JPH1145799A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
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- JPH1145799A JPH1145799A JP9201979A JP20197997A JPH1145799A JP H1145799 A JPH1145799 A JP H1145799A JP 9201979 A JP9201979 A JP 9201979A JP 20197997 A JP20197997 A JP 20197997A JP H1145799 A JPH1145799 A JP H1145799A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 単一モードのマイクロ波を均一に伝搬させ
て、プラズマの生成分布の均一化が図れるプラズマ処理
装置を提供すること。 【解決手段】 矩形部313 と導入部311 とを結ぶ整合部
312 はステップ状をなし、そのサイズは、誘電体線路31
の幅方向中央部を伝搬するマイクロ波の位相を、幅方向
端部を伝搬するマイクロ波の位相と略同じにし、インピ
ーダンスが整合するように設計されている。整合部312
のマイクロ波進行方向長さＬはλg/２の整数倍であり、
整合部312 の幅Ｗ３は、導入部311 の幅Ｗ１の整数倍で
あることが望ましい。矩形部313 は、マイクロ波進行方
向に埋設された仕切り板314 によって、幅方向に複数に
仕切られている。矩形部313 の幅Ｗ２は、導入部311 の
幅Ｗ１の整数倍であることが望ましく、例えばｋ＝３で
ある場合、仕切り板314 は、矩形部313 を幅方向に３等
分するように設けられている。
て、プラズマの生成分布の均一化が図れるプラズマ処理
装置を提供すること。 【解決手段】 矩形部313 と導入部311 とを結ぶ整合部
312 はステップ状をなし、そのサイズは、誘電体線路31
の幅方向中央部を伝搬するマイクロ波の位相を、幅方向
端部を伝搬するマイクロ波の位相と略同じにし、インピ
ーダンスが整合するように設計されている。整合部312
のマイクロ波進行方向長さＬはλg/２の整数倍であり、
整合部312 の幅Ｗ３は、導入部311 の幅Ｗ１の整数倍で
あることが望ましい。矩形部313 は、マイクロ波進行方
向に埋設された仕切り板314 によって、幅方向に複数に
仕切られている。矩形部313 の幅Ｗ２は、導入部311 の
幅Ｗ１の整数倍であることが望ましく、例えばｋ＝３で
ある場合、仕切り板314 は、矩形部313 を幅方向に３等
分するように設けられている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマを使用し
てエッチング、アッシング、ＣＶＤ等の処理を行うプラ
ズマ処理装置に関する。
てエッチング、アッシング、ＣＶＤ等の処理を行うプラ
ズマ処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】反応ガスに外部からエネルギを与えた際
に発生するプラズマはＬＳＩ、ＬＣＤの製造におけるエ
ッチング、アッシング、ＣＶＤ等の処理において広く用
いられている。特にプラズマを用いたドライエッチング
技術は必要不可欠な基本技術となっている。
に発生するプラズマはＬＳＩ、ＬＣＤの製造におけるエ
ッチング、アッシング、ＣＶＤ等の処理において広く用
いられている。特にプラズマを用いたドライエッチング
技術は必要不可欠な基本技術となっている。
【０００３】一般にプラズマを発生させるための励起手
段としては、2.45ＧＨｚのマイクロ波を用いる場合と、
13.56ＧＨｚのＲＦ（Radio Frequency)を用いる場合と
がある。マイクロ波を用いた場合は、ＲＦを用いた場合
よりも高密度のプラズマが得られる、またプラズマ発生
のために電極を必要としないためにコンタミネーション
を防止することができる、等の利点がある。しかしなが
ら比較的大面積の領域に均一な密度でプラズマを発生さ
せることは困難であるという欠点を有するために、大径
の半導体基板、又はＬＣＤようのガラス基板の処理を行
うには、この点を克服する必要がある。
段としては、2.45ＧＨｚのマイクロ波を用いる場合と、
13.56ＧＨｚのＲＦ（Radio Frequency)を用いる場合と
がある。マイクロ波を用いた場合は、ＲＦを用いた場合
よりも高密度のプラズマが得られる、またプラズマ発生
のために電極を必要としないためにコンタミネーション
を防止することができる、等の利点がある。しかしなが
ら比較的大面積の領域に均一な密度でプラズマを発生さ
せることは困難であるという欠点を有するために、大径
の半導体基板、又はＬＣＤようのガラス基板の処理を行
うには、この点を克服する必要がある。
【０００４】そこで例えば本出願人が特開昭62−5600号
公報にて提案している、誘電体線路を利用したプラズマ
処理装置が知られている。この装置は、反応室の上壁を
マイクロ波の透過が可能な耐熱性板で封止し、その上方
にマイクロ波を導入するための誘電体線路を設けた構成
を有し、大面積に均一にマイクロ波プラズマを発生させ
ることが可能である。
公報にて提案している、誘電体線路を利用したプラズマ
処理装置が知られている。この装置は、反応室の上壁を
マイクロ波の透過が可能な耐熱性板で封止し、その上方
にマイクロ波を導入するための誘電体線路を設けた構成
を有し、大面積に均一にマイクロ波プラズマを発生させ
ることが可能である。
【０００５】図12はこのプラズマ処理装置を示す平面図
であり、図13は模式的縦断面図である。図中１は、Ａｌ
等の金属からなる中空直方体状の反応容器であり、その
内部に反応室２を構成している。反応室２の上部はマイ
クロ波導入口３を有しており、耐熱性及びマイクロ波透
過性を有しており、しかも誘電損失が小さい石英ガラ
ス、Ａｌ2 Ｏ3 等の誘電体板からなるマイクロ波導入窓
４にて、気密状態に封止されている。反応室２内には、
マイクロ波導入窓４と対向する位置に、被処理物Ｓを載
置するためのステージ７が配設されており、反応容器１
の底壁には図示しない排気装置に接続される排気口６が
形成されており、また反応容器１の一側壁には、反応室
２へ所要の反応ガスを供給するためのガス供給管５が接
続されている。
であり、図13は模式的縦断面図である。図中１は、Ａｌ
等の金属からなる中空直方体状の反応容器であり、その
内部に反応室２を構成している。反応室２の上部はマイ
クロ波導入口３を有しており、耐熱性及びマイクロ波透
過性を有しており、しかも誘電損失が小さい石英ガラ
ス、Ａｌ2 Ｏ3 等の誘電体板からなるマイクロ波導入窓
４にて、気密状態に封止されている。反応室２内には、
マイクロ波導入窓４と対向する位置に、被処理物Ｓを載
置するためのステージ７が配設されており、反応容器１
の底壁には図示しない排気装置に接続される排気口６が
形成されており、また反応容器１の一側壁には、反応室
２へ所要の反応ガスを供給するためのガス供給管５が接
続されている。
【０００６】マイクロ波導入窓４の上側には、反応室２
よりも一方向に長く偏平なアンテナ部20が金属板22にて
形成されており、アンテナ部20の上板の内面には誘電体
線路21が設けられている。アンテナ部20の側方にはマイ
クロ波導波管23が連結されており、その先端にはマイク
ロ波発振器26が取り付けられており、マイクロ波導波管
23の中途にはアイソレータ25及びチューナ24が設けられ
ている。誘電体線路21は、図12にその平面形状を示す如
く、マイクロ波導波管23とアンテナ部20との連結部に挿
入された導入部211 と、マイクロ波導入窓４の上方に位
置し、この形状に略則しており、幅が反応室２に対応し
た大きさである矩形部（本体部）213 と、マイクロ波の
進行方向に関して対称なテーパ形状を有して矩形部213
と導入部211 とを結ぶテーパ型の整合部212 とを有す
る。
よりも一方向に長く偏平なアンテナ部20が金属板22にて
形成されており、アンテナ部20の上板の内面には誘電体
線路21が設けられている。アンテナ部20の側方にはマイ
クロ波導波管23が連結されており、その先端にはマイク
ロ波発振器26が取り付けられており、マイクロ波導波管
23の中途にはアイソレータ25及びチューナ24が設けられ
ている。誘電体線路21は、図12にその平面形状を示す如
く、マイクロ波導波管23とアンテナ部20との連結部に挿
入された導入部211 と、マイクロ波導入窓４の上方に位
置し、この形状に略則しており、幅が反応室２に対応し
た大きさである矩形部（本体部）213 と、マイクロ波の
進行方向に関して対称なテーパ形状を有して矩形部213
と導入部211 とを結ぶテーパ型の整合部212 とを有す
る。
【０００７】このように構成されたプラズマ処理装置に
て、被処理物Ｓとして例えば半導体基板の表面にエッチ
ング処理を施す場合、先ず排気口６から排気を行って反
応室２内を所要の真空度に設定した後、ガス供給管５か
ら反応ガスを供給する。次いでマイクロ波発振器26にお
いてマイクロ波を発振させ、アイソレータ25及びチュー
ナ24にて所定周波数に調整したマイクロ波を導波管23を
介して誘電体線路21へ導入する。そうすると電界が誘電
体線路21の開放面（下面）から漏洩し、下面垂直方向に
指数関数的に減衰しながら、マイクロ波導入窓４を透過
して反応室２内へ導かれる。この電界によって反応室２
でプラズマが生成されると、そのエネルギによって反応
ガスがイオン、ラジカル等の活性ガスに変化し、この活
性ガスによりステージ７上の半導体基板（Ｓ）の表面に
例えばエッチング等の処理が施される。
て、被処理物Ｓとして例えば半導体基板の表面にエッチ
ング処理を施す場合、先ず排気口６から排気を行って反
応室２内を所要の真空度に設定した後、ガス供給管５か
ら反応ガスを供給する。次いでマイクロ波発振器26にお
いてマイクロ波を発振させ、アイソレータ25及びチュー
ナ24にて所定周波数に調整したマイクロ波を導波管23を
介して誘電体線路21へ導入する。そうすると電界が誘電
体線路21の開放面（下面）から漏洩し、下面垂直方向に
指数関数的に減衰しながら、マイクロ波導入窓４を透過
して反応室２内へ導かれる。この電界によって反応室２
でプラズマが生成されると、そのエネルギによって反応
ガスがイオン、ラジカル等の活性ガスに変化し、この活
性ガスによりステージ７上の半導体基板（Ｓ）の表面に
例えばエッチング等の処理が施される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】エッチング、アッシン
グ等の処理を被処理物Ｓに対して均一に行うには、反応
室２内に均一にプラズマが生成されることが必要であ
り、そのためにはマイクロ波の進行方向において強度が
均一な単一モードの電界をプラズマ発生領域に形成する
必要がある。またプラズマの発生には、誘電体線路21の
矩形部213 で生成された電界が使用されるので、整合部
212 は直接には関係しない。従って整合部212 のマイク
ロ波進行方向の長さを短くすることによる装置の小型化
が図られている。しかしながら整合部212 を単純に短く
した場合は、エッチング、アッシング等の処理が不均一
になることがある。この理由は以下の通りである。
グ等の処理を被処理物Ｓに対して均一に行うには、反応
室２内に均一にプラズマが生成されることが必要であ
り、そのためにはマイクロ波の進行方向において強度が
均一な単一モードの電界をプラズマ発生領域に形成する
必要がある。またプラズマの発生には、誘電体線路21の
矩形部213 で生成された電界が使用されるので、整合部
212 は直接には関係しない。従って整合部212 のマイク
ロ波進行方向の長さを短くすることによる装置の小型化
が図られている。しかしながら整合部212 を単純に短く
した場合は、エッチング、アッシング等の処理が不均一
になることがある。この理由は以下の通りである。
【０００９】マイクロ波発振器26において発振されたマ
イクロ波は、マイクロ波伝搬形態の基本モードであるＴ
Ｅ10モードでマイクロ波導波管23を伝搬し、誘電体線路
21の導入部211 を経て整合部212 を伝搬する間に、矩形
部213 での伝搬モードが決定される。整合部212 を短く
テーパを急峻にした場合は、基本モードであるＴＥ10モ
ードのマイクロ波が減衰し、複数の高次モード（ＴＥ30
モード、ＴＥ50モード等）が発生する。高次モード（Ｔ
Ｅ30モード又はＴＥ50モード）におけるマイクロ波の伝
搬形態は、基本モード（ＴＥ10モード）のそれとは異な
る位相を有するので、誘電体線路21における実際の伝搬
モードは、複数のモードが重ね合わされたものとなる。
イクロ波は、マイクロ波伝搬形態の基本モードであるＴ
Ｅ10モードでマイクロ波導波管23を伝搬し、誘電体線路
21の導入部211 を経て整合部212 を伝搬する間に、矩形
部213 での伝搬モードが決定される。整合部212 を短く
テーパを急峻にした場合は、基本モードであるＴＥ10モ
ードのマイクロ波が減衰し、複数の高次モード（ＴＥ30
モード、ＴＥ50モード等）が発生する。高次モード（Ｔ
Ｅ30モード又はＴＥ50モード）におけるマイクロ波の伝
搬形態は、基本モード（ＴＥ10モード）のそれとは異な
る位相を有するので、誘電体線路21における実際の伝搬
モードは、複数のモードが重ね合わされたものとなる。
【００１０】従ってテーパが急峻である整合部212 を有
する誘電体線路21を用いた装置では、複数モードの重ね
合わせによって強度分布が不均一な電界が誘電体線路21
から生成される。中でも矩形部213 で生成された電界は
プラズマの生成に直接影響するため、これが不均一であ
る場合は反応室２内で発生するプラズマも不均一になる
という問題がある。従って装置の小型化のために、テー
パを急峻にするという単純な方法で整合部212 を短かく
することは、処理の不均一を招来する。
する誘電体線路21を用いた装置では、複数モードの重ね
合わせによって強度分布が不均一な電界が誘電体線路21
から生成される。中でも矩形部213 で生成された電界は
プラズマの生成に直接影響するため、これが不均一であ
る場合は反応室２内で発生するプラズマも不均一になる
という問題がある。従って装置の小型化のために、テー
パを急峻にするという単純な方法で整合部212 を短かく
することは、処理の不均一を招来する。
【００１１】さらに処理の均一性と装置サイズとの関係
を説明する。誘電体線路21を伝搬するときのマイクロ波
波面は、整合部212 の端部が傾斜しているために、マイ
クロ波導波管23の開口面を位相中心として、図14に破線
で示す如く、平面から次第に曲面へと変化する。従っ
て、整合部212 と矩形部213 との境界部中央位置Ａと、
境界部の端部Ｂとでは、位相のずれｄが生じる。このず
れｄが大きい場合に高次モードが発生し易い。
を説明する。誘電体線路21を伝搬するときのマイクロ波
波面は、整合部212 の端部が傾斜しているために、マイ
クロ波導波管23の開口面を位相中心として、図14に破線
で示す如く、平面から次第に曲面へと変化する。従っ
て、整合部212 と矩形部213 との境界部中央位置Ａと、
境界部の端部Ｂとでは、位相のずれｄが生じる。このず
れｄが大きい場合に高次モードが発生し易い。
【００１２】ここで、誘電体線路21の導入部211 の幅
（マイクロ波進行方向に垂直な方向の長さ）をＷ１と
し、矩形部213 の幅をＷ２とし、整合部212 のマイクロ
波進行方向長さをＬｔとした場合、位相のずれｄは、式
（1)で示す如く、幾何学的にＷ１とＷ２との差の２乗に
略比例し、Ｌｔに略反比例する。
（マイクロ波進行方向に垂直な方向の長さ）をＷ１と
し、矩形部213 の幅をＷ２とし、整合部212 のマイクロ
波進行方向長さをＬｔとした場合、位相のずれｄは、式
（1)で示す如く、幾何学的にＷ１とＷ２との差の２乗に
略比例し、Ｌｔに略反比例する。
【００１３】
【数１】
【００１４】高次モードの発生を抑制し、処理に対して
大きい影響を及ぼさない程度に電界強度分布を均一化す
るためには、位相のずれｄを 3/8λｇより小さくする必
要があることが分かっている。ここでλｇは誘電体線路
21内を伝搬するマイクロ波の波長である。即ちλｇ＝λ
0 ／√εｒ（λ0 ：真空中のマイクロ波の波長、εｒ：
誘電体線路21の比誘電率）。これらを式（1)に代入する
ことにより、上述の効果を得るための条件式（2)が得ら
れる。 Ｌｔ＞（Ｗ２−Ｗ１）2 ／３λｇ …（2)
大きい影響を及ぼさない程度に電界強度分布を均一化す
るためには、位相のずれｄを 3/8λｇより小さくする必
要があることが分かっている。ここでλｇは誘電体線路
21内を伝搬するマイクロ波の波長である。即ちλｇ＝λ
0 ／√εｒ（λ0 ：真空中のマイクロ波の波長、εｒ：
誘電体線路21の比誘電率）。これらを式（1)に代入する
ことにより、上述の効果を得るための条件式（2)が得ら
れる。 Ｌｔ＞（Ｗ２−Ｗ１）2 ／３λｇ …（2)
【００１５】そこでφ200 mmの半導体基板を処理するた
めに、テフロン（登録商標）製であり、Ｗ１＝96mm、Ｗ
２＝300 mmとした誘電体線路21を用いた場合、式（2)を
満足する整合部212 の長さＬｔは約 180mm以上であり、
装置は大型化する。
めに、テフロン（登録商標）製であり、Ｗ１＝96mm、Ｗ
２＝300 mmとした誘電体線路21を用いた場合、式（2)を
満足する整合部212 の長さＬｔは約 180mm以上であり、
装置は大型化する。
【００１６】本発明は、斯かる事情に鑑みてなされたも
のであり、誘電体線路の整合部形状をステップ状とする
ことにより、マイクロ波の伝搬形態における複数の高次
モードの発生を抑制し、しかも小型化が図れるプラズマ
処理装置を提供することを目的とする。
のであり、誘電体線路の整合部形状をステップ状とする
ことにより、マイクロ波の伝搬形態における複数の高次
モードの発生を抑制し、しかも小型化が図れるプラズマ
処理装置を提供することを目的とする。
【００１７】誘電体線路にマイクロ波の進行方向に延び
る仕切り板を備えることにより、単一モードのマイクロ
波を均一に伝搬させて、プラズマの生成分布の均一化が
図れるプラズマ処理装置を提供することを目的とする。
る仕切り板を備えることにより、単一モードのマイクロ
波を均一に伝搬させて、プラズマの生成分布の均一化が
図れるプラズマ処理装置を提供することを目的とする。
【００１８】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
マイクロ波導波管を介して、マイクロ波進行方向に延び
る板状の誘電体線路へ導入されたマイクロ波によって電
界が生成され、該電界を前記誘電体線路の一面側に対向
配置された反応室へマイクロ波導入口を介して導入して
プラズマを発生させることにより、前記反応室内の被処
理物に処理を施すプラズマ処理装置において、前記誘電
体線路は、前記マイクロ波導波管に挿入されている導入
部と、前記マイクロ波導入口に対応する形状の本体部
と、これら導入部と本体部とを接続する整合部とを有
し、前記導入部の幅Ｗ１は前記マイクロ波導波管の内法
寸法と略同じであり、前記本体部の幅Ｗ２は前記導入部
より長く前記マイクロ波導入窓と略同じであり、前記整
合部は前記導入部及び前記本体部をステップ状に接続す
る形状をなしており、該整合部の幅Ｗ３はＷ１＜Ｗ３＜
Ｗ２であり、前記本体部には、これを幅方向に分割すべ
く、前記マイクロ波進行方向に延びる導電体板が埋設さ
れていることを特徴とする。
マイクロ波導波管を介して、マイクロ波進行方向に延び
る板状の誘電体線路へ導入されたマイクロ波によって電
界が生成され、該電界を前記誘電体線路の一面側に対向
配置された反応室へマイクロ波導入口を介して導入して
プラズマを発生させることにより、前記反応室内の被処
理物に処理を施すプラズマ処理装置において、前記誘電
体線路は、前記マイクロ波導波管に挿入されている導入
部と、前記マイクロ波導入口に対応する形状の本体部
と、これら導入部と本体部とを接続する整合部とを有
し、前記導入部の幅Ｗ１は前記マイクロ波導波管の内法
寸法と略同じであり、前記本体部の幅Ｗ２は前記導入部
より長く前記マイクロ波導入窓と略同じであり、前記整
合部は前記導入部及び前記本体部をステップ状に接続す
る形状をなしており、該整合部の幅Ｗ３はＷ１＜Ｗ３＜
Ｗ２であり、前記本体部には、これを幅方向に分割すべ
く、前記マイクロ波進行方向に延びる導電体板が埋設さ
れていることを特徴とする。
【００１９】整合部は導入部と幅が異なるために、マイ
クロ波の伝搬時の位相が異なる。従ってマイクロ波は、
マイクロ波導波管と略同幅の導入部における基本伝搬モ
ードから高次モードに変換される。このとき整合部はマ
イクロ波進行方向に対する斜面を有さないので、整合部
の長さを短くした場合でも、整合部の縁部における反射
波の影響がほとんどない。従って整合部を短くして装置
を小型化しても複数の高次モードの発生を抑制すること
ができる。変換後のモードは、整合部の幅及び長さで決
定される。導電体板によって幅方向に分割された領域
は、夫々が導波管の如く機能し、前記高次モードのマイ
クロ波を伝搬させる。
クロ波の伝搬時の位相が異なる。従ってマイクロ波は、
マイクロ波導波管と略同幅の導入部における基本伝搬モ
ードから高次モードに変換される。このとき整合部はマ
イクロ波進行方向に対する斜面を有さないので、整合部
の長さを短くした場合でも、整合部の縁部における反射
波の影響がほとんどない。従って整合部を短くして装置
を小型化しても複数の高次モードの発生を抑制すること
ができる。変換後のモードは、整合部の幅及び長さで決
定される。導電体板によって幅方向に分割された領域
は、夫々が導波管の如く機能し、前記高次モードのマイ
クロ波を伝搬させる。
【００２０】請求項２記載の発明は、請求項１におい
て、前記誘電体線路の形状はマイクロ波進行方向の線に
関して対称であり、該誘電体線路の各部におけるインピ
ーダンスが前記整合部によって整合せしめてあることを
特徴とする。
て、前記誘電体線路の形状はマイクロ波進行方向の線に
関して対称であり、該誘電体線路の各部におけるインピ
ーダンスが前記整合部によって整合せしめてあることを
特徴とする。
【００２１】これにより誘電体線路の中央部におけるマ
イクロ波の位相が、端部における位相と略等しくなる。
従ってマイクロ波は、その波面を略平面形状に保持され
た状態で伝搬し、整合部と本体部との境界部中央位置
と、境界部の端部とで、位相のずれをほとんど生じな
い。これにより複数の高次モードが発生することを抑制
することができ、１つの高次モードのマイクロ波は、導
電体板によって分割された各領域で進行方向に垂直な同
一面内において位相のずれを生じることなく効率良く均
一に伝搬する。
イクロ波の位相が、端部における位相と略等しくなる。
従ってマイクロ波は、その波面を略平面形状に保持され
た状態で伝搬し、整合部と本体部との境界部中央位置
と、境界部の端部とで、位相のずれをほとんど生じな
い。これにより複数の高次モードが発生することを抑制
することができ、１つの高次モードのマイクロ波は、導
電体板によって分割された各領域で進行方向に垂直な同
一面内において位相のずれを生じることなく効率良く均
一に伝搬する。
【００２２】請求項３記載の発明は、請求項２におい
て、前記整合部のマイクロ波進行方向の長さはλｇ／２
（λｇ＝λ0 ／√εｒ、λ0 ：真空中のマイクロ波の波
長、εｒ：誘電体線路の比誘電率）の略整数倍であり、
前記整合部の幅Ｗ３は前記導入部の幅Ｗ１の略整数倍で
あり、前記本体部の幅Ｗ２は前記導入部の幅Ｗ１の略整
数倍であることを特徴とする。
て、前記整合部のマイクロ波進行方向の長さはλｇ／２
（λｇ＝λ0 ／√εｒ、λ0 ：真空中のマイクロ波の波
長、εｒ：誘電体線路の比誘電率）の略整数倍であり、
前記整合部の幅Ｗ３は前記導入部の幅Ｗ１の略整数倍で
あり、前記本体部の幅Ｗ２は前記導入部の幅Ｗ１の略整
数倍であることを特徴とする。
【００２３】整数倍の各整数値を所定の値にすることに
より、所定の高次モードに変換することができる。例え
ば本体部の幅が導入部の幅の３倍であり、整合部の幅が
導入部の２倍であり、長さが誘電体線路を伝搬するマイ
クロ波の半波長である場合、ＴＥ10の基本モードからＴ
Ｅ30の高次モードに変換することができる。
より、所定の高次モードに変換することができる。例え
ば本体部の幅が導入部の幅の３倍であり、整合部の幅が
導入部の２倍であり、長さが誘電体線路を伝搬するマイ
クロ波の半波長である場合、ＴＥ10の基本モードからＴ
Ｅ30の高次モードに変換することができる。
【００２４】
【発明の実施の形態】以下、本発明をその実施の形態を
示す図面に基づき具体的に説明する。図１は、本発明に
係るプラズマ処理装置を示す平面図であり、図２は図１
に示す誘電体線路の裏面斜視図である。誘電体線路以外
の構成は図13に示す従来装置と同様である。即ち、反応
室２の上部はマイクロ波導入口３を有しており、耐熱性
及びマイクロ波透過性を有しており、しかも誘電損失が
小さい石英ガラス、Ａｌ2 Ｏ3 等の誘電体板からなるマ
イクロ波導入窓４にて、気密状態に封止されている。反
応室２内には、マイクロ波導入窓４と対向する位置に、
被処理物Ｓを載置するためのステージ７が配設されてお
り、反応容器１の底壁には図示しない排気装置に接続さ
れる排気口６が形成されており、また反応容器１の一側
壁には、反応室２へ所要の反応ガスを供給するためのガ
ス供給管５が接続されている。
示す図面に基づき具体的に説明する。図１は、本発明に
係るプラズマ処理装置を示す平面図であり、図２は図１
に示す誘電体線路の裏面斜視図である。誘電体線路以外
の構成は図13に示す従来装置と同様である。即ち、反応
室２の上部はマイクロ波導入口３を有しており、耐熱性
及びマイクロ波透過性を有しており、しかも誘電損失が
小さい石英ガラス、Ａｌ2 Ｏ3 等の誘電体板からなるマ
イクロ波導入窓４にて、気密状態に封止されている。反
応室２内には、マイクロ波導入窓４と対向する位置に、
被処理物Ｓを載置するためのステージ７が配設されてお
り、反応容器１の底壁には図示しない排気装置に接続さ
れる排気口６が形成されており、また反応容器１の一側
壁には、反応室２へ所要の反応ガスを供給するためのガ
ス供給管５が接続されている。
【００２５】マイクロ波導入窓４の上側には、反応室２
よりも一方向に長く偏平なアンテナ部20が金属板22にて
形成されており、アンテナ部20の上板の内面には誘電体
線路31が設けられている。アンテナ部20の側方には、マ
イクロ波導波管23が連結されており、その先端にはマイ
クロ波発振器26が取り付けられている。マイクロ波導波
管23の中途にはアイソレータ25及びチューナ24が設けら
れている。
よりも一方向に長く偏平なアンテナ部20が金属板22にて
形成されており、アンテナ部20の上板の内面には誘電体
線路31が設けられている。アンテナ部20の側方には、マ
イクロ波導波管23が連結されており、その先端にはマイ
クロ波発振器26が取り付けられている。マイクロ波導波
管23の中途にはアイソレータ25及びチューナ24が設けら
れている。
【００２６】誘電体線路31は、マイクロ波導波管23とア
ンテナ部20との連結部に挿入された導入部311 と、マイ
クロ波導入窓４の上方に位置し、この形状に略則してお
り、マイクロ波の進行方向に垂直な方向（幅方向）にお
いて導入部311 の略３倍の長さである矩形部313 と、矩
形部313 と導入部311 とを結ぶステップ状の整合部312
とを有する。整合部312 のサイズは、誘電体線路31の幅
方向中央部を伝搬するマイクロ波の位相速度を、幅方向
端部を伝搬するマイクロ波の位相速度と略同じにし、イ
ンピーダンスが整合するように設計されている。
ンテナ部20との連結部に挿入された導入部311 と、マイ
クロ波導入窓４の上方に位置し、この形状に略則してお
り、マイクロ波の進行方向に垂直な方向（幅方向）にお
いて導入部311 の略３倍の長さである矩形部313 と、矩
形部313 と導入部311 とを結ぶステップ状の整合部312
とを有する。整合部312 のサイズは、誘電体線路31の幅
方向中央部を伝搬するマイクロ波の位相速度を、幅方向
端部を伝搬するマイクロ波の位相速度と略同じにし、イ
ンピーダンスが整合するように設計されている。
【００２７】また整合部312 のマイクロ波進行方向長さ
Ｌはλg/２の整数倍（ｎ・λg/２、λｇ＝λ0 ／√ε
ｒ、ｎ：整数、λ0 ：真空中のマイクロ波の波長、ε
ｒ：誘電体線路21の比誘電率）であることが望ましい。
整合部312 の幅Ｗ３は、導入部311 の幅Ｗ１の整数倍
（ｍ・Ｗ１、ｍ：整数）であることが望ましい。
Ｌはλg/２の整数倍（ｎ・λg/２、λｇ＝λ0 ／√ε
ｒ、ｎ：整数、λ0 ：真空中のマイクロ波の波長、ε
ｒ：誘電体線路21の比誘電率）であることが望ましい。
整合部312 の幅Ｗ３は、導入部311 の幅Ｗ１の整数倍
（ｍ・Ｗ１、ｍ：整数）であることが望ましい。
【００２８】さらに矩形部313 は、マイクロ波進行方向
に埋設された、薄い（厚み２mm）Ａｌ等の金属からなる
仕切り板（導電体板）314 によって、幅方向に複数に仕
切られている。矩形部313 の幅Ｗ２は、導入部311 の幅
Ｗ１の整数倍（ｋ・Ｗ１、ｋ：整数）であることが望ま
しい。また矩形部313 は仕切り板314 によって幅方向に
ｋ等分されるように仕切られることが望ましい。即ち、
矩形部313 の幅Ｗ２をｋ個の幅Ｗ１の領域に分割するよ
うに仕切り板314 を設けることが望ましい。例えばｋ＝
３である場合、仕切り板314 は、矩形部313 を幅方向に
３等分するように設けられる。
に埋設された、薄い（厚み２mm）Ａｌ等の金属からなる
仕切り板（導電体板）314 によって、幅方向に複数に仕
切られている。矩形部313 の幅Ｗ２は、導入部311 の幅
Ｗ１の整数倍（ｋ・Ｗ１、ｋ：整数）であることが望ま
しい。また矩形部313 は仕切り板314 によって幅方向に
ｋ等分されるように仕切られることが望ましい。即ち、
矩形部313 の幅Ｗ２をｋ個の幅Ｗ１の領域に分割するよ
うに仕切り板314 を設けることが望ましい。例えばｋ＝
３である場合、仕切り板314 は、矩形部313 を幅方向に
３等分するように設けられる。
【００２９】このように構成されたプラズマ処理装置の
動作について説明する。マイクロ波発振器26で発振され
たマイクロ波は、アイソレータ25及びチューナ24にて所
定周波数に調整され、マイクロ波導波管23を介して誘電
体線路31へ導入される。マイクロ波はステップ状の整合
部312 で反射波を生じることなく、基本伝搬モードか
ら、整合部312 のステップ形状で決定される１つの高次
モードに変換される。このときマイクロ波は、図３に示
す如く、その波面を略平面形状に保持された状態で伝搬
するので、整合部312 と矩形部313 との境界部中央位置
Ａと、境界部の端部Ｂとで、位相のずれをほとんど生じ
ない。整合部312 で発生した高次モードのマイクロ波
は、誘電体線路31内に埋設された仕切り板314 によっ
て、進行方向に垂直な同一面内において位相のずれを生
じることなく効率良く均一に伝搬する。
動作について説明する。マイクロ波発振器26で発振され
たマイクロ波は、アイソレータ25及びチューナ24にて所
定周波数に調整され、マイクロ波導波管23を介して誘電
体線路31へ導入される。マイクロ波はステップ状の整合
部312 で反射波を生じることなく、基本伝搬モードか
ら、整合部312 のステップ形状で決定される１つの高次
モードに変換される。このときマイクロ波は、図３に示
す如く、その波面を略平面形状に保持された状態で伝搬
するので、整合部312 と矩形部313 との境界部中央位置
Ａと、境界部の端部Ｂとで、位相のずれをほとんど生じ
ない。整合部312 で発生した高次モードのマイクロ波
は、誘電体線路31内に埋設された仕切り板314 によっ
て、進行方向に垂直な同一面内において位相のずれを生
じることなく効率良く均一に伝搬する。
【００３０】これにより矩形部313 からは均一な強度分
布を有する電界が漏洩する。従ってこの均一な電界がマ
イクロ波導入窓４を経て反応室２へ導入され、ここで均
一な密度分布を有するプラズマが生成される。これによ
りステージ７上の被処理物Ｓ表面に対して、エッチン
グ、アッシング等の処理が均一に行われる。また、整合
部312 のマイクロ波進行方向長さは、λg/２の整数倍で
あるという条件の元で短くすることができ、装置の大幅
な小型化が可能である。
布を有する電界が漏洩する。従ってこの均一な電界がマ
イクロ波導入窓４を経て反応室２へ導入され、ここで均
一な密度分布を有するプラズマが生成される。これによ
りステージ７上の被処理物Ｓ表面に対して、エッチン
グ、アッシング等の処理が均一に行われる。また、整合
部312 のマイクロ波進行方向長さは、λg/２の整数倍で
あるという条件の元で短くすることができ、装置の大幅
な小型化が可能である。
【００３１】
実施例１．テーパ状の整合部212 を有する従来の誘電体
線路21（図14）、及びステップ状の整合部312 を有する
本発明の誘電体線路31（図３）の、開放面（下面）から
漏洩する電界強度を実際に測定した。誘電体線路21、31
はテフロン（登録商標）製であり、その各サイズは以下
の通りである。 ＜誘電体線路21＞ 導入部211 の幅Ｗ１ ： ９６mm 矩形部213 の幅Ｗ２ ：３００mm 矩形部213 の長さＬ ：３３０mm 整合部212 の長さＬｔ：１５０mm ＜誘電体線路31＞ 導入部311 の幅Ｗ１ ： ９６mm 矩形部313 の幅Ｗ２ ：３００mm 矩形部313 の長さＬ ：３３０mm 整合部312 の幅Ｗ３ ：２００mm 整合部312 の長さＬｓ： ３９mm（λｇ≒７８mm）
線路21（図14）、及びステップ状の整合部312 を有する
本発明の誘電体線路31（図３）の、開放面（下面）から
漏洩する電界強度を実際に測定した。誘電体線路21、31
はテフロン（登録商標）製であり、その各サイズは以下
の通りである。 ＜誘電体線路21＞ 導入部211 の幅Ｗ１ ： ９６mm 矩形部213 の幅Ｗ２ ：３００mm 矩形部213 の長さＬ ：３３０mm 整合部212 の長さＬｔ：１５０mm ＜誘電体線路31＞ 導入部311 の幅Ｗ１ ： ９６mm 矩形部313 の幅Ｗ２ ：３００mm 矩形部313 の長さＬ ：３３０mm 整合部312 の幅Ｗ３ ：２００mm 整合部312 の長さＬｓ： ３９mm（λｇ≒７８mm）
【００３２】測定点はＡ点を原点とし、マイクロ波の進
行方向Ｚ、及びこれに垂直な幅方向Ｙに関してループア
ンテナを走査させ測定点に移動させて測定した。測定範
囲はＺ方向に330 mm、Ｙ方向に±140 mmである。図４、
５は、従来の誘電体線路21の開放面のＺ（Ｙ＝０mm）方
向、及びＹ（Ｚ＝165 mm）方向の電界強度｜Ｅｘ｜2の
分布を示すグラフであり、図６、７は、本発明の誘電体
線路31の開放面のＺ（Ｙ＝０mm）方向、及びＹ（Ｚ＝16
5 mm）方向の電界強度｜Ｅｘ｜2 の分布を示すグラフで
ある。
行方向Ｚ、及びこれに垂直な幅方向Ｙに関してループア
ンテナを走査させ測定点に移動させて測定した。測定範
囲はＺ方向に330 mm、Ｙ方向に±140 mmである。図４、
５は、従来の誘電体線路21の開放面のＺ（Ｙ＝０mm）方
向、及びＹ（Ｚ＝165 mm）方向の電界強度｜Ｅｘ｜2の
分布を示すグラフであり、図６、７は、本発明の誘電体
線路31の開放面のＺ（Ｙ＝０mm）方向、及びＹ（Ｚ＝16
5 mm）方向の電界強度｜Ｅｘ｜2 の分布を示すグラフで
ある。
【００３３】従来の誘電体線路21では、図４から、電界
強度がマイクロ波の進行方向Ｚに対して、入波側で高
く、徐々に低くなっていることが分かる。また図５か
ら、幅方向Ｙに対しては、ＴＥ10モードとＴＥ30モード
とが混在していることが分かる。従って均一な電界強度
であるとは言い難い。
強度がマイクロ波の進行方向Ｚに対して、入波側で高
く、徐々に低くなっていることが分かる。また図５か
ら、幅方向Ｙに対しては、ＴＥ10モードとＴＥ30モード
とが混在していることが分かる。従って均一な電界強度
であるとは言い難い。
【００３４】これに対し本発明の誘電体線路31では、図
６から、強度が揃った電界強度が、マイクロ波進行方向
Ｚに対して正弦波状に分布していることが分かる。しか
も図７から幅方向Ｙにおいては、強度が略等しい３つの
正弦波状分布が見られ、仕切り板314 で仕切られた各領
域において、ＴＥ30モードのみが存在することを確認す
ることができた。従って誘電体線路31の形状が、電界強
度分布の均一化に効果的であるといえる。
６から、強度が揃った電界強度が、マイクロ波進行方向
Ｚに対して正弦波状に分布していることが分かる。しか
も図７から幅方向Ｙにおいては、強度が略等しい３つの
正弦波状分布が見られ、仕切り板314 で仕切られた各領
域において、ＴＥ30モードのみが存在することを確認す
ることができた。従って誘電体線路31の形状が、電界強
度分布の均一化に効果的であるといえる。
【００３５】実施例２．次に、誘電体線路21を備えた従
来装置、及び誘電体線路31を備えた本発明装置における
反応室２内のプラズマの均一性を調べた結果について説
明する。誘電体線路21、31は実施例１で用いたものと同
様である。そして反応ガスとしてＡｒを用い、ガス流量
を30sccm、圧力を10mTorr に設定し、１ｋＷのマイクロ
波電力で生成されたプラズマのイオン電流密度をマイク
ロ波導入窓４の下方60mmの位置でプローブにより測定し
た。図８、９は、従来装置におけるＺ（Ｙ＝０mm）方
向、及びＹ（Ｚ＝165 mm）方向のイオン電流密度の分布
を示すグラフであり、図10、11は、本発明装置における
Ｚ（Ｙ＝０mm）方向、及びＹ（Ｚ＝165 mm）方向のイオ
ン電流密度の分布を示すグラフである。
来装置、及び誘電体線路31を備えた本発明装置における
反応室２内のプラズマの均一性を調べた結果について説
明する。誘電体線路21、31は実施例１で用いたものと同
様である。そして反応ガスとしてＡｒを用い、ガス流量
を30sccm、圧力を10mTorr に設定し、１ｋＷのマイクロ
波電力で生成されたプラズマのイオン電流密度をマイク
ロ波導入窓４の下方60mmの位置でプローブにより測定し
た。図８、９は、従来装置におけるＺ（Ｙ＝０mm）方
向、及びＹ（Ｚ＝165 mm）方向のイオン電流密度の分布
を示すグラフであり、図10、11は、本発明装置における
Ｚ（Ｙ＝０mm）方向、及びＹ（Ｚ＝165 mm）方向のイオ
ン電流密度の分布を示すグラフである。
【００３６】従来装置では、図８より、マイクロ波の進
行方向に徐々にイオン飽和電流密度が低下しており、主
モード電界が減衰し高次モードが発生していることが分
かる。また図９より、イオン飽和電流密度がＹ方向で大
きく異なっており、マイクロ波の位相速度が幅方向で揃
っていないことが分かる。
行方向に徐々にイオン飽和電流密度が低下しており、主
モード電界が減衰し高次モードが発生していることが分
かる。また図９より、イオン飽和電流密度がＹ方向で大
きく異なっており、マイクロ波の位相速度が幅方向で揃
っていないことが分かる。
【００３７】これに対し本発明装置では、イオン飽和電
流密度がＺ方向に減衰しておらず（図10）、またＹ方向
における密度分布が略均一であり（図11）、プラズマが
非常に均一に生成されていることが分かる。
流密度がＺ方向に減衰しておらず（図10）、またＹ方向
における密度分布が略均一であり（図11）、プラズマが
非常に均一に生成されていることが分かる。
【００３８】
【発明の効果】以上のように本発明に係るプラズマ処理
装置は、誘電体線路をステップ状に構成しているので、
導入されたマイクロ波は、反射波を生じることがなく、
基本伝搬モードから整合部のステップ形状で決定される
１つの高次モードに変換され、また伝搬される波面形状
は略平面状に保持されるために、整合部と本体部との境
界部中央位置と端部とで位相のずれをほとんど生じな
い。さらに導電体板で仕切られた本体部の各領域が導波
管と同様に機能するので、整合部で発生した高次モード
のマイクロ波は進行方向に垂直な面において位相のずれ
を生じることなく効率良く均一に伝搬される等、本発明
は優れた効果を奏する。
装置は、誘電体線路をステップ状に構成しているので、
導入されたマイクロ波は、反射波を生じることがなく、
基本伝搬モードから整合部のステップ形状で決定される
１つの高次モードに変換され、また伝搬される波面形状
は略平面状に保持されるために、整合部と本体部との境
界部中央位置と端部とで位相のずれをほとんど生じな
い。さらに導電体板で仕切られた本体部の各領域が導波
管と同様に機能するので、整合部で発生した高次モード
のマイクロ波は進行方向に垂直な面において位相のずれ
を生じることなく効率良く均一に伝搬される等、本発明
は優れた効果を奏する。
【図１】本発明に係るプラズマ処理装置を示す模式的平
面図である。
面図である。
【図２】図１に示す誘電体線路の裏面斜視図である。
【図３】図１に示す誘電体線路の平面図である。
【図４】従来の誘電体線路の開放面のＺ（Ｙ＝０mm）方
向の電界強度分布を示すグラフである。
向の電界強度分布を示すグラフである。
【図５】従来の誘電体線路の開放面のＹ（Ｚ＝165 mm）
方向の電界強度分布を示すグラフである。
方向の電界強度分布を示すグラフである。
【図６】本発明の誘電体線路の開放面のＺ（Ｙ＝０mm）
方向の電界強度分布を示すグラフである。
方向の電界強度分布を示すグラフである。
【図７】本発明の誘電体線路の開放面のＹ（Ｚ＝165 m
m）方向の電界強度分布を示すグラフである。
m）方向の電界強度分布を示すグラフである。
【図８】従来装置におけるＺ（Ｙ＝０mm）方向のイオン
電流密度の分布を示すグラフである。
電流密度の分布を示すグラフである。
【図９】従来装置におけるＹ（Ｚ＝165 mm）方向のイオ
ン電流密度の分布を示すグラフである。
ン電流密度の分布を示すグラフである。
【図１０】本発明装置におけるＺ（Ｙ＝０mm）方向のイ
オン電流密度の分布を示すグラフである。
オン電流密度の分布を示すグラフである。
【図１１】本発明装置におけるＹ（Ｚ＝165 mm）方向の
イオン電流密度の分布を示すグラフである。
イオン電流密度の分布を示すグラフである。
【図１２】従来のプラズマ処理装置を示す模式的平面図
である。
である。
【図１３】従来のプラズマ処理装置を示す模式的縦断面
図である。
図である。
【図１４】図１２、１３に示す誘電体線路の平面図であ
る。
る。
２ 反応室 ３ マイクロ波導入口 23 マイクロ波導波管 31 誘電体電路 311 導入部 312 整合部 313 矩形部 314 仕切り板 Ｓ 被処理物
Claims (3)
- 【請求項１】 マイクロ波導波管を介して、マイクロ波
進行方向に延びる板状の誘電体線路へ導入されたマイク
ロ波によって電界が生成され、該電界を前記誘電体線路
の一面側に対向配置された反応室へマイクロ波導入口を
介して導入してプラズマを発生させることにより、前記
反応室内の被処理物に処理を施すプラズマ処理装置にお
いて、前記誘電体線路は、前記マイクロ波導波管に挿入
されている導入部と、前記マイクロ波導入口に対応する
形状の本体部と、これら導入部と本体部とを接続する整
合部とを有し、前記導入部の幅Ｗ１は前記マイクロ波導
波管の内法寸法と略同じであり、前記本体部の幅Ｗ２は
前記導入部より大きく前記マイクロ波導入窓と略同じで
あり、前記整合部は前記導入部及び前記本体部をステッ
プ状に接続する形状をなしており、該整合部の幅Ｗ３は
Ｗ１＜Ｗ３＜Ｗ２であり、前記本体部には、これを幅方
向に分割すべく、前記マイクロ波進行方向に延びる導電
体板が埋設されていることを特徴とするプラズマ処理装
置。 - 【請求項２】 前記誘電体線路の形状はマイクロ波進行
方向の線に関して対称であり、該誘電体線路の各部にお
けるインピーダンスが前記整合部によって整合せしめて
あることを特徴とする請求項１記載のプラズマ処理装
置。 - 【請求項３】 前記整合部のマイクロ波進行方向の長さ
はλｇ／２（λｇ＝λ0 ／√εｒ、λ0 ：真空中のマイ
クロ波の波長、εｒ：誘電体線路の比誘電率）の略整数
倍であり、前記整合部の幅Ｗ３は前記導入部の幅Ｗ１の
略整数倍であり、前記本体部の幅Ｗ２は前記導入部の幅
Ｗ１の略整数倍であることを特徴とする請求項２に記載
のプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20197997A JP3491190B2 (ja) | 1997-07-28 | 1997-07-28 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20197997A JP3491190B2 (ja) | 1997-07-28 | 1997-07-28 | プラズマ処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1145799A true JPH1145799A (ja) | 1999-02-16 |
| JP3491190B2 JP3491190B2 (ja) | 2004-01-26 |
Family
ID=16449936
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20197997A Expired - Fee Related JP3491190B2 (ja) | 1997-07-28 | 1997-07-28 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
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|---|---|
| JP (1) | JP3491190B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002013249A1 (en) * | 2000-08-02 | 2002-02-14 | Tokyo Electron Limited | Radial antenna and plasma processing apparatus comprising the same |
| WO2003041460A1 (en) * | 2001-11-08 | 2003-05-15 | Sharp Kabushiki Kaisha | Plasma process apparatus and its processor |
| JP2011003912A (ja) * | 2010-07-23 | 2011-01-06 | Tokyo Electron Ltd | ラジアルアンテナ及びそれを用いたプラズマ処理装置 |
| US9704693B2 (en) | 2015-06-05 | 2017-07-11 | Tokyo Electron Limited | Power combiner and microwave introduction mechanism |
-
1997
- 1997-07-28 JP JP20197997A patent/JP3491190B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002013249A1 (en) * | 2000-08-02 | 2002-02-14 | Tokyo Electron Limited | Radial antenna and plasma processing apparatus comprising the same |
| JP2002050613A (ja) * | 2000-08-02 | 2002-02-15 | Tokyo Electron Ltd | ラジアルアンテナ及びそれを用いたプラズマ処理装置 |
| US7807019B2 (en) | 2000-08-02 | 2010-10-05 | Tokyo Electron Limited | Radial antenna and plasma processing apparatus comprising the same |
| WO2003041460A1 (en) * | 2001-11-08 | 2003-05-15 | Sharp Kabushiki Kaisha | Plasma process apparatus and its processor |
| US7478609B2 (en) | 2001-11-08 | 2009-01-20 | Sharp Kabushiki Kaisha | Plasma process apparatus and its processor |
| CN100455158C (zh) * | 2001-11-08 | 2009-01-21 | 夏普株式会社 | 等离子体加工装置和处理装置 |
| JP2011003912A (ja) * | 2010-07-23 | 2011-01-06 | Tokyo Electron Ltd | ラジアルアンテナ及びそれを用いたプラズマ処理装置 |
| US9704693B2 (en) | 2015-06-05 | 2017-07-11 | Tokyo Electron Limited | Power combiner and microwave introduction mechanism |
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