JPH1168253A - 光半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 光半導体素子の電気容量を低減できる光半導
体装置を得ることを課題とする。 【解決手段】 表面電極２が設けられている領域に開口
部を備えたポリイミド層１２と、開口部内において電極
２と接続されたポリイミド層１２の上面及び開口部の内
側面に配置された金属膜１３とを介して、半導体レーザ
１をサブマウント５上に載置するとともに、サブマウン
ト５上の金属配線４と金属膜１３とを半田材６を用いて
接着して半導体レーザ１の表面電極２と金属配線４とを
電気的に接続するようにした。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は光半導体装置に関
し、特に端面出射型，あるいは端面入射型の光半導体素
子をサブマウント等の載置台上に載置してなる光半導体
装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】図５は従来の光半導体素子の構造を示す
斜視図（図５(a))、及びこの光半導体素子を光ファイバ
等とともにサブマウント上に取り付けてモジュール化し
てなる光半導体装置の構造を示す側面図であり、図にお
いて、１０１は、基板１００上に共振器端面に対して垂
直な方向に伸びるストライプ状の活性層１０７を含む複
数の半導体層を積層してなる半導体積層構造１０８と、
この半導体積層構造１０８の上面に配置されてなる表面
電極１０２と、基板１００の裏面に配置してなる裏面電
極１０９とからなる光半導体素子で、活性層１０７の上
下には導電型の異なるクラッド層がそれぞれ配置され、
かつメサ形状に成形されたダブルヘテロ構造を形成して
おり、この活性層１０７近傍が導波路として機能する光
導波路となっている。１０３はメサ形状のダブルヘテロ
構造と、このダブルヘテロ構造上に配置された半導体層
との間の再成長界面である。また、１０５は半導体レー
ザを載置するためのサブマウントで、その表面には電気
配線がパターニングされている。１０４はサブマウント
１０５に載置される光ファイバ、１０５ａはサブマウン
ト１０５に形成された光ファイバ１０４を位置決めして
固定するための溝、１０６はサブマウント１０５の表面
に素子１０１を取り付けるための半田材である。

【０００３】光加入者系用モジュール，即ち加入者を対
象とした光通信に用いられる光半導体モジュールに採用
される半導体レーザやフォトダイオード等の端面出射
型，あるいは端面入射型の光半導体素子１０１において
は、素子１０１の動作を高速に切り換えるために、素子
１０１の基板１００上面側に設けられた表面電極１０２
と、素子１０１の半導体積層構造１０８内の再成長界面
１０３との間の電気容量を低減することが求められる。
このため、素子１０１の表面電極１０２の大きさはなる
べく小さくする必要があり、通常、表面電極１０２は、
図５に示すように、素子の導波路となる光導波路に沿っ
た領域上にのみ形成される。

【０００４】また、これらの光半導体素子１０１は、十
分に厚さの厚い半導体基板１００上に光導波路を含む半
導体積層構造１０８を形成することにより得られるた
め、光導波路は、素子１０１の上部側に形成される。こ
れらの光半導体素子１０１を光ファイバ１０４ととも
に、サブマウント１０５上に固定したモジュールを得る
場合、光ファイバ１０４との位置合わせ精度を向上させ
る点から光半導体素子１０１はその光導波路を有する上
部側がサブマウント１０５の表面に向かい合うように、
いわゆるジャンクションダウンで電気配線がパターニン
グされたサブマウント１０５上にマウントされる。即
ち、光半導体素子１０１の表面電極１０２側がサブマウ
ント１０５の表面と向かい合うように、表面電極１０２
とサブマウント１０５上の電気配線とを半田材１０６を
用いて接着することによりマウントされる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の光半導体素子をサブマウント等の載置台上に
載置した光半導体装置においては、載置する際に、融解
した半田材がサブマウント上に拡がってしまい、素子の
表面の表面電極が設けられている領域以外の領域にも接
するようになるために、実質的な電極面積が素子の表面
電極の面積よりも大きくなり、素子の電気容量が大きく
なってしまうという問題があった。

【０００６】本発明は上記のような問題点を解消するた
めになされたものであり、光半導体素子の電気容量を低
減できる光半導体装置を得ることを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】この発明に係る光半導体
装置は、その上部に端面に対して垂直な方向に伸びる所
定幅のストライプ状の光導波路を備えた半導体積層構造
と、該半導体積層構造の上面の、上記光導波路に沿った
領域に設けられたストライプ状の電極とを備えた光半導
体素子と、該半導体積層構造の上面の、上記ストライプ
状の電極が設けられている領域を除く領域上に配置され
た絶縁物質層と、該絶縁物質層の上面及び内面に配置さ
れた上記ストライプ状の電極と接続された金属膜と、そ
の上面に金属配線を有し、該金属配線に対し上記金属膜
が互いに向かい合うよう導電性材料により接着された載
置台とを備えるようにしたものである。

【０００８】また、この発明に係る光半導体装置は、そ
の上部に端面に対して垂直な方向に伸びる所定幅のスト
ライプ状の光導波路を備えた半導体積層構造と、該半導
体積層構造の上面の、上記光導波路に沿った領域に設け
られたストライプ状の電極とを備えた光半導体素子と、
その上面に、金属配線が配置された電気的接触領域と、
該電気的接触領域に隣接する所定の深さの溝とを有し、
該金属配線と上記光半導体素子のストライプ状の電極と
が互いに向かい合うよう導電性材料により接着され、そ
の電気的接触領域以外の領域上に上記光半導体素子上面
の電極以外の領域が配置された載置台とを備えるように
したものである。

【０００９】また、この発明に係る光半導体装置は、そ
の上部に端面に対して垂直な方向に伸びる所定幅のスト
ライプ状の光導波路を備えた半導体積層構造と、該半導
体積層構造の上面の、上記光導波路に沿った領域に設け
られたストライプ状の電極とを備えた光半導体素子と、
底面上に金属配線を備えた所定の深さの凹部を上面に有
し、該金属配線と上記光半導体素子のストライプ状の電
極とが、上記凹部内に、該凹部との間に所定のスペース
が形成されるよう配置された導電性材料により互いに向
かい合うよう接着され、その凹部以外の領域上に上記光
半導体素子上面のストライプ状の電極以外の領域が配置
された載置台とを備えるようにしたものである。

【００１０】

【発明の実施の形態】

実施の形態１．図１は本発明の実施の形態１に係る光半
導体装置の構造を示す斜視図（図１(a)), 及びこの光半
導体装置に載置される光半導体素子の構造を示す斜視図
（図１(b))であり、図において、半導体積層構造８は半
導体基板１０とこの基板１０上に配置された基板１０に
垂直な端面に対して垂直な方向に伸びるストライプ状の
活性層７を含む複数の半導体層からなり、活性層７の上
下には導電型の異なるクラッド層がそれぞれ配置されて
ダブルヘテロ構造となっているとともに、これらのクラ
ッド層と活性層７とがメサ形状に成形されている。この
活性層７の近傍が導波路として機能する光導波路となっ
ている。この半導体積層構造８とこの半導体積層構造８
の上面の、上記光導波路に沿った領域に配置された表面
電極２と、基板１０の裏面に配置された裏面電極９とに
より半導体レーザ１となっている。３はメサ形状部分
と、このメサ形状部分上に配置された半導体層との間の
再成長界面である。５は半導体レーザを載置するための
絶縁性を有するシリコン等からなるサブマウントで、そ
の表面には電気配線４がパターニングされている。１２
は半導体レーザの上面に設けられたポリイミド層で、素
子１の表面電極２上の領域にはこの電極２が露出してい
る開口部が設けられている。ポリイミド層の上面、及び
開口部の側面には表面電極２と接続されたチタン，クロ
ム，金等の積層膜からなる金属膜１３が設けられてい
る。半導体レーザ１は、サブマウント５上に、ポリイミ
ド層１２と金属膜１３とを介して半田材により接着され
ている。なお、ポリイミド層１２の代わりに、絶縁性樹
脂からなる層等の絶縁物質層を設けるようにしてもよ
い。また、金属膜１３としては一般的な電極材料が使用
可能である。

【００１１】図２は本発明の実施の形態１に係る光半導
体装置の組立方法を示すレーザ共振器長方向に垂直な方
向における断面図であり、図において、図１と同一符号
は同一又は相当する部分を示している。

【００１２】次に組立方法について説明する。まず、図
２(a) に示すように、通常の半導体レーザの製造方法と
同様の製造方法により得られた、即ち複数回のエピタキ
シャル成長により形成した半導体積層構造８に電極２、
電極９を形成することにより得られた半導体レーザ１を
用意し、この半導体レーザ１の上面に表面電極２を被う
ようにポリイミド１２ａを塗布する。この厚さとしては
５μｍ以上が適当である。しかる後、図２(b) に示すよ
うに、半導体レーザ１の表面電極２の上部のみを選択的
にエッチングしてポリイミド１２ａの表面電極２の上部
領域部分に、表面電極２が露出する開口部を設ける。そ
の後、図２(c) に示すように、スパッタあるいは蒸着等
の方法によりポリイミドの上面及び開口部内の側面に金
属膜１３を成膜する。なお、図７に示すようにこの上に
更に金属メッキ１４を施しても良い。続いて、半導体レ
ーザ１の上面がサブマウント５の上面に向かい合うよう
半導体レーザ１をサブマウント５上に載置するととも
に、金属膜１３の最上面を半田材６によりサブマウント
５上の電気的接触領域に、両者が互いに対向するように
接着して、図１(a) に示すような、光半導体装置を得
る。

【００１３】この光半導体装置においては、サブマウン
ト５の金属配線４と半導体レーザ１の表面電極２とが金
属膜１３を介して電気的に接続されているとともに、半
導体レーザ１の表面領域２００の表面電極２が設けられ
ている表面電極形成領域２０１をのぞく電極非形成領域
２０２では、半導体レーザ１とサブマウント５上の金属
配線４あるいは半田材６とが絶縁層であるポリイミド１
２を介して接続されることとなるため、上述した素子表
面の表面電極が形成されていない領域とサブマウント上
に広がった半田材とが直接接している従来の光半導体装
置に対して、半導体レーザ１表面とサブマウント５の表
面の金属配線４あるいは半田材６との間隔をポリイミド
１２の厚さの分だけ厚くすることができ、これにより半
導体レーザ１の電極非形成領域２０２とサブマウント５
上の金属配線４あるいは半田材６との間の容量を小さく
して、半導体レーザ１の再成長界面３と金属配線４ある
いは半田材６との間の容量を小さくでき、半導体レーザ
１の素子容量を低減できる。

【００１４】このように本実施の形態１によれば、表面
電極形成領域２０１上に開口部を備えたポリイミド層１
２と、開口部内において電極２と接続されたポリイミド
層１２の上面及び開口部の内側面に配置された金属膜１
３とを介して、半導体レーザ１をその上面がサブマウン
ト５の上面に対向するようにサブマウント５上に載置
し、サブマウント５上の金属配線４と金属膜１３とを半
田材６を用いて接着して半導体レーザ１の表面電極２と
金属配線４とを電気的に接続するようにしたから、半導
体レーザ１表面とサブマウント５の表面の金属配線４あ
るいは半田材６との間隔をポリイミド１２の厚さの分だ
け厚くすることができ、これにより、半導体レーザ１の
電極非形成領域２０２における再成長界面３とサブマウ
ント５の金属配線４あるいは半田材６との間の容量を小
さくでき、半導体レーザの素子容量を低減した光半導体
装置を得ることができる。

【００１５】実施の形態２．図３は本発明の実施の形態
２に係る光半導体装置の構造を示す断面図（図２(a)),
及びこの光半導体装置のサブマウントの構造を示す図
（図２(b))であり、図において図１と同一符号は同一ま
たは相当する部分を示しており、サブマウント２５は、
金属配線２２を備えた電気的接触領域２３と、この電気
的接触領域２３の両側に所定の深さの溝２１を介して設
けられたボンディング強度を確保するための接着領域２
４とを有するシリコン等の絶縁材料からなり、電気的接
触領域２３上には半田材２７が、また接着領域２４上に
は絶縁性を有する接着剤２６が配置され、この半田材２
７によって電気的接触領域２３，特に金属配線２２と、
半導体レーザ１の表面電極２とが互いに向かい合うよう
に接着され、接着剤２６により接着領域２４と半導体レ
ーザ１の電極非形成領域２０２とが互いに向かい合うよ
う接着されている。

【００１６】この実施の形態２に係る光半導体装置は、
図３(b) のように、表面にエッチング等により溝２１を
設けて金属配線２２のある電気的接触領域２３とボンデ
ィング強度を確保するための接着領域２４とを分離した
サブマウント３５を用いるようにしたものである。即
ち、図３(a) に示すように、電気的接触領域２３では半
田材２７を、接着領域２４では接着剤２６を用いて、半
導体レーザ１をその上面がサブマウント２５の上面と向
かい合うようにサブマウント２５上に接着するようにし
たものであり、接着時にサブマウント２５上を広がる半
田材２７が電気的接触領域２３からはみ出した場合に
も、はみ出した半田材２７は溝２１内に流れ込むため、
半田材２７は電気的接触領域２３から接着領域２４へは
広がらず、このように接着時の半田材２７の拡がりは溝
２１によって抑えられることとなる。この結果、半導体
レーザ１とサブマウント２５との電気的な接触面積は上
記電気的接触領域２３の面積より増加することがなく、
上述した従来の光半導体装置と比較して、半導体レーザ
１とサブマウント２５との電気的接触面積を小さく保つ
ことができ、半導体レーザ１の素子容量を低減できる。

【００１７】また、半導体レーザ１の電極非形成領域２
０２は、サブマウント２５と接着領域２４において接着
されているため、ボンディング強度も十分に確保するこ
とが可能である。

【００１８】なお、半田材の広がりによる素子容量の増
加を十分に小さくするためには、電気的接触領域２３の
大きさは半導体レーザ１の表面電極２の大きさ以下とし
ておくことが好ましい。

【００１９】このように、本実施の形態２によれば、電
気的接触領域２３とその両側に溝２１を隔てて設けられ
た接着領域２４とを備えたサブマウント２５を用いるよ
うにしたから、電気的接触領域２３からはみ出した半田
材２７が溝２１内に流れ込むようにすることができ、半
導体レーザ１とサブマウント２５との電気的な接触面積
を電気的接触領域２３の面積よりも大きくならないよう
にして、半導体レーザの素子容量を低減した光半導体装
置が得られる効果がある。

【００２０】実施の形態３．図４は本発明の実施の形態
３に係る光半導体装置の構造を示す断面図（図４(a)),
及びこの光半導体装置のサブマウントの構造を示す断面
図（図４(b))であり、図において図１と同一符号は同一
または相当する部分を示す。３５はシリコン層３０上に
スパッタ等により成膜されたＳｉＯ₂ 等の絶縁膜３１を
配置してなるサブマウントで、この絶縁膜３１には上方
からみた大きさが、半導体レーザ１の表面電極２よりも
わずかに大きい凹部３２がエッチングにより設けられて
いる。この凹部３２の底部にはシリコン層３０が露出し
ており、その底部の中央部分に金属配線２２が設けられ
ている。また、半田材２７は、凹部３２の底面上に、こ
の凹部３２との間に所定の空間が形成されるよう配置さ
れており、ここでは特に、半田材２７と凹部３２の内側
面との間に空間が形成されるよう配置している。

【００２１】この光半導体装置は、その上部に半導体レ
ーザ１の表面電極２よりも上方からみた大きさが大きい
凹部３２を有するサブマウント３５を用い、この凹部３
２底面に配置された金属配線２２と上記半導体レーザ１
の表面電極２とを、この凹部３２内に配置したその上面
が半導体レーザ１の表面電極２とのみ接している半田材
２７により互いに向かい合うよう接着するようにしてい
る。

【００２２】図４(b) に示すように、このサブマウント
３５の凹部３２の底面の配線２２を覆うよう底面上に半
田材２５を絶縁膜３１の厚さよりも少し厚くなるように
配置し、サブマウント３５表面の凹部３２の両側部分に
接着剤２６を配置しておき、このサブマウント３５上
に、上記凹部３２に半導体レーザの表面電極２が向かい
合うよう、半導体レーザ１を載置して加熱すると、サブ
マウント３５と半導体レーザ１が接着されるとともに、
融解した半田材２７のうち、表面電極２と接着されずに
余った半田材２７は、凹部３２の半田材２７が配置され
ていなかった空間に流れ込む。

【００２３】この結果、光半導体装置は、図４(a) に示
すように、半田材２７が表面電極形成領域２０１以外の
領域においては、半導体レーザ１と接触しない構造とな
り、半田材２７が半導体レーザ１上面の電極非形成領域
２０２に広がっていない構造となり、上述した従来の光
半導体装置と比較して、半導体レーザ１とサブマウント
３５との電気的な接触領域が減り、半導体レーザ１の素
子容量を減らすことが可能となる。

【００２４】また、半導体レーザ１表面の電極非形成領
域２０２はサブマウント２５の凹部３２に隣接して配置
された接着剤２６により接着されているため、ボンディ
ング強度も十分に確保することが可能である。

【００２５】このように本実施の形態３によれば、その
上部に半導体レーザ１の表面電極２よりも上部からみた
大きさが大きい凹部３２を有するサブマウント３５を用
い、この凹部３２底面に配置された金属配線２２と上記
光半導体レーザ１の表面電極２とを、この凹部３２内に
配置したその上面が半導体レーザ１の表面電極２とのみ
接している半田材２７により接着するようにしたから、
表面電極２と接着されない半田材２７が凹部３２内の半
田材２７が配置されていない空間へ移動するため、半導
体レーザ１と半田材２７とを表面電極２のみにおいて接
触するようにでき、半導体レーザとサブマウントとの電
気的な接触領域を減らし、半導体レーザの素子容量を減
らした光半導体装置が得ることができる。

【００２６】なお、図６は本発明の実施の形態３に係る
光半導体装置の変形例を説明するための図で、図におい
て図４と同一符号は同一または相当する部分を示してい
る。上記実施の形態３においては、サブマウントとし
て、シリコン層上にＳｉＯ₂ 膜等の絶縁膜を配置してな
る２層構造を有するとともに、その表面に絶縁膜をパタ
ーニングして形成した凹部を備えたものを用いたが、本
発明においては図６に示すように、単層からなるととも
に、その表面に直接パターニングして形成した凹部３２
ａを備えたサブマウント３５ａを用いてもよいものであ
り、このような場合においても上記実施の形態３と同様
の効果を奏する。

【００２７】なお、上記実施の形態１〜３においては半
導体レーザを用いた場合について説明したが、本発明で
はフォトダイオード等の他の光半導体素子を用いてもよ
いものであり、このような場合においても上記実施の形
態１〜３と同様の効果を奏する。

【００２８】また、上記実施の形態１〜３においては半
導体レーザとサブマウントの配線との接着に半田材を用
いた場合について説明したが、本発明においては、半田
材の代わりに導電性接着剤等の他の接着可能な導電性材
料を用いてもよいものであり、このような場合において
も上記実施の形態１〜３と同様の効果を奏する。

【００２９】また、上記実施の形態１〜３においてはサ
ブマウントを用いた場合を説明したが、本発明において
はサブマウントの代わりに他の載置台を用いてもよいも
のであり、このような場合においても上記実施の形態１
〜３と同様の効果を奏する。

【００３０】

【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、その上
部に端面に対して垂直な方向に伸びる所定幅のストライ
プ状の光導波路を備えた半導体積層構造と、該半導体積
層構造の上面の、上記光導波路に沿った領域に設けられ
たストライプ状の電極とを備えた光半導体素子と、該半
導体積層構造の上面の、上記ストライプ状の電極が設け
られている領域を除く領域上に配置された絶縁物質層
と、該絶縁物質層の上面及び内面に配置された上記スト
ライプ状の電極と接続された金属膜と、その上面に金属
配線を有し、該金属配線に対し上記金属膜が互いに向か
い合うよう導電性材料により接着された載置台とを備え
るようにしたから、光半導体素子上面のストライプ状の
電極が設けられている領域をのぞく領域の再成長界面上
に形成される容量を小さくでき、半導体レーザの素子容
量を低減した光半導体装置を得ることができる効果が得
られる。

【００３１】また、この発明によれば、その上部に端面
に対して垂直な方向に伸びる所定幅のストライプ状の光
導波路を備えた半導体積層構造と、該半導体積層構造の
上面の、上記光導波路に沿った領域に設けられたストラ
イプ状の電極とを備えた光半導体素子と、その上面に、
金属配線が配置された電気的接触領域と、該電気的接触
領域に隣接する所定の深さの溝とを有し、該金属配線と
上記光半導体素子のストライプ状の電極とが互いに向か
い合うよう導電性材料により接着され、その電気的接触
領域以外の領域上に上記光半導体素子上面の電極以外の
領域が配置された載置台とを備えるようにしたから、電
気的接触領域からはみ出した導電性材料が溝内に流れ込
むようにすることができ、光半導体素子と載置台との電
気的に接触する面積を電気的接触領域の面積よりも大き
くならないようにして、光半導体素子の素子容量を低減
した光半導体装置を得ることができる効果がある。

【００３２】また、この発明によれば、その上部に端面
に対して垂直な方向に伸びる所定幅のストライプ状の光
導波路を備えた半導体積層構造と、該半導体積層構造の
上面の、上記光導波路に沿った領域に設けられたストラ
イプ状の電極とを備えた光半導体素子と、底面上に金属
配線を備えた所定の深さの凹部を上面に有し、該金属配
線と上記光半導体素子のストライプ状の電極とが、該凹
部との間に所定のスペースが形成されるよう上記凹部内
に配置された導電性材料により互いに向かい合うよう接
着され、その凹部以外の領域上に上記光半導体素子上面
のストライプ状の電極以外の領域が配置された載置台と
を備えるようにしたから、ストライプ状の電極と接着さ
れずに余った導電性材料が、凹部の導電性材料が配置さ
れていない空間へ移動するため、光半導体素子と導電性
材料とをストライプ状の電極のみにおいて接触するよう
にでき、光半導体素子と載置台との電気的な接触面積を
減らし、光半導体素子の素子容量を減らした光半導体装
置が得ることができる効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】 この発明の実施の形態１に係る光半導体装置
の構造を示す図である。

【図２】 この発明の実施の形態１に係る光半導体装置
の製造方法を示す断面図である。

【図３】 この発明の実施の形態２に係る光半導体装置
の構造を示す図である。

【図４】 この発明の実施の形態３に係る光半導体装置
の構造を示す図である。

【図５】 従来の光半導体装置の構造を示す図である。

【図６】 この発明の実施の形態３に係る光半導体装置
の変形例の構造を示す図である。

【図７】 この発明の実施の形態１に係る光半導体装置
の変形例の構造を説明するための図である。

【符号の説明】

１ 半導体レーザ、２，１０２ 表面電極、３，１０３
再成長界面、４，２２ 金属配線、５，２５，３５，
１０５ サブマウント、６，２７，１０６ 半田材、
７，１０７ 活性層、８，１０８ 半導体積層構造、
９，１０９ 裏面電極、１０，１００ 半導体基板、１
２ ポリイミド層、１３ 金属膜、２１ 溝、２３ 電
気的接触領域、２４ 接着領域、２６ 接着剤、３０
シリコン層、３１ 絶縁膜、３２ 凹部、１０１ 光半
導体素子、１０５ａ ファイバ載置用溝、１０４ 光フ
ァイバ、２００ 表面電極、２０１ 表面電極形成領
域、２０２ 電極非形成領域。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 その上部に端面に対して垂直な方向に伸
   びる所定幅のストライプ状の光導波路を備えた半導体積
   層構造と、該半導体積層構造の上面の、上記光導波路に
   沿った領域に設けられたストライプ状の電極とを備えた
   光半導体素子と、 該半導体積層構造の上面の、上記ストライプ状の電極が
   設けられている領域を除く領域上に配置された絶縁物質
   層と、 該絶縁物質層の上面及び内面に配置された上記ストライ
   プ状の電極と接続された金属膜と、 その上面に金属配線を有し、該金属配線に対し上記金属
   膜が互いに向かい合うよう導電性材料により接着された
   載置台とを備えたことを特徴とする光半導体装置。
2. 【請求項２】 その上部に端面に対して垂直な方向に伸
   びる所定幅のストライプ状の光導波路を備えた半導体積
   層構造と、該半導体積層構造の上面の、上記光導波路に
   沿った領域に設けられたストライプ状の電極とを備えた
   光半導体素子と、 その上面に、金属配線が配置された電気的接触領域と、
   該電気的接触領域に隣接する所定の深さの溝とを有し、
   該金属配線と上記光半導体素子のストライプ状の電極と
   が互いに向かい合うよう導電性材料により接着され、そ
   の電気的接触領域以外の領域上に上記光半導体素子上面
   の電極以外の領域が配置された載置台とを備えたことを
   特徴とする光半導体装置。
3. 【請求項３】 その上部に端面に対して垂直な方向に伸
   びる所定幅のストライプ状の光導波路を備えた半導体積
   層構造と、該半導体積層構造の上面の、上記光導波路に
   沿った領域に設けられたストライプ状の電極とを備えた
   光半導体素子と、 底面上に金属配線を備えた所定の深さの凹部を上面に有
   し、該金属配線と上記光半導体素子のストライプ状の電
   極とが、上記凹部内に、該凹部との間に所定の空間が形
   成されるよう配置された導電性材料により互いに向かい
   合うよう接着され、その凹部以外の領域上に上記光半導
   体素子上面のストライプ状の電極以外の領域が配置され
   た載置台とを備えたことを特徴とする光半導体装置。