JPH11509052A - フォトリソグラフィーにより作られる水晶片をエッチングして個別に分離する方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 フォトリソグラフィーにより作られる水晶片をエッチングして１個ずつに切り離す方法（２００）。第１に、水晶ウエハは、金属で両面をメッキされ、次に、フォトレジストで両面をコーティングされる（２０２）。第２に、フォトレジストは、パターン形成され、現像されて、金属層は、エッチングされて、１個ずつに切り離すブランクと親水晶ウエハとの間で露出される狭い水晶の溝によって、水晶片の周辺部を確定する（２０４）。第３に、水晶の溝は、平行な原子面に沿ってウエハ内で部分的に選択的にエッチングされて、水晶ウエハと、１個ずつに切り離すブランクとの間の接合を力学的に弱化させ、一方、水晶片の残りの部分の周辺部は、親水晶ウエハを完全に貫通してエッチングされる（２０６）。第４に、フォトレジスト層が、水晶ウエハから剥離される（２０８）。最後に、水晶片が、水晶の溝の底に実質的に沿って劈開されて、ウエハから水晶片を１個ずつにに切り離す（２１０）。

Description

【発明の詳細な説明】 フォトリソグラフィーにより作られる水晶片を エッチングして個別に分離する方法 発明の分野 本発明は圧電素子に関し、さらに詳しくはフォトリソグラフィーにより作られ る水晶片（quartz crystal blank）をエッチングして個別に分離する方法に関す る。 発明の背景 圧電素子は、各種の圧電材料から作られる種々のタイプおよび形状のデバイス を含むことが知られる。代表的な圧電素子は、水晶から作られる実質的に矩形ま たは円形のプレートで構成される。これらの圧電素子は通常、コンピュータ，セ ルラフォーン，ページャ，ラジオおよび無線データ装置などの電子装置において 、周波数制御に使用される。消費者の要求によって、この装置の寸法が縮小しコ ストが低下し続けるに伴い、圧電素子の小型化，低コスト化およびオートマタビ リティ（autoｍatability）の必要性が一段と増加する。 自動実装装置は通常、実装装置に送られる各圧電素子の 寸法および形状が均一であることが必要とされる。通常、この装置は、視覚シス テム，ピック・アンド・プレース（pick-and-place）システムなどのロボット工 学機械を含む可能性がある。実装するデバイスの寸法が縮小するに伴い、破損， 誤配置および搬送不良（jamming）を低減するために、自動化システムが、実装 する素子に求める許容差も次第に厳しくなる。 第１図では、フォトリソグラフィーにより作られる先行技術の圧電素子１０の 、個別に分離する前の図が示される。これらの素子１０を確定するには、親ウエ ハ１２を貫通してパターンをエッチングするが、各素子１０は、１つまたは複数 の比較的薄いブリッジ部分１６によってウエハ１２と接続される形で残す。これ らのブリッジ１６は、親ウエハ１２の厚さを完全に保つように設計されており、 ブリッジは、各素子１０を適所に維持して、後のウエハ１２の処理を一括して行 えるようにするために必要である。ブリッジ１６の使用により、第２図に示すよ うな独立した素子１０において発生しがちなハンドリング上の問題が回避される 。 圧電ウエハ１２のフォトリソグラフィー処理は技術上知られており、第４図に 示すように、圧電ウエハ１２を金属２４およびフォトレジスト２６でそれぞれコ ーティングする段階を含む。ついで、フォトレジスト２６を現像する段階，金属 ２４をエッチングする段階，圧電ウエハ１２を貫 通してエッチングして、各素子１０を確定する段階が続く。追加の処理として、 フォトレジストの剥離，ウエハの洗浄および素子１０の試験手順を含むこともで きるが、これらの処理は、素子１０がすべて、親ウエハ１２上の既知の位置に保 持される場合には、格段に達成しやすい。しかしながら、ウエハ１２を完全に処 理した後、個々のパッケージに素子１０を実装するためには、最終的に親ウエハ １２から素子１０を個別に分離する必要がある。個別に分離する作業を支援する には、素子１０の周囲に残っている境界２２を貫通してエッチングすることによ って、比較的大きなレリーフ領域２０（第１図）が、素子１０が確定されると同 時に、親ウエハ１２の分離エッジ１４の近傍を貫通してエッチングされる。この エッチング工程は、１つまたは複数のブリッジ１６によって親ウエハ１２と接続 された形で素子１０を残し、ブリッジは、親ウエハ１２の厚さを完全に保つ。素 子１０の分離エッジ１４近傍のレリーフ領域２０を使用すると、破断応力がブリ ッジ１６上またはその近傍に集中する。 第２図は、１個ずつに切り離された先行技術の圧電素子１０を示す。分離エッ ジ１４の近傍でブリッジ１６を切断することによって、親ウエハ１２から素子１ ０を個別に分離すると、予測できない損傷を生じるおそれがある。ブリッジ１６ の代わりに、素子１０の本体に割れ目が入ることが多い。このタイプの破損は、 素子１０の使用性能を破壊 し、スクラップを増加し、歩留まりを低下して、コストを上昇させる。必要に応 じて、ブリッジ１６が劈開する場合でも、ブリッジ１６がクリーンに切断されな かった場合には、圧電素子１０の分離エッジ１４上に不規則なスプール１８が残 る場合がある。分離エッジ１４上でこれらの不規則なスプール１８が突き出ると 、当該エッジ１４上に素子を実装できなくなる。そのため、素子をその最良のエ ッジ上、通常は反対側のエッジ２８上に実装するには、圧電素子のエッジの質を 目で観察する必要がある。この種の目視検査は自動化の妨げになる。 第３図は、先行技術の圧電素子１０のエッチングにおいて使用されるレリーフ 領域２０の断面図を示す。貫通してエッチングされたレリーフ領域２０および境 界２２の幅は極めて大きいため、圧電材料の異方性エッチングおよび上下のフォ トリソグラフィー・パターン形成の整合が、先行技術では本質的に考慮されない 。先行技術では、ウエハ１２の上部と下部の両方からエッチングされるすべての 領域は常に相交わって、（２０として示すように）ウエハ１２を貫通してエッチ ングすることを想定する。 フォトリソグラフィーにより製造されるブランク(blank)の個別に分離する作 業でもう一つ考慮すべきことは、圧電素子は環境への感度が極めて高いことであ る。圧電素子の表面と接触する微粒子はいずれも、周波数を変化させることがで きる。通常、素子は良好に管理された条件 下で気密封止される。しかしながら、これらの封止工程は、個別に分離する作業 中に発生する可能性がある微粒子による汚染には対処しない。これまで、フォト リソグラフィーにより製造される素子に関しては、素子を個別に分離することに よって、（第１図の１６に示すような）ブリッジの予測不可能な破砕を引き起こ した。これらのブリッジは、大小様々の破片に破砕される。極小の破片は、凝集 力によって圧電素子の表面に付着する。素子の表面上にこの極小の粒状物質が存 在すると、種々の入力パワー・レベルで素子の周波数応答に変化を引き起こす。 この現象は、技術上、「drive level dependence」または「起動抵抗」として知 られる。 この極小粒子を除去する最も一般的な方法は、工程に各種の洗浄段階を付加す ることである。先行技術の洗浄には、機械的ブラッシング，湿式洗浄，超音波洗 浄，プラズマ洗浄装置などが含まれる。これらの解決策は、洗浄工程が極めて良 好に管理され監視されない限り、元々存在した以上の汚染を導入する可能性が存 在する。本発明は、潜在的問題が発生する前に、粒状物質の発生を最小限に抑え ることによってこの問題を解決する。また、余分な洗浄工程を回避できるので、 コストを低減する。 水晶片のコストにおいて大きな部分を占めるのは、処理工程，歩留まりおよび 労力である。歩留まりのロスによるスクラップ費用は、可能な限り最小限に抑え なければなら ない。歩留まりのロスは、破損やブランクの汚染の結果生じる。検査工程数と作 業員の関与を低減すれば、資金を節約でき、エラーの発生する可能性を低減でき る。均一な水晶片を１個ずつに分離する本質的にクリーンで反復可能な方法が使 用されれば、オートマタビリティ，歩留まり，コストおよび品質の向上を達成で きる。 水晶片を個別に分離する改良された方法、すなわち、（ｉ）低コストで、（ｉ ｉ）歩留まりを向上し、（ｉｉｉ）圧電素子に損傷を与える可能性を最小限に押 さえ、（ｉｖ）圧電素子の非効率なブレークアウトによる圧電素子上の粒子汚染 を低減し、（ｖ）処理工程数を減らし、および（ｖｉ）ブランクの寸法を実質的 に均一にして、実装の単純化と検査の必要性の低減に寄与できる方法に対して、 必要性が存在する。 発明の開示 本発明は、フォトリソグラフィーにより製造される水晶片および同様の圧電素 子をエッチングして個別に分離する方法を提供する。 図面の簡単な説明 第１図は、フォトリソグラフィーにより製造される先行技 術の水晶ウエハを個別に分離する前の斜視図である。 第２図は、先行技術の水晶片の、１個に切り離した後の斜視図を示す。 第３図は、水晶片とウエハの間を貫通してエッチングされた領域を示す、第１ 図の先行技術の水晶ウエハを線３−３に沿って切った断面図を示す。 第４図は、本発明により、それぞれ金属層およびフォトレジスト層でコーティ ングされた水晶ウエハの断面図を示す。 第５図は、本発明により、予め定められたパターンから除去されたフォトレジ スト層および金属層を持つ水晶ウエハの断面図を示す。 第６図は、本発明により、水晶の結晶配向と整合された溝を有する水晶ウエハ の断面図を示す。 第７図は、本発明に従って、フォトリソグラフィーにより作られる水晶ウエハ を個別に分離する前の斜視図を、エッチングされた溝の拡大詳細図と共に示す。 第８図は、本発明に従って、フォトリソグラフィーにより作られる水晶片を個 別に分離する方法のブロック図を示す。 好適な実施例の詳細な説明 第４図に示すように、水晶ウエハ１０２は、ウエハ１０ ２の両面に金属層１０８を有し、この層は後にフォトレジスト層１１０によって コーティングされる。金属層１０８は、種々の数または構成の導電材料，金属ま たは合金を種々の数の層の中に含めることができる。通常は、金，銀，銅または アルミニウムが、金属層１０８に使用されるが、それは、これらの金属が他のほ とんどの金属に比べて高い導電性を有するからである。金属層１０８は、水晶ウ エハ１０２の両面にあるクロームの第１層と金の第２層とによって構成されるこ とが望ましい。しかしながら、使用される導電層の量，種類および数は様々であ ることを正しく理解されたい。この例では、クロームは、水晶ウエハ１０２に良 好に付着するという利点を備えており、金は、良好な導電性と耐腐食性という利 点を有する。金属層１０８は、水晶エッチング液に対して実質的に不浸透性を有 するべきであるが、これは、フォトレジスト層１１０が、水晶エッチング液を完 全に阻害しないからである。金属層１０８は、技術上周知である従来の種々の方 法を使用して、ウエハ１０２の上に堆積できる。これらの方法は、蒸着法（evap orative deposition），スパッタリング法，ＣＶＤ（化学的気相成長法），電子 ビーム蒸着法およびイオン蒸着法を含むがこれらに限定されない。ＣＨＡ Ｉndu stries（カリフォルニア州メンロパーク）から入手可能な蒸着装置などの電子ビ ーム蒸着装置を使用して、金属層１０８を堆積するのが望ましい。 フォトレジスト層１１０は、ネガ型露光またはポジ型露光のいずれかをとるこ とができる。ほとんどのタイプのフォトレジストが、本発明では等しく有効に機 能することを正しく理解されたい。これは、使用される線幅が、約０．５ミル以 上と極めて大きく、薄層塗布（thinapplicatioｎs）に比べて取り扱いやすいか らである。このフォトレジストは、Ｓolitec（カリフォルニア州サンタクララ） により製造されたものなど、従来の商業的フォトレジスト・スピン装置を用いて スピンできる。 好適な実施例では、金属層１０８およびフォトレジスト層１１０は、水晶ウエ ハ１０２の両面に設けられる。別の方法として、フォトレジスト層１１０を、水 晶ウエハ１０２の片面のみに設けることもできる。この場合、水晶ウエハ１０２ は、フォトレジスト層１１０によってコーティングされた側でのみパターン形成 される。ウエハ１０２をフォトレジスト層１１０でコーティングした後、フォト レジスト層１１０は、対流式の通気孔付きオーブン（air vented oven）（ウイ スコンシン州Ｂlue-Ｍ Ｅlectricにより製造されたものなど）で硬化される。 第５図を参照して、水晶ウエハ１０２は、フォトレジスト層１１０と金属層１ ０８の選択された部分が、パターン形成され、現像され、エッチングされた後の 図が示される。フォトレジスト層１１０は最初、予め決められたパターン１１２ に合わせて、紫外線により露光される。予め決めら れたパターン１１２は、フォトマスクを用いて、紫外線露光システムによってウ エハ１０２上で確定される。好適な実施例では、Ｈybrid Ｔechnology Ｇroup, Ｉnc.のＳeries 80マスク露光装置（カリフォルニア州サンホセのＨＴＧ,Ｉnc. 製造）が、水晶ウエハ１０２の片面または両面上の予め決められたパターン１１ ２を確定するのに用いられる。しかしながら、線幅の許容差は本出願では重大で はないので、他の各種のマスク露光システムも利用できることを理解されたい。 露光後、フォトレジスト層１１０は、フォトレジスト現像液槽で現像され、脱 イオン水槽で濯がれる。ついで、金属層１０８が、金属エッチング槽内でエッチ ングにより除去され、ついで脱イオン水槽内で濯がれる。この工程は、水晶ウエ ハ１０２の表面の一部分を露出させる。好適な実施例では、現像液槽，リンス槽 および金属エッチング槽はそれぞれ、Ｓeｍifab，Ｉnc．（カリフォルニア州ホ リスター）によって製造される。しかしながら、他の装置もこれに関連して利用 できることを理解されたい。実際、本発明に関しては、適切なフォトリソグラフ ィー処理装置のほとんどを使用することができる。 水晶ウエハ１０２はついで、水晶エッチング液槽に移送されて、（第６図に示 すように）水晶ウエハ１０２の露出された部分をエッチングする。水晶エッチン グの後、ウエハ１０２は脱イオン水で濯がれる。ウエハ１０２はついで、 剥離液槽内でフォトレジスト層が剥離されて、脱イオン水槽内で再度濯がれる。 好適な実施例では、水晶エッチング液槽，リンス槽および剥離液槽はそれぞれ、 Ｓeｍifab，Ｉnc．（カリフォルニア州ホリスター）によって製造される。他の 適切なフォトリソグラフィー処理装置も使用することができる。 水晶片１００はついで、単純な手動による切り離しジグ（第７図の挿入図で１ ３０として示す）により、水晶ウエハ１０２から劈開される。ジグ１３０は、各 水晶片１００のブレークアウト・エッジ１０６近傍のウエハを締め付け、曲げ力 １３４が、各水晶片１００の自由縁１０４の近傍に手動で加えられて、水晶溝１ １４を劈開して１３２、ブランク１００を個別に分離する。クランプ１３０の正 確な形状は本発明にとって重要ではない。しかしながら、曲げ力１３４は、ブラ ンク１００の表面に擦り傷をつけないように加える。曲げ力１３４は、水晶片１ ００の自由縁１０４またはその近傍に直接加えられるのが望ましい。好適な実施 例では、この動作は自動化される。 第４図および第８図を参照して、本発明の第１の主要段階は、金属層１０８お よびフォトレジスト層１１０を備えた水晶ウエハ１０２を設ける段階である（２ ０２）。好適な実施例では、水晶ウエハ１０２には、少なくとも１０Åのクロー ムが蒸着され、ついで、少なくとも２００Åの金が蒸着される。金属層１０８の 正確な厚さは、本発明では 重要ではない。しかしながら、クローム層は、蒸着中にその後の金層に浸透する のを防止するのに少なくとも十分な厚さにすべきであり、金層は、水晶エッチン グ液に対して導電性を有して、実質的に無孔性となるのに十分な厚さにすべきで ある。金属層１０８は、水晶エッチング液に対して無孔性であるべきである。な ぜなら、フォトレジスト層１１０は、水晶エッチング液が、エッチングされない で残すべき水晶ウエハ１０２の領域に浸透するのを十分に抑制できない可能性が あるからである。好適な実施例では、約５００Åのクロームが堆積され、ついで 、約４０００Åの金が堆積される。 ついで、フォトレジスト層１１０が、製造者の推奨事項に従ってスピンされる 。好適な実施例では、Ｓhipley Ｍicroposit^TMＳ1400-31フォトレジスト（マサ チューセッツ州ニュートンのＳhipleyから入手可能）が、フォトレジスト層１１ ０に使用される。ついで、対流式の通気孔付きオーブン（ウィスコンシン州ウォ ータータウンのＢｌｕｅ−Ｍ Ｅlectricにより製造されたものなど）内で約９０ ℃の温度で約１５分間、ウエハ１０２の各面をベーキングする。他の同様のフォ トレジストを使用しても、許容可能な結果が得られる。ウエハ１０２の両面に、 フォトレジスト層１１０が設けられることが望ましい。しかしながら、フォトレ ジスト層１１０を、ウエハ１０２の片面上にのみ設けることもできる。 第５図および第８図を参照して、次の処理段階２０４は、水晶ウエハ１０２の 部分から予め決められたパターン１１２を除去する段階を提供する。水晶ウエハ １０２は、ガラス・フォトマスクを通して、約６秒間に渡り、１平方センチメー トル当り約２５ミリワットの光強度（light concentration）で、紫外線に露光 される。好適な実施例では、溝１１４を確定する予め決められたパターン１１２ の幅は、水晶ウエハの厚さ１２８約３．９ミルに対して、約０．５ミルである。 ついで、水晶ウエハ１０２は、約２５℃で約１．５分間、Ｓhipley Ｍicroposit^TM ３５１現像装置の現像槽内に浸漬され、ついで、少なくとも３０秒間、脱イオ ン水で濯がれる。ついで、水晶ウエハは、Ｔechni-strip^TMＡＵ（シアン化ナト リウムタイプ）（ニュージャージー州ニューアークのＬawrence Ｐackaging Ｓu pplyから入手可能）の金エッチング液槽内に、約２５℃、（金属層１０８の厚さ に応じて）約１分から５分間浸漬される。好適な厚さである４０００Åの金層を 使用するには、金エッチング時間が約４分間必要である。この処理段階の後に、 脱イオン水によるすすぎが少なくとも３０秒間が行われる。ついで、水晶ウエハ は、タイプＴＦＤなどの商業的クローム・エッチング液の中に、約２５℃で約２ 分間浸漬され、ついで、少なくとも３０秒間脱イオン水で濯がれる。 第６図および第８図を参照して、次の処理段階２０６は、水晶ウエハ１０２を エッチングする段階を提供する。水晶 ウエハ１０２は、約６０パーセントのフッ化水素酸と約４０パーセントのフッ化 アンモニウムの過飽和溶液の中に、約８０℃で約４５分間浸漬される（最初の水 晶ウエハの厚さ１２８によって異なる）。他の商業的に利用可能な水晶エッチン グ液も等しく有効に働く。水晶ウエハ１０２の原子面１２２に実質的に沿ってエ ッチングするのが望ましい。エッチング中に、原子面は、溝１１４のエッチング された壁１２４を最終的に確定する。幅の狭い溝１１４の領域内では、溝１１４ の中で、活性化された水晶エッチング液の局所的な減耗を引き起こす。活性水晶 エッチング液の減耗によって、幅の狭い溝１１６の底は、水晶片１００の残りの 部分の周囲にある幅広の周辺部１１８よりも遅い速度でエッチングされる。水晶 エッチングが完了した後、溝１１６の底は、水晶ウエハの厚さ１２８の約２５パ ーセントまで達する一方で、水晶片１００の周辺部１１８は、ウエハ１０２を完 全に貫通してエッチングされる。 好適な実施例では、水晶ウエハは最初に、水晶のＺ軸１３６が、溝１１４に対 して実質的に垂直となるように整合されて提供される。この特別な整合は、原子 面１２２の特別な整合により、溝１１４の相交わらない形でエッチングされた壁 １２４を設ける。より具体的に言えば、相交わらない形で部分的にエッチングさ れた溝１１４は、水晶片１００のブレークアウト・エッジ１０６近傍の水晶ウエ ハ１０２の少なくとも一部分を力学的に弱化するため、曲げ力 １３４が、水晶片１００に加えられた時に、クリーンに切り離すことができる。 相交わらない溝１１４の利点は、共直線性のエッチングされた溝１１４がウエ ハ１０２を力学的に弱化するほど、水晶ウエハ１０２を力学的に弱化させること なく、深いエッチングを可能にすることである。また、相交わらない溝１１４は 、幅の狭い溝１１４と、水晶片１００の残りの部分を確定する幅広の周辺部１１ ８との間でエッチング速度を差別化する必要性を減少する。これによって、必要 とされる以上に幅の広い溝１１４の形状を使用できる。またより深くエッチング することにより、水晶の溝の底部を実質的に均一に確定することができて、クリ ーンな劈開が行える。しかしながら、本発明は、相交わる共直線性のエッチング 溝１１４をエッチングするのにも使用できるが、共直線性のエッチング溝１１４ は、実質的に均一な溝の底部１１６が確定される前に、水晶ウエハ１０２を弱化 する可能性があることを正しく理解されたい。 水晶エッチングの後、次の処理段階は、第８図のブロック２０８に示すように 、水晶ウエハ１０２からフォトレジスト層１１０を剥離する段階２０８を提供す る。１つの実施例では、フォトレジストは、Ｓhipley Ｍicroposit^TM１４２Ａ Ｒeｍover（マサチューセッツ州ニュートンのＳhipleyから入手可能）内で、約 ７０℃、約１５分間で剥離することができる。しかしながら、アセトン，アルコ ー ルまたはその他の適切な商業的に使用可能な剥離液も同等に有効に使用すること ができる。 第７図および第８図を参照して、最後の主要処理段階は、各水晶片１００のブ レークアウト・エッジ１０６近傍で、ウエハ１０２を締め付けて１３０、曲げ力 １３４を水晶片１００に加えることによって、水晶ウエハ１０２から、各水晶片 １００を切断する段階２１０を提供する。曲げ力１３４は、溝１１６の底部に、 引張応力を集中させる。この応力が、水晶ウエハ１０２の原子面１２２に実質的 に沿って、割れ目１３２を伝搬させて、水晶ウエハ１０２からブランク１００を 個別に分離する。曲げ力１３４は、ブランク１００の表面にキズが付くのを実質 的に防ぐように加えられる。曲げ力１３４は、水晶片１００の自由縁１０４に加 えるのが望ましい。 原子面１２２に沿って溝１１６の底を劈開１３２することの利点は、水晶ウエ ハ１０２の破砕を最小限に抑え、水晶片１００の表面上の粒状物資汚染を最小限 に抑えることである。また、この劈開１３２は、よりクリーンで効率的かつ効果 的に１個ずつに切り離された水晶片１００を提供し、滑らかなブレークアウト・ エッジ１０６を有して、ブランクの自由縁１０４と同等に実装できる。検査およ び品質管理工程も少なくて済み、水晶片１００をクリーンに個別に分離すると、 この切り離し工程の間に破損する水晶片１００の数が減少するため、歩留まりの 向上にも寄与し、 ひいては、低コスト化を可能にできる。また、水晶片１００のブレークアウト・ エッジ１０６が均一な寸法であることは、ブランク１００の不規則性による配置 上の問題を生じずに、自動化の利用を直ちに可能にする。 本発明の種々の実施例を示して説明してきたが、当業者は、本発明の新規性の 意図および範囲を逸脱することなく、各種の変更および置き換え、ならびに前述 の実施例を再編成し、組み合わせることが可能である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ズィムニッキ、チャールズ・エル アメリカ合衆国イリノイ州シャンバーグ、 ハスティングス・コート1925 (72)発明者 アルヘイク、イアド アメリカ合衆国イリノイ州シャンバーグ、 ナンバー２シー、マリンガー・コート108

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １．フォトリソグラフィーにより作られる水晶片をエッチングして個別に分離 する方法であって： 少なくとも１つの金属層およびフォトレジスト層でそれぞれコーティングされ た水晶ウエハを用意する段階； 前記フォトレジストおよび前記金属層から所定のパターンを除去し、底部を有 する水晶の溝部を露出し、前記溝部は、水晶片の周囲を定め残りの水晶と接続す る、段階； 実質的に平行な水晶の原子面に沿って、前記溝部の前記底部をエッチングする が、前記溝部の前記底部は、前記水晶ウエハを貫通してエッチングされない段階 ； 前記金属層から残りの前記フォトレジスト層を剥離する段階；および 前記溝部の前記底部に実質的に沿って、および水晶の原子面に実質的に整合し て劈開し、前記水晶片を前記水晶ウエハから個別に分離する段階； によって構成されることを特徴とする方法。 ２．前記エッチング段階は： 前記溝部の前記底部を、十分に長い時間に渡りエッチング液に曝して、前記溝 部の近傍の前記水晶ウエハを少なくとも部分的に力学的に弱めるが、前記溝部の 前記底部を前記水晶ウエハを貫通してエッチングしないほど十分短い時間に渡っ てエッチング液に曝す段階；および 前記水晶片を定める前記周辺部を、前記水晶ウエハを貫通してエッチングする のに十分な長時間に渡りエッチング液に曝す段階； によって構成されることを特徴とする、請求項１記載の方法。 ３．劈開する前記段階は、前記溝部の内側部分に引張力を加えることによって 、前記水晶ウエハから前記水晶片を個別に分離し、前記水晶の破砕を最小限に抑 える段階を含むことを特徴とする、請求項１記載の方法。 ４．除去およびエッチングする前記各段階は、実質的に反対側の溝部を含む前 記水晶ウエハの両面で行われることを特徴とする、請求項１記載の方法。 ５．前記除去する段階は、前記エッチングする段階の前に、実質的に整合され た前記２つの実質的に対峙する溝部を有する所定のパターンを提供する段階を含 むことを特徴とする、請求項４記載の方法。 ６．前記劈開する段階は、前記水晶ウエハをクランプして曲げ応力を前記水晶 片に与え、原子面に実質的に沿って、引張力により前記溝部の前記底部に割れ目 を付けて、前記水晶ウエハから前記水晶片を個別に分離する段階を含むことを特 徴とする、請求項１記載の方法。 ７．フォトリソグラフィーにより作られる水晶片をエッチングして個別に分離 する方法であって： ウエハの両面が、それぞれ金属層およびフォトレジスト 層でコーティングされた水晶ウエハを設ける段階； 前記水晶ウエハの両面の前記フォトレジスト層および前記金属層から所定のパ ターンを除去して、それぞれ底部を有する２つの向かい合う水晶の溝部を露出し 、前記溝部は水晶片の周囲を定め残りの水晶と接続する、段階； 前記水晶片定める周辺部、および前記２つの溝部の前記底部を、実質的に平行 な水晶の原子面に沿ってエッチングする段階であって、前記溝部のエッチングさ れた壁面は、前記実質的に平行な原子面によって形成され、前記溝部の前記底部 は前記水晶ウエハを貫通するまでエッチングされない、段階； 前記金属層から前記フォトレジストを剥離する段階；および １つの前記溝部の底部に実質的に沿って、および水晶の原子面と実質的に整合 して劈開して、前記水晶片を前記水晶ウエハから個別に分離することにより、前 記水晶の破砕が最小限に抑えられる段階； によって構成されることを特徴とする方法。 ８．前記エッチングする段階は： 前記溝部の前記底部を、前記溝部の近傍の前記水晶ウエハを少なくとも部分的 に力学的に弱化するのに十分な長時間に渡りエッチング液に曝し、前記溝部の前 記底部を、前記水晶ウエハを貫通してエッチングしないほど十分短い時間に渡っ てエッチング液に曝す段階；および 前記ウエハを貫通してエッチングするのに十分な長い時間に渡って、前記水晶 ウエハの対向する前記周辺部をエッチング液に曝して、前記水晶片を画定する段 階； を含むことを特徴とする、請求項７記載の方法。 ９．前記除去する段階は、前記エッチングする段階の前に、実質的に整合され た前記２つの溝部を有する前記水晶ウエハの対向する面上に前記所定のパターン を含み、前記２つの溝部は相交わる原子面を共有しないことを特徴とする、請求 項７記載の方法。 １０．前記水晶ウエハの対向する面の前記所定のパターンは、前記水晶片を画 定する前記周辺部の前記幅よりも実質的に狭い、少なくとも１つの溝幅を有する ように選択され、前記幅の狭い溝部の前記底部は、前記幅の狭い溝部の活性エッ チング液の減耗速度が上昇すると前記水晶片を画定する前記幅広の周辺部よりエ ッチング速度が遅くなることを特徴とする、請求項７記載の方法。