JPH1152122A - カラーフィルターの製造方法と、撮像装置の製造方法 - Google Patents
カラーフィルターの製造方法と、撮像装置の製造方法Info
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- JPH1152122A JPH1152122A JP20922397A JP20922397A JPH1152122A JP H1152122 A JPH1152122 A JP H1152122A JP 20922397 A JP20922397 A JP 20922397A JP 20922397 A JP20922397 A JP 20922397A JP H1152122 A JPH1152122 A JP H1152122A
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- color
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- color photoresist
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 カラーフォトレジストの現像液の残渣を低減
させ、デバイスの歩留りの向上および撮像装置の画質の
向上を図る。 【解決手段】 カラーフォトレジストの塗布面をＯ2 ガ
スによるアッシング処理を行った後に、顔料系カラーフ
ォトレジストを塗布する。
させ、デバイスの歩留りの向上および撮像装置の画質の
向上を図る。 【解決手段】 カラーフォトレジストの塗布面をＯ2 ガ
スによるアッシング処理を行った後に、顔料系カラーフ
ォトレジストを塗布する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば電荷結合素
子いわゆるＣＣＤ（チャージ・カプルド・デバイス）に
よる固体撮像装置、および液晶表示装置等に適用するカ
ラーフィルターの製造方法と、カラーフィルターの製造
方法に特徴を有する撮像装置の製造方法に係わる。
子いわゆるＣＣＤ（チャージ・カプルド・デバイス）に
よる固体撮像装置、および液晶表示装置等に適用するカ
ラーフィルターの製造方法と、カラーフィルターの製造
方法に特徴を有する撮像装置の製造方法に係わる。
【０００２】
【従来の技術】例えば、ＣＣＤによる固体撮像装置、液
晶表示装置等においては、これらを構成するカラーフィ
ルターは、露光、現像処理によって、パターン形成が行
われる。
晶表示装置等においては、これらを構成するカラーフィ
ルターは、露光、現像処理によって、パターン形成が行
われる。
【０００３】例えばＣＣＤ型カラー固体撮像装置に例
を、その受光部の概略断面図を示す図１を参照して説明
する。この例では、ｎ型の半導体基体１の一主面側にｐ
型の第１のウエル領域２が形成され、その受光部の形成
領域に光電変換素子例えばフォトダイオードを構成する
ｎ型の不純物導入領域３が形成され、その表面にｐ型の
高濃度の正電荷蓄積領域４が形成された受光部５が形成
される。この受光部は、半導体基体１上に、水平および
垂直方向に沿ってそれぞれ多数配列形成される。そし
て、例えば共通の垂直方向に配列された受光部５に隣り
合ってＣＣＤ構成による垂直シフトレジスタが形成され
る。この垂直シフトレジスタは、第２のｐ型ウエル領域
７上に、ｎ型の転送領域８が形成され、これの上にＳｉ
Ｏ2 等の絶縁層９を介して転送電極１０が形成される。
この転送電極１０は、垂直方向に相互に絶縁された複数
組の転送電極が配置されてなり、各組の転送電極間にク
ロック電圧が印加されて、各受光部５からその受光量に
応じて発生した電荷を引出し、これを垂直方向に順次転
送するようにされている。半導体基体１の、電荷の授受
が回避されるべき部分には、ｐ型の高濃度チャネルスト
ップ領域１４が形成される。
を、その受光部の概略断面図を示す図１を参照して説明
する。この例では、ｎ型の半導体基体１の一主面側にｐ
型の第１のウエル領域２が形成され、その受光部の形成
領域に光電変換素子例えばフォトダイオードを構成する
ｎ型の不純物導入領域３が形成され、その表面にｐ型の
高濃度の正電荷蓄積領域４が形成された受光部５が形成
される。この受光部は、半導体基体１上に、水平および
垂直方向に沿ってそれぞれ多数配列形成される。そし
て、例えば共通の垂直方向に配列された受光部５に隣り
合ってＣＣＤ構成による垂直シフトレジスタが形成され
る。この垂直シフトレジスタは、第２のｐ型ウエル領域
７上に、ｎ型の転送領域８が形成され、これの上にＳｉ
Ｏ2 等の絶縁層９を介して転送電極１０が形成される。
この転送電極１０は、垂直方向に相互に絶縁された複数
組の転送電極が配置されてなり、各組の転送電極間にク
ロック電圧が印加されて、各受光部５からその受光量に
応じて発生した電荷を引出し、これを垂直方向に順次転
送するようにされている。半導体基体１の、電荷の授受
が回避されるべき部分には、ｐ型の高濃度チャネルスト
ップ領域１４が形成される。
【０００４】また、この固体撮像装置の上面には、受光
部５上に受光窓１１ｗが開口されたＡｌ層等よりなる遮
光膜１１がほぼ全面的に被着形成される。更に、この遮
光膜１１上に、通常、光透過性の樹脂膜、すなわち有機
膜による平坦化膜１２が全面的に被着形成され、この平
坦化膜１２上に、カラーフィルター１３が形成される。
部５上に受光窓１１ｗが開口されたＡｌ層等よりなる遮
光膜１１がほぼ全面的に被着形成される。更に、この遮
光膜１１上に、通常、光透過性の樹脂膜、すなわち有機
膜による平坦化膜１２が全面的に被着形成され、この平
坦化膜１２上に、カラーフィルター１３が形成される。
【０００５】このカラーフィルター１３は、例えば図２
にその配置パターンの一例を示すように、例えば赤のフ
ィルター素体Ｒ、緑のフィルター素体Ｇおよび青のフィ
ルター素体Ｂがモザイク状にそれぞれ対応する受光部５
上に配置されて成る。
にその配置パターンの一例を示すように、例えば赤のフ
ィルター素体Ｒ、緑のフィルター素体Ｇおよび青のフィ
ルター素体Ｂがモザイク状にそれぞれ対応する受光部５
上に配置されて成る。
【０００６】このカラーフィルター１３は、各色のフィ
ルター素体を構成する例えば顔料分散型フォトレジスト
を順次公知のフォトレジスト法で、各色スピンコートに
よるレジストコート後、露光、現像処理を行うことによ
って形成することができる。
ルター素体を構成する例えば顔料分散型フォトレジスト
を順次公知のフォトレジスト法で、各色スピンコートに
よるレジストコート後、露光、現像処理を行うことによ
って形成することができる。
【０００７】このカラーフィルター１３の形成において
は、図３に示すように、現像不良によって、カラーフィ
ルター素体Ｒ、Ｇ、Ｂのパターンの近傍やこれら素体間
において現像残渣１５を生じる。図４にウエーハ５０上
にカラーフィルター１３を形成した後の現像残渣１５の
残り具合を模式的に表す。一般にカラーフィルターの形
成を行う場合には、通常、回転台に真空吸着により固定
した被処理体を回転させて処理するため図４に示すよう
に、ウエーハ５０の中心から放射方向に向かって現像残
渣が残りやすくなる。この現像残渣は、最終的に得られ
るカラーフィルターを用いた固体撮像装置および液晶表
示装置においては、画像欠陥の原因となり、歩留りを低
下させる。
は、図３に示すように、現像不良によって、カラーフィ
ルター素体Ｒ、Ｇ、Ｂのパターンの近傍やこれら素体間
において現像残渣１５を生じる。図４にウエーハ５０上
にカラーフィルター１３を形成した後の現像残渣１５の
残り具合を模式的に表す。一般にカラーフィルターの形
成を行う場合には、通常、回転台に真空吸着により固定
した被処理体を回転させて処理するため図４に示すよう
に、ウエーハ５０の中心から放射方向に向かって現像残
渣が残りやすくなる。この現像残渣は、最終的に得られ
るカラーフィルターを用いた固体撮像装置および液晶表
示装置においては、画像欠陥の原因となり、歩留りを低
下させる。
【０００８】この残渣を取り除くためには、カラーフィ
ルター１３の作製工程において、現像液での処理後にお
いて、純水洗浄を行うことによって除去する方法が採ら
れていた。 （表１）に従来におけるカラーフィルターの一例に現像
処理および洗浄工程を示す。
ルター１３の作製工程において、現像液での処理後にお
いて、純水洗浄を行うことによって除去する方法が採ら
れていた。 （表１）に従来におけるカラーフィルターの一例に現像
処理および洗浄工程を示す。
【０００９】
【表１】
【００１０】（表１）に示すように、工程１において、
基板を高速回転させ、１秒間の現像液吐出を行って、基
板全体に現像液を行き渡らせる。ここに基板とは、カラ
ーフィルター１３を形成する例えば前述した平坦化膜１
２が形成された固体撮像装置基板、あるいはガラス基板
等の基板である。この現像液には、無機現像液として
は、例えば富士ハントエレクトロニクス社製ＣＤ等や、
有機現像液としては、例えば富士ハントエレクトロニク
ス社製ＣＤ２０００等を適用することができる。
基板を高速回転させ、１秒間の現像液吐出を行って、基
板全体に現像液を行き渡らせる。ここに基板とは、カラ
ーフィルター１３を形成する例えば前述した平坦化膜１
２が形成された固体撮像装置基板、あるいはガラス基板
等の基板である。この現像液には、無機現像液として
は、例えば富士ハントエレクトロニクス社製ＣＤ等や、
有機現像液としては、例えば富士ハントエレクトロニク
ス社製ＣＤ２０００等を適用することができる。
【００１１】次に、工程２において現像液を吐出させた
状態で基板の回転数を３０ｒｐｍに落として、３秒間保
持し、その後、工程３において現像液の吐出を停止し
て、６０秒間の放置によって現像する。
状態で基板の回転数を３０ｒｐｍに落として、３秒間保
持し、その後、工程３において現像液の吐出を停止し
て、６０秒間の放置によって現像する。
【００１２】この現像処理後、工程４において、基板を
５０ｒｐｍ回転として、純水を用いて４０秒間のリンス
洗浄を行うが、このリンス洗浄は、純水を窒素ガスによ
り加圧させたスプレー洗浄による。さらに工程５におい
て５００ｒｐｍで２０秒間、純水を加圧して吹きつける
ことによって洗浄を行い、物理的に残渣を除去する。
５０ｒｐｍ回転として、純水を用いて４０秒間のリンス
洗浄を行うが、このリンス洗浄は、純水を窒素ガスによ
り加圧させたスプレー洗浄による。さらに工程５におい
て５００ｒｐｍで２０秒間、純水を加圧して吹きつける
ことによって洗浄を行い、物理的に残渣を除去する。
【００１３】上述した方法によって、残渣を除去する工
程を経た後、工程６において、基板を３０００ｒｐｍの
高速回転を１５秒間行って、純水を振り切るいわゆるス
ピンドライ工程を行う。
程を経た後、工程６において、基板を３０００ｒｐｍの
高速回転を１５秒間行って、純水を振り切るいわゆるス
ピンドライ工程を行う。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記
（表１）に示したようにカラーフィルター１３の作製工
程において、その現像処理後に残渣を除去するために純
水をスプレーしたり、加圧して吹きつけたりするのみで
は、残渣を充分に除去することはできず、また、カラー
フィルター１３と、図１において示した下地膜の平坦化
膜１２との密着性が悪化して、カラーフィルター１３が
剥離する場合がある。
（表１）に示したようにカラーフィルター１３の作製工
程において、その現像処理後に残渣を除去するために純
水をスプレーしたり、加圧して吹きつけたりするのみで
は、残渣を充分に除去することはできず、また、カラー
フィルター１３と、図１において示した下地膜の平坦化
膜１２との密着性が悪化して、カラーフィルター１３が
剥離する場合がある。
【００１５】特に固体撮像装置においては、カラーフィ
ルター１３のパターン寸法が液晶表示装置の場合よりも
さらに微細であるため、カラーフィルター１３の剥離の
影響はさらに深刻である。
ルター１３のパターン寸法が液晶表示装置の場合よりも
さらに微細であるため、カラーフィルター１３の剥離の
影響はさらに深刻である。
【００１６】そこで、本発明においては、現像処理後の
現像液の残渣の除去を効果的に行うことができ、残渣除
去工程におけるカラーフィルターの剥離を効果的に回避
することのできるカラーフィルターの製造方法と、この
カラーフィルターの製造方法に特徴を有する撮像装置の
製造方法を提供する。
現像液の残渣の除去を効果的に行うことができ、残渣除
去工程におけるカラーフィルターの剥離を効果的に回避
することのできるカラーフィルターの製造方法と、この
カラーフィルターの製造方法に特徴を有する撮像装置の
製造方法を提供する。
【００１７】
【課題を解決するための手段】本発明においては、カラ
ーフォトレジストの塗布面をＯ2 ガスによるアッシング
処理を行う工程と、カラーフォトレジスト塗布面に、顔
料系カラーフォトレジストを塗布する工程とを、順次行
うものとする。
ーフォトレジストの塗布面をＯ2 ガスによるアッシング
処理を行う工程と、カラーフォトレジスト塗布面に、顔
料系カラーフォトレジストを塗布する工程とを、順次行
うものとする。
【００１８】また、本発明においては、カラーフォトレ
ジストの塗布面をＯ2 ガスによるアッシング処理を行う
工程と、カラーフォトレジストの塗布面に少なくとも２
色以上の顔料系カラーフォトレジストを塗布する工程と
を有し、アッシング処理は、各カラーフォトレジストを
塗布する各工程の前に行うものとする。
ジストの塗布面をＯ2 ガスによるアッシング処理を行う
工程と、カラーフォトレジストの塗布面に少なくとも２
色以上の顔料系カラーフォトレジストを塗布する工程と
を有し、アッシング処理は、各カラーフォトレジストを
塗布する各工程の前に行うものとする。
【００１９】本発明によれば、カラーフォトレジストの
塗布面を親水性に改質することができ、現像性を改善す
ることができた。また、現像液の残渣を効果的に低減す
ることができ、デバイスの歩留りの向上および撮像装置
の画質の向上を図ることができた。
塗布面を親水性に改質することができ、現像性を改善す
ることができた。また、現像液の残渣を効果的に低減す
ることができ、デバイスの歩留りの向上および撮像装置
の画質の向上を図ることができた。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明する。本発明は、固体撮像装置、および液晶表示
装置を構成する顔料系カラーフィルターを顔料分散型フ
ォトレジストで形成する際の、現像残渣、パターンの剥
離の問題を改善するための、カラーフィルターの製造方
法および撮像装置の製造方法に関するものである。
て説明する。本発明は、固体撮像装置、および液晶表示
装置を構成する顔料系カラーフィルターを顔料分散型フ
ォトレジストで形成する際の、現像残渣、パターンの剥
離の問題を改善するための、カラーフィルターの製造方
法および撮像装置の製造方法に関するものである。
【００２１】次に、本発明を前述したＣＣＤ型固体撮像
装置に適用する場合の例を説明するが、本発明は、この
例に限定されるものではなく、他の固体撮像装置や液晶
表示装置にも適用することができる。
装置に適用する場合の例を説明するが、本発明は、この
例に限定されるものではなく、他の固体撮像装置や液晶
表示装置にも適用することができる。
【００２２】例えばＣＣＤ型カラー固体撮像装置の例
を、その受光部の概略断面図を示す図１を参照して説明
する。この例では、ｎ型の半導体基体１の一主面側にｐ
型の第１のウエル領域２が形成され、その受光部の形成
領域に光電変換素子例えばフォトダイオードを構成する
ｎ型の不純物導入領域３が形成され、その表面にｐ型の
高濃度の正電荷蓄積領域４が形成された受光部５が形成
される。この受光部は、半導体基体１上に、水平および
垂直方向に沿ってそれぞれ多数配列形成される。そし
て、例えば共通の垂直方向に配列された受光部５に隣り
合ってＣＣＤ構成による垂直シフトレジスタが形成され
る。この垂直シフトレジスタは、第２のｐ型ウエル領域
７上に、ｎ型の転送領域８が形成され、これの上にＳｉ
Ｏ2 等の絶縁層９を介して転送電極１０が形成される。
この転送電極１０は、垂直方向に相互に絶縁された複数
組の転送電極が配置されてなり、各組の転送電極間にク
ロック電圧が印加されて、各受光部５からその受光量に
応じて発生した電荷を引出し、これを垂直方向に順次転
送するようになされている。半導体基体１の、電荷の授
受が回避されるべき部分には、ｐ型の高濃度チャネルス
トップ領域１４が形成される。
を、その受光部の概略断面図を示す図１を参照して説明
する。この例では、ｎ型の半導体基体１の一主面側にｐ
型の第１のウエル領域２が形成され、その受光部の形成
領域に光電変換素子例えばフォトダイオードを構成する
ｎ型の不純物導入領域３が形成され、その表面にｐ型の
高濃度の正電荷蓄積領域４が形成された受光部５が形成
される。この受光部は、半導体基体１上に、水平および
垂直方向に沿ってそれぞれ多数配列形成される。そし
て、例えば共通の垂直方向に配列された受光部５に隣り
合ってＣＣＤ構成による垂直シフトレジスタが形成され
る。この垂直シフトレジスタは、第２のｐ型ウエル領域
７上に、ｎ型の転送領域８が形成され、これの上にＳｉ
Ｏ2 等の絶縁層９を介して転送電極１０が形成される。
この転送電極１０は、垂直方向に相互に絶縁された複数
組の転送電極が配置されてなり、各組の転送電極間にク
ロック電圧が印加されて、各受光部５からその受光量に
応じて発生した電荷を引出し、これを垂直方向に順次転
送するようになされている。半導体基体１の、電荷の授
受が回避されるべき部分には、ｐ型の高濃度チャネルス
トップ領域１４が形成される。
【００２３】また、この固体撮像装置の上面には、受光
部５上に受光窓１１ｗが開口されたＡｌ層等よりなる遮
光膜１１がほぼ全面的に被着形成される。更に、この遮
光膜１１上に、カラーフォトレジストの塗布面となる光
透過性の平坦化膜１２が全面的に被着形成される。この
平坦化膜１２は、熱硬化型アクリル樹脂、例えばオプト
マーＳＳ２２１１Ｓ（日本合成ゴム社製）や、ポリイミ
ド樹脂、例えばＰＩＱ−２２００（日立化成工業株式会
社製）を適用することができる。
部５上に受光窓１１ｗが開口されたＡｌ層等よりなる遮
光膜１１がほぼ全面的に被着形成される。更に、この遮
光膜１１上に、カラーフォトレジストの塗布面となる光
透過性の平坦化膜１２が全面的に被着形成される。この
平坦化膜１２は、熱硬化型アクリル樹脂、例えばオプト
マーＳＳ２２１１Ｓ（日本合成ゴム社製）や、ポリイミ
ド樹脂、例えばＰＩＱ−２２００（日立化成工業株式会
社製）を適用することができる。
【００２４】この平坦化膜１２として熱硬化型アクリル
樹脂を用いる場合は、遮光膜１１上に公知のスピンコー
ト法で塗布した後、ホットプレート等により例えば２０
０℃で３００ｓｅｃ加熱処理する。また、平坦化膜１２
としてポリイミド樹脂を用いる場合には、遮光膜１１上
に公知のスピンコート法で塗布した後、ホットプレート
等により、例えば１００℃で１２０ｓｅｃ、２００℃で
１２０ｓｅｃ、３５０℃で１２０ｓｅｃ、３段階加熱処
理する。
樹脂を用いる場合は、遮光膜１１上に公知のスピンコー
ト法で塗布した後、ホットプレート等により例えば２０
０℃で３００ｓｅｃ加熱処理する。また、平坦化膜１２
としてポリイミド樹脂を用いる場合には、遮光膜１１上
に公知のスピンコート法で塗布した後、ホットプレート
等により、例えば１００℃で１２０ｓｅｃ、２００℃で
１２０ｓｅｃ、３５０℃で１２０ｓｅｃ、３段階加熱処
理する。
【００２５】次に、平坦化膜１２、例えば上述した熱硬
化型アクリル樹脂や、ポリイミド樹脂等に、カラーフォ
トジレストを塗布する前に、公知のドライアッシャーを
用いて、Ｏ2 ガスによるアッシング処理を行う。
化型アクリル樹脂や、ポリイミド樹脂等に、カラーフォ
トジレストを塗布する前に、公知のドライアッシャーを
用いて、Ｏ2 ガスによるアッシング処理を行う。
【００２６】すなわち、図５に示す平坦化膜１２の表面
をアッシングし、図６に示すように、１０〜３０ｎｍ程
度除去する。これにより、平坦化膜１２の表面を親水性
に改質することができ、現像性の向上を図ることができ
る。
をアッシングし、図６に示すように、１０〜３０ｎｍ程
度除去する。これにより、平坦化膜１２の表面を親水性
に改質することができ、現像性の向上を図ることができ
る。
【００２７】図５および図６に示す平坦化膜１２表面の
Ｏ2 ガスによるアッシング処理条件について以下（表
２）に示す。
Ｏ2 ガスによるアッシング処理条件について以下（表
２）に示す。
【００２８】
【表２】
【００２９】次に、Ｏ2 ガスによるアッシング処理を行
った平坦化膜１２上にカラーフィルターを形成する。
った平坦化膜１２上にカラーフィルターを形成する。
【００３０】以下においては、特に、平坦化膜１２上
に、３色のカラーフォトレジストを形成する場合につい
て説明するが、この場合、特に、２色目以降の各カラー
フォトレジストを塗布する各工程の前にも、カラーフォ
トレジストの塗布面に（表２）の条件により、Ｏ2 ガス
によるアッシング処理を施すものとする。
に、３色のカラーフォトレジストを形成する場合につい
て説明するが、この場合、特に、２色目以降の各カラー
フォトレジストを塗布する各工程の前にも、カラーフォ
トレジストの塗布面に（表２）の条件により、Ｏ2 ガス
によるアッシング処理を施すものとする。
【００３１】カラーフィルターは、例えば図２にその配
置パターンの一例を示すように、例えば赤のフィルター
素体Ｒ、緑のフィルター素体Ｇおよび青のフィルター素
体Ｂがモザイク状にそれぞれ対応する受光部５上に配置
する。
置パターンの一例を示すように、例えば赤のフィルター
素体Ｒ、緑のフィルター素体Ｇおよび青のフィルター素
体Ｂがモザイク状にそれぞれ対応する受光部５上に配置
する。
【００３２】このカラーフィルターは、例えば原色顔料
系ネガフォトレジストによって形成することができる。
これらのカラーフィルターを構成するフォトレジストに
は、例えば、Ｇ（緑）にはＣＧ−６０３０Ｌ（富士ハン
トエレクトロニクステクノロジー株式会社製）、Ｒ
（赤）にはＣＲ−６２００Ｌ、Ｂ（青）には、ＣＢ−６
０３０Ｌをそれぞれ適用することができる。このカラー
フィルターを構成するフォトレジストを塗布する順序は
問わないが、公知のレジストコーターによるスピン塗布
によりカラーレジスト膜を形成するものとする。
系ネガフォトレジストによって形成することができる。
これらのカラーフィルターを構成するフォトレジストに
は、例えば、Ｇ（緑）にはＣＧ−６０３０Ｌ（富士ハン
トエレクトロニクステクノロジー株式会社製）、Ｒ
（赤）にはＣＲ−６２００Ｌ、Ｂ（青）には、ＣＢ−６
０３０Ｌをそれぞれ適用することができる。このカラー
フィルターを構成するフォトレジストを塗布する順序は
問わないが、公知のレジストコーターによるスピン塗布
によりカラーレジスト膜を形成するものとする。
【００３３】すなわち、先ず、図６において示したよう
に、平坦化膜１２の表面を（表２）に示す条件によりＯ
2 ガスによるアッシング処理した後、例えばＧ（緑）の
フォトレジストをスピンコートし、カラーフォトレジス
ト膜を形成した後、公知のホットプレートによるベーク
処理を例えば９０℃で６０秒間行う。このベーク処理後
のカラーレジスト膜の厚さは、例えば１．５μｍ程度と
なる。
に、平坦化膜１２の表面を（表２）に示す条件によりＯ
2 ガスによるアッシング処理した後、例えばＧ（緑）の
フォトレジストをスピンコートし、カラーフォトレジス
ト膜を形成した後、公知のホットプレートによるベーク
処理を例えば９０℃で６０秒間行う。このベーク処理後
のカラーレジスト膜の厚さは、例えば１．５μｍ程度と
なる。
【００３４】次に、通常の縮小型露光装置（ステッパ
ー）でカラーフォトレジストの露光を行う。露光波長と
しては、例えば、ｇ線（４３６ｎｍ）、ｉ線（３６５ｎ
ｍ）を適用することができる。
ー）でカラーフォトレジストの露光を行う。露光波長と
しては、例えば、ｇ線（４３６ｎｍ）、ｉ線（３６５ｎ
ｍ）を適用することができる。
【００３５】上述のように、スピンコートによるレジス
トコート、露光処理を行った後、カラーレジストの現像
処理を行う。
トコート、露光処理を行った後、カラーレジストの現像
処理を行う。
【００３６】図１０にカラーフィルターの現像処理およ
び洗浄処理を行う現像処理装置の概略図を示す。この現
像処理装置は、現像および洗浄等がなされる処理室９０
を有する。この処理室９０には被処理体９２、すなわち
例えば図１で説明した撮像装置が形成された平坦化膜１
２が形成された半導体基板、あるいはガラス基板等の、
カラーフィルターを形成する基板９２が載置されて、こ
れを回転することができるようにした回転基台９１が配
置される。この処理室９０には、その底部に後述する各
処理液、すなわち現像液、洗浄液等を排出する排出口が
設けらる。
び洗浄処理を行う現像処理装置の概略図を示す。この現
像処理装置は、現像および洗浄等がなされる処理室９０
を有する。この処理室９０には被処理体９２、すなわち
例えば図１で説明した撮像装置が形成された平坦化膜１
２が形成された半導体基板、あるいはガラス基板等の、
カラーフィルターを形成する基板９２が載置されて、こ
れを回転することができるようにした回転基台９１が配
置される。この処理室９０には、その底部に後述する各
処理液、すなわち現像液、洗浄液等を排出する排出口が
設けらる。
【００３７】また、タンク６１が設けられ、このタンク
６１に現像液６１ａが収容される。タンク６１には、窒
素ガス供給部６３からの窒素ガスが、フィルター６３を
通じてバルブ６５によりその流量が制御されて供給さ
れ、窒素ガスが混合された現像液６１ａが、処理室９０
の上部に配置された現像液吐出ノズル８１に、現像液供
給管７１により、フィルター７３を介して、バルブ７５
でその流量が制御されて供給されるようになされる。
６１に現像液６１ａが収容される。タンク６１には、窒
素ガス供給部６３からの窒素ガスが、フィルター６３を
通じてバルブ６５によりその流量が制御されて供給さ
れ、窒素ガスが混合された現像液６１ａが、処理室９０
の上部に配置された現像液吐出ノズル８１に、現像液供
給管７１により、フィルター７３を介して、バルブ７５
でその流量が制御されて供給されるようになされる。
【００３８】また、その処理室９０の上方に、第１およ
び第２の純水吐出ノズル１０１および１０２が配置さ
れ、第１の純水吐出ノズル１０１には、純水供給部１０
０からの純水がフィルター１０５を介して、バルブ１０
６によって制御されて供給されるとともに、窒素ガス供
給部６３からの窒素ガスがフィルター１０７を介して、
バルブ１０８によって制御されて供給されるようになさ
れる。
び第２の純水吐出ノズル１０１および１０２が配置さ
れ、第１の純水吐出ノズル１０１には、純水供給部１０
０からの純水がフィルター１０５を介して、バルブ１０
６によって制御されて供給されるとともに、窒素ガス供
給部６３からの窒素ガスがフィルター１０７を介して、
バルブ１０８によって制御されて供給されるようになさ
れる。
【００３９】また、第２の純水吐出ノズル１０２にも、
純水供給部１００からの純水がフィルター１０９を介し
て、バルブ１１０によって制御されて供給される。
純水供給部１００からの純水がフィルター１０９を介し
て、バルブ１１０によって制御されて供給される。
【００４０】更に、処理室９０の下方に被処理基板９２
の下面に対して純水の吹きつけを行う第３の純水吐出ノ
ズル１０３を配置して、これに純水供給部１００からの
純水がフィルター１１１を介してバルブ１１２によって
制御されて供給される。
の下面に対して純水の吹きつけを行う第３の純水吐出ノ
ズル１０３を配置して、これに純水供給部１００からの
純水がフィルター１１１を介してバルブ１１２によって
制御されて供給される。
【００４１】図１０において示した現像処理装置を用い
てカラーフィルターの現像処理および洗浄処理を行う工
程について以下に説明する。
てカラーフィルターの現像処理および洗浄処理を行う工
程について以下に説明する。
【００４２】カラーフィルターの現像処理および洗浄処
理を行う工程については、上記において示した（表１）
と同様の工程による。
理を行う工程については、上記において示した（表１）
と同様の工程による。
【００４３】すなわち、工程１において、基板を高速回
転させ、１秒間の現像液吐出を行って、被処理基板９２
全体に現像液を行き渡らせる。この現像液には、例えば
富士ハントエレクトロニクス社製ＣＤ等を適用すること
ができる。
転させ、１秒間の現像液吐出を行って、被処理基板９２
全体に現像液を行き渡らせる。この現像液には、例えば
富士ハントエレクトロニクス社製ＣＤ等を適用すること
ができる。
【００４４】次に、工程２において現像液を吐出させた
状態で被処理基板９２の回転数を３０ｒｐｍに落とし
て、３秒間保持し、その後、工程３において現像液の吐
出を停止して、６０秒間の放置によって現像する。
状態で被処理基板９２の回転数を３０ｒｐｍに落とし
て、３秒間保持し、その後、工程３において現像液の吐
出を停止して、６０秒間の放置によって現像する。
【００４５】この現像処理後、工程４において、基板を
５０ｒｐｍ回転として、純水を用いて４０秒間のリンス
洗浄を行うが、このリンス洗浄は、純水を窒素ガスによ
り加圧させたスプレー洗浄による。さらに工程５におい
て５００ｒｐｍで２０秒間、純水を加圧して吹きつける
ことによって洗浄を行い、物理的に現像液の残渣を除去
する。
５０ｒｐｍ回転として、純水を用いて４０秒間のリンス
洗浄を行うが、このリンス洗浄は、純水を窒素ガスによ
り加圧させたスプレー洗浄による。さらに工程５におい
て５００ｒｐｍで２０秒間、純水を加圧して吹きつける
ことによって洗浄を行い、物理的に現像液の残渣を除去
する。
【００４６】上述した方法によって、残渣を除去する工
程を経た後、工程６において、被処理基板９２を３００
０ｒｐｍの高速回転を１５秒間行って、純水を振り切る
いわゆるスピンドライ工程を行う。
程を経た後、工程６において、被処理基板９２を３００
０ｒｐｍの高速回転を１５秒間行って、純水を振り切る
いわゆるスピンドライ工程を行う。
【００４７】上述のようにして、第１色目の、例えばＧ
（緑）のカラーフィルターが所要の位置に形成される。
（緑）のカラーフィルターが所要の位置に形成される。
【００４８】ここで、上述した工程４および工程５によ
る純水洗浄のみでは、現像残渣を充分に除去することが
困難であり、図７に示すようにカラーフィルター素体２
３の近傍に現像残渣１５が残存する。
る純水洗浄のみでは、現像残渣を充分に除去することが
困難であり、図７に示すようにカラーフィルター素体２
３の近傍に現像残渣１５が残存する。
【００４９】そこで、第１色目の、例えばＧ（緑）のカ
ラーフィルターを形成した後、上記（表２）に示した条
件により、Ｏ2 ガスによるアッシング処理を施す。これ
により、図８に示すように、平坦化膜１２が数ｎｍ〜数
十ｎｍ程度除去され、現像残渣を除去することができ、
また、平坦化膜１２および第１色目の例えばＧ（緑）の
カラーフィルターの表面、すなわちカラーフォトレジス
トの塗布面を親水性に改質することができ、現像性の向
上を図ることができる。
ラーフィルターを形成した後、上記（表２）に示した条
件により、Ｏ2 ガスによるアッシング処理を施す。これ
により、図８に示すように、平坦化膜１２が数ｎｍ〜数
十ｎｍ程度除去され、現像残渣を除去することができ、
また、平坦化膜１２および第１色目の例えばＧ（緑）の
カラーフィルターの表面、すなわちカラーフォトレジス
トの塗布面を親水性に改質することができ、現像性の向
上を図ることができる。
【００５０】次に、図９に示すように上述と同様の工程
により第２色目、例えばＢ（青）のカラーフィルター
を、カラーフォトレジストを塗布し、これを露光硬化
し、現像、洗浄処理を行うことにより形成する。次に、
上述した（表２）に示す条件で、Ｏ2 ガスによるアッシ
ング処理を施し、図９に示すフィルター素体３３近傍の
現像残渣を除去し、更にカラーフォトレジストの塗布面
を親水性に改質する。
により第２色目、例えばＢ（青）のカラーフィルター
を、カラーフォトレジストを塗布し、これを露光硬化
し、現像、洗浄処理を行うことにより形成する。次に、
上述した（表２）に示す条件で、Ｏ2 ガスによるアッシ
ング処理を施し、図９に示すフィルター素体３３近傍の
現像残渣を除去し、更にカラーフォトレジストの塗布面
を親水性に改質する。
【００５１】その後、上述と同様の工程により第３色
目、例えばＲ（赤）のカラーフィルターを、カラーフォ
トレジストを塗布し、これを露光硬化し、現像、洗浄処
理を施すことにより形成し、最終的にＧ（緑）、Ｂ
（青）、Ｒ（赤）の３色のカラーフィルター、およびこ
のカラーフィルターを有する撮像装置を作製することが
できる。
目、例えばＲ（赤）のカラーフィルターを、カラーフォ
トレジストを塗布し、これを露光硬化し、現像、洗浄処
理を施すことにより形成し、最終的にＧ（緑）、Ｂ
（青）、Ｒ（赤）の３色のカラーフィルター、およびこ
のカラーフィルターを有する撮像装置を作製することが
できる。
【００５２】
【発明の効果】本発明によれば、カラーフィルターを形
成するフォトレジストを塗布する工程の前にＯ2 ガスに
よるアッシング処理を施すことにより、カラーフォトレ
ジストの塗布面の表面性を親水性に改質することがで
き、現像性の向上を図ることができた。また、このアッ
シング処理によりカラーフォトレジストの現像液の残渣
を効果的に低減することができ、これによりデバイスの
歩留りの向上および撮像装置の画質の向上を図ることが
できた。
成するフォトレジストを塗布する工程の前にＯ2 ガスに
よるアッシング処理を施すことにより、カラーフォトレ
ジストの塗布面の表面性を親水性に改質することがで
き、現像性の向上を図ることができた。また、このアッ
シング処理によりカラーフォトレジストの現像液の残渣
を効果的に低減することができ、これによりデバイスの
歩留りの向上および撮像装置の画質の向上を図ることが
できた。
【図１】固体撮像装置の受光部の概略断面図を示す。
【図２】カラーフィルターの構成の一例の平面図を示
す。
す。
【図３】従来方法においてカラーフィルターを作製した
場合のカラーフィルターパターンと残渣の状態図を示
す。
場合のカラーフィルターパターンと残渣の状態図を示
す。
【図４】ウエーハ上にカラーフィルターを形成した後の
現像残渣１５の残り具合を示す。
現像残渣１５の残り具合を示す。
【図５】本発明におけるカラーフィルターの一製造工程
図を示す。
図を示す。
【図６】本発明におけるカラーフィルターの一製造工程
図を示す。
図を示す。
【図７】本発明におけるカラーフィルターの一製造工程
図を示す。
図を示す。
【図８】本発明におけるカラーフィルターの一製造工程
図を示す。
図を示す。
【図９】本発明におけるカラーフィルターの一製造工程
図を示す。
図を示す。
【図１０】カラーフィルターの現像処理および洗浄処理
を行う装置の概略図を示す。
を行う装置の概略図を示す。
１ 半導体基体、２ 第１のウエル領域、３ 不純物導
入領域、４ 正電荷蓄積領域、５ 受光部、６ 垂直シ
フトレジスタ、７ 第２のウエル領域、８ 転送領域、
９ 絶縁層、１０ 転送電極、１１ 遮光膜、１１ｗ
受光窓、１２平坦化膜、１３ カラーフィルター、１４
チャネルストップ領域、２３，３３フィルター素体、
５０ ウエーハ、６１ タンク、６１ａ 現像液、６
３，７３，１０５，１０７，１０９，１１１ フィルタ
ー、６５，７５，１０６，１０８，１１０，１１２ バ
ルブ、７１ 現像液供給管、８１ 現像液吐出ノズル、
９０ 処理室、９１ 回転台、９２ 被処理基板、１０
１ 第１の純水吐出ノズル、１０２ 第２の純水吐出ノ
ズル、１０３ 第３の純水吐出ノズル
入領域、４ 正電荷蓄積領域、５ 受光部、６ 垂直シ
フトレジスタ、７ 第２のウエル領域、８ 転送領域、
９ 絶縁層、１０ 転送電極、１１ 遮光膜、１１ｗ
受光窓、１２平坦化膜、１３ カラーフィルター、１４
チャネルストップ領域、２３，３３フィルター素体、
５０ ウエーハ、６１ タンク、６１ａ 現像液、６
３，７３，１０５，１０７，１０９，１１１ フィルタ
ー、６５，７５，１０６，１０８，１１０，１１２ バ
ルブ、７１ 現像液供給管、８１ 現像液吐出ノズル、
９０ 処理室、９１ 回転台、９２ 被処理基板、１０
１ 第１の純水吐出ノズル、１０２ 第２の純水吐出ノ
ズル、１０３ 第３の純水吐出ノズル
Claims (6)
- 【請求項１】 カラーフォトレジストの塗布面をＯ2 ガ
スによるアッシング処理を行う工程と、 顔料系カラーフォトレジストを塗布する工程とを、順次
行うことを特徴とするカラーフィルターの製造方法。 - 【請求項２】 上記カラーフォトレジストの塗布面が、
有機膜であることを特徴とする請求項１に記載のカラー
フィルターの製造方法。 - 【請求項３】 少なくとも２色以上の顔料系カラーフォ
トレジストを塗布する工程と、 カラーフォトレジストの塗布面をＯ2 ガスによるアッシ
ング処理を行う工程とを有し、 該アッシング処理は、各カラーフォトレジストを塗布す
る各工程の前に行うことを特徴とする請求項１に記載の
カラーフィルターの製造方法。 - 【請求項４】 撮像装置を構成するカラーフィルターを
形成するカラーフォトレジストの塗布面をＯ2 ガスによ
るアッシング処理を行う工程と、 その後に顔料系カラーフォトレジストを塗布する工程と
を順次行うことを特徴とする撮像装置の製造方法。 - 【請求項５】 上記カラーフォトレジストの塗布面が、
有機膜であることを特徴とする請求項４に記載の撮像装
置の製造方法。 - 【請求項６】 少なくとも２色以上の顔料系カラーフォ
トレジストを塗布する工程と、 カラーフォトレジストの塗布面をＯ2 ガスによるアッシ
ング処理を行う工程とを有し、 該アッシング処理は、各カラーフォトレジストを塗布す
る各工程の前に行うことを特徴とする請求項４に記載の
撮像装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20922397A JPH1152122A (ja) | 1997-08-04 | 1997-08-04 | カラーフィルターの製造方法と、撮像装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20922397A JPH1152122A (ja) | 1997-08-04 | 1997-08-04 | カラーフィルターの製造方法と、撮像装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1152122A true JPH1152122A (ja) | 1999-02-26 |
Family
ID=16569398
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20922397A Abandoned JPH1152122A (ja) | 1997-08-04 | 1997-08-04 | カラーフィルターの製造方法と、撮像装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1152122A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7867797B2 (en) | 2007-09-14 | 2011-01-11 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Method of fabricating organic light emitting diode display device |
-
1997
- 1997-08-04 JP JP20922397A patent/JPH1152122A/ja not_active Abandoned
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7867797B2 (en) | 2007-09-14 | 2011-01-11 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Method of fabricating organic light emitting diode display device |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050609 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050621 |
|
| A762 | Written abandonment of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A762 Effective date: 20050818 |