JPH1158955A

JPH1158955A - 光記録媒体

Info

Publication number: JPH1158955A
Application number: JP9223869A
Authority: JP
Inventors: Takashi Tsukahara; 宇塚原; Tsutayoshi Misawa; 伝美三沢; Kenichi Sugimoto; 賢一杉本; Taizo Nishimoto; 泰三西本; Takeshi Tsuda; 武津田; Hideki Umehara; 英樹梅原; Hirosuke Takuma; 啓輔詫摩
Original assignee: Yamamoto Chemicals Inc; Mitsui Chemicals Inc
Current assignee: Yamamoto Chemicals Inc; Mitsui Chemicals Inc
Priority date: 1997-08-20
Filing date: 1997-08-20
Publication date: 1999-03-02
Anticipated expiration: 2017-08-20
Also published as: JP3704230B2

Abstract

(57)【要約】【課題】波長４００ｎｍ〜５００ｎｍのレーザーで良
好な記録及び再生が可能な追記型光記録媒体を提供す
る。【解決手段】基板上に少なくとも記録層及び反射層を
有する光記録媒体において、記録層中に一般式（１）で
示されるポルフィリン化合物を含有する光記録媒体。【化１】〔式中、Ｒ₁〜Ｒ₆は各々独立に水素原子、ハロゲン原
子、炭素数１〜２０の置換又は未置換のアルキル基、ア
ルコキシ基、アルキルチオ基、アリールオキシ基、アリ
ールチオ基、アルケニル基、アラルキル基、アシル基、
又はアリール基を表し、Ｍは２個の水素原子、２価の金
属又は３価又は４価の金属誘導体を表す。〕

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光記録媒体、特に
有機色素を含有する追記型光記録媒体の改良に関する。

【０００２】

【従来の技術】基板上に反射層を有する光記録媒体とし
てコンパクトディスク（以下、ＣＤと略す）規格に対応
した追記可能なＣＤ−Ｒ（ＣＤ−Ｒｅｃｏｒｄａｂｌ
ｅ）が広く普及している。この光記録媒体は（図１）に
示すように、基板１上に、記録層２、反射層３、保護層
４を、この順に形成させたものである。この光記録媒体
の記録層に半導体レーザー等のレーザー光を高パワーで
照射すると、記録層が物理的あるいは化学的変化を起こ
し、ピットの形で情報を記録する。形成されたピットに
低パワーのレーザー光を照射し、反射光の変化を検出す
ることにより、ピットの情報を再生することができる。
このような光記録媒体の記録や再生には、一般に波長７
７０ｎｍ〜８３０ｎｍの近赤外半導体レーザーが用いら
れており、レッドブックやオレンジブック等のＣＤ規格
に準拠しているため、ＣＤプレーヤーやＣＤ−ＲＯＭプ
レーヤーと互換性を有するという特徴を有する。

【０００３】しかし、上記の従来の媒体の記録容量は６
５０ＭＢ程度であり、動画の記録を考慮すると容量は十
分ではない。情報量の飛躍的増加に伴い、情報記録媒体
に対する高密度化及び大容量化への要求は高まってい
る。

【０００４】記録及び再生用レーザーの短波長化により
ビームスポットを小さくすることができ、高密度な光記
録が可能になる。実際に半導体レーザーの短波長化、デ
ータ圧縮技術などにより、動画を長時間記録できる大容
量の光記録媒体が開発されている〔例えば、日経エレク
トロニクス、Ｎｏ．５９４、ｐ．１６９、１９９３年１
１月８日号〕。

【０００５】最近では、光ディスクシステムに利用され
る短波長半導体レーザーの開発が進み、波長６８０ｎ
ｍ、６５０ｎｍ及び６３５ｎｍの赤色半導体レーザーが
実用化されている〔例えば、日経エレクトロニクス、Ｎ
ｏ．５９２、ｐ．６５、１９９３年１０月１１日号〕。
これらの半導体レーザーを用い、２時間以上の動画をデ
ジタル記録したＤＶＤが実用化されている。ＤＶＤは再
生専用媒体であるため、この容量に対応する追記型光記
録媒体の開発も進んでいる。

【０００６】更に、超高密度の記録が可能となる波長４
００ｎｍ〜５００ｎｍの青色半導体レーザーの開発も進
んでいる。

【０００７】追記型光記録媒体の色素層にレーザー光を
照射し、色素層に物理変化や化学変化を生じさせること
でピットを形成させるとき、色素の光学定数、分解挙動
が良好なピットを形成させるための重要な要素となる。
分解しづらいものは感度が低下し、分解が激しいか又は
変化しやすいものはピット間及び半径方向への影響が大
きくなり、信頼性のあるピット形成が困難になる。従来
のＣＤ−Ｒ媒体は、超高密度記録で用いられる青色半導
体レーザー波長では、色素層の屈折率も低く、消衰係数
も適度な値ではないため、反射率が低く変調度がとれな
い。更には、絞られたレーザー光で小さいピットを開け
るべきところが、周りへの影響が大きく分布の大きいピ
ットになったり、半径方向へのクロストークが悪化す
る。逆に、ピットが極端に小さくなり変調度がとれない
場合もある。従って、記録層に用いる色素には青色半導
体レーザーに対する光学的性質、分解挙動の適切な化合
物を選択する必要がある。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】本発明者らは、従来の
光記録媒体の記録層に用いられている有機色素は、波長
４００ｎｍ〜５００ｎｍの短波長レーザーでの記録及び
再生が困難であることを確認した。そこで本発明の目的
は、波長４００ｎｍ〜５００ｎｍの範囲で良好な記録及
び再生が可能な超高密度記録に適した光記録媒体を提供
することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、本発明を完成する
に至った。すなわち、本発明は、基板上に少なくとも記録層及び反射層を有する光記
録媒体において、記録層中に、下記一般式（１）で示さ
れるポルフィリン化合物を含有する光記録媒体、

【００１０】

【化２】〔式中、Ｒ₁〜Ｒ₆は各々独立に水素原子、ハロゲン原
子、炭素数１〜２０の置換又は未置換のアルキル基、ア
ルコキシ基、アルキルチオ基、アリールオキシ基、アリ
ールチオ基、アルケニル基、アラルキル基、アシル基、
又はアリール基を表し、Ｍは２個の水素原子、２価の金
属又は３価又は４価の金属誘導体を表す。〕

【００１１】波長４００ｎｍ〜５００ｎｍのレーザ
ー光で記録及び再生が可能であるに記載の光記録媒体
である。

【００１２】

【発明の実施の形態】本発明の具体的構成について以下
に説明する。

【００１３】この光記録媒体は図１に示すような基板、
記録層、反射層及び保護層が順次積層している４層構造
を有している。これを単板で用いても良く、ＤＶＤのよ
うに接着層で貼り合わせて用いても良い。

【００１４】基板の材質としては、基本的には記録光及
び再生光の波長で透明であればよい。例えば、ポリカー
ボネート樹脂、塩化ビニル樹脂、ポリメタクリル酸メチ
ル等のアクリル樹脂、ポリスチレン樹脂、エポキシ樹脂
等の高分子材料やガラス等の無機材料が利用される。こ
れらの基板材料は射出成形法等により円盤状に基板に成
形される。必要に応じて、基板表面に案内溝やピットを
形成することもある。このような案内溝やピットは、基
板の成形時に付与することが望ましいが、基板の上に紫
外線硬化樹脂層を用いて付与することもできる。

【００１５】本発明においては、基板上に記録層を設け
るが、本発明の記録層は、一般式（１）で示されるポル
フィリン化合物を含有する。

【００１６】本発明の記録層に含有される一般式（１）
で示されるポルフィリン化合物のＲ ₁〜Ｒ₆、及びＭの具
体例を次に述べる。

【００１７】置換又は未置換のアルキル基としては、直
鎖又は分岐又は環状のアルキル基、アルコキシアルキル
基、アルコキシアルコキシアルキル基、アルコキシアル
コキシアルコキシアルキル基、アルコキシカルボニルア
ルキル基、アルコキシカルボニルオキシアルキル基、ア
ルコキシアルコキシカルボニルオキシアルキル基、ヒド
ロキシアルキル基、ヒドロキシアルコキシアルキル基、
ヒドロキシアルコキシアルコキシアルキル基、シアノア
ルキル基、アシルオキシアルキル基、アシルオキシアル
コキシアルキル基、アシルオキシアルコキシアルコキシ
アルキル基、ハロゲン化アルキル、スルホンアルキル
基、アルキルカルボニルアミノアルキル基、アルキルス
ルホンアミノアルキル基、スルホンアミドアルキル基、
アルキルアミノアルキル基、アミノアルキル基、及びア
ルキルスルホンアルキル基の中から選択される。

【００１８】直鎖又は分岐又は環状のアルキル基として
は、炭素数１〜１５の炭化水素基で、ポリカーボネー
ト、アクリル、エポキシ、ポリオレフィン基板などへの
塗布による加工性を考慮すれば、メチル基、エチル基、
ｎ−プロピル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチル基、
ｉｓｏ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、
ｎ−ペンチル基、ｉｓｏ−ペンチル基、２−メチルブチ
ル基、１−メチルブチル基、ｎｅｏ−ペンチル基、１，
２−ジメチルプロピル基、１，１−ジメチルプロピル
基、ｃｙｃｌｏ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、４−メ
チルペンチル基、３−メチルペンチル基、２−メチルペ
ンチル基、１−メチルペンチル基、３，３−ジメチルブ
チル基、２，３−ジメチルブチル基、１，３−ジメチル
ブチル基、２，２−ジメチルブチル基、１，２−ジメチ
ルブチル基、１，１−ジメチルブチル基、３−エチルブ
チル基、２−エチルブチル基、１−エチルブチル基、
１，２，２−トリメチルブチル基、１，１，２−トリメ
チルブチル基、１−エチル−２−メチルプロピル基、ｃ
ｙｃｌｏ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、２−メチルヘ
キシル基、３−メチルヘキシル基、４−メチルヘキシル
基、５−メチルヘキシル基、２，４−ジメチルペンチル
基、ｎ−オクチル基、２−エチルヘキシル基、２，５−
ジメチルヘキシル基、２，５，５−トリメチルペンチル
基、２，４−ジメチルヘキシル基、２，２，４−トリメ
チルペンチル基、３，５，５−トリメチルヘキシル基、
ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、４−エチルオクチル基、
４−エチル−４，５−メチルヘキシル基、ｎ−ウンデシ
ル基、ｎ−ドデシル基、１，３，５，７−テトラエチル
オクチル基、４−ブチルオクチル基、６，６−ジエチル
オクチル基、ｎ−トリデシル基、６−メチル−４−ブチ
ルオクチル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ペンタデシル
基、３，５−ジメチルヘプチル基、２，６−ジメチルヘ
プチル基、２，４−ジメチルヘプチル基、２，２，５，
５−テトラメチルヘキシル基、１−ｃｙｃｌｏ−ペンチ
ル−２，２−ジメチルプロピル基、１−ｃｙｃｌｏ−ヘ
キシル−２，２−ジメチルプロピル基などが挙げられ
る。

【００１９】アルコキシアルキル基の例としては、メト
キシメチル基、エトキシメチル基、プロポキシメチル
基、ブトキシメチル基、メトキシエチル基、エトキシエ
チル基、プロポキシエチル基、ブトキシエチル基、ｎ−
ヘキシルオキシエチル基、４−メチルペントキシエチル
基、１，３−ジメチルブトキシエチル基、２−エチルヘ
キシルオキシエチル基、ｎ−オクチルオキシエチル基、
３，５，５−トリメチルヘキシルオキシエチル基、２−
メチル−１−ｉｓｏ−プロピルプロポキシエチル基、３
−メチル−１−ｉｓｏ−プロピルブチルオキシエチル
基、２−エトキシ−１−メチルエチル基、３−メトキシ
ブチル基、３，３，３−トリフルオロプロポキシエチル
基、３，３，３−トリクロロプロポキシエチル基などの
炭素数２〜１５のものが挙げられる。

【００２０】アルコキシアルコキシアルキル基の例とし
ては、メトキシエトキシエチル基、エトキシエトキシエ
チル基、プロポキシエトキシエチル基、ブトキシエトキ
シエチル基、ヘキシルオキシエトキシエチル基、１，２
−ジメチルプロポキシエトキシエチル基、３−メチル−
１−ｉｓｏ−ブチルブトキシエトキシエチル基、２−メ
トキシ−１−メチルエトキシエチル基、２−ブトキシ−
１−メチルエトキシエチル基、２−（２’−エトキシ−
１’−メチルエトキシ）−１−メチルエチル基、３，
３，３−トリフルオロプロポキシエトキシエチル基、
３，３，３−トリクロロプロポキシエトキシエチル基な
どが挙げられる。

【００２１】アルコキシアルコキシアルコキシアルキル
基の例としては、メトキシエトキシエトキシエチル基、
エトキシエトキシエトキシエチル基、ブトキシエトキシ
エトキシエチル基、２，２，２−トリフルオロエトキシ
エトキシエトキシエチル基、２，２，２−トリクロロエ
トキシエトキシエトキシエチル基などが挙げられる。

【００２２】アルコキシカルボニルアルキル基の例とし
ては、メトキシカルボニルメチル基、エトキシカルボニ
ルメチル基、ブトキシカルボニルメチル基、メトキシカ
ルボニルエチル基、エトキシカルボニルエチル基、ブト
キシカルボニルエチル基、２，２，３，３−テトラフル
オロプロポキシカルボニルメチル基、２，２，３，３−
テトラクロロプロポキシカルボニルメチル基などが挙げ
られる。

【００２３】アルコキシカルボニルオキシアルキル基の
例としては、メトキシカルボニルオキシエチル基、エト
キシカルボニルオキシエチル基、ブトキシカルボニルオ
キシエチル基、２，２，２−トリフルオロエトキシカル
ボニルオキシエチル基、２，２，２−トリクロロエトキ
シカルボニルオキシエチル基などが挙げられる。

【００２４】アルコキシアルコキシカルボニルオキシア
ルキル基の例としては、メトキシエトキシカルボニルオ
キシエチル基、エトキシエトキシカルボニルオキシエチ
ル基、ブトキシエトキシカルボニルオキシエチル基、
２，２，２−トリフルオロエトキシエトキシカルボニル
オキシエチル基、２，２，２−トリクロロエトキシエト
キシカルボニルオキシエチル基などが挙げられる。

【００２５】ヒドロキシアルキル基の例としては、２−
ヒドロキシエチル基、４−ヒドロキシエチル基、２−ヒ
ドロキシ−３−メトキシプロピル基、２−ヒドロキシ−
３−クロロプロピル基、２−ヒドロキシ−３−エトキシ
プロピル基、３−ブトキシ−２−ヒドロキシプロピル
基、２−ヒドロキシ−３−フェノキシプロピル基、２−
ヒドロキシプロピル基、２−ヒドロキシブチル基などが
挙げられる。

【００２６】ヒドロキシアルコキシアルキル基の例とし
ては、ヒドロキシエトキシエチル基、２−（２’−ヒド
ロキ−１’−メチルエトキシ）−１−メチルエチル基、
２−（３’−フルオロ−２’−ヒドロキシプロポキシ）
エチル基、２−（３’−クロロ−２’−ヒドロキシプロ
ポキシ）エチル基などが挙げられる。ヒドロキシアルコ
キシアルコキシアルキル基の例としては、ヒドロキシエ
トキシエトキシエチル基、［２’−（２’−ヒドロキ−
１’−メチルエトキシ）−１’−メチルエトキシ］エト
キシエチル基、［２’−（２’−フルオロ−１’−ヒド
ロキシエトキシ）−１’−メチルエトキシ］エトキシエ
チル基、［２’−（２’−クロロ−１’−ヒドロキシエ
トキシ）−１’−メチルエトキシ］エトキシエチル基な
どが挙げられる。

【００２７】シアノアルキル基の例としては、２−シア
ノエチル基、４−シアノエチル基、２−シアノ−３−メ
トキシプロピル基、２−シアノ−３−クロロプロピル
基、２−シアノ−３−エトキシプロピル基、３−ブトキ
シ−２−シアノプロピル基、２−シアノ−３−フェノキ
シプロピル基、２−シアノプロピル基、２−シアノブチ
ル基などが挙げられる。

【００２８】アシルオキシアルキル基の例としては、ア
セトキシエチル基、プロピオニルオキシエチル基、ブチ
リルオキシエチル基、バレリルオキシエチル基、１−エ
チルペンチルカルボニルオキシエチル基、２，４，４−
トリメチルペンチルカルボニルオキシエチル基、３−フ
ルオロブチリルオキシエチル基、３−クロロブチリルオ
キシエチル基などが挙げられる。

【００２９】アシルオキシアルコキシアルキル基の例と
しては、アセトキシエトキシエチル基、プロピオニルオ
キシエトキシエチル基、バレリルオキシエトキシエチル
基、１−エチルペンチルカルボニルオキシエトキシエチ
ル基、２，４，４−トリメチルペンチルカルボニルオキ
シエトキシエチル基、２−フルオロプロピオニルオキシ
エトキシエチル基、２−クロロプロピオニルオキシエト
キシエチル基などが挙げられる。

【００３０】アシルオキシアルコキシアルコキシアルキ
ル基の例としては、アセトキシエトキシエトキシエチル
基、プロピオニルオキシエトキシエトキシエチル基、バ
レリルオキシエトキシエトキシエチル基、１−エチルペ
ンチルカルボニルオキシエトキシエトキシエチル基、
２，４，４−トリメチルペンチルカルボニルオキシエト
キシエトキシエチル基、２−フルオロプロピオニルオキ
シエトキシエトキシエチル基、２−クロロプロピオニル
オキシエトキシエトキシエチル基などが挙げられる。

【００３１】ハロゲン化アルキル基の例としては、クロ
ロメチル基、クロロエチル基、２，２，２−トリフルオ
ロエチル基、トリフルオロメチル基、ブロモメチル基、
ヨウ化メチル基などが挙げられる。

【００３２】スルホンアルキル基の例としては、スルホ
ンメチル基、スルホンエチル基、スルホンプロピル基な
どが挙げられる。

【００３３】アルキルカルボニルアミノアルキル基の例
としては、メチルカルボニルアミノエチル基、エチルカ
ルボニルアミノエチル基、プロピルカルボニルアミノエ
チル基、シクロヘキシルカルボニルアミノエチル基、ス
クシンイミノエチル基などが挙げられる。

【００３４】アルキルスルホンアミノアルキル基の例と
しては、メチルスルホンアミノエチル基、エチルスルホ
ンアミノエチル基、プロピルスルホンアミノエチル基な
どが挙げられる。

【００３５】スルホンアミドアルキル基の例としては、
スルホンアミドメチル基、スルホンアミドエチル基、ス
ルホンアミドプロピル基などが挙げられる。

【００３６】アルキルアミノアルキル基の例としては、
Ｎ−メチルアミノメチル基、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノメ
チル基、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノメチル基、Ｎ，Ｎ−ジ
プロピルアミノメチル基、Ｎ，Ｎ−ジブチルアミノメチ
ル基などが挙げられる。

【００３７】アミノアルキル基の例としては、アミノメ
チル基、アミノエチル基、アミノプロピル基などが挙げ
られる。

【００３８】アルキルスルホンアルキル基の例として
は、メチルスルホンメチル基、エチルスルホンメチル
基、ブチルスルホンメチル基、メチルスルホンエチル
基、エチルスルホンエチル基、ブチルスルホンエチル
基、２，２，３，３−テトラフルオロプロピルスルホン
メチル基、２，２，３，３−テトラクロロプロピルスル
ホンメチル基などが挙げられる。

【００３９】置換又は未置換のアルコキシ基の例として
は、上記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有するア
ルコキシ基であり、好ましくは、メトキシ基、エトキシ
基、ｎ−プロポキシ基、ｉｓｏ−プロポキシ基、ｎ−ブ
トキシ基、ｉｓｏ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、
ｔ−ブトキシ基、ｎ−ペントキシ基、ｉｓｏ−ペントキ
シ基、ｎｅｏ−ペントキシ基、２−メチルブトキシ基な
どの低級アルコキシ基が挙げられる。

【００４０】置換又は未置換のアリール基の例として
は、上記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有するア
リール基であり、好ましくは、フェニル基、ニトロフェ
ニル基、シアノフェニル基、ヒドロキシフェニル基、メ
チルフェニル基、トリフルオロメチルフェニル基、ナフ
チル基、ニトロナフチル基、シアノナフチル基、ヒドロ
キシナフチル基、メチルナフチル基、トリフルオロメチ
ルナフチル基などが挙げられる。

【００４１】置換又は未置換のアシル基の例としては、
上記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有するアシル
基であり、好ましくは、ホルミル基、メチルカルボニル
基、エチルカルボニル基、ｎ−プロピルカルボニル基、
ｉｓｏ−プロピルカルボニル基、ｎ−ブチルカルボニル
基、ｉｓｏ−ブチルカルボニル基、ｓｅｃ−ブチルカル
ボニル基、ｔ−ブチルカルボニル基、ｎ−ペンチルカル
ボニル基、ｉｓｏ−ペンチルカルボニル基、ｎｅｏ−ペ
ンチルカルボニル基、２−メチルブチルカルボニル基、
ニトロベンジルカルボニル基などが挙げられる。

【００４２】置換又は未置換のアラルキル基の例として
は、上記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有するア
ラルキル基であり、好ましくは、ベンジル基、ニトロベ
ンジル基、シアノベンジル基、ヒドロキシベンジル基、
メチルベンジル基、トリフルオロメチルベンジル基、ナ
フチルメチル基、ニトロナフチルメチル基、シアノナフ
チルメチル基、ヒドロキシナフチルメチル基、メチルナ
フチルメチル基、トリフルオロメチルナフチルメチル基
などのアラルキル基などが挙げられる。

【００４３】置換又は未置換のアルケニル基の例として
は、上記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有するア
ルケニル基であり、好ましくは、プロペニル基、１−ブ
テニル基、ｉｓｏ−ブテニル基、１−ペンテニル基、２
−ペンテニル基、２−メチル−１−ブテニル基、３−メ
チル−１−ブテニル基、２−メチル−２−ブテニル基、
２，２−ジシアノビニル基、２−シアノ−２−メチルカ
ルボキシルビニル基、２−シアノ−２−メチルスルホン
ビニル基などの低級アルケニル基が挙げられる。

【００４４】置換又は未置換のアルキルチオ基の例とし
ては、上記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有する
アルキルチオ基であり、好ましくは、メチルチオ基、エ
チルチオ基、ｎ−プロピルチオ基、ｉｓｏ−プロピルチ
オ基、ｎ−ブチルチオ基、ｉｓｏ−ブチルチオ基、ｓｅ
ｃ−ブチルチオ基、ｔ−ブチルチオ基、ｎ−ペンチルチ
オ基、ｉｓｏ−ペンチルチオ基、ｎｅｏ−ペンチルチオ
基、２−メチルブチルチオ基、メチルカルボキシルエチ
ルチオ基などの低級アルキルチオ基が挙げられる。

【００４５】置換又は未置換のアリールオキシ基の例と
しては、上記に挙げたアリール基と同様な置換基を有す
るアリールオキシ基であり、好ましくは、フェノキシ
基、２−メチルフェノキシ基、４−メチルフェノキシ
基、４−ｔ−ブチルフェノキシ基、２−メトキシフェノ
キシ基、４−ｉｓｏ−プロピルフェノキシ基などが挙げ
られる。

【００４６】置換又は未置換のアリールチオ基の例とし
ては、上記に挙げたアリール基と同様な置換基を有する
アリールチオ基であり、好ましくは、フェニルチオ基、
４−メチルフェニルチオ基、２−メトキシフェニルチオ
基、４−ｔ−ブチルフェニルチオ基などが挙げられる。

【００４７】Ｍの具体例としては、２個の水素原子、Ｍ
ｇ、Ｚｎ、Ｒｕ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｒｈ
などの２価の金属、ＶＯ、ＴｉＯ、ＦｅＣｌ、Ｓｉ
（Ｙ）₂、Ｓｎ（Ｙ）₂、Ｇｅ（Ｙ）₂（Ｙは、ハロゲン
原子、アルコキシ基、ヒドロキシ基、アルキル基、アリ
ール基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、アリール
チオ基又はトリアルキルシリルオキシ基）などの３〜４
価の金属誘導体が挙げられる。

【００４８】本発明の一般式（１）で示されるポルフィ
リン化合物は、公知の方法、例えば、Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｓ
ｏｃ．，Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．，ｐ．１１２９−１
１３０（１９９４）などの記載に準じて行うことができ
る。

【００４９】一般式（１）で示されるポルフィリン化合
物の具体例としては、式（ａ）〜式（ｊ）に示す化合物
が挙げられる。

【００５０】

【化３】

【００５１】

【化４】

【００５２】

【化５】

【００５３】

【化６】

【００５４】

【化７】

【００５５】

【化８】

【００５６】

【化９】

【００５７】

【化１０】

【００５８】

【化１１】

【００５９】

【化１２】

【００６０】また、記録特性などの改善のために、波長
３５０ｎｍ〜５５０ｎｍに吸収極大を持ち、４００ｎｍ
〜５００ｎｍでの屈折率が大きい前記以外の色素と混合
しても良い。具体的には、シアニン色素、スクアリリウ
ム系色素、ナフトキノン系色素、アントラキノン系色
素、テトラピラポルフィラジン系色素、インドフェノー
ル系色素、ピリリウム系色素、チオピリリウム系色素、
アズレニウム系色素、トリフェニルメタン系色素、キサ
ンテン系色素、インダスレン系色素、インジゴ系色素、
チオインジゴ系色素、メロシアニン系色素、チアジン系
色素、アクリジン系色素、オキサジン系色素、ジピロメ
テン系色素などがあり、複数の色素の混合であっても良
い。これらの色素の混合割合は、０．１〜３０％程度で
ある。

【００６１】記録層を製膜する際に、必要に応じて前記
の色素に、クエンチャー、色素分解促進剤、紫外線吸収
剤、接着剤などを混合するか、あるいは、そのような効
果を有する化合物を前記色素の置換基として導入するこ
とも可能である。

【００６２】クエンチャーの具体例としては、アセチル
アセトナート系、ビスジチオ−α−ジケトン系やビスフ
ェニルジチオール系などのビスジチオール系、チオカテ
コナール系、サリチルアルデヒドオキシム系、チオビス
フェノレート系などの金属錯体が好ましい。また、アミ
ンも好適である。

【００６３】熱分解促進剤としては、例えば、金属系ア
ンチノッキング剤、メタロセン化合物、アセチルアセナ
ート系金属錯体などの金属化合物が挙げられる。

【００６４】更に、必要に応じて、バインダー、レベリ
ング剤、消泡剤などを併用することもできる。好ましい
バインダーとしては、ポリビニルアルコール、ポリビニ
ルピロリドン、ニトロセルロース、酢酸セルロース、ケ
トン樹脂、アクリル樹脂、ポリスチレン樹脂、ウレタン
樹脂、ポリビニルブチラール、ポリカーボネート、ポリ
オレフィンなどが挙げられる。

【００６５】記録層を基板の上に製膜する際に、基板の
耐溶剤性や反射率、記録感度などを向上させるために、
基板の上に無機物やポリマーからなる層を設けても良
い。

【００６６】ここで、記録層における一般式（１）で示
されるポルフィリン化合物の含有量は、３０％以上、好
ましくは６０％以上である。尚、実質的に１００％であ
ることも好ましい。

【００６７】記録層を設ける方法は、例えば、スピンコ
ート法、スプレー法、キャスト法、浸漬法などの塗布
法、スパッタ法、化学蒸着法、真空蒸着法などが挙げら
れるが、スピンコート法が簡便で好ましい。

【００６８】スピンコート法などの塗布法を用いる場合
には、一般式（１）で示されるポルフィリン化合物を１
〜４０重量％、好ましくは３〜３０重量％となるように
溶媒に溶解あるいは分散させた塗布液を用いるが、この
際、溶媒は基板にダメージを与えないものを選ぶことが
好ましい。例えば、メタノール、エタノール、イソプロ
ピルアルコール、オクタフルオロペンタノール、アリル
アルコール、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、テ
トラフルオロプロパノールなどのアルコール系溶媒、ヘ
キサン、ヘプタン、オクタン、デカン、シクロヘキサ
ン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ジ
メチルシクロヘキサンなどの脂肪族又は脂環式炭化水素
系溶媒、トルエン、キシレン、ベンゼンなどの芳香族炭
化水素系溶媒、四塩化炭素、クロロホルム、テトラクロ
ロエタン、ジブロモエタンなどのハロゲン化炭化水素系
溶媒、ジエチルエーテル、ジブチルエーテル、ジイソプ
ロピルエーテル、ジオキサンなどのエーテル系溶媒、ア
セトン、３−ヒドロキシ−３−メチル−２−ブタノンな
どのケトン系溶媒、酢酸エチル、乳酸メチルなどのエス
テル系溶媒、水などが挙げられる。これらは単独で用い
ても良く、あるいは、複数混合しても良い。

【００６９】なお、必要に応じて、記録層の色素を高分
子薄膜などに分散して用いたりすることもできる。

【００７０】また、基板にダメージを与えない溶媒を選
択できない場合は、スパッタ法、化学蒸着法や真空蒸着
法などが有効である。

【００７１】色素層の膜厚は、特に限定するものではな
いが、好ましくは５０ｎｍ〜３００ｎｍである。色素層
の膜厚を５０ｎｍより薄くすると、熱拡散が大きいため
記録できないか、記録信号に歪が発生する上、信号振幅
が小さくなる。また、膜厚が３００ｎｍより厚い場合は
反射率が低下し、再生信号特性が悪化する。

【００７２】次に記録層の上に、好ましくは５０ｎｍ〜
３００ｎｍの厚さの反射層を形成する。反射層の材料と
しては、再生光の波長で反射率の十分高いもの、例え
ば、Ａｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｐ
ｔ、Ｔａ、Ｃｒ及びＰｄの金属を単独あるいは合金にし
て用いることが可能である。この中でもＡｕ、Ａｌ、Ａ
ｇは反射率が高く反射層の材料として適している。これ
以外でも下記のものを含んでいても良い。例えば、Ｍ
ｇ、Ｓｅ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｒｕ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆ
ｅ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓ
ｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｐｂ、Ｐｏ、Ｓｎ、Ｂｉなどの金属及
び半金族を挙げることができる。また、Ａｕを主成分と
するものは反射率の高い反射層が容易に得られるため好
適である。ここで主成分というのは含有率が５０％以上
のものをいう。金属以外の材料で低屈折率薄膜と高屈折
率薄膜を交互に積み重ねて多層膜を形成し、反射層とし
て用いることも可能である。

【００７３】反射層を形成する方法としては、例えば、
スパッタ法、イオンプレーティング法、化学蒸着法、真
空蒸着法などが挙げられる。また、基板の上や反射層の
下に反射率の向上、記録特性の改善、密着性の向上など
のために公知の無機系又は有機系の中間層、接着層を設
けることもできる。

【００７４】更に、反射層の上の保護層の材料としては
反射層を外力から保護するものであれば特に限定しな
い。有機物質としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、
電子線硬化性樹脂、紫外線硬化性樹脂などを挙げること
ができる。また、無機物質としては、ＳｉＯ₂、Ｓｉ₃Ｎ
₄、ＭｇＦ₂、ＳｎＯ₂などが挙げられる。熱可塑性樹
脂、熱硬化性樹脂などは適当な溶媒に溶解して塗布液を
塗布し、乾燥することによって形成することができる。
紫外線硬化性樹脂はそのままもしくは適当な溶媒に溶解
して塗布液を調製した後にこの塗布液を塗布し、紫外線
を照射して硬化させることによって形成することができ
る。紫外線硬化性樹脂としては、例えば、ウレタンアク
リレート、エポキシアクリレート、ポリエステルアクリ
レートなどのアクリレート樹脂を用いることができる。
これらの材料は単独であるいは混合して用いても良く、
１層だけでなく多層膜にして用いても良い。

【００７５】保護層の形成の方法としては、記録層と同
様にスピンコート法やキャスト法などの塗布法やスパッ
タ法や化学蒸着法などの方法が用いられるが、この中で
もスピンコート法が好ましい。

【００７６】保護層の膜厚は、一般には０．１μｍ〜１
００μｍの範囲であるが、本発明においては、３μｍ〜
３０μｍであり、より好ましくは、５μｍ〜２０μｍで
ある。

【００７７】保護層の上に更にレーベルなどの印刷を行
うこともできる。また、反射層面に保護シート又は基板
を張り合わせる、あるいは反射層面相互を内側とし対向
させ、光記録媒体２枚を張り合わせるなどの手段を用い
ても良い。

【００７８】基板鏡面側に、表面保護やごみ等の付着防
止のために紫外線硬化性樹脂、無機系薄膜等を製膜して
も良い。

【００７９】ここで、本発明で言う波長４００ｎｍ〜５
００ｎｍのレーザーは、特に制限はないが、例えば、可
視光領域の広範囲で波長選択のできる色素レーザーや波
長４４５ｎｍのヘリウムカドミウムレーザー、波長４８
８ｎｍのアルゴンレーザー、最近開発されている波長４
１０ｎｍ付近の高出力半導体レーザーなどが挙げられ
る。本発明では、これらから選択される１波長又は複数
波長において高密度記録及び再生が可能となる。

【００８０】

【実施例】以下に本発明の実施例を示すが、本発明はこ
れによりなんら限定されるものではない。

【００８１】実施例１一般式（１）で表されるポルフィリン化合物のうち、化
合物（ａ）０．２ｇをクロロホルム１０ｍｌに溶解し、
色素溶液を調製した。ガラス基板上にこの色素溶液を回
転数１５００ｒｐｍでスピンコートし、７０℃で３時間
乾燥して記録層を形成した。

【００８２】この記録層の上にバルザース社製スパッタ
装置（ＣＤＩ−９００）を用いてＡｕをスパッタし、厚
さ１００ｎｍの反射層を形成した。スパッタガスには、
アルゴンガスを用いた。スパッタ条件は、スパッタパワ
ー２．５ｋＷ、スパッタガス圧１．０×１０^-2Ｔｏｒｒ
で行った。

【００８３】更に、反射層の上に、紫外線硬化樹脂ＳＤ
−１７（大日本インキ化学工業製）をスピンコートした
後、紫外線を照射して厚さ６μｍの保護層を形成し、光
記録媒体を作製した。

【００８４】実施例２〜１０記録層にポルフィリン化合物（ｂ）〜（ｊ）を用いるこ
と以外は実施例１と同様にして光記録媒体を作製した。

【００８５】以上のようにして記録層が形成された光記
録媒体について、ピットの書き込みを行った。

【００８６】ピットの書き込みは、図２に示すように、
レーザー５と凸レンズ６、７、音響光学変調器（ＡＯ
Ｍ）８、絞り９、凸レンズ１０からなる書き込み装置を
用い、光記録媒体１１へのレーザー光照射は基板側から
行った。レーザーは４３０ｎｍの波長を有する青色レー
ザー（ＨＭＧＰｈｏｔｏｎｉｃｓＩｎｃ．製、商品
名「ＩＣＤ−４３０」）であり、ＡＯＭ８はＣｒｙｓｔ
ａｌＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ社製、商品名「ｍｏｄｅｌ
３２００−１２０」を使用した。

【００８７】この書き込み装置では、レーザー５から出
射したレーザー光が凸レンズ６、７によって７０μｍφ
に絞られ、ＡＯＭ８によって５０ｎａｅｃに変調され
る。更に絞り９、凸レンズ１０を透過して光記録媒体１
１に照射される。本実施例では、レーザーパワーを１０
ｍＷ、媒体上でのスポット系を０．６μｍφに調節し
た。

【００８８】そして、このようにしてピットが書き込ま
れた光記録媒体の信号変調度を、顕微分光光度計（日立
計測器社製、商品名ｍｏｄｅｌＵ−６５００）の反射
スペクトルモードを用い、波長４３０ｎｍで測定した。
測定スポットは１μｍφである。ピット書き込み前の反
射率、ピット書き込み後の反射率、及び変調度を表１に
示す。

【００８９】

【表１】

【００９０】表１に示すように、実施例で作製された光
記録媒体は、いずれもピットの書き込みによって反射率
が変化し、０．６以上の高い信号変調度が得られる。

【００９１】このことから、本発明で規定する構造のポ
ルフィリンを含有する記録層は青色レーザーによる信号
記録が可能であることが分かり、青色レーザーを記録再
生に用いる光記録媒体として適していることが分かっ
た。

【００９２】

【発明の効果】本発明によれば、ポルフィリン化合物を
記録層として用いることにより、高密度光記録媒体とし
て非常に注目されている波長４００ｎｍ〜５００ｎｍの
レーザーで記録及び再生が可能な追記型光記録媒体を提
供することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による光記録媒体の層構成を示す断面構
造図

【図２】光記録媒体にピットを書き込むための書き込み
装置の構成を示す模式図

【符号の説明】

１：基板２：記録層３：反射層４：保護層５：レーザー６：凸レンズ７：凸レンズ８：音響光学変調器９：絞り１０：凸レンズ１１：光記録媒体

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者杉本賢一神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地三井東圧化学株式会社内 (72)発明者西本泰三神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地三井東圧化学株式会社内 (72)発明者津田武神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地三井東圧化学株式会社内 (72)発明者梅原英樹神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地三井東圧化学株式会社内 (72)発明者詫摩啓輔神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地三井東圧化学株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に少なくとも記録層及び反射層を
有する光記録媒体において、記録層中に一般式（１）で
示されるポルフィリン化合物を含有する光記録媒体。【化１】〔式中、Ｒ₁〜Ｒ₆は各々独立に水素原子、ハロゲン原
子、炭素数１〜２０の置換又は未置換のアルキル基、ア
ルコキシ基、アルキルチオ基、アリールオキシ基、アリ
ールチオ基、アルケニル基、アラルキル基、アシル基、
又はアリール基を表し、Ｍは２個の水素原子、２価の金
属又は３価又は４価の金属誘導体を表す。〕
【請求項２】波長４００ｎｍ〜５００ｎｍの範囲から
選択されるレーザー光に対して記録及び再生が可能であ
る請求項１に記載の光記録媒体。