JPH1167579A - セラミックコンデンサ - Google Patents
セラミックコンデンサInfo
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- JPH1167579A JPH1167579A JP9254037A JP25403797A JPH1167579A JP H1167579 A JPH1167579 A JP H1167579A JP 9254037 A JP9254037 A JP 9254037A JP 25403797 A JP25403797 A JP 25403797A JP H1167579 A JPH1167579 A JP H1167579A
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- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 62
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 62
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 29
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 28
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 28
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 28
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims abstract description 12
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000007751 thermal spraying Methods 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 abstract 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 3
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 3
- -1 polypropylene Polymers 0.000 description 3
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 金属電極の表面にセラミック粒子を溶射して
誘電体層を形成し、その表面にコーテイングによつて金
属電極を形成するセラミックコンデンサにおいて、対向
し合う金属電極同志の短絡を確実に回避することを目的
とする。 【解決手段】 一方の対向電極となる金属電極１の表面
に、絶縁性の樹脂層５を形成し、その表面にセラミック
粒子２の溶射により誘電体層３を形成する。この誘電体
層の表面に、他方の対向電極となる金属電極４をコーテ
イングして形成する。コーテイングされた金属電極４が
誘電体層の内部の欠落部を侵入していっても、樹脂層の
ために金属電極１の表面に直接触れることはない。
誘電体層を形成し、その表面にコーテイングによつて金
属電極を形成するセラミックコンデンサにおいて、対向
し合う金属電極同志の短絡を確実に回避することを目的
とする。 【解決手段】 一方の対向電極となる金属電極１の表面
に、絶縁性の樹脂層５を形成し、その表面にセラミック
粒子２の溶射により誘電体層３を形成する。この誘電体
層の表面に、他方の対向電極となる金属電極４をコーテ
イングして形成する。コーテイングされた金属電極４が
誘電体層の内部の欠落部を侵入していっても、樹脂層の
ために金属電極１の表面に直接触れることはない。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はセラミックコンデン
サに関する。
サに関する。
【０００２】
【従来の技術】一方の対向電極となる金属板の表面に、
誘電体であるセラミック粒子を溶射して誘電体層を形成
し、この誘電体層の表面に他方の対向電極となる金属を
コーテングしてなるセラミックコンデンサは、すでによ
く知られている。
誘電体であるセラミック粒子を溶射して誘電体層を形成
し、この誘電体層の表面に他方の対向電極となる金属を
コーテングしてなるセラミックコンデンサは、すでによ
く知られている。
【０００３】図４はその従来例の局部的な拡大断面図を
示し、１は母体を兼ね、コンデンサとしての一方の対向
電極として利用される金属電極である。この金属電極１
の表面に誘電体として供せられるセラミック粒子２が溶
射されることにより、誘電体層３が形成される。４はコ
ンデンサとしての他方の対向電極として利用される金属
電極で、これは誘電体層３の表面にコーテイングされて
形成される。
示し、１は母体を兼ね、コンデンサとしての一方の対向
電極として利用される金属電極である。この金属電極１
の表面に誘電体として供せられるセラミック粒子２が溶
射されることにより、誘電体層３が形成される。４はコ
ンデンサとしての他方の対向電極として利用される金属
電極で、これは誘電体層３の表面にコーテイングされて
形成される。
【０００４】ところでこのような構成のセラミックコン
デンサにおいて、セラミック粒子２の溶射の際のバラツ
キにより、金属電極１の表面において誘電体層３に局部
的な欠落部Ｐが発生することがある。このような欠落部
Ｐが発生すると、その部分では金属電極１の表面が局部
的に露出してしまう。
デンサにおいて、セラミック粒子２の溶射の際のバラツ
キにより、金属電極１の表面において誘電体層３に局部
的な欠落部Ｐが発生することがある。このような欠落部
Ｐが発生すると、その部分では金属電極１の表面が局部
的に露出してしまう。
【０００５】しかしこの欠落部Ｐをそのままにして金属
電極４を誘電体層３の表面にコーテイングしたとする
と、その金属電極４の一部が欠落部Ｐに侵入し、金属電
極１の表面に接するようになる。そのため対向電極であ
る両金属電極１、４が短絡してしまうことになる。
電極４を誘電体層３の表面にコーテイングしたとする
と、その金属電極４の一部が欠落部Ｐに侵入し、金属電
極１の表面に接するようになる。そのため対向電極であ
る両金属電極１、４が短絡してしまうことになる。
【０００６】またセラミック粒子２に比較してコーテイ
ングされる金属電極４の粒子が小さいときは、その金属
電極４の粒子が誘電体層３のセラミック粒子２間の間隙
を通って浸透していくことがある。このような浸透によ
って金属電極４の粒子が金属電極１の表面に到達するよ
うなことが起きれば、前記と同じように両金属電極１、
４が短絡してしまうことになる。
ングされる金属電極４の粒子が小さいときは、その金属
電極４の粒子が誘電体層３のセラミック粒子２間の間隙
を通って浸透していくことがある。このような浸透によ
って金属電極４の粒子が金属電極１の表面に到達するよ
うなことが起きれば、前記と同じように両金属電極１、
４が短絡してしまうことになる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、一方の金属
電極の表面にセラミック粒子の溶射により誘電体層を形
成し、その表面にコーテイングによつて他方の金属電極
を形成するセラミックコンデンサにおいて、コーテイン
グされる他方の金属電極と前記一方の金属電極との短絡
を確実に回避することを目的とする。
電極の表面にセラミック粒子の溶射により誘電体層を形
成し、その表面にコーテイングによつて他方の金属電極
を形成するセラミックコンデンサにおいて、コーテイン
グされる他方の金属電極と前記一方の金属電極との短絡
を確実に回避することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、一方の対向電
極となる金属電極と、この金属電極の表面にセラミック
粒子の溶射により形成された誘電体層と、この誘電体層
の表面に、他方の対向電極としてコーテイングによって
形成された金属電極とからなるセラミックコンデンサに
おいて、一方の対向電極の表面に、セラミック粒子の溶
射によって溶融される絶縁性の樹脂層を形成してなるこ
とを特徴とする。
極となる金属電極と、この金属電極の表面にセラミック
粒子の溶射により形成された誘電体層と、この誘電体層
の表面に、他方の対向電極としてコーテイングによって
形成された金属電極とからなるセラミックコンデンサに
おいて、一方の対向電極の表面に、セラミック粒子の溶
射によって溶融される絶縁性の樹脂層を形成してなるこ
とを特徴とする。
【０００９】一方の金属電極の表面を予め絶縁性の樹脂
層により被覆しておいてからセラミック粒子を溶射して
誘電体層を形成するようにしているので、この誘電体層
の表面に他方の金属電極をコーテイングした場合、誘電
体層に欠落部があってこの欠落部に他方の金属電極の一
部が侵入してきたとしても、樹脂層により遮られるた
め、一方の金属電極に接することがない。コーテイング
された金属電極が誘電体層の内部を浸透してきた場合で
も同様である。このようにして対向する互いの金属電極
同志の短絡が回避されることになる。
層により被覆しておいてからセラミック粒子を溶射して
誘電体層を形成するようにしているので、この誘電体層
の表面に他方の金属電極をコーテイングした場合、誘電
体層に欠落部があってこの欠落部に他方の金属電極の一
部が侵入してきたとしても、樹脂層により遮られるた
め、一方の金属電極に接することがない。コーテイング
された金属電極が誘電体層の内部を浸透してきた場合で
も同様である。このようにして対向する互いの金属電極
同志の短絡が回避されることになる。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図１〜図３
によって説明する。なお図４に付した符号と同じ符号を
付した部分は、同一または対応する部分を示す。本発明
にしたがい、金属電極１の表面に予め絶縁性の樹脂をコ
ーテイングして樹脂層５を形成しておく。ここに使用す
る樹脂としては、溶射されるセラミック粒子２がもつ熱
によって溶融され、かつ金属電極４がコーティングされ
るときの金属電極４がもつ熱によっては溶融されない特
性を持っていることが必要である。
によって説明する。なお図４に付した符号と同じ符号を
付した部分は、同一または対応する部分を示す。本発明
にしたがい、金属電極１の表面に予め絶縁性の樹脂をコ
ーテイングして樹脂層５を形成しておく。ここに使用す
る樹脂としては、溶射されるセラミック粒子２がもつ熱
によって溶融され、かつ金属電極４がコーティングされ
るときの金属電極４がもつ熱によっては溶融されない特
性を持っていることが必要である。
【００１１】前記のように樹脂層５によってコーテング
された金属電極１の表面にセラミック粒子２を溶射し
て、誘電体層３を形成する。このとき樹脂層５の表面に
到達してそれにセラミック粒子が接触すると、その接触
した個所の樹脂層は溶射時のセラミック粒子がもつ熱に
より溶融される。
された金属電極１の表面にセラミック粒子２を溶射し
て、誘電体層３を形成する。このとき樹脂層５の表面に
到達してそれにセラミック粒子が接触すると、その接触
した個所の樹脂層は溶射時のセラミック粒子がもつ熱に
より溶融される。
【００１２】樹脂層を溶融したセラミック粒子２は金属
電極１の表面に到達し、そこに密着する。密着したセラ
ミック粒子にはそのあとに到達したセラミック粒子、あ
るいは隣合うセラミック粒子と互いに接触し合い、この
ようにして金属電極１の表面に接する誘電体層３が形成
されるようになる。
電極１の表面に到達し、そこに密着する。密着したセラ
ミック粒子にはそのあとに到達したセラミック粒子、あ
るいは隣合うセラミック粒子と互いに接触し合い、この
ようにして金属電極１の表面に接する誘電体層３が形成
されるようになる。
【００１３】このように形成された誘電体層３の表面に
金属電極４をコーテイングする。このときセラミック粒
子２を溶射する過程で、そのバラツキにより図４に示す
ような欠落部Ｐが誘電体層３に発生していたとすると、
金属電極４の一部がその欠落部に侵入する。しかしここ
に侵入した金属電極４は樹脂層５の表面に到達する。
金属電極４をコーテイングする。このときセラミック粒
子２を溶射する過程で、そのバラツキにより図４に示す
ような欠落部Ｐが誘電体層３に発生していたとすると、
金属電極４の一部がその欠落部に侵入する。しかしここ
に侵入した金属電極４は樹脂層５の表面に到達する。
【００１４】到達した個所にはセラミック粒子２が存在
していないことにより、その個所には樹脂層５が溶融さ
れることなくなお残存している。したがってこの残存し
ている樹脂層５によって金属電極１、４の接触による短
絡が回避されるようになる。誘電体層３の内部を浸透す
る金属電極４がある場合も同様で、その金属電極４は樹
脂層５の表面に到達する。したがって浸透する金属電極
４が金属電極１に接触することはなく、そのため短絡す
ることはない。
していないことにより、その個所には樹脂層５が溶融さ
れることなくなお残存している。したがってこの残存し
ている樹脂層５によって金属電極１、４の接触による短
絡が回避されるようになる。誘電体層３の内部を浸透す
る金属電極４がある場合も同様で、その金属電極４は樹
脂層５の表面に到達する。したがって浸透する金属電極
４が金属電極１に接触することはなく、そのため短絡す
ることはない。
【００１５】図１に示す実施の形態は、各金属電極１、
４を平板状とした例であるが、これにかえて図３に示す
ように円筒状としたセラミックコンデンサにも本発明は
適用可能である。これは母体となる金属電極１を筒また
は棒状に形成し、その周側面に順次樹脂層５、誘電体層
３、金属電極４を形成して構成すればよい。
４を平板状とした例であるが、これにかえて図３に示す
ように円筒状としたセラミックコンデンサにも本発明は
適用可能である。これは母体となる金属電極１を筒また
は棒状に形成し、その周側面に順次樹脂層５、誘電体層
３、金属電極４を形成して構成すればよい。
【００１６】次ぎに本発明の具体的な実施例について説
明する。前記のようにここに使用する樹脂層５のための
樹脂は、セラミック粒子２の溶射により溶融し、コーテ
イングされる金属電極４によっては溶融しないことが要
求される。セラミックコンデンサに通常使用されるセラ
ミック材料は、チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリ
ウムなどが使用される。
明する。前記のようにここに使用する樹脂層５のための
樹脂は、セラミック粒子２の溶射により溶融し、コーテ
イングされる金属電極４によっては溶融しないことが要
求される。セラミックコンデンサに通常使用されるセラ
ミック材料は、チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリ
ウムなどが使用される。
【００１７】また金属電極４としてはアルミニウム、
金、銀などが使用される。またここに使用される樹脂層
５は、前記のようにセラミック樹脂の溶射によって溶融
されることが必要であり、その条件満足するものとして
は、たとえばポリプロピレン、ポリプロエチレンテレフ
タレートなどが好適できる。
金、銀などが使用される。またここに使用される樹脂層
５は、前記のようにセラミック樹脂の溶射によって溶融
されることが必要であり、その条件満足するものとして
は、たとえばポリプロピレン、ポリプロエチレンテレフ
タレートなどが好適できる。
【００１８】本発明者によって製作されたセラミックコ
ンデンサは次の通りである。金属電極１としてアルミニ
ウム板を使用した。樹脂層５のために使用した樹脂はポ
リプロピレンで、これをもって樹脂層を形成した。また
使用したセラミック粒子２はチタン酸ストロンチウム
で、これにより誘電体層を形成した。
ンデンサは次の通りである。金属電極１としてアルミニ
ウム板を使用した。樹脂層５のために使用した樹脂はポ
リプロピレンで、これをもって樹脂層を形成した。また
使用したセラミック粒子２はチタン酸ストロンチウム
で、これにより誘電体層を形成した。
【００１９】金属電極４としてアルミニウムを使用し、
これをセラミック粒子による誘電体層の表面にコーテイ
ングして形成した。このようにして製作したセラミック
コンデンサには、金属電極１、４同志の短絡は皆無であ
った。ちなみに樹脂層５を形成しない従来のセラミック
コンデンサによれば、複数個所において金属電極１、４
同志が接触し、短絡していた。
これをセラミック粒子による誘電体層の表面にコーテイ
ングして形成した。このようにして製作したセラミック
コンデンサには、金属電極１、４同志の短絡は皆無であ
った。ちなみに樹脂層５を形成しない従来のセラミック
コンデンサによれば、複数個所において金属電極１、４
同志が接触し、短絡していた。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、セ
ラミック粒子を溶射して誘電体層とするセラミックコン
デンサにおいて、母体となる金属電極とこれに対向する
金属電極との接触による短絡は、母体となる金属電極の
表面に樹脂層を形成するだけの簡単な構成によって回避
することができる効果を奏する。
ラミック粒子を溶射して誘電体層とするセラミックコン
デンサにおいて、母体となる金属電極とこれに対向する
金属電極との接触による短絡は、母体となる金属電極の
表面に樹脂層を形成するだけの簡単な構成によって回避
することができる効果を奏する。
【図１】本発明の実施の形態を示す断面図である。
【図２】図１の局部的な拡大断面図である。
【図３】本発明の他の実施の形態を示す部分斜面図であ
る。
る。
【図４】従来例の局部的な拡大断面図である。
１ 対向する一方の金属電極 ２ セラミック粒子 ３ 誘電体層 ４ 対向する他方の金属電極 ５ 樹脂層
Claims (1)
- 【請求項１】 一方の対向電極となる金属電極と、前記
金属電極の表面にセラミック粒子の溶射により形成され
た誘電体層と、前記誘電体層の表面に、他方の対向電極
としてコーテイングによって形成された金属電極とから
なるセラミックコンデンサにおいて、前記一方の対向電
極の表面に、前記セラミック粒子の溶射によって溶融さ
れる絶縁性の樹脂層を形成してなるセラミックコンデン
サ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25403797A JP3823476B2 (ja) | 1997-08-13 | 1997-08-13 | セラミックコンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25403797A JP3823476B2 (ja) | 1997-08-13 | 1997-08-13 | セラミックコンデンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1167579A true JPH1167579A (ja) | 1999-03-09 |
| JP3823476B2 JP3823476B2 (ja) | 2006-09-20 |
Family
ID=17259369
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25403797A Expired - Fee Related JP3823476B2 (ja) | 1997-08-13 | 1997-08-13 | セラミックコンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3823476B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1191555A3 (en) * | 2000-08-24 | 2004-12-29 | Oak-Mitsui, Inc. | Formation of an embedded capacitor plane using a thin polyimide dielectric |
| WO2015104112A1 (de) * | 2014-01-10 | 2015-07-16 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zum herstellen eines kondensators, kondensator und verwendung davon |
-
1997
- 1997-08-13 JP JP25403797A patent/JP3823476B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1191555A3 (en) * | 2000-08-24 | 2004-12-29 | Oak-Mitsui, Inc. | Formation of an embedded capacitor plane using a thin polyimide dielectric |
| WO2015104112A1 (de) * | 2014-01-10 | 2015-07-16 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zum herstellen eines kondensators, kondensator und verwendung davon |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3823476B2 (ja) | 2006-09-20 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040421 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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