引
張強さが７００ＭＰａ以下（６３０ＭＰａ）となってい
る。

【００７３】試料Ｎｏ．１０，１１は、第２次時効処理
温度（３８０℃、５２０℃）が規定範囲（４００〜５０
０℃）外であるため、第２次時効処理温度が低すぎる試
料Ｎｏ．１０においては導電率が４０％ＩＡＣＳ以下
（３９．２％ＩＡＣＳ）となっており、逆に、第２次時
効処理温度が高すぎる試料Ｎｏ．１１においては引張強
さが７００ＭＰａ以下（５８０ＭＰａ）となっていると
共に、結晶粒が粗大（２００μｍ）になっている。

【００７４】試料Ｎｏ．１３に用いた銅合金材の化学組
成において、Ｎｉ／Ｓｉの重量比（５．０）は規定範囲
（４．５〜５．５）内であるものの、ＮｉおよびＳｉの
含有量（それぞれ、６．０ｗｔ％、１．２ｗｔ％）が規
定範囲（それぞれ、１．０〜５．０ｗｔ％、０．２〜
１．０ｗｔ％）外であるため、導電率が４０％ＩＡＣＳ
以下（３６．４％ＩＡＣＳ）となっている。

【００７５】試料Ｎｏ．１４に用いた銅合金材の化学組
成において、ＮｉおよびＳｉの含有量（それぞれ、２．
０ｗｔ％、０．５ｗｔ％）は規定範囲（それぞれ、１．
０〜５．０ｗｔ％、０．２〜１．０ｗｔ％）内であるも
のの、Ｎｉ／Ｓｉの重量比（４．０）が規定範囲（４．
５〜５．５）外であるため、引張強さが７００ＭＰａ以
下（６５６ＭＰａ）となっている。

【００７６】試料Ｎｏ．１５に用いた銅合金材の化学組
成において、ＮｉおよびＳｉの含有量（それぞれ、３．
０ｗｔ％、０．５ｗｔ％）は規定範囲（それぞれ、１．
０〜５．０ｗｔ％、０．２〜１．０ｗｔ％）内であるも
のの、Ｎｉ／Ｓｉの重量比（６．０）が規定範囲（４．
５〜５．５）外であるため、引張強さが７００ＭＰａ以
下（６８０ＭＰａ）となっていると共に、導電率が４０
％ＩＡＣＳ以下（３８．８％ＩＡＣＳ）となっている。

【００７７】

【発明の効果】以上要するに本発明によれば、銅合金材
に対する溶体化処理温度、各冷間加工の加工率、および
各時効処理の処理温度を規定することで、得られる電子
機器用銅合金材は、エッチングによるリード成形性に優
れ、かつ、マトリックス中における結晶粒および析出物
サイズが微細になるという優れた効果を発揮する。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号ＦＩＣ２２Ｆ 1/00 ６６１Ｃ２２Ｆ 1/00 ６６１Ａ６８２６８２６８３６８３６８５６８５６８６６８６Ｚ６９１６９１Ｂ６９１Ｃ６９４６９４Ａ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】少なくともＮｉとＳｉを含有する銅合金
に、溶体化処理と時効処理を施してなるリードフレーム
などの電子機器用銅合金材の製造方法において、上記銅
合金に７５０〜８１０℃の温度範囲で上記溶体化処理を
施した後、その銅合金に加工率６０％以上の第１次冷間
加工を施し、その後、その銅合金に３７０〜４７０℃×
０．５〜３ｈｒの第１次時効処理を施した後、その銅合
金に再び加工率５０％以下の第２次冷間加工を施し、そ
の後、その銅合金に４００〜５００℃×０．５〜３ｈｒ
の第２次時効処理を施すことを特徴とする電子機器用銅
合金材の製造方法。
【請求項２】上記銅合金が、少なくともＮｉを１．０
〜５．０ｗｔ％、Ｓｉを０．２〜１．０ｗｔ％、Ｚｎを
１．０〜５．０ｗｔ％、Ｐを０．００３〜０．３ｗｔ％
含有すると共に、Ｎｉ／Ｓｉの重量比が４．５〜５．５
である請求項１記載の電子機器用銅合金材の製造方法。