JPH1152129A - 偏光子及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】消光比が高く、しかも基板からの剥離の心配が
不要で、さらに挿入損失の低い、信頼性且つ特性の非常
に優れた偏光子及びその製造方法を提供すること。 【解決手段】 透光性を有する基板２の少なくとも一主
面上に、誘電体中に形状異方性を有する多数の金属粒子
４ａが分散された誘電体層５を１層以上積層させた偏光
子１であって、同一の誘電体層中に存在し隣合う金属粒
子同士の間隔のばらつきが２００ｎｍ以下であり、かつ
同一の誘電体層中に存在する金属粒子の個数密度が３〜
３７個／μｍ² であることを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、誘電体中に異方性
を有する金属粒子が分散された偏光子とその製造方法に
関するものである。

【０００２】

【従来の技術】偏光子は特定の方向に偏光した光を取り
出すために用いるものであり、これまでに様々な構成の
偏光子が研究されてきた。この種の偏光子には、例え
ば、複屈折性の結晶を組み合わせたグラントムソンプリ
ズム，複屈折性の大きいルチル結晶，二色性を有する高
分子材料を偏光方向に延伸して作られた偏光フィルム，
誘電体層と金属薄膜層とを交互に積層して形成された積
層型偏光子（ラミポール），ホウ珪酸ガラス中に銀コロ
イドを析出させて偏光方向に延伸させた金属分散型偏光
子（ポーラコア），島状金属粒子を誘電体膜とを交互に
積層し誘電体膜中に分散させ偏光方向に延伸させた島状
金属薄膜型偏光子などが知られている。

【０００３】これら偏光子は、サングラス，液晶表示用
フィルター，写真用フィルター，スキー用ゴーグル，自
動車用ヘッドライトやディスプレ用防眩防止フィルター
などに使用される他、例えば光ピックアップ，光センサ
ー，光アイソレータ等に幅広く使用され、ここ数年では
特に光記録及び光通信等の各分野において、小型で高性
能且つ安価な偏光子の必要性が高まっている．現在、ホ
ウ珪酸ガラス中に銀コロイドを析出させて偏光方向に延
伸させた金属分散型偏光子のポーラコアが実用化されて
おり、これは光通信分野で最も多く利用されている偏光
子として知られている。この偏光子は、銀とハロゲンと
を有するガラス素地を熱処理してハロゲン化銀の粒子を
析出させ、ガラス素地を加熱下に延伸してハロゲン化銀
粒子を回転楕円体状に引き延ばすことにより、ハロゲン
化銀粒子に異方性を付与させている。そして、還元雰囲
気下で加熱しハロゲン化銀を金属銀へ還元するものであ
る（例えば、特公平２―４０６１９号公報、対応米国特
許ＵＳＰ４，４８６，２１３、及びＵＳＰ４，４７９，
８１９を参照）。

【０００４】ところが、この偏光子では銀粒子のアスペ
クト比（粒子の異方性の度合いを示すものであり、通
常、粒子の長軸方向の長さ／短軸方向の長さで示す）が
不均一になりやすい。これは短軸方向や長軸方向の長さ
が均一な銀粒子を析出させることが困難なためである。
さらに、ガラス内部までハロゲン化銀を還元することは
困難なため不透明な未還元のハロゲン化銀が残留する。
また、ハロゲン化銀の還元の過程でガラスが収縮するこ
とに伴い、ガラス表面がポーラス状になりやすく長期安
定性が低下しやすい、といった問題が生じていた。

【０００５】このような問題点を解決するために、真空
蒸着やスパッタリング法等の薄膜形成プロセスを用いて
偏光子を製造することが提案されている（１９９０年電
子情報通信学会、秋期大会、講演予稿集Ｃ−２１２）。
この島状金属薄膜型偏光子の提案では、ガラス等の誘電
体基板上に島状金属薄膜層を真空蒸着にて設け、ガラス
等の誘電体層をスパッタリング法等でその上に積層す
る。そして、島状金属薄膜層と誘電体層を交互に数層形
成する。次に加熱下で基板を引き延ばし、島状金属薄膜
層の金属粒子に異方性を持たせる。このようにして、島
状金属薄膜層での各金属粒子は、引き延ばし方向に延ば
され回転楕円体状になり偏光性能を有することになる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記薄
膜形成プロセスを用いた偏光子は、次に述べるような問
題点がある。

【０００７】１）島状金属薄膜層と誘電体層とを交互に
積層した後に、加熱工程及び延伸工程を施すので、最終
的に適当な大きさの金属粒子にさせることが困難とな
り、偏光方向とそれに垂直な方向との間の消光比が低
い。

【０００８】２）消光比が低いため、積層数を増やして
消光比を増加させる必要があるが、積層数を増やすと基
板からの剥離が生ずる等して積層体が破壊される。

【０００９】３）金属粒子の形状を変えただけでは挿入
損失を低くするのに限界がある。

【００１０】したがって、このような製造方法によって
得られた偏光子においては、延伸及び還元による製法で
得られた光通信デバイス用の偏光子と対比しても、それ
と同程度の特性が得られず、未だ満足できる程度の品
質、特性及び信頼性が得られていなかった。

【００１１】そこで、本発明は消光比が高く、しかも基
板からの剥離の心配が不要で、さらに挿入損失が低く信
頼性且つ特性の非常に優れた、偏光子及びその製造方法
を提供することを目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の偏光子は、透光性基板の少なくとも一主面
上に、誘電体中に形状異方性を有する多数の金属粒子が
分散された誘電体層を少なくとも１層形成して成る偏光
子であって、誘電体層は内部に分散している金属粒子間
の間隔ばらつきが２００ｎｍ以下であり、かつ金属粒子
の個数密度が３〜３７個／μｍ² であることを特徴とす
る。

【００１３】また、本発明の偏光子の製造方法は、透光
性基板の少なくとも一主面上に、誘電体中に形状異方性
を有する多数の金属粒子が分散された誘電体層を少なく
とも１層形成して成る偏光子の製造方法であって、下記
Ａの工程にＢ〜Ｄの一連の工程を１回以上繰り返し行
い、しかる後に下記Ｅの工程を行うことを特徴とする偏
光子の製造方法。

【００１４】Ａ：透光性基板を準備する工程 Ｂ：前記透光性基板に対し、多数の開口を有するマスク
基板を用いた薄膜形成法により金属微粒子を所定角度で
被着させる工程 Ｃ：前記金属微粒子を前記透光性基板の軟化点より低い
温度で加熱し凝集せしめて、多数の金属粒子を形成する
工程 Ｄ：前記多数の金属粒子上に薄膜形成法により誘電体層
を被着させる工程 Ｅ：前記透光性基板を所定方向に熱塑性変形させ、前記
多数の金属粒子に形状異方性を付与せしめ配向させる工
程。

【００１５】ここで、金属微粒子を入射させる場合に、
金属源とガラス基板との間にマスク基板を配設するが、
マクス基板はガラス基板に対して平行にするのが望まし
く、また、金属源からの金属微粒子のガラス基板への入
射角度を５°〜１７５°の範囲で変えられるようにする
とよい。なぜなら、入射角度が５°より小さくなった
り、１７５°より大きくなったりすると成膜が良好に行
われないからである。

【００１６】また、ガラス基板上もしくは誘電体層上に
金属微粒子を入射させて多数積層する場合に、上記工程
Ｂにおいて、金属微粒子の入射角度を変更するように制
御するとよい。例えばマスク基板との入射角度が各工程
ごとに異なるようにする。

【００１７】なお、マスク基板の開口の形状は正方形、
長方形、円形、もしくは三角形等とする。また、透光性
を有する基板はガラス基板が最適であり、例えば、ホウ
珪酸ガラス、珪酸塩ガラス等からなるものとするとよ
い。また、金属粒子はＡｕ，Ａｇ，Ｐｔ等の貴金属元素
やＣｕ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ａｌ及びＷのうち少なくと
も一種からなるものとするとよい。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
図面に基づいて説明する図１に示すように、偏光子１は
透光性基板であるガラス等の誘電体基板２の少なくとも
一方の主面上に偏光層３を設けたものであり、この偏光
層３は、誘電体基板２上に形状異方性を有する金属粒子
４ａが多数分散され層状をなす島状金属薄膜層というべ
き金属粒子層４と、透光性を有する誘電体層５とが交互
に複数積層されて成るものである。また、金属粒子層４
中の金属粒子４ａの存在位置は、積層方向で互いに異な
るように形成されている。また、同一の誘電体層中に存
在し隣合う金属粒子の間隔ばらつきが２００ｎｍ以下で
あり、かつ同一の誘電体層中に存在する金属粒子の個数
密度（分布密度）が３〜３７個／μｍ² としている。な
お、良好な偏光特性が得られるのであれば誘電体層５は
１層でもよく、１層以上とする。

【００１９】ここで、透光性を有するとは、使用波長に
対して透明という意味である。また、金属粒子の個数密
度（分布密度）は基板面Ｓ方向における各層における密
度であって、少なくとも１個の金属粒子４ａの長軸を含
み、且つ基板面Ｓに平行な面で切断した場合に計測した
密度である。

【００２０】基板２は、例えばパイレックスガラス（パ
イレックスとはコーニング・ガラス・インダストリーの
商標名）やＢＫガラス（ＢＫとはホーヤ社の商標名）等
のホウ珪酸ガラスを用い、これ以外にシリカガラス等の
高融点の珪酸塩ガラスやソーダガラス等の低融点ガラス
を用いてもよい。また、このようなガラス材料に代えて
他の透明材料を用いてもよいが、ガラス材料は安価で延
伸が容易であるので好適に使用される。誘電体層５は、
基板２と同種の材料が好ましく、例えば基板２にＢＫガ
ラスを用いる場合には、誘電体層５にもＢＫガラスを用
い、熱膨張率等の物性を一致させることが好ましい。

【００２１】金属粒子４ａは、Ａｕ，Ａｇ，Ｐｔ，Ｒ
ｈ，Ｉｒ等の貴金属元素やＣｕ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ａ
ｌ及びＷ等の遷移金属から選択される一種以上の金属で
あることが好ましく、基板２や誘電体層５との濡れ性が
悪く凝集しやすい金属でしかも酸化され難く、誘電体層
５中で金属粒子４ａとして存在し得るものが好ましい。
これらの内、特に好ましいものは、低融点なため凝集が
容易で、ガラスとの濡れが悪く、しかも酸化され難いＡ
ｕ、あるいは安価でガラスとの濡れ性が悪いＣｕであ
る。なお、金属粒子４ａは金属単体に限定されるもので
はなく合金であってもよい。

【００２２】また、金属粒子４ａは回転楕円体状で異方
性があり、図１（但し，光の進行方向をＺ方向とし，こ
れに直交する平面をＸ−Ｙ平面とする）では、金属粒子
４ａの長軸方向がＸ方向で、短軸方向がＹ方向である。
また、金属粒子４ａの長軸方向の長さと短軸方向の長さ
の比をアスペクト比とし，ここでは多数の金属粒子４ａ
のアスペクト比の平均値を単にアスペクト比と呼ぶもの
とする。

【００２３】金属粒子４ａが回転楕円体状になるのは、
基板２上に偏光層３の成膜後の延伸時に、基板２ととも
に金属粒子４ａが延伸方向に引き延ばされるからであ
る。そして、アスペクト比が大きいほど消光比が増加す
るが、それと同時に基板２の延伸率が増加して延伸が困
難になり、しかも消光比の増加率がアスペクト比の大き
い領域で減少するため、偏光層３中の金属粒子４ａのア
スペクト比（長軸方向の長さ／短軸方向の長さ）は３〜
３０が適当であり、特に好ましくは１５〜２５である。

【００２４】なお、消光比は、所定波長において偏光し
ていない入射光を用いた場合に、Ｘ方向の透過光とＹ方
向の透過光のエネルギーの比をデシベル単位で示したも
のとし、エネルギーの比が１０の時に１０ｄＢとしてい
る。一方，挿入損失は，所定波長において偏光していな
い入射光を用いた場合に、入射光の全エネルギーとＹ方
向の透過光のエネルギーの比をデシベル単位で示したも
のとし、エネルギーの比が０．１の時に０．１ｄＢとす
る。

【００２５】また、金属粒子層４中の金属粒子４ａの個
数密度は、基板面方向に２〜３５個／μｍ² とする。こ
の理由は、個数密度が２個／μｍ² より下回ると偏光子
としての特性が出にくくなり、例えば消光比が２０ｄＢ
より低くなるからであり、また、３７個／μｍ² より上
回ると金属粒子での吸収が大きく挿入損失が１ｄＢより
増大するからである。

【００２６】また、金属粒子４ａの短軸方向の長さが増
加すると、透過すべきＹ方向の偏光に対する挿入損失が
増加し、このことからもアスペクト比が３以上、より好
ましくは１５以上で短軸方向の長さが短く、挿入損失を
小さくすることが好ましい。金属粒子４ａの長軸方向の
平均長さが増加すると、Ｘ方向の吸収ピーク波長が増加
し、光通信で用いる波長（１．３μm 程度）に接近す
る。しかしながら、金属粒子４ａのアスペクト比に製造
上の制限があり、短軸方向の長さの増加が挿入損失をも
たらすことを加味すると、長軸方向の長さにも制限が生
じる。

【００２７】そこで、金属粒子４ａについての好ましい
条件は、アスペクト比が３〜３０、長軸方向の長さの平
均値が１００〜３００ｎｍ、短軸方向の長さの平均値が
１０〜５０ｎｍであり、より好ましくはアスペクト比が
１０〜３０、最も好ましくはアスペクト比が１５〜２５
である。

【００２８】図１の場合、Ｚ方向に入射した入射光Ｌ１
は、Ｘ方向の偏光成分が金属粒子４ａの自由電子との共
鳴で吸収され、Ｙ方向の偏光成分は透過率が高く、偏光
した出射光Ｌ２となる。また、Ｘ方向とＹ方向とでは吸
収のピーク波長に差があり、Ｘ方向ではＹ方向よりも長
波長側に吸収のピークがある。そして、特に指摘しない
場合、消光比はＸ方向の吸収のピークが生じる波長で定
める。

【００２９】上記偏光子１は、例えば次のようにして作
製する。まず、ガラス基板２を準備するとともに、この
ガラス基板２を図２に示すようなスパッタリング等の薄
膜成膜法（真空薄膜成膜法）が行える成膜室１１内に配
置する。以下、スパッタリングを例にとり説明する。

【００３０】成膜室１１には、金属源１３が固定された
基台１２、誘電体源１５が固定された基台１４、回転軸
１６に支持された回転支持台１７が配設されており、回
転支持台１７には、金属源１３や誘電体源１５に対して
所定角度θで傾斜させたガラス基板２を配設する。ま
た、ガラス基板２と金属源１３との間には、同様に所定
角度θで傾斜させ図３に示すような所定形状の開口１９
を有するたマスク基板１８が配設されている。また、こ
の成膜室１１内は所定の真空に保たれており、スパッタ
リングガスとして例えばアルゴンガスが導入されてい
る。

【００３１】次いで、ガラス基板２に対し、マスク基板
１８を用いてスパッタリングを行うことにより金属微粒
子を所定角度で被着させ（工程Ｂ）、金属微粒子をガラ
ス基板２の徐冷点より低い温度で加熱し凝集せしめ、多
数の金属粒子４ａを形成し（工程Ｃ）、さらに、多数の
金属粒子上にスパッタリングにより誘電体層５を被着さ
せる（工程Ｄ）。このような一連の工程Ｂ〜Ｄを１回以
上繰り返し行うことによりガラス基板２の少なくとも一
主面上に金属粒子層と誘電体層が交互に積層された偏光
層３が形成された積層体を形成する。

【００３２】そして、このような積層体に対して、ガラ
ス基板の所定方向（基板面方向）へ加熱・延伸等の熱塑
性変形を施すことにより、多数の金属粒子に形状異方性
を付与せしめ配向させた偏光子が完成する。

【００３３】ここで、マスク基板１８の材料は、アルミ
材，ステンレス材，ガラス材，プラスチック等にするこ
とが好ましい。特に、微細加工のしやすい材料であるガ
ラス材が好ましい。マスク基板１８の開口１９の形状は
正方形もしくは長方形が作製が容易である点で好まし
く、その開口１９の寸法は縦０．５μm 〜１０００μ
m，横０．５μm 〜１．０μm ，開口１９同士の間隔
０．０５μm 〜０．１μm が好ましい。また、開口１９
の数は１×１０³ 個／μm ² 〜３．７×１０⁶ 個／μm
² が好ましく、より好ましくは、５×１０⁵ 個／μm ²
〜２×１０⁶ 個／μm² である。なお、マスク基板の開
口の形状は他の形状でもよい。また、特にスパッタリン
グ法を用いて金属微粒子を入射させる場合のマスク基板
との角度θは５°〜１７５°が好ましく、特に１０°〜
１７０°が好ましい。

【００３４】このようにして、基板とマスク基板を用い
ることにより、凝集させた金属粒子の個数密度及び位置
を積層方向で制御することができる。特に、透光性を有
する誘電体基板上に、スパッタリング法を用いて金属微
粒子を形成する場合に、スパッタリングされた金属粒子
と誘電体基板との間に配置されたマスク基板との角度θ
を金属微粒子の成膜時毎に５°から１７５°まで徐々に
変化させて積層を行い、金属粒子が適当な間隔を置いて
分散された誘電体層を有する積層体を形成することがで
きる。

【００３５】上記本発明の製造方法によれば、同一の誘
電体層中に存在する金属粒子同士の間隔ばらつきが２０
０ｎｍ以下となり、挿入損失を０．１ｄＢ以下にするこ
とができる。図４における金属粒子同士の間隔Ｐ１，Ｐ
２の範囲は２００ｎｍ〜７００ｎｍであるが、Ｐ１とＰ
２の差の絶対値の範囲（間隔ばらつき）は０ｎｍ〜２０
０ｎｍであり、２００ｎｍ以下となる。ここで、上記間
隔ばらつきは次のようにして測定する。

【００３６】すなわち、サンプルの表面や内部を透過電
子顕微鏡（ＴＥＭ）や走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）により
写真撮影を行い、得られた写真から目視等により測定す
る。具体的には、例えば、測定面積を２．５×１０⁵ ｎ
ｍ² 〜１μm ² とし、対象金属粒子数を５００〜１００
０個とし、粒子間隔は一方の金属粒子の中心と他方の金
属粒子の中心とを測定する。

【００３７】一方、従来の方法による偏光子によれば、
図５に示すように、Ｐ１，Ｐ２の範囲は０ｎｍ〜１００
０ｎｍ、Ｐ１とＰ２の差の絶対値の範囲（ばらつき）は
０ｎｍ〜１０００ｎｍとなり、金属粒子同士が近づき過
ぎて挿入損失０．３ｄＢ以上に増大したり、離れすぎて
所望の消光比が得られないのである。

【００３８】

【実施例】実施例１ 次に，より具体的で好適な実施例について説明する。ま
ず、基板としてＢＫ７ガラス（ホーヤ社の商標名、その
組成は、ＳｉＯ₂ ：６９％、Ｂ₂ Ｏ₃ ：１０％，Ｎａ₂
Ｏ：８％，Ｋ₂ Ｏ：８％，ＢａＯ：３％（但し，組成は
重量％））を用いた。また、その軟化点は７２４℃、熱
膨張率は７２〜８９×１０^-7／℃である。基板２のサイ
ズは、長さが７６ｍｍ，幅が１０ｍｍ，厚さが１ｍｍで
あった。

【００３９】マスク基板の開口部の寸法は、縦０．５μ
m ，横０．５μm ，開口部間隔０．１μm であった。

【００４０】次に、ＢＫ７ガラス（基板２と同一のＢＫ
７）とＣｕをターゲットとしたスパッタ成膜装置（島津
製作所製、ＨＳ―５５２Ｓ）にて、基板上にＣｕ層を形
成した。このときの基板の角度θは、マスク基板に対し
て１０°傾けた。この後、成膜後の真空中でＣｕ膜をヒ
ーター加熱法で５００℃前後でアニールして凝集させ、
さらに島状のＣｕ粒子の形状を球状に整えた。このと
き、マスク基板によりＣｕ粒子が凝集して存在する領域
が限定されている。この後、逆スパッタを施すことによ
りＣｕ粒子の基板面方向の個数密度を制御した。さら
に、ＢＫ７ガラス層をスパッタリングにより成膜した。
但し、ＢＫ７ガラス層の加熱は行わなかった。この工程
を５回繰り返す際に、Ｃｕ層成膜時は基板の角度を１５
°ずつ傾け、積層方向にてＣｕ粒子の存在する領域が異
なるようにし、Ｃｕ層が５層とＢＫ７ガラス層が５層の
交互層からなる積層体を作製した。次に、この積層体に
対してＢＫ７ガラス基板の軟化点近傍の温度６００℃で
加熱し延伸を行い、Ｃｕ粒子の形状に異方性をもたせ、
同時に粒子の配向化も行わせた。

【００４１】この結果、図１に示すように、基板上にＢ
Ｋ７ガラス層（誘電体層）中に、積層方向に位置が異な
る回転楕円体状の島状化した多数のＣｕ粒子（金属粒
子）（金属粒子間隔のばらつき：１５０ｎｍ，個数密
度：２３個／μm ² ，アスペクト比：６）を設けた偏光
子が完成した。

【００４２】この偏光子について、波長１．３１μm の
光を用いて消光比及び挿入損失を測定したところ、消光
比が２０ｄＢ，挿入損失が０．０５ｄＢの特性を示し、
マスク基板を使用しない場合の特性（消光比２２ｄＢ，
挿入損失０．３ｄＢ）より挿入損失が改善された。

【００４３】実施例２ 次に、実施例１と同一の基板材料を用い、実施例１にお
けるＣｕの代わりにＡｕ及び実施例１と同一材料で構成
された誘電体層とを交互に積層させて偏光子を得た場合
について説明する。

【００４４】マスク基板の開口部の寸法は縦１０μm ，
横０．８μm ，開口部間隔０．１μm であった。

【００４５】次に、ＢＫ７ガラス（基板と同一のＢＫ
７）とＡｕをターゲットとしたスパッタ成膜装置（島津
製作所製、ＨＳ―５５２Ｓ）にて、基板上にＡｕ層を形
成した。このときの基板の角度はマスク基板に対して２
０°傾けた。この後、成膜後の真空中でＡｕ膜をヒータ
ー加熱法で５００℃前後でアニールして凝集させ、さら
に島状のＡｕ粒子の形状を球状に整えた。このとき、マ
スク基板によりＡｕ粒子が凝集して存在する領域が限定
されている。さらに、ＢＫ７ガラス層をスパッタリング
により成膜した。但し、ＢＫ７ガラス層の加熱は行わな
かった。この工程を５回繰り返す際に、Ａｕ層成膜時は
基板の角度を１０℃ずつ傾け、積層方向にてＡｕ粒子の
存在する領域が異なるようにし、Ａｕ層が５層とＢＫ７
ガラス層が５層の交互層からなる積層体を作製した。

【００４６】次に、この積層体に対してＢＫ７ガラス基
板の軟化点近傍の温度６００℃で加熱し延伸を行い、Ａ
ｕ粒子の形状に異方性をもたせ、同時に粒子の配向化も
行わせた。この結果、図１に示すように、基板上に、Ｂ
Ｋ７ガラス層（誘電体層）中に積層方向に位置が異なる
回転楕円体状の島状化した多数のＡｕ粒子（金属粒子）
（金属粒子間隔のばらつき：１２０ｎｍ，個数密度：１
５個／μm ２，アスペクト比：１０）を設けた偏光子が
完成した。

【００４７】この偏光子について、波長１．３１μm の
光を用いて消光比及び挿入損失を測定したところ、消光
比が２０ｄＢ以上，挿入損失が０．０５ｄＢ以下の特性
を示した。

【００４８】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
マスク基板を使用することにより誘電体層間の金属粒子
の存在する領域を積層方向で制御することができるた
め、同一消光比の偏光子において挿入損失が低減でき、
しかも積層数が増えた場合でも金属粒子の存在領域が異
なるため、密着性がよくなり剥離の心配もなくなるの
で、偏光特性及び信頼性に非常に優れた偏光子を提供す
ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る偏光子を説明するための模式的な
斜視図である。

【図２】本発明に係る偏光子を製造するための成膜装置
を説明するため模式図である。

【図３】マスク基板の平面図である。

【図４】本発明に係る偏光子を説明するための模式的な
断面図であり、図１におけるＡ−Ａ線の断面図である。

【図５】従来の偏光子を説明するための模式的な断面図
である。

【符号の説明】

１：偏光子 ２：基板 ３：偏光層 ４：金属粒子層 ４ａ：金属粒子 ５：誘電体層

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 透光性基板の少なくとも一主面上に、誘
   電体中に形状異方性を有する多数の金属粒子が分散され
   た誘電体層を少なくとも１層形成して成る偏光子であっ
   て、前記誘電体層は内部に分散している金属粒子間の間
   隔ばらつきが２００ｎｍ以下であり、かつ金属粒子の個
   数密度が３〜３７個／μｍ² であることを特徴とする偏
   光子。
2. 【請求項２】 透光性基板の少なくとも一主面上に、誘
   電体中に形状異方性を有する多数の金属粒子が分散され
   た誘電体層を少なくとも１層形成して成る偏光子の製造
   方法であって、下記Ａの工程にＢ〜Ｄの一連の工程を１
   回以上繰り返し行い、しかる後に下記Ｅの工程を行うこ
   とを特徴とする偏光子の製造方法。 Ａ：透光性基板を準備する工程 Ｂ：前記透光性基板に対し、多数の開口を有するマスク
   基板を用いた薄膜形成法により金属微粒子を所定角度で
   被着させる工程 Ｃ：前記金属微粒子を前記透光性基板の軟化点より低い
   温度で加熱し凝集せしめて、多数の金属粒子を形成する
   工程 Ｄ：前記多数の金属粒子上に薄膜形成法により誘電体層
   を被着させる工程 Ｅ：前記透光性基板を所定方向に熱塑性変形させ、前記
   多数の金属粒子に形状異方性を付与せしめ配向させる工
   程