JPH1154477A - シリコン基板における陽極化成方法 - Google Patents
シリコン基板における陽極化成方法Info
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- JPH1154477A JPH1154477A JP35368597A JP35368597A JPH1154477A JP H1154477 A JPH1154477 A JP H1154477A JP 35368597 A JP35368597 A JP 35368597A JP 35368597 A JP35368597 A JP 35368597A JP H1154477 A JPH1154477 A JP H1154477A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】シリコン基板を陽極化成する場合に、ｐ型シリ
コンと、ｎ型シリコンの多孔質化の選択比を上げること
ができ、かつ、陽極化成速度を向上することができる。 【解決手段】ｐ型単結晶シリコン基板２にはｐ型シリコ
ン層３が形成され、ｐ型単結晶シリコン基板２の上面に
ｎ型シリコン層４が形成され、同ｎ型シリコン層４下に
前記ｐ型シリコン層３が埋め込み層とされている。ｎ型
シリコン層４には開口部形成用のｐ型シリコン層５が形
成され、ｎ型シリコン層４の上面に保護膜８が形成さ
れ、各ｐ型シリコン層３，５を多孔質シリコン層に変化
させるべく前記ｐ型単結晶シリコン基板２を陽極化成す
る。このとき、ｐ型単結晶シリコン基板２を３０重量％
以上、５０重量％未満のＨＦ水溶液９中に浸漬した状態
で、同シリコン基板２を陽極として、陽極化成を行う。
コンと、ｎ型シリコンの多孔質化の選択比を上げること
ができ、かつ、陽極化成速度を向上することができる。 【解決手段】ｐ型単結晶シリコン基板２にはｐ型シリコ
ン層３が形成され、ｐ型単結晶シリコン基板２の上面に
ｎ型シリコン層４が形成され、同ｎ型シリコン層４下に
前記ｐ型シリコン層３が埋め込み層とされている。ｎ型
シリコン層４には開口部形成用のｐ型シリコン層５が形
成され、ｎ型シリコン層４の上面に保護膜８が形成さ
れ、各ｐ型シリコン層３，５を多孔質シリコン層に変化
させるべく前記ｐ型単結晶シリコン基板２を陽極化成す
る。このとき、ｐ型単結晶シリコン基板２を３０重量％
以上、５０重量％未満のＨＦ水溶液９中に浸漬した状態
で、同シリコン基板２を陽極として、陽極化成を行う。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、シリコン基板の陽極化
成方法に関する。
成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来からシリコンのマイクロマシニング
において、シリコン基板を陽極化成することが行われて
いる。従来の陽極化成方法の例について説明する。
において、シリコン基板を陽極化成することが行われて
いる。従来の陽極化成方法の例について説明する。
【０００３】図１は、加速度センサに使用されるシリコ
ン基板を示している。同図において、面方位（１００）
のｐ型単結晶シリコン基板（以下、シリコン基板とい
う）２は、その表面側の所定領域にシリコン基板２より
も高濃度のｐ型シリコン層３が形成され、前記ｐ型単結
晶シリコン基板２の上面にｎ型単結晶シリコンからなる
エピタキシャル成長層４が形成されて、同エピタキシャ
ル成長層４内に前記ｐ型シリコン層３が埋め込み層とさ
れている。前記エピタキシャル成長層４には開口部形成
用のｐ型シリコン層５が形成され、前記ｐ型シリコン層
３にまで延びている。前記エピタキシャル成長層４の上
面には、前記開口部形成用のｐ型シリコン層５の上面を
除いて、層間絶縁膜として酸化膜（ＳｉＯ2 ）６、表層
における絶縁を図るためのパッシベーション膜７、及び
耐ＨＦ性を有するフォトレジスト等の樹脂保護膜（以
下、保護膜という）８が形成されている。
ン基板を示している。同図において、面方位（１００）
のｐ型単結晶シリコン基板（以下、シリコン基板とい
う）２は、その表面側の所定領域にシリコン基板２より
も高濃度のｐ型シリコン層３が形成され、前記ｐ型単結
晶シリコン基板２の上面にｎ型単結晶シリコンからなる
エピタキシャル成長層４が形成されて、同エピタキシャ
ル成長層４内に前記ｐ型シリコン層３が埋め込み層とさ
れている。前記エピタキシャル成長層４には開口部形成
用のｐ型シリコン層５が形成され、前記ｐ型シリコン層
３にまで延びている。前記エピタキシャル成長層４の上
面には、前記開口部形成用のｐ型シリコン層５の上面を
除いて、層間絶縁膜として酸化膜（ＳｉＯ2 ）６、表層
における絶縁を図るためのパッシベーション膜７、及び
耐ＨＦ性を有するフォトレジスト等の樹脂保護膜（以
下、保護膜という）８が形成されている。
【０００４】このシリコン基板２を図６に示すようにＨ
Ｆ水溶液（フッ酸水溶液）９に浸漬した状態で、同シリ
コン基板２を陽極とし、Ｐｔ等からなる貴金属板にて構
成された対向電極１０を配置して電界を印加することに
より陽極化成を行う。なお、Ｖは直流電源である。そし
て、前記陽極化成処理によって前記各ｐ型シリコン層
３，５を多孔質シリコン層１１（図３参照）に変化さ
せ、この多孔質化された部分を後の工程で、アルカリエ
ッチングによって除去することにより、空洞部を形成す
ることが行われる。そして、空洞部の上方に位置するエ
ピタキシャル成長層（ｎ型単結晶シリコン）４が中空ビ
ームとして形成され、加速度センサの構造体とされる。
Ｆ水溶液（フッ酸水溶液）９に浸漬した状態で、同シリ
コン基板２を陽極とし、Ｐｔ等からなる貴金属板にて構
成された対向電極１０を配置して電界を印加することに
より陽極化成を行う。なお、Ｖは直流電源である。そし
て、前記陽極化成処理によって前記各ｐ型シリコン層
３，５を多孔質シリコン層１１（図３参照）に変化さ
せ、この多孔質化された部分を後の工程で、アルカリエ
ッチングによって除去することにより、空洞部を形成す
ることが行われる。そして、空洞部の上方に位置するエ
ピタキシャル成長層（ｎ型単結晶シリコン）４が中空ビ
ームとして形成され、加速度センサの構造体とされる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、ＨＦ水溶液
の濃度によっては、所望の加速度センサの構造体が得ら
れない問題があった。すなわち、ＨＦ水溶液の濃度によ
っては、図２に示すように各ｐ型シリコン層３，５から
変化した多孔質シリコン層ばかりか、さらに、エピタキ
シャル成長層（ｎ型単結晶シリコン）４も多孔質化（図
中、１２で示す部分）し、同部分も後のアルカリエッチ
ング工程によって、エッチングされてしまい、予定され
た設計形状が得られない問題があった。
の濃度によっては、所望の加速度センサの構造体が得ら
れない問題があった。すなわち、ＨＦ水溶液の濃度によ
っては、図２に示すように各ｐ型シリコン層３，５から
変化した多孔質シリコン層ばかりか、さらに、エピタキ
シャル成長層（ｎ型単結晶シリコン）４も多孔質化（図
中、１２で示す部分）し、同部分も後のアルカリエッチ
ング工程によって、エッチングされてしまい、予定され
た設計形状が得られない問題があった。
【０００６】本発明は上記の課題を解消するためになさ
れたものであり、その目的は、ｐ型シリコンと、ｎ型シ
リコンの多孔質化の選択比を上げることができ、かつ、
陽極化成速度を向上することができるシリコン基板の陽
極化成方法を提供することにある。
れたものであり、その目的は、ｐ型シリコンと、ｎ型シ
リコンの多孔質化の選択比を上げることができ、かつ、
陽極化成速度を向上することができるシリコン基板の陽
極化成方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに、請求項１に記載の発明は、ｐ型単結晶シリコン基
板の表面側の所定領域にｐ型シリコン層が形成され、前
記ｐ型単結晶シリコン基板の上面にｎ型シリコン層が形
成されて、同ｎ型シリコン層下に前記ｐ型シリコン層が
埋め込み層とされ、前記ｎ型シリコン層には開口部形成
用のｐ型シリコン層が形成され、ｎ型シリコン層の上面
には、前記開口部形成用のｐ型シリコン層の表面が露出
された状態で、保護膜が形成され、前記各ｐ型シリコン
層を多孔質シリコン層に変化させるべく前記ｐ型単結晶
シリコン基板を陽極化成する方法であって、前記保護膜
にて覆われたｐ型単結晶シリコン基板を３０重量％以
上、５０重量％未満のＨＦ水溶液中に浸漬した状態で、
同シリコン基板を陽極として、陽極化成を行うことを特
徴とするシリコン基板における陽極化成方法をその要旨
としている。
めに、請求項１に記載の発明は、ｐ型単結晶シリコン基
板の表面側の所定領域にｐ型シリコン層が形成され、前
記ｐ型単結晶シリコン基板の上面にｎ型シリコン層が形
成されて、同ｎ型シリコン層下に前記ｐ型シリコン層が
埋め込み層とされ、前記ｎ型シリコン層には開口部形成
用のｐ型シリコン層が形成され、ｎ型シリコン層の上面
には、前記開口部形成用のｐ型シリコン層の表面が露出
された状態で、保護膜が形成され、前記各ｐ型シリコン
層を多孔質シリコン層に変化させるべく前記ｐ型単結晶
シリコン基板を陽極化成する方法であって、前記保護膜
にて覆われたｐ型単結晶シリコン基板を３０重量％以
上、５０重量％未満のＨＦ水溶液中に浸漬した状態で、
同シリコン基板を陽極として、陽極化成を行うことを特
徴とするシリコン基板における陽極化成方法をその要旨
としている。
【０００８】請求項２に記載の発明は、請求項１におい
て、ＨＦ水溶液の濃度は、３５重量％以上、４５重量％
以内であるシリコン基板の陽極化成方法をその要旨とし
ている。
て、ＨＦ水溶液の濃度は、３５重量％以上、４５重量％
以内であるシリコン基板の陽極化成方法をその要旨とし
ている。
【０００９】（作用）請求項１に記載の発明によると、
保護膜にて覆われたシリコン基板を３０重量％以上、５
０重量％未満のＨＦ水溶液中に浸漬した状態で、陽極化
成処理を行うと、ｐ型シリコン層と、ｎ型シリコン層の
多孔質化の選択比が上がり、かつ、陽極化成速度が向上
する。
保護膜にて覆われたシリコン基板を３０重量％以上、５
０重量％未満のＨＦ水溶液中に浸漬した状態で、陽極化
成処理を行うと、ｐ型シリコン層と、ｎ型シリコン層の
多孔質化の選択比が上がり、かつ、陽極化成速度が向上
する。
【００１０】又、請求項２に記載の発明によると、３５
重量％以上、４５重量％以内のＨＦ水溶液中に浸漬した
状態で、陽極化成処理を行うと、ｐ型シリコン層と、ｎ
型シリコン層の多孔質化の選択比がさらに上がり、か
つ、陽極化成速度が向上する。
重量％以上、４５重量％以内のＨＦ水溶液中に浸漬した
状態で、陽極化成処理を行うと、ｐ型シリコン層と、ｎ
型シリコン層の多孔質化の選択比がさらに上がり、か
つ、陽極化成速度が向上する。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の実施例を図１、図３〜図５を
参照して説明する。本実施例では、前記従来の技術で述
べた図１に示すシリコン基板２を複数個使用して、図６
に示すようにそれぞれ異なる濃度のＨＦ水溶液９に浸漬
した状態で陽極化成を行った。なお、シリコン基板、及
び図６については、既に説明したため、その説明を省略
する。なお、図１のｎ型単結晶シリコンからなるエピタ
キシャル成長層４は、本発明のｎ型シリコン層（ｎ型シ
リコン）に相当する。又、ｐ型シリコンには、ｐ型シリ
コン層３，５が含まれる。又、ｐ型シリコン層３は埋め
込み層とされている。ｐ型シリコン層５は空洞部を設け
たるための開口部形成用とされている。
参照して説明する。本実施例では、前記従来の技術で述
べた図１に示すシリコン基板２を複数個使用して、図６
に示すようにそれぞれ異なる濃度のＨＦ水溶液９に浸漬
した状態で陽極化成を行った。なお、シリコン基板、及
び図６については、既に説明したため、その説明を省略
する。なお、図１のｎ型単結晶シリコンからなるエピタ
キシャル成長層４は、本発明のｎ型シリコン層（ｎ型シ
リコン）に相当する。又、ｐ型シリコンには、ｐ型シリ
コン層３，５が含まれる。又、ｐ型シリコン層３は埋め
込み層とされている。ｐ型シリコン層５は空洞部を設け
たるための開口部形成用とされている。
【００１２】そして、ＨＦ水溶液の濃度は、１４重量
％、２９重量％、４０重量％、４６重量％、５０重量％
とし、それぞれのＨＦ水溶液の濃度について、電流密度
を一定（８００ｍＡ／ｃｍ2 ）にして上記のシリコン基
板２を各々陽極化成した。なお、各ＨＦ水溶液の濃度に
おいて、それぞれ２個ずつ陽極化成を行った。
％、２９重量％、４０重量％、４６重量％、５０重量％
とし、それぞれのＨＦ水溶液の濃度について、電流密度
を一定（８００ｍＡ／ｃｍ2 ）にして上記のシリコン基
板２を各々陽極化成した。なお、各ＨＦ水溶液の濃度に
おいて、それぞれ２個ずつ陽極化成を行った。
【００１３】又、上記電流密度を一定（８００ｍＡ／ｃ
ｍ2 ）としたのは、図５の電流密度と、陽極化成レート
との関係を予め測定した結果によっている。すなわち、
図５は、上記と同一構成のシリコン基板２に対して、一
定の濃度として約４０重量％濃度のＨＦ水溶液を使用し
て、陽極化成を行ったとき、電流密度を変えた場合の結
果を示している。図において、縦軸に陽極化成レート
（μｍ／ｍｉｎ）、横軸に電流密度（ｍＡ／ｃｍ2 ）を
とり、各電流密度におけるｐ＋型シリコン（ｐ型シリコ
ン層３，５）の陽極化成レートを示している。同図に示
すように、電流密度に比例して、陽極化成レートは増大
する傾向を示す。
ｍ2 ）としたのは、図５の電流密度と、陽極化成レート
との関係を予め測定した結果によっている。すなわち、
図５は、上記と同一構成のシリコン基板２に対して、一
定の濃度として約４０重量％濃度のＨＦ水溶液を使用し
て、陽極化成を行ったとき、電流密度を変えた場合の結
果を示している。図において、縦軸に陽極化成レート
（μｍ／ｍｉｎ）、横軸に電流密度（ｍＡ／ｃｍ2 ）を
とり、各電流密度におけるｐ＋型シリコン（ｐ型シリコ
ン層３，５）の陽極化成レートを示している。同図に示
すように、電流密度に比例して、陽極化成レートは増大
する傾向を示す。
【００１４】又、陽極化成の完了条件は、ｐ型シリコン
層３の多孔質化が完了する時間とし、陽極化成処理の工
程を短時間で行う必要からその時間を１０分とした。そ
して、陽極化成後に、各シリコン基板２に対して、ＴＭ
ＡＨ（テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド）
にてアルカリエッチングを行い、多孔質化した層を異方
性エッチングした。
層３の多孔質化が完了する時間とし、陽極化成処理の工
程を短時間で行う必要からその時間を１０分とした。そ
して、陽極化成後に、各シリコン基板２に対して、ＴＭ
ＡＨ（テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド）
にてアルカリエッチングを行い、多孔質化した層を異方
性エッチングした。
【００１５】この陽極化成の評価は、このアルカリエッ
チングにより、ｐ型シリコン層５の開口部（図１におい
て、αで示す）からのｎ型シリコン（エピタキシャル成
長層４）、ｐ型シリコン（ｐ型シリコン層３）のエッチ
ングの進行距離を計測することにより行った。
チングにより、ｐ型シリコン層５の開口部（図１におい
て、αで示す）からのｎ型シリコン（エピタキシャル成
長層４）、ｐ型シリコン（ｐ型シリコン層３）のエッチ
ングの進行距離を計測することにより行った。
【００１６】図４は、縦軸に陽極化成レート（μｍ／ｍ
ｉｎ）、横軸にＨＦ水溶液の濃度（重量％）をとり、各
濃度における、ｐ＋型シリコン（ｐ型シリコン層３，
５）、ｎ型シリコン（エピタキシャル成長層４）の陽極
化成レートを示している。
ｉｎ）、横軸にＨＦ水溶液の濃度（重量％）をとり、各
濃度における、ｐ＋型シリコン（ｐ型シリコン層３，
５）、ｎ型シリコン（エピタキシャル成長層４）の陽極
化成レートを示している。
【００１７】同図から判るように、１４重量％では、ｐ
＋型シリコン（ｐ型シリコン層３，５）、ｎ型シリコン
（エピタキシャル成長層４）とも同程度の陽極化成レー
トであって、多孔質化の選択比は低いものとなってい
る。
＋型シリコン（ｐ型シリコン層３，５）、ｎ型シリコン
（エピタキシャル成長層４）とも同程度の陽極化成レー
トであって、多孔質化の選択比は低いものとなってい
る。
【００１８】２９重量％から、４０重量％では、多孔質
化の選択比が上がり、良好な結果が得られている。な
お、図４においては、５０重量％の結果は、図示されて
いない。これは、５０重量％であると、陽極化成処理完
了条件の１０分を経過する以前に、保護膜８がＨＦ水溶
液に侵され処理が行えなかったためである。なお、保護
膜８の厚みは、通常は約１μｍ程度である。従って、こ
の保護膜８の膜厚を増せば、５０重量％のＨＦ水溶液の
濃度に耐えられることも考えられる。しかし、膜厚を厚
くすると、保護膜形成時間を要するとともに、その後の
保護膜８を除去する（エッチング等により）工程も長く
なり、反って加速度センサの生産工程時間が長くなる問
題がある。
化の選択比が上がり、良好な結果が得られている。な
お、図４においては、５０重量％の結果は、図示されて
いない。これは、５０重量％であると、陽極化成処理完
了条件の１０分を経過する以前に、保護膜８がＨＦ水溶
液に侵され処理が行えなかったためである。なお、保護
膜８の厚みは、通常は約１μｍ程度である。従って、こ
の保護膜８の膜厚を増せば、５０重量％のＨＦ水溶液の
濃度に耐えられることも考えられる。しかし、膜厚を厚
くすると、保護膜形成時間を要するとともに、その後の
保護膜８を除去する（エッチング等により）工程も長く
なり、反って加速度センサの生産工程時間が長くなる問
題がある。
【００１９】上記のことから、ＨＦ水溶液９の濃度は、
保護膜８が侵されず、かつ、多孔質化の選択比を上げる
ことができるためには、３０重量％以上、５０％未満の
値で陽極処理を行うことが好適な条件であることが分か
る。
保護膜８が侵されず、かつ、多孔質化の選択比を上げる
ことができるためには、３０重量％以上、５０％未満の
値で陽極処理を行うことが好適な条件であることが分か
る。
【００２０】ＨＦ水溶液９の濃度は、さらに、保護膜８
が侵されず、かつ、多孔質化の選択比を上げるためには
３５重量％以上、４５％以下の範囲内であれば、好適で
あることが分かる。そして、多孔質化の選択比を上げる
ためには約４０重量％の濃度が最適である。
が侵されず、かつ、多孔質化の選択比を上げるためには
３５重量％以上、４５％以下の範囲内であれば、好適で
あることが分かる。そして、多孔質化の選択比を上げる
ためには約４０重量％の濃度が最適である。
【００２１】又、上記のＨＦ水溶液の濃度範囲、或い
は、濃度であれば、陽極化成処理完了条件が短い時間と
なっており、陽極化成速度を向上することが可能であ
る。本発明の実施例は、例えば次のように変更すること
が可能である。
は、濃度であれば、陽極化成処理完了条件が短い時間と
なっており、陽極化成速度を向上することが可能であ
る。本発明の実施例は、例えば次のように変更すること
が可能である。
【００２２】（１） ｐ型単結晶シリコン基板２として
面方位（１００）以外の基板、例えば（１１１）基板や
（１１０）基板等を使用してもよい。 （２） ＴＭＡＨ以外のアルカリ系エッチャントとし
て、例えばＫＯＨ、ヒドラジン、ＥＰＷ（エチレンジア
ミン−ピロカテコール−水）等を使用してもよい。
面方位（１００）以外の基板、例えば（１１１）基板や
（１１０）基板等を使用してもよい。 （２） ＴＭＡＨ以外のアルカリ系エッチャントとし
て、例えばＫＯＨ、ヒドラジン、ＥＰＷ（エチレンジア
ミン−ピロカテコール−水）等を使用してもよい。
【００２３】（３） 前記ｎ型単結晶シリコンのエピタ
キシャル成長層６に代えて、例えばｎ型の多結晶シリコ
ン層を形成してもよい。この場合、ｎ型の多結晶シリコ
ン層は、本発明のｎ型シリコン層に相当する。
キシャル成長層６に代えて、例えばｎ型の多結晶シリコ
ン層を形成してもよい。この場合、ｎ型の多結晶シリコ
ン層は、本発明のｎ型シリコン層に相当する。
【００２４】（４） 上記実施例では、陽極化成の完了
条件は、ｐ型シリコン層３の多孔質化が完了する時間と
し、陽極化成処理の工程を短時間で行う必要からその時
間を１０分としたが、１０分に限定されるものではな
い。例えば、１０分以内の時間でもよく、或いは、１０
〜２０分の時間内でもよく、或いは、工程時間が短縮で
きる範囲であればよい。
条件は、ｐ型シリコン層３の多孔質化が完了する時間と
し、陽極化成処理の工程を短時間で行う必要からその時
間を１０分としたが、１０分に限定されるものではな
い。例えば、１０分以内の時間でもよく、或いは、１０
〜２０分の時間内でもよく、或いは、工程時間が短縮で
きる範囲であればよい。
【００２５】ここで、特許請求の範囲に記載された技術
的思想のほかに、前述した実施例によって把握される技
術的思想をその効果とともに以下に挙げる。 （１） 請求項２において、ＨＦ水溶液の濃度は、４０
重量％であるシリコン基板の陽極化成方法。４０重量％
であると、最適に、多孔質化の選択比を上げることがで
きる。
的思想のほかに、前述した実施例によって把握される技
術的思想をその効果とともに以下に挙げる。 （１） 請求項２において、ＨＦ水溶液の濃度は、４０
重量％であるシリコン基板の陽極化成方法。４０重量％
であると、最適に、多孔質化の選択比を上げることがで
きる。
【００２６】なお、本明細書中において使用した技術用
語を次のように定義する。「陽極化成： 電解液中で基
板を陽極として電流を流すことにより、その基板に多孔
質層を形成する一括改質加工をいう。」
語を次のように定義する。「陽極化成： 電解液中で基
板を陽極として電流を流すことにより、その基板に多孔
質層を形成する一括改質加工をいう。」
【００２７】
【発明の効果】以上詳述したように、請求項１乃至２に
記載の発明によれば、ｐ型シリコンと、ｎ型シリコンの
多孔質化の選択比を上げることができ、かつ、陽極化成
速度を向上することができる。
記載の発明によれば、ｐ型シリコンと、ｎ型シリコンの
多孔質化の選択比を上げることができ、かつ、陽極化成
速度を向上することができる。
【図１】シリコン基板の概略断面図。
【図２】同じく陽極化成後のシリコン基板の概略断面
図。
図。
【図３】同じく陽極化成後のシリコン基板の概略断面
図。
図。
【図４】陽極化成レートとＨＦ水溶液の濃度との関係を
示すグラフ。
示すグラフ。
【図５】ＨＦ水溶液４０重量％における陽極化成レート
と電流密度との関係を示すグラフ。
と電流密度との関係を示すグラフ。
【図６】陽極化成の説明図。
２…ｐ型単結晶シリコン基板、３…ｐ型シリコン層、４
…エピタキシャル成長層（ｎ型シリコン層）、５…ｐ型
シリコン層、６…酸化膜、８…保護膜、９…ＨＦ水溶
液。
…エピタキシャル成長層（ｎ型シリコン層）、５…ｐ型
シリコン層、６…酸化膜、８…保護膜、９…ＨＦ水溶
液。
Claims (2)
- 【請求項１】 ｐ型単結晶シリコン基板（２）の表面側
の所定領域にｐ型シリコン層（３）が形成され、前記ｐ
型単結晶シリコン基板（２）の上面にｎ型シリコン層
（４）が形成されて、同ｎ型シリコン層（４）下に前記
ｐ型シリコン層（３）が埋め込み層とされ、前記ｎ型シ
リコン層（４）には開口部形成用のｐ型シリコン層
（５）が形成され、ｎ型シリコン層（４）の上面には、
前記開口部形成用のｐ型シリコン層（５）の表面が露出
された状態で、保護膜（８）が形成され、前記各ｐ型シ
リコン層（３，５）を多孔質シリコン層に変化させるべ
く前記ｐ型単結晶シリコン基板（２）を陽極化成する方
法であって、 前記保護膜（８）にて覆われたｐ型単結晶シリコン基板
（２）を３０重量％以上、５０重量％未満のＨＦ水溶液
中に浸漬した状態で、同シリコン基板（２）を陽極とし
て、陽極化成を行うことを特徴とするシリコン基板にお
ける陽極化成方法。 - 【請求項２】 ＨＦ水溶液の濃度は、３５重量％以上、
４５重量％以内である請求項１に記載のシリコン基板の
陽極化成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35368597A JPH1154477A (ja) | 1997-06-05 | 1997-12-22 | シリコン基板における陽極化成方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14786097 | 1997-06-05 | ||
| JP9-147860 | 1997-06-05 | ||
| JP35368597A JPH1154477A (ja) | 1997-06-05 | 1997-12-22 | シリコン基板における陽極化成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1154477A true JPH1154477A (ja) | 1999-02-26 |
Family
ID=26478280
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35368597A Pending JPH1154477A (ja) | 1997-06-05 | 1997-12-22 | シリコン基板における陽極化成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1154477A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000068983A1 (de) * | 1999-05-07 | 2000-11-16 | Forschungszentrum Jülich GmbH | Verfahren zur hertsellung eines elements mit porosidiertem material |
| JP2012015316A (ja) * | 2010-06-30 | 2012-01-19 | Canon Inc | 半導体装置およびその製造方法、ならびに固体撮像装置 |
| KR101171817B1 (ko) | 2010-02-23 | 2012-08-14 | 전남대학교산학협력단 | ｐ-형 질화갈륨계 화합물 반도체의 제조방법, 질화갈륨계 화합물 반도체에 함유된 ｐ-형 도판트의 활성화 방법, 질화갈륨계 화합물 반도체 디바이스 및 질화갈륨계 화합물 반도체 발광 디바이스 |
-
1997
- 1997-12-22 JP JP35368597A patent/JPH1154477A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000068983A1 (de) * | 1999-05-07 | 2000-11-16 | Forschungszentrum Jülich GmbH | Verfahren zur hertsellung eines elements mit porosidiertem material |
| KR101171817B1 (ko) | 2010-02-23 | 2012-08-14 | 전남대학교산학협력단 | ｐ-형 질화갈륨계 화합물 반도체의 제조방법, 질화갈륨계 화합물 반도체에 함유된 ｐ-형 도판트의 활성화 방법, 질화갈륨계 화합물 반도체 디바이스 및 질화갈륨계 화합물 반도체 발광 디바이스 |
| JP2012015316A (ja) * | 2010-06-30 | 2012-01-19 | Canon Inc | 半導体装置およびその製造方法、ならびに固体撮像装置 |
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