JPH1168049A - Ｍｏｓトランジスタ抵抗 - Google Patents
Ｍｏｓトランジスタ抵抗Info
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- JPH1168049A JPH1168049A JP22808997A JP22808997A JPH1168049A JP H1168049 A JPH1168049 A JP H1168049A JP 22808997 A JP22808997 A JP 22808997A JP 22808997 A JP22808997 A JP 22808997A JP H1168049 A JPH1168049 A JP H1168049A
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- mos transistor
- resistance
- output
- resistance value
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- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 13
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 13
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 abstract description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 6
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＭＯＳトランジスタ抵抗値をＭＯＳトランジ
スタ抵抗製造工程の初期工程である拡散工程や中期工程
であるポリシリコン工程に比べ終期工程であるＡＬ工程
からの変更により容易に変更する事を可能とする。 【解決手段】 ＭＯＳトランジスタ抵抗において、ＭＯ
Ｓトランジスタ抵抗を構成するマスクを１０枚程度全て
変更することなくＡＬ工程のマスク１枚においてＡＬ配
線による変更で抵抗値を可変するＭＯＳトランジスタ抵
抗である。
スタ抵抗製造工程の初期工程である拡散工程や中期工程
であるポリシリコン工程に比べ終期工程であるＡＬ工程
からの変更により容易に変更する事を可能とする。 【解決手段】 ＭＯＳトランジスタ抵抗において、ＭＯ
Ｓトランジスタ抵抗を構成するマスクを１０枚程度全て
変更することなくＡＬ工程のマスク１枚においてＡＬ配
線による変更で抵抗値を可変するＭＯＳトランジスタ抵
抗である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】ＭＯＳトランジスタの抵抗の
配線方法に関する。
配線方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のＭＯＳトランジスタの抵抗の使用
目的として、信号の遅延、発振回路における帰還抵抗、
端子のプルダウン、プルアップなどがあり、それらの目
的を達成するために計算された値で抵抗値を設計する。
目的として、信号の遅延、発振回路における帰還抵抗、
端子のプルダウン、プルアップなどがあり、それらの目
的を達成するために計算された値で抵抗値を設計する。
【０００３】しかし、設計当初に計算された抵抗値は設
計変更などによって抵抗値の値を変更することが発生す
る。
計変更などによって抵抗値の値を変更することが発生す
る。
【０００４】また、設計ミスやＭＯＳトランジスタ抵抗
に配線される配線抵抗などによって期待された設計値ど
うりの抵抗値が得られずＭＯＳトランジスタ抵抗の値を
変更する場合が発生する。
に配線される配線抵抗などによって期待された設計値ど
うりの抵抗値が得られずＭＯＳトランジスタ抵抗の値を
変更する場合が発生する。
【０００５】以下図面により、従来例におけるＭＯＳト
ランジスタ抵抗による抵抗値の変更方法を説明する。
ランジスタ抵抗による抵抗値の変更方法を説明する。
【０００６】図２に基本のＭＯＳトランジスタ抵抗を示
す。ＭＯＳトランジスタ抵抗値は、ポリシリコンゲート
中の拡散領域の長さで決まる。
す。ＭＯＳトランジスタ抵抗値は、ポリシリコンゲート
中の拡散領域の長さで決まる。
【０００７】図３にＭＯＳトランジスタ抵抗を減らした
場合の構成を示す。図２に比べて、ポリシリコンゲート
中の拡散領域の長さは約１／２従って抵抗値も約１／２
となる。
場合の構成を示す。図２に比べて、ポリシリコンゲート
中の拡散領域の長さは約１／２従って抵抗値も約１／２
となる。
【０００８】図４にＭＯＳトランジスタ抵抗を増やした
場合の構成を示す。図２に比べて、ポリシリコンゲート
中の拡散領域の長さは約３倍従って抵抗値も約３倍とな
る。
場合の構成を示す。図２に比べて、ポリシリコンゲート
中の拡散領域の長さは約３倍従って抵抗値も約３倍とな
る。
【０００９】このようにＭＯＳトランジスタ抵抗値を変
更する場合は、ポリシリコンゲート中の拡散領域の長さ
を、拡散領域かポリシリコンのいずれかを変更すること
により抵抗値を変更していた。
更する場合は、ポリシリコンゲート中の拡散領域の長さ
を、拡散領域かポリシリコンのいずれかを変更すること
により抵抗値を変更していた。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】図３、図４に示すよう
にＭＯＳトランジスタ抵抗値を変更する場合、ＭＯＳト
ランジスタ製造工程の初期工程である拡散かあるいは中
期工程であるポリシリコンによって行う。
にＭＯＳトランジスタ抵抗値を変更する場合、ＭＯＳト
ランジスタ製造工程の初期工程である拡散かあるいは中
期工程であるポリシリコンによって行う。
【００１１】そこで本発明の目的は、上記課題を解決
し、ＭＯＳトランジスタ抵抗値を半導体装置製造工程の
終期のＡＬ配線により変更するものである。
し、ＭＯＳトランジスタ抵抗値を半導体装置製造工程の
終期のＡＬ配線により変更するものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明のＭＯＳトランジスタ抵抗の配線方法は、ポリシ
リコンゲートから拡散領域が突き出た部分にＡＬ配線を
接続出来る箇所を複数設けることを特徴とする。
本発明のＭＯＳトランジスタ抵抗の配線方法は、ポリシ
リコンゲートから拡散領域が突き出た部分にＡＬ配線を
接続出来る箇所を複数設けることを特徴とする。
【００１３】ＭＯＳトランジスタ抵抗の複数箇所よりＡ
Ｌ配線の接続を可能にすることにより、容易に抵抗値を
変更することが出来る。また半導体装置製造工程の初期
工程である拡散工程や中期工程であるポリシリコン工程
に比べ、終期工程であるＡＬ工程からの変更により、半
導体装置製造工程の短縮が出来る。
Ｌ配線の接続を可能にすることにより、容易に抵抗値を
変更することが出来る。また半導体装置製造工程の初期
工程である拡散工程や中期工程であるポリシリコン工程
に比べ、終期工程であるＡＬ工程からの変更により、半
導体装置製造工程の短縮が出来る。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明による実施例を図面
を基に説明する。図１は、本発明のＭＯＳトランジスタ
抵抗の一実施例を示す構成図である。図１に示すよう
に、ポリシリコンゲートから拡散領域が突き出た部分に
ＡＬ配線を接続出来る箇所を複数設ける。このＡＬ配線
を接続出来る箇所によりＭＯＳトランジスタ抵抗の抵抗
値を変更する。
を基に説明する。図１は、本発明のＭＯＳトランジスタ
抵抗の一実施例を示す構成図である。図１に示すよう
に、ポリシリコンゲートから拡散領域が突き出た部分に
ＡＬ配線を接続出来る箇所を複数設ける。このＡＬ配線
を接続出来る箇所によりＭＯＳトランジスタ抵抗の抵抗
値を変更する。
【００１５】設計上必要なＭＯＳトランジスタ抵抗値を
決定し、その値になるようにポリシリコンゲート中の拡
散領域の長さを決める。さらにＭＯＳトランジスタ抵抗
値の変更範囲も決める。ＭＯＳトランジスタ抵抗値の変
更範囲分の抵抗値を用意しておく。ＭＯＳトランジスタ
抵抗値を減らすのはたやすいが、増やすのは予め用意さ
れた範囲でしか行えない。予め用意した抵抗値を越える
必要が生じた場合は、従来のようにＭＯＳトランジスタ
抵抗を構成するマスクを１０枚程度全て変更する必要が
ある。
決定し、その値になるようにポリシリコンゲート中の拡
散領域の長さを決める。さらにＭＯＳトランジスタ抵抗
値の変更範囲も決める。ＭＯＳトランジスタ抵抗値の変
更範囲分の抵抗値を用意しておく。ＭＯＳトランジスタ
抵抗値を減らすのはたやすいが、増やすのは予め用意さ
れた範囲でしか行えない。予め用意した抵抗値を越える
必要が生じた場合は、従来のようにＭＯＳトランジスタ
抵抗を構成するマスクを１０枚程度全て変更する必要が
ある。
【００１６】今回入力から出力１、出力１から出力２、
出力２から出力３、出力３から出力４までそれぞれの抵
抗値Ｒは同じとする。初期の設定の抵抗値は図１の入力
と出力２にＡＬ配線を接続した場合２Ｒとする。
出力２から出力３、出力３から出力４までそれぞれの抵
抗値Ｒは同じとする。初期の設定の抵抗値は図１の入力
と出力２にＡＬ配線を接続した場合２Ｒとする。
【００１７】ＭＯＳトランジスタ抵抗値を増やす場合
は、出力２に接続してあるＡＬ配線を出力３または出力
４に接続することにより可能である。出力３にＡＬ配線
を接続した場合は３Ｒの値が得られる。出力４にＡＬ配
線を接続した場合は４Ｒの値が得られる。
は、出力２に接続してあるＡＬ配線を出力３または出力
４に接続することにより可能である。出力３にＡＬ配線
を接続した場合は３Ｒの値が得られる。出力４にＡＬ配
線を接続した場合は４Ｒの値が得られる。
【００１８】またＭＯＳトランジスタ抵抗値を減らす場
合は、出力２に接続してあるＡＬ配線を出力１に接続す
ることにより可能である。出力１にＡＬ配線を接続した
場合１Ｒの値が得られる。
合は、出力２に接続してあるＡＬ配線を出力１に接続す
ることにより可能である。出力１にＡＬ配線を接続した
場合１Ｒの値が得られる。
【００１９】すなわち複数の出力を設ける事により、Ｍ
ＯＳトランジスタ抵抗値をＡＬ配線により容易に変更出
来る。ＡＬマスク１枚の変更によりＭＯＳトランジスタ
抵抗値を変更出来る。
ＯＳトランジスタ抵抗値をＡＬ配線により容易に変更出
来る。ＡＬマスク１枚の変更によりＭＯＳトランジスタ
抵抗値を変更出来る。
【００２０】またＡＬマスクを使用する工程は、ＭＯＳ
トランジスタ抵抗を作成する工程上の終期工程であるた
め、ＭＯＳトランジスタ抵抗値を変更する場合の期間短
縮となる。
トランジスタ抵抗を作成する工程上の終期工程であるた
め、ＭＯＳトランジスタ抵抗値を変更する場合の期間短
縮となる。
【００２１】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
おけるＭＯＳトランジスタ抵抗値をＭＯＳトランジスタ
抵抗製造工程の初期工程である拡散工程や中期工程であ
るポリシリコン工程に比べ終期工程であるＡＬ工程から
の変更により容易に変更する事が出来る。
おけるＭＯＳトランジスタ抵抗値をＭＯＳトランジスタ
抵抗製造工程の初期工程である拡散工程や中期工程であ
るポリシリコン工程に比べ終期工程であるＡＬ工程から
の変更により容易に変更する事が出来る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例におけるＭＯＳトランジスタ抵
抗の構成を示す図である。
抗の構成を示す図である。
【図２】従来のＭＯＳトランジスタ抵抗の基本構成を示
す図である。
す図である。
【図３】従来のＭＯＳトランジスタ抵抗値を減少させた
構成を示す図である。
構成を示す図である。
【図４】従来のＭＯＳトランジスタ抵抗値を増加させた
構成を示す図である。
構成を示す図である。
Claims (2)
- 【請求項１】 ＭＯＳトランジスタ抵抗において、ＭＯ
Ｓトランジスタ抵抗を構成するマスクを１０枚程度全て
変更することなくＡＬ工程のマスク１枚においてＡＬ配
線による変更で抵抗値を可変するＭＯＳトランジスタ抵
抗。 - 【請求項２】 ＭＯＳトランジスタ抵抗において、抵抗
の出力を複数箇所設ける事により、１つのＭＯＳトラン
ジスタ抵抗で複数の抵抗値を得るＭＯＳトランジスタ抵
抗。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22808997A JPH1168049A (ja) | 1997-08-25 | 1997-08-25 | Ｍｏｓトランジスタ抵抗 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22808997A JPH1168049A (ja) | 1997-08-25 | 1997-08-25 | Ｍｏｓトランジスタ抵抗 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1168049A true JPH1168049A (ja) | 1999-03-09 |
Family
ID=16871022
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22808997A Pending JPH1168049A (ja) | 1997-08-25 | 1997-08-25 | Ｍｏｓトランジスタ抵抗 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1168049A (ja) |
-
1997
- 1997-08-25 JP JP22808997A patent/JPH1168049A/ja active Pending
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