JPH1167908A - 半導体装置およびその製法 - Google Patents
半導体装置およびその製法Info
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- JPH1167908A JPH1167908A JP22938997A JP22938997A JPH1167908A JP H1167908 A JPH1167908 A JP H1167908A JP 22938997 A JP22938997 A JP 22938997A JP 22938997 A JP22938997 A JP 22938997A JP H1167908 A JPH1167908 A JP H1167908A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ステップカバレジの改良が図られたコンタク
トホールの形状を有する半導体装置およびその製法を提
供する。 【解決手段】 絶縁膜２の上下に配設される導体６、７
または半導体が絶縁膜２に設けられるコンタクトホール
４を介して接続される半導体装置であって、コンタクト
ホール４が２段形状に形成され、該２段形状のコンタク
トホール４のそれぞれの側面４１、４２は共にテーパ形
状に形成されると共に、前記２段の下段のテーパの角度
θ２は上段のテーパの角度θ１より小さい角度のテーパ
形状に形成されている。
トホールの形状を有する半導体装置およびその製法を提
供する。 【解決手段】 絶縁膜２の上下に配設される導体６、７
または半導体が絶縁膜２に設けられるコンタクトホール
４を介して接続される半導体装置であって、コンタクト
ホール４が２段形状に形成され、該２段形状のコンタク
トホール４のそれぞれの側面４１、４２は共にテーパ形
状に形成されると共に、前記２段の下段のテーパの角度
θ２は上段のテーパの角度θ１より小さい角度のテーパ
形状に形成されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は絶縁膜に設けられる
コンタクトホールを介して絶縁膜の上下に配設される導
体または半導体を接続する半導体装置およびその製法に
関する。さらに詳しくは、絶縁膜に設けられるコンタク
トホールの形状を改良してコンタクトホール内に設けら
れるメタル配線のステップカバレジを改良した半導体装
置およびその製法に関する。
コンタクトホールを介して絶縁膜の上下に配設される導
体または半導体を接続する半導体装置およびその製法に
関する。さらに詳しくは、絶縁膜に設けられるコンタク
トホールの形状を改良してコンタクトホール内に設けら
れるメタル配線のステップカバレジを改良した半導体装
置およびその製法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のＩＣなどの半導体装置では、半導
体基板に形成された複雑な回路を配線で接続するため、
層間絶縁膜を介して何層にも配線が形成される場合があ
る。この場合、集積化されるにつれてパターン間の余裕
がなく、絶縁膜に設けられるコンタクトホールの大きさ
は一定の大きさで正確に形成される必要がある。そのた
め、異方性エッチングによりマスクのパターンと垂直に
形成されるようにコンタクトホールは形成される。しか
し、１μｍ程度の厚さがある絶縁膜を完全に垂直のコン
タクトホールにすると、その垂直部にはメタル配線が堆
積されにくく、ステップカバレジが悪くなり、単位面積
当りの電流密度が高くなることにより、エレクトロマイ
グレーション耐性が悪化する。そのため、ステップカバ
レジを改良するために、等方性ウェットエッチング、等
方性ドライエッチング、および異方性ドライエッチング
を組み合わせた種々のエッチング方法が開示されてお
り、たとえば特開平８−１９１１０３号公報には、絶縁
膜の下方の半分程度にはマスクパターンと同じ寸法にな
るように異方性ドライエッチングにより開口し、上部側
には等方性のウェットエッチングやドライエッチングを
行うエッチング方法が開示されている。
体基板に形成された複雑な回路を配線で接続するため、
層間絶縁膜を介して何層にも配線が形成される場合があ
る。この場合、集積化されるにつれてパターン間の余裕
がなく、絶縁膜に設けられるコンタクトホールの大きさ
は一定の大きさで正確に形成される必要がある。そのた
め、異方性エッチングによりマスクのパターンと垂直に
形成されるようにコンタクトホールは形成される。しか
し、１μｍ程度の厚さがある絶縁膜を完全に垂直のコン
タクトホールにすると、その垂直部にはメタル配線が堆
積されにくく、ステップカバレジが悪くなり、単位面積
当りの電流密度が高くなることにより、エレクトロマイ
グレーション耐性が悪化する。そのため、ステップカバ
レジを改良するために、等方性ウェットエッチング、等
方性ドライエッチング、および異方性ドライエッチング
を組み合わせた種々のエッチング方法が開示されてお
り、たとえば特開平８−１９１１０３号公報には、絶縁
膜の下方の半分程度にはマスクパターンと同じ寸法にな
るように異方性ドライエッチングにより開口し、上部側
には等方性のウェットエッチングやドライエッチングを
行うエッチング方法が開示されている。
【０００３】すなわちこの方法は、たとえば図３にコン
タクトホール部分の断面説明図が示されているように、
半導体基板１の表面に設けられた絶縁膜２上にレジスト
マスク３が設けられ、必要なコンタクトホール４を形成
するための開口部３０を形成する。そして、等方性のウ
ェットエッチングにより絶縁膜の１／４程度の厚さエッ
チングし、つぎに等方性のドライエッチングによりさら
に１／４程度の厚さエッチングし、残りの１／２程度を
異方性ドライエッチングにより行うものである。その結
果、図３に示されるように、絶縁膜２の半導体基板１側
の１／２程度の厚さは垂直なコンタクトホール４で、上
部の半分程度はテーパ状に形成される。
タクトホール部分の断面説明図が示されているように、
半導体基板１の表面に設けられた絶縁膜２上にレジスト
マスク３が設けられ、必要なコンタクトホール４を形成
するための開口部３０を形成する。そして、等方性のウ
ェットエッチングにより絶縁膜の１／４程度の厚さエッ
チングし、つぎに等方性のドライエッチングによりさら
に１／４程度の厚さエッチングし、残りの１／２程度を
異方性ドライエッチングにより行うものである。その結
果、図３に示されるように、絶縁膜２の半導体基板１側
の１／２程度の厚さは垂直なコンタクトホール４で、上
部の半分程度はテーパ状に形成される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】前述のように、絶縁膜
の上方半分程度を等方性エッチングによりテーパ形状に
にして、残りを異方性エッチングにより垂直に形成する
と、絶縁膜の半分程度とはいえ、垂直部分のメタル層の
カバレジが悪くその角部で断線などが生じやすい。一
方、等方性エッチングの深さを絶縁膜の裏面に近いとこ
ろまで行うと、等方性エッチングは横方向へのエッチン
グが行われやすいため、正確な大きさ（寸法）のコンタ
クトホールを形成しにくいという問題がある。
の上方半分程度を等方性エッチングによりテーパ形状に
にして、残りを異方性エッチングにより垂直に形成する
と、絶縁膜の半分程度とはいえ、垂直部分のメタル層の
カバレジが悪くその角部で断線などが生じやすい。一
方、等方性エッチングの深さを絶縁膜の裏面に近いとこ
ろまで行うと、等方性エッチングは横方向へのエッチン
グが行われやすいため、正確な大きさ（寸法）のコンタ
クトホールを形成しにくいという問題がある。
【０００５】本発明はこのような問題を解決するために
なされたもので、さらにステップカバレジの改良が図ら
れたコンタクトホールの形状を有する半導体装置および
その製法を提供することを目的とする。
なされたもので、さらにステップカバレジの改良が図ら
れたコンタクトホールの形状を有する半導体装置および
その製法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明による半導体装置
は、絶縁膜の上下に配設される導体または半導体が絶縁
膜に設けられるコンタクトホールを介して接続されるも
ので、前記コンタクトホールが２段形状に形成され、該
２段形状のコンタクトホールのそれぞれの側面は共にテ
ーパ形状に形成されると共に、前記２段の内下段のテー
パの角度は上段のテーパの角度より小さい角度のテーパ
形状に形成されている。
は、絶縁膜の上下に配設される導体または半導体が絶縁
膜に設けられるコンタクトホールを介して接続されるも
ので、前記コンタクトホールが２段形状に形成され、該
２段形状のコンタクトホールのそれぞれの側面は共にテ
ーパ形状に形成されると共に、前記２段の内下段のテー
パの角度は上段のテーパの角度より小さい角度のテーパ
形状に形成されている。
【０００７】ここにテーパ形状とは、コンタクトホール
の側面が鉛直方向に対して傾いていることを意味し、側
面が椀状で断面が直線になっていない場合でも上下両端
部を結ぶ線が傾いている場合を含み、その場合のテーパ
の角度はその上下両端部を結ぶ線または平均的な傾きの
角度を意味する。
の側面が鉛直方向に対して傾いていることを意味し、側
面が椀状で断面が直線になっていない場合でも上下両端
部を結ぶ線が傾いている場合を含み、その場合のテーパ
の角度はその上下両端部を結ぶ線または平均的な傾きの
角度を意味する。
【０００８】コンタクトホールをこのように２段形状に
することにより、ステップカバレジが問題となるコンタ
クトホールの垂直部を、その上部に堆積されるメタル配
線の厚さよりはるかに薄くすることができる。そのた
め、充分に信頼性の高いステップカバレジが得られると
共に、コンタクトホールの大きさを正確に制御すること
ができる。
することにより、ステップカバレジが問題となるコンタ
クトホールの垂直部を、その上部に堆積されるメタル配
線の厚さよりはるかに薄くすることができる。そのた
め、充分に信頼性の高いステップカバレジが得られると
共に、コンタクトホールの大きさを正確に制御すること
ができる。
【０００９】このような形状のコンタクトホールを得る
ための半導体装置の製法は、（ａ）前記絶縁膜上にレジ
スト膜を設けて開口部を設け、（ｂ）前記レジスト膜を
マスクとして等方性ウェットエッチングにより前記絶縁
膜をエッチングし、（ｃ）異方性に若干等方性要素が加
わったドライエッチングにより前記絶縁膜の残部をエッ
チングすることを特徴とする。
ための半導体装置の製法は、（ａ）前記絶縁膜上にレジ
スト膜を設けて開口部を設け、（ｂ）前記レジスト膜を
マスクとして等方性ウェットエッチングにより前記絶縁
膜をエッチングし、（ｃ）異方性に若干等方性要素が加
わったドライエッチングにより前記絶縁膜の残部をエッ
チングすることを特徴とする。
【００１０】
【発明の実施の形態】つぎに、図面を参照しながら本発
明の半導体装置およびその製法について説明をする。
明の半導体装置およびその製法について説明をする。
【００１１】本発明の半導体装置は、その一実施形態の
断面説明図が図１に示されるように、たとえば半導体基
板１上の第１の絶縁膜５上に、第１のメタル配線６と第
２のメタル配線７とが絶縁膜２を介して設けられ、絶縁
膜２に設けられるコンタクトホール４を介して第１のメ
タル配線６と第２のメタル配線７とが電気的に接続され
ている。本発明では、コンタクトホール４が図１に示さ
れるように、２段形状に形成されると共に、その側面は
テーパ形状（椀状の曲面）になるように設けられてい
る。そして第１のメタル配線６側の下段の側面４２と鉛
直方向との傾斜角θ２（曲面の平均的な傾斜面と鉛直方
向とのなす角度）が、上段の側面４１の鉛直方向との傾
斜角θ１より小さくなるように形成されていることに特
徴がある。
断面説明図が図１に示されるように、たとえば半導体基
板１上の第１の絶縁膜５上に、第１のメタル配線６と第
２のメタル配線７とが絶縁膜２を介して設けられ、絶縁
膜２に設けられるコンタクトホール４を介して第１のメ
タル配線６と第２のメタル配線７とが電気的に接続され
ている。本発明では、コンタクトホール４が図１に示さ
れるように、２段形状に形成されると共に、その側面は
テーパ形状（椀状の曲面）になるように設けられてい
る。そして第１のメタル配線６側の下段の側面４２と鉛
直方向との傾斜角θ２（曲面の平均的な傾斜面と鉛直方
向とのなす角度）が、上段の側面４１の鉛直方向との傾
斜角θ１より小さくなるように形成されていることに特
徴がある。
【００１２】絶縁膜２は、厚さが０.５〜１μｍ程度の
厚さで、通常のＳｉＯ2 、Ｓｉ3 Ｎ4 などや、ＢやＰが
ドープされたシリコン酸化膜であるＢＰＳＧ、ＰＳＧ、
ＢＳＧなどの低融点軟質ガラスなどが用いられる。ま
た、第１および第２のメタル配線６、７は、それぞれＡ
ｌ、Ａｌ-Ｓｉなどにより０.５〜１.３μｍ程度の厚さ
に設けられる。
厚さで、通常のＳｉＯ2 、Ｓｉ3 Ｎ4 などや、ＢやＰが
ドープされたシリコン酸化膜であるＢＰＳＧ、ＰＳＧ、
ＢＳＧなどの低融点軟質ガラスなどが用いられる。ま
た、第１および第２のメタル配線６、７は、それぞれＡ
ｌ、Ａｌ-Ｓｉなどにより０.５〜１.３μｍ程度の厚さ
に設けられる。
【００１３】コンタクトホール４は、後述するように、
絶縁膜２の半分程度の深さに形成される、ウェットエッ
チングを主とした等方性エッチングによる径の大きな第
１のホール４ａ（図２（ｂ）参照）と、絶縁膜２の厚さ
の残りの部分に形成される、異方性のドライエッチング
を主とした径の小さな第２のホール４ｂとの２段形状に
形成されている。そして、第１のホールの側面４１の鉛
直方向とのなす角度θ１が、第２のホールの側面４２の
鉛直方向とのなす角度θ２より大きくなるように形成さ
れている。すなわち、第１のホールは縦方向より横方向
の方が多くエッチングされる、主としてウェットの等方
性エッチング液によりエッチングされることにより形成
され、第２のホールは横方向より縦方向の方が多くエッ
チングされる異方性のドライエッチングを主としたエッ
チングにより形成されている。
絶縁膜２の半分程度の深さに形成される、ウェットエッ
チングを主とした等方性エッチングによる径の大きな第
１のホール４ａ（図２（ｂ）参照）と、絶縁膜２の厚さ
の残りの部分に形成される、異方性のドライエッチング
を主とした径の小さな第２のホール４ｂとの２段形状に
形成されている。そして、第１のホールの側面４１の鉛
直方向とのなす角度θ１が、第２のホールの側面４２の
鉛直方向とのなす角度θ２より大きくなるように形成さ
れている。すなわち、第１のホールは縦方向より横方向
の方が多くエッチングされる、主としてウェットの等方
性エッチング液によりエッチングされることにより形成
され、第２のホールは横方向より縦方向の方が多くエッ
チングされる異方性のドライエッチングを主としたエッ
チングにより形成されている。
【００１４】つぎに、図１に示される半導体装置の製法
を図２を参照しながら説明する。なお、図２において、
図１の半導体基板１および第１の絶縁膜５は省略して第
１のメタル配線６から上が図示されている。
を図２を参照しながら説明する。なお、図２において、
図１の半導体基板１および第１の絶縁膜５は省略して第
１のメタル配線６から上が図示されている。
【００１５】トランジスタやダイオードなどの半導体素
子が形成された半導体基板の表面にＳｉＯ2 （素子を形
成するときのマスクとして使ったＳｉＯ2 および熱処理
で形成されるＳｉＯ2 ）などからなる第１の絶縁膜を形
成し、その上に第１のメタル配線６をＡｌなどの蒸着お
よびパターニングにより形成する。そして、図２（ａ）
に示されるように、その上にたとえばＳｉ3 Ｎ4 膜から
なる絶縁膜２を形成し、その表面にレジスト膜３を形成
する。そして、そのレジスト膜３のコンタクトホール形
成場所の上に開口窓３０が形成されるようにパターニン
グをする。
子が形成された半導体基板の表面にＳｉＯ2 （素子を形
成するときのマスクとして使ったＳｉＯ2 および熱処理
で形成されるＳｉＯ2 ）などからなる第１の絶縁膜を形
成し、その上に第１のメタル配線６をＡｌなどの蒸着お
よびパターニングにより形成する。そして、図２（ａ）
に示されるように、その上にたとえばＳｉ3 Ｎ4 膜から
なる絶縁膜２を形成し、その表面にレジスト膜３を形成
する。そして、そのレジスト膜３のコンタクトホール形
成場所の上に開口窓３０が形成されるようにパターニン
グをする。
【００１６】つぎに、レジスト膜３をマスクとして、Ｈ
ＦとＮＨ4 Ｆの混合液であるバッファードフッ酸（ＢＨ
Ｆ）により等方性のウェットエッチングを行う。このと
き、前述の絶縁膜２とレジスト膜３との密着性の関係
で、深さ方向のエッチングより横方向へのエッチングが
早く進む。そのため縦方向より横方向へ多くエッチング
されて、図２（ｂ）に示されるように、レジスト膜３の
開口窓３０より径の大きい第１のホール４ａが形成され
る。第１のホール４ａの側面４１は、表面側で横方向に
多くエッチングされるため、深くなるにしたがって径が
小さくなり、鉛直方向とθ１の角度をなすテーパ形状に
形成される。この角度θ１は、横方向へのエッチングが
早いため、比較的大きくなる。そして、引き続きＣＦ4
／Ｏ2 ガスを用いて等方性のドライエッチングにより、
絶縁膜２の厚さの１０％程度をエッチングする。このド
ライエッチングは残膜調整のため行うものであるが、こ
の際に図に示されるように椀状の凹面形状になる。
ＦとＮＨ4 Ｆの混合液であるバッファードフッ酸（ＢＨ
Ｆ）により等方性のウェットエッチングを行う。このと
き、前述の絶縁膜２とレジスト膜３との密着性の関係
で、深さ方向のエッチングより横方向へのエッチングが
早く進む。そのため縦方向より横方向へ多くエッチング
されて、図２（ｂ）に示されるように、レジスト膜３の
開口窓３０より径の大きい第１のホール４ａが形成され
る。第１のホール４ａの側面４１は、表面側で横方向に
多くエッチングされるため、深くなるにしたがって径が
小さくなり、鉛直方向とθ１の角度をなすテーパ形状に
形成される。この角度θ１は、横方向へのエッチングが
早いため、比較的大きくなる。そして、引き続きＣＦ4
／Ｏ2 ガスを用いて等方性のドライエッチングにより、
絶縁膜２の厚さの１０％程度をエッチングする。このド
ライエッチングは残膜調整のため行うものであるが、こ
の際に図に示されるように椀状の凹面形状になる。
【００１７】つぎに、レジスト膜３はそのままの状態
で、ＳＦ6 のガスを用いて、平行平板型エッチング装置
により、異方性を主としながら等方性の要素を有するド
ライエッチングにより、図２（ｃ）に示されるように、
第１のメタル層６が露出するまで絶縁膜２をエッチング
する。このエッチングは、等方性の要素を有しているた
め、横方向にもエッチングされるが、縦方向のエッチン
グを主とする異方性がメインになっているため、第１の
ホール４ａより径が小さい第２のホール４ｂが形成され
る。この第２のホール４ｂは、横方向へのエッチング量
が少ないため、絶縁膜２の最下端部ではレジスト膜３の
開口窓３０の径と殆ど同じ大きさに形成されながら、上
部側では横方向にもエッチングされ、その側面４２はテ
ーパ形状となり、鉛直方向とθ２の角度をなすように形
成される。したがって、このテーパ角度θ２は、第１の
ホール４ａのテーパ角度θ１より小さく形成されてい
る。
で、ＳＦ6 のガスを用いて、平行平板型エッチング装置
により、異方性を主としながら等方性の要素を有するド
ライエッチングにより、図２（ｃ）に示されるように、
第１のメタル層６が露出するまで絶縁膜２をエッチング
する。このエッチングは、等方性の要素を有しているた
め、横方向にもエッチングされるが、縦方向のエッチン
グを主とする異方性がメインになっているため、第１の
ホール４ａより径が小さい第２のホール４ｂが形成され
る。この第２のホール４ｂは、横方向へのエッチング量
が少ないため、絶縁膜２の最下端部ではレジスト膜３の
開口窓３０の径と殆ど同じ大きさに形成されながら、上
部側では横方向にもエッチングされ、その側面４２はテ
ーパ形状となり、鉛直方向とθ２の角度をなすように形
成される。したがって、このテーパ角度θ２は、第１の
ホール４ａのテーパ角度θ１より小さく形成されてい
る。
【００１８】つぎに、図２（ｄ）に示されるように、Ａ
ｌなどを蒸着などにより成膜してパターニングすること
により、第２のメタル配線７を形成する。そしてＳｉ3
Ｎ4などを全面に成膜することにより、図示しない保護
膜８（図１参照）を形成することにより、図１に示され
る半導体装置が得られる。
ｌなどを蒸着などにより成膜してパターニングすること
により、第２のメタル配線７を形成する。そしてＳｉ3
Ｎ4などを全面に成膜することにより、図示しない保護
膜８（図１参照）を形成することにより、図１に示され
る半導体装置が得られる。
【００１９】本発明によれば、コンタクトホールが２段
に形成されているため、上段の第１のホールはその大き
さは余り問題にならなく大きな傾斜面を有する側壁の第
１のホールとすることができる。そして、半分程度に薄
くなった絶縁膜でコンタクトホールの最終的な精密な寸
法の径を形成すればよく、その制御が非常に容易とな
り、等方性要素を入れたエッチングを行っても精度のよ
い寸法でコンタクトホールを形成することができると共
に、その上に積層される第２のメタル配線の膜厚の方が
はるかに大きくなるため、ステップカバレジは余り問題
にならなくなる。しかも、絶縁膜が薄くてコンタクトホ
ールの寸法の制御を行いやすくなるため、第２のホール
においても、上方に行くに従ってその径が大きくなるよ
うにテーパ状に形成することができ、角部Ａ（図１参
照）をコンタクトホールの径の位置より横の方向に移す
ことができる。その結果、下段の角部Ａ上の第２のメタ
ル層７の最短距離Ｌ１（図１参照）を充分に大きくする
ことができ、断線の虞れは生じない。もちろん、上段の
角部Ｂ（図１参照）上の第２のメタル配線７の最短距離
Ｌ２もテーパがなだらかであるため、充分に大きく取る
ことができ、断線の虞れは生じない。そのため、非常に
信頼性のよいステップカバレジが得られる。
に形成されているため、上段の第１のホールはその大き
さは余り問題にならなく大きな傾斜面を有する側壁の第
１のホールとすることができる。そして、半分程度に薄
くなった絶縁膜でコンタクトホールの最終的な精密な寸
法の径を形成すればよく、その制御が非常に容易とな
り、等方性要素を入れたエッチングを行っても精度のよ
い寸法でコンタクトホールを形成することができると共
に、その上に積層される第２のメタル配線の膜厚の方が
はるかに大きくなるため、ステップカバレジは余り問題
にならなくなる。しかも、絶縁膜が薄くてコンタクトホ
ールの寸法の制御を行いやすくなるため、第２のホール
においても、上方に行くに従ってその径が大きくなるよ
うにテーパ状に形成することができ、角部Ａ（図１参
照）をコンタクトホールの径の位置より横の方向に移す
ことができる。その結果、下段の角部Ａ上の第２のメタ
ル層７の最短距離Ｌ１（図１参照）を充分に大きくする
ことができ、断線の虞れは生じない。もちろん、上段の
角部Ｂ（図１参照）上の第２のメタル配線７の最短距離
Ｌ２もテーパがなだらかであるため、充分に大きく取る
ことができ、断線の虞れは生じない。そのため、非常に
信頼性のよいステップカバレジが得られる。
【００２０】さらに、本発明の製法によれば、等方性の
ウェットエッチングと、等方性の要素を入れた異方性を
主としたドライエッチングの組合せにより２段形状のコ
ンタクトホールを形成しているため、レジストマスクを
１度形成するだけですみ、簡単な製造工程により２段形
状のコンタクトホールを形成することができる。
ウェットエッチングと、等方性の要素を入れた異方性を
主としたドライエッチングの組合せにより２段形状のコ
ンタクトホールを形成しているため、レジストマスクを
１度形成するだけですみ、簡単な製造工程により２段形
状のコンタクトホールを形成することができる。
【００２１】なお、前述の例では第１と第２のメタル配
線の接続の例であったが、半導体基板とメタル配線との
接続でも同様である。また、絶縁膜についてもその材料
は限定されない。
線の接続の例であったが、半導体基板とメタル配線との
接続でも同様である。また、絶縁膜についてもその材料
は限定されない。
【００２２】
【発明の効果】本発明によれば、絶縁膜に設けられるコ
ンタクトホールを介して絶縁膜の上下に存在する導電体
または半導体の接続部のステップカバレジが向上し、半
導体装置の信頼性が非常に高くなる。
ンタクトホールを介して絶縁膜の上下に存在する導電体
または半導体の接続部のステップカバレジが向上し、半
導体装置の信頼性が非常に高くなる。
【図１】本発明の半導体装置の一実施形態の構造を示す
断面説明図である。
断面説明図である。
【図２】図１の半導体装置の製法の一実施形態の製造工
程を示す断面説明図である。
程を示す断面説明図である。
【図３】従来の半導体装置のコンタクトホールの形成方
法の一例を説明する図である。
法の一例を説明する図である。
２ 絶縁膜 ３ レジスト膜 ４ コンタクトホール ６ 第１のメタル配線 ７ 第２のメタル配線 ４１ 第１のホールの側面 ４２ 第２のホールの側面 θ１ 上段のテーパ角度 θ２ 下段のテーパ角度
Claims (2)
- 【請求項１】 絶縁膜の上下に配設される導体または半
導体が絶縁膜に設けられるコンタクトホールを介して接
続される半導体装置であって、前記コンタクトホールが
２段形状に形成され、該２段形状のコンタクトホールの
それぞれの側面は共にテーパ形状に形成されると共に、
前記２段の下段のテーパの角度は上段のテーパの角度よ
り小さい角度のテーパ形状に形成されてなる半導体装
置。 - 【請求項２】 絶縁膜の上下に配設される導体または半
導体を絶縁膜に設けるコンタクトホールを介して接続す
る半導体装置の製法であって、（ａ）前記絶縁膜上にレ
ジスト膜を設けて開口部を設け、（ｂ）前記レジスト膜
をマスクとして等方性ウェットエッチングにより前記絶
縁膜をエッチングし、（ｃ）異方性に若干等方性要素が
加わったドライエッチングにより前記絶縁膜の残部をエ
ッチングすることを特徴とする半導体装置の製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22938997A JPH1167908A (ja) | 1997-08-26 | 1997-08-26 | 半導体装置およびその製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22938997A JPH1167908A (ja) | 1997-08-26 | 1997-08-26 | 半導体装置およびその製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1167908A true JPH1167908A (ja) | 1999-03-09 |
Family
ID=16891439
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22938997A Pending JPH1167908A (ja) | 1997-08-26 | 1997-08-26 | 半導体装置およびその製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1167908A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102004009296A1 (de) * | 2004-02-26 | 2005-09-22 | Siemens Ag | Anordnung eines elektrischen Bauelements und einer elektrischen Verbindungsleitung des Bauelements sowie Verfahren zum Herstellen der Anordnung |
| JP2013033168A (ja) * | 2011-08-03 | 2013-02-14 | Japan Display East Co Ltd | 表示装置及び表示装置の製造方法 |
| JP2019220598A (ja) * | 2018-06-21 | 2019-12-26 | 三菱電機株式会社 | アルミニウム膜の形成方法 |
| WO2020121804A1 (ja) * | 2018-12-14 | 2020-06-18 | 株式会社村田製作所 | 圧電薄膜素子およびその製造方法 |
-
1997
- 1997-08-26 JP JP22938997A patent/JPH1167908A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102004009296A1 (de) * | 2004-02-26 | 2005-09-22 | Siemens Ag | Anordnung eines elektrischen Bauelements und einer elektrischen Verbindungsleitung des Bauelements sowie Verfahren zum Herstellen der Anordnung |
| DE102004009296B4 (de) * | 2004-02-26 | 2011-01-27 | Siemens Ag | Verfahren zum Herstellen einer Anordnung eines elektrischen Bauelements |
| JP2013033168A (ja) * | 2011-08-03 | 2013-02-14 | Japan Display East Co Ltd | 表示装置及び表示装置の製造方法 |
| US9099359B2 (en) | 2011-08-03 | 2015-08-04 | Japan Display Inc. | Display device and method for manufacturing display device |
| JP2019220598A (ja) * | 2018-06-21 | 2019-12-26 | 三菱電機株式会社 | アルミニウム膜の形成方法 |
| US11313031B2 (en) | 2018-06-21 | 2022-04-26 | Mitsubishi Electric Corporation | Method for forming aluminum film |
| WO2020121804A1 (ja) * | 2018-12-14 | 2020-06-18 | 株式会社村田製作所 | 圧電薄膜素子およびその製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040826 |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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Effective date: 20041224 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060228 |
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| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060725 |