JPH117656A - 光学情報記録媒体 - Google Patents
光学情報記録媒体Info
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- JPH117656A JPH117656A JP9160838A JP16083897A JPH117656A JP H117656 A JPH117656 A JP H117656A JP 9160838 A JP9160838 A JP 9160838A JP 16083897 A JP16083897 A JP 16083897A JP H117656 A JPH117656 A JP H117656A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 光学情報記録媒体において貴金属を含む反射
層と樹脂材料からなる保護層は、接着性が悪く積層して
形成することが困難である。接着を可能にし両層を積層
できるようにすることを目的とする。 【解決手段】 貴金属を含む反射層５と樹脂材料からな
る保護層７の間に、窒化物、酸化物、フッ化物、炭化
物、硫化物の中から形成される群より選ばれる材料層６
を形成する。材料層６の膜厚は光学的熱的特性に影響し
ない範囲として５〜２０ｎｍに設定し、約１０ｎｍが最
も好ましい。
層と樹脂材料からなる保護層は、接着性が悪く積層して
形成することが困難である。接着を可能にし両層を積層
できるようにすることを目的とする。 【解決手段】 貴金属を含む反射層５と樹脂材料からな
る保護層７の間に、窒化物、酸化物、フッ化物、炭化
物、硫化物の中から形成される群より選ばれる材料層６
を形成する。材料層６の膜厚は光学的熱的特性に影響し
ない範囲として５〜２０ｎｍに設定し、約１０ｎｍが最
も好ましい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は光学的に情報を記録
再生消去する情報記録媒体に関するものである。
再生消去する情報記録媒体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】光学情報記録媒体として例えば光ディス
クは、一般に記録層・反射層・光干渉層を有する多層構
造になっており多重干渉効果を利用して信号を読み出
す。従来、登録特許１９４９３２０号、登録特許２０９
４８３９号に開示されている構造が知られており、反射
層は光学的には記録層に吸収される光量を増大させ、熱
的には記録層で生じた熱を速やかに拡散させるという働
きをもち、さらには多層膜を使用環境から保護する役割
をも兼ね備えている。金属の中でも貴金属は酸化しにく
く耐食性に優れていることから反射層材料に適してい
る。特にＡｕは耐食性に優れ、膜厚を薄くして且つ急冷
条件を満足する反射層材料として最も優れている。
クは、一般に記録層・反射層・光干渉層を有する多層構
造になっており多重干渉効果を利用して信号を読み出
す。従来、登録特許１９４９３２０号、登録特許２０９
４８３９号に開示されている構造が知られており、反射
層は光学的には記録層に吸収される光量を増大させ、熱
的には記録層で生じた熱を速やかに拡散させるという働
きをもち、さらには多層膜を使用環境から保護する役割
をも兼ね備えている。金属の中でも貴金属は酸化しにく
く耐食性に優れていることから反射層材料に適してい
る。特にＡｕは耐食性に優れ、膜厚を薄くして且つ急冷
条件を満足する反射層材料として最も優れている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、貴金属
は酸化しにくく多金属と比較して化学的に安定している
分、樹脂との接着性は悪い。例えばＡｕを反射層に用い
た場合、アクリル樹脂の保護層との接着性が悪く反射層
上に形成することができないという問題を有していた。
は酸化しにくく多金属と比較して化学的に安定している
分、樹脂との接着性は悪い。例えばＡｕを反射層に用い
た場合、アクリル樹脂の保護層との接着性が悪く反射層
上に形成することができないという問題を有していた。
【０００４】本発明は、上記課題を解決するもので貴金
属を含む反射層上に樹脂の保護層を形成することを目的
とする。
属を含む反射層上に樹脂の保護層を形成することを目的
とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この課題を解決するため
に本発明は、基板上に少なくとも貴金属を含む反射層と
樹脂材料からなる保護層を有する光学情報記録媒体であ
って、反射層と保護層の間に、窒化物、酸化物、フッ化
物、炭化物、硫化物の中から形成される群より選ばれる
材料層が形成されている。
に本発明は、基板上に少なくとも貴金属を含む反射層と
樹脂材料からなる保護層を有する光学情報記録媒体であ
って、反射層と保護層の間に、窒化物、酸化物、フッ化
物、炭化物、硫化物の中から形成される群より選ばれる
材料層が形成されている。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載のもの
は、基板上に貴金属を含む反射層と、樹脂材料からなる
保護層と、単層または複数の層よりなる情報記録可能な
記録層とを有する光学情報記録媒体であって、上記基板
と上記反射層の間に上記記録層が形成され、上記反射層
と上記保護層の間に窒化物、酸化物、フッ化物、炭化
物、硫化物の中から形成される群より選ばれる材料層が
形成されていることを特徴とするものである。
は、基板上に貴金属を含む反射層と、樹脂材料からなる
保護層と、単層または複数の層よりなる情報記録可能な
記録層とを有する光学情報記録媒体であって、上記基板
と上記反射層の間に上記記録層が形成され、上記反射層
と上記保護層の間に窒化物、酸化物、フッ化物、炭化
物、硫化物の中から形成される群より選ばれる材料層が
形成されていることを特徴とするものである。
【０００７】また、請求項２に記載の発明は、基板上に
貴金属を含む反射層と、樹脂材料からなる保護層と、単
層または複数の層よりなる情報記録可能な記録層とを有
する光学情報記録媒体であって、上記基板と上記反射層
の間に上記記録層が形成され、上記保護層がエポキシ樹
脂を主成分とし、上記保護層の硬化収縮率Ｘが０≦Ｘ≦
５（％）であり、上記保護層の２５℃における硬化前の
粘度Ｙが６００≦Ｙ≦１４００（ｃＰ）であることを特
徴とするものである。
貴金属を含む反射層と、樹脂材料からなる保護層と、単
層または複数の層よりなる情報記録可能な記録層とを有
する光学情報記録媒体であって、上記基板と上記反射層
の間に上記記録層が形成され、上記保護層がエポキシ樹
脂を主成分とし、上記保護層の硬化収縮率Ｘが０≦Ｘ≦
５（％）であり、上記保護層の２５℃における硬化前の
粘度Ｙが６００≦Ｙ≦１４００（ｃＰ）であることを特
徴とするものである。
【０００８】以下、本発明の実施の形態について、図面
を参照しながら説明する。図１は本発明の光学情報記録
媒体の一構成例を示し、基板１の上に第１の光干渉層
２、記録層３、第２の光干渉層４、反射層５、材料層６
を順次積層して保護層７を塗布した単板構造としてい
る。
を参照しながら説明する。図１は本発明の光学情報記録
媒体の一構成例を示し、基板１の上に第１の光干渉層
２、記録層３、第２の光干渉層４、反射層５、材料層６
を順次積層して保護層７を塗布した単板構造としてい
る。
【０００９】基板１としては円盤状で、ＰＭＭＡ、ポリ
カーボネート、アモルファスポリオレフィンなどの樹脂
またはガラスなど、通常光ディスクに用いられる透明で
表面の平滑なものを選んだ。
カーボネート、アモルファスポリオレフィンなどの樹脂
またはガラスなど、通常光ディスクに用いられる透明で
表面の平滑なものを選んだ。
【００１０】第１の光干渉層２及び第２の光干渉層４は
誘電体薄膜で、光の行路長を調節して記録層への光吸収
効率を高め、記録前後の反射光量の変化を大きくしてＣ
Ｎ比を上げる働きがある。光干渉層２及び４は例えばＳ
ｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5などの酸化物、ＧｅＮ、ＳｉＮ、Ａｌ
Ｎ、ＴｉＮなどの窒化物、ＺｎＳなどの硫化物、ＳｉＣ
などの炭化物、ＣａＦ2などのフッ化物及びこれらの混
合物としてＺｎＳ−ＳｉＯ2などを用いることができ、
スパッタリングや蒸着等の方法により形成することがで
きる。第１及び第２の光干渉層の膜厚は、例えばマトリ
クス法（例えば久保田広著「波動光学」岩波新書、１９
７１年、第３章を参照）に基づく計算により、記録前後
の反射率変化がより大きく且つ記録層への光吸収率が十
分大きくなる条件を満足するように厳密に決定すること
ができる。
誘電体薄膜で、光の行路長を調節して記録層への光吸収
効率を高め、記録前後の反射光量の変化を大きくしてＣ
Ｎ比を上げる働きがある。光干渉層２及び４は例えばＳ
ｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5などの酸化物、ＧｅＮ、ＳｉＮ、Ａｌ
Ｎ、ＴｉＮなどの窒化物、ＺｎＳなどの硫化物、ＳｉＣ
などの炭化物、ＣａＦ2などのフッ化物及びこれらの混
合物としてＺｎＳ−ＳｉＯ2などを用いることができ、
スパッタリングや蒸着等の方法により形成することがで
きる。第１及び第２の光干渉層の膜厚は、例えばマトリ
クス法（例えば久保田広著「波動光学」岩波新書、１９
７１年、第３章を参照）に基づく計算により、記録前後
の反射率変化がより大きく且つ記録層への光吸収率が十
分大きくなる条件を満足するように厳密に決定すること
ができる。
【００１１】記録層３の材料としては、結晶相とアモル
ファス相との間で可逆的な相変態を起こす材料で代表的
にはＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｔｅ、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔ
ｅ、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ−Ｐｄ、Ａｇ−Ｓｂ−Ｉｎ−Ｔｅ
等の系、あるいはこれらの酸化物、窒化物を用いること
ができる。また希土類元素と遷移金属元素よりなる光磁
気記録材料としてＴｂ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｇｄ−Ｆｅ−Ｃ
ｏ、Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｇｄ
−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏなどを用いることもできる。
ファス相との間で可逆的な相変態を起こす材料で代表的
にはＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｔｅ、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔ
ｅ、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ−Ｐｄ、Ａｇ−Ｓｂ−Ｉｎ−Ｔｅ
等の系、あるいはこれらの酸化物、窒化物を用いること
ができる。また希土類元素と遷移金属元素よりなる光磁
気記録材料としてＴｂ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｇｄ−Ｆｅ−Ｃ
ｏ、Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｇｄ
−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏなどを用いることもできる。
【００１２】反射層５としてはＡｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｐｄ
またはこれらを主成分とする合金を用いることができ
る。反射層は光学的には記録層に吸収される光量を増大
させ、熱的には記録層で生じた熱を速やかに拡散させる
という働きをもち、さらには多層膜を使用環境から保護
する役割をも兼ね備えている。中でもＡｕは耐食性に優
れ膜厚を薄くして且つ急冷条件を満足する優れた材料で
ある。
またはこれらを主成分とする合金を用いることができ
る。反射層は光学的には記録層に吸収される光量を増大
させ、熱的には記録層で生じた熱を速やかに拡散させる
という働きをもち、さらには多層膜を使用環境から保護
する役割をも兼ね備えている。中でもＡｕは耐食性に優
れ膜厚を薄くして且つ急冷条件を満足する優れた材料で
ある。
【００１３】材料層６としてはＧｅＮ、ＳｉＮ、Ａｌ
Ｎ、ＴｉＮなどの窒化物、ＳｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5などの酸
化物、ＣａＦ2などのフッ化物、ＳｉＣなどの炭化物、
ＺｎＳなどの硫化物及びこれらの混合物としてＺｎＳ−
ＳｉＯ2などを用いることができる。光干渉層２及び４
と同材料より選ぶことができるが、材料層６の働きは保
護層７を反射層５の上に形成するための接着層であるた
め、多層構造の光学的特性及び熱的特性が変化しない極
薄い膜厚で形成する。したがって、厚くても３０ｎｍで
望ましくは約１０ｎｍである。
Ｎ、ＴｉＮなどの窒化物、ＳｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5などの酸
化物、ＣａＦ2などのフッ化物、ＳｉＣなどの炭化物、
ＺｎＳなどの硫化物及びこれらの混合物としてＺｎＳ−
ＳｉＯ2などを用いることができる。光干渉層２及び４
と同材料より選ぶことができるが、材料層６の働きは保
護層７を反射層５の上に形成するための接着層であるた
め、多層構造の光学的特性及び熱的特性が変化しない極
薄い膜厚で形成する。したがって、厚くても３０ｎｍで
望ましくは約１０ｎｍである。
【００１４】保護層７はアクリル樹脂を主成分とした材
料であり、例えば紫外線硬化型のウレタンアクリレート
とアクリル酸エステルモノマーの混合体などを用いるこ
とができる。光学情報記録媒体を回転させて塗布するた
め、低粘度であるほど塗布が容易で、短時間に薄く均一
に薄膜上に形成できる。薄ければ短い紫外線照射時間で
硬化し、塗布から硬化までの時間がより短くできる。し
たがって粘度は１０〜１００ｃＰの範囲が好ましく、３
０ｃＰ以下がより好ましい。
料であり、例えば紫外線硬化型のウレタンアクリレート
とアクリル酸エステルモノマーの混合体などを用いるこ
とができる。光学情報記録媒体を回転させて塗布するた
め、低粘度であるほど塗布が容易で、短時間に薄く均一
に薄膜上に形成できる。薄ければ短い紫外線照射時間で
硬化し、塗布から硬化までの時間がより短くできる。し
たがって粘度は１０〜１００ｃＰの範囲が好ましく、３
０ｃＰ以下がより好ましい。
【００１５】図２は本発明の光学情報記録媒体の別の実
施の形態の部分断面図を示し、基板１の上に第１の光干
渉層２、記録層３、第２の光干渉層４、反射層５を順次
積層して保護層８を塗布した単板構造としている。図２
の第１の光干渉層２、記録層３、第２の光干渉層４、反
射層５の材料は図１の説明と同様の群から選択される
が、反射層５の上に直接保護層８を形成する構成であ
る。この構成は材料層６が不要であるため、多層構成を
１層減らすことができる。
施の形態の部分断面図を示し、基板１の上に第１の光干
渉層２、記録層３、第２の光干渉層４、反射層５を順次
積層して保護層８を塗布した単板構造としている。図２
の第１の光干渉層２、記録層３、第２の光干渉層４、反
射層５の材料は図１の説明と同様の群から選択される
が、反射層５の上に直接保護層８を形成する構成であ
る。この構成は材料層６が不要であるため、多層構成を
１層減らすことができる。
【００１６】保護層８はエポキシ樹脂を主成分とした材
料で、例えばエポキシ樹脂とスチレンコポリマーの混合
体などを用い、光学情報記録媒体を回転させて反射層５
上に塗布し紫外線照射により重合硬化し形成することが
できる。貴金属を含む反射層に直接塗布する場合は、粘
度がある程度大きい方が接着性があがる。少なくとも粘
度は６００ｃＰ以上を要し１０００ｃＰ以上１４００ｃ
Ｐ以下が最も好ましい。また、貴金属を含む反射層上に
直接塗布するため、硬化による収縮率は高々５％でより
小さいことが好ましい。
料で、例えばエポキシ樹脂とスチレンコポリマーの混合
体などを用い、光学情報記録媒体を回転させて反射層５
上に塗布し紫外線照射により重合硬化し形成することが
できる。貴金属を含む反射層に直接塗布する場合は、粘
度がある程度大きい方が接着性があがる。少なくとも粘
度は６００ｃＰ以上を要し１０００ｃＰ以上１４００ｃ
Ｐ以下が最も好ましい。また、貴金属を含む反射層上に
直接塗布するため、硬化による収縮率は高々５％でより
小さいことが好ましい。
【００１７】なお、以上の説明では保護層まで形成した
単板構造の光学情報記録媒体を例にとって説明したが、
その他保護層まで形成した光学情報記録媒体２枚を、例
えばホットメルト性の接着剤で保護層側を貼り合わせた
両面構造の光学情報記録媒体についても同様に実施可能
である。
単板構造の光学情報記録媒体を例にとって説明したが、
その他保護層まで形成した光学情報記録媒体２枚を、例
えばホットメルト性の接着剤で保護層側を貼り合わせた
両面構造の光学情報記録媒体についても同様に実施可能
である。
【００１８】
【実施例】次に、我々が実験した本発明の実施例を説明
する。
する。
【００１９】（実施例１）直径２０３ｍｍのターゲット
及び真空放電を発生させるための電源を備えた真空チャ
ンバーを７つ有する静止対向式スパッタ装置で実験を行
った。まず第１の光干渉層、記録層、第２の光干渉層、
反射層、材料層のスパッタレートを測定するため（表
１）に示す材料と条件で各層をガラス基板片上に形成し
た。
及び真空放電を発生させるための電源を備えた真空チャ
ンバーを７つ有する静止対向式スパッタ装置で実験を行
った。まず第１の光干渉層、記録層、第２の光干渉層、
反射層、材料層のスパッタレートを測定するため（表
１）に示す材料と条件で各層をガラス基板片上に形成し
た。
【００２０】
【表１】
【００２１】スパッタガスにはＡｒガスを使用した。ス
タイラス法により膜厚を測定してスパッタレートを求め
た。得られたスパッタレートから厳密に膜厚を制御し、
各層の屈折率ｎと消衰係数ｋを決定するための薄膜サン
プルを作製した。薄膜はｎ、ｋ決定精度を上げるために
透過率が十分高く得られる約２０ｎｍの極薄い膜厚とし
た。記録層はアモルファス相と結晶相のｎ、ｋを求め
る。スパッタ後はアモルファス相であるため、結晶相は
窒素雰囲気中で熱処理することにより作製した。膜厚測
定は上記の方法で行い、スペクトロメータにより反射率
と透過率を測定し、測定結果を用いて計算によりｎ、ｋ
を決定した。得られたスパッタレート及びｎ、ｋを（表
２）に示す。
タイラス法により膜厚を測定してスパッタレートを求め
た。得られたスパッタレートから厳密に膜厚を制御し、
各層の屈折率ｎと消衰係数ｋを決定するための薄膜サン
プルを作製した。薄膜はｎ、ｋ決定精度を上げるために
透過率が十分高く得られる約２０ｎｍの極薄い膜厚とし
た。記録層はアモルファス相と結晶相のｎ、ｋを求め
る。スパッタ後はアモルファス相であるため、結晶相は
窒素雰囲気中で熱処理することにより作製した。膜厚測
定は上記の方法で行い、スペクトロメータにより反射率
と透過率を測定し、測定結果を用いて計算によりｎ、ｋ
を決定した。得られたスパッタレート及びｎ、ｋを（表
２）に示す。
【００２２】
【表２】
【００２３】（実施例２）実施例１で決定したｎ、ｋ値
を用いてマトリクス法により多層構成の光学計算を行
い、第１の光干渉層と第２の光干渉層の膜厚を決定し
た。材料層は含まないで計算する。記録層は２３ｎｍ、
反射層は１０ｎｍに固定し、結晶状態の反射率Ｒｃ、反
射率変化ΔＲ、結晶状態の吸収率Ａｃ、結晶相とアモル
ファス相の吸収率比Ａｃ／Ａａを計算し、Ｒｃ＞２０
％、ΔＲ＞１５％、Ａｃ＞６０％、Ａｃ／Ａａ＞１とな
るように光干渉層の膜厚を決定した。計算波長は７９０
ｎｍである。決定した膜厚及び反射率、吸収率の値を
（表３）に示す。膜厚は各層±５％の許容幅があった。
を用いてマトリクス法により多層構成の光学計算を行
い、第１の光干渉層と第２の光干渉層の膜厚を決定し
た。材料層は含まないで計算する。記録層は２３ｎｍ、
反射層は１０ｎｍに固定し、結晶状態の反射率Ｒｃ、反
射率変化ΔＲ、結晶状態の吸収率Ａｃ、結晶相とアモル
ファス相の吸収率比Ａｃ／Ａａを計算し、Ｒｃ＞２０
％、ΔＲ＞１５％、Ａｃ＞６０％、Ａｃ／Ａａ＞１とな
るように光干渉層の膜厚を決定した。計算波長は７９０
ｎｍである。決定した膜厚及び反射率、吸収率の値を
（表３）に示す。膜厚は各層±５％の許容幅があった。
【００２４】
【表３】
【００２５】（実施例３）実施例２で決めた構成の反射
層上に材料層ＺｎＳ−ＳｉＯ2を形成した場合の、材料
層の厚みに対する光学特性の変化を計算し、光学特性が
変わらない材料層の膜厚範囲を決めた。計算結果を（表
４）に示す。
層上に材料層ＺｎＳ−ＳｉＯ2を形成した場合の、材料
層の厚みに対する光学特性の変化を計算し、光学特性が
変わらない材料層の膜厚範囲を決めた。計算結果を（表
４）に示す。
【００２６】
【表４】
【００２７】（表４）の結果から材料層の膜厚が３０ｎ
ｍ以上になると光学特性の変化が大きくなるため、光学
特性がほとんど変化しない範囲で、厚くても高々３０ｎ
ｍで約１０ｎｍが最も好ましいことがわかる。
ｍ以上になると光学特性の変化が大きくなるため、光学
特性がほとんど変化しない範囲で、厚くても高々３０ｎ
ｍで約１０ｎｍが最も好ましいことがわかる。
【００２８】（実施例４）実施例３の計算結果に基づ
き、第１の光干渉層２を１３０ｎｍ、記録層３を２３ｎ
ｍ、第２の光干渉層４を２４ｎｍ、反射層５を１０ｎｍ
として、材料層６の膜厚が０ｎｍ、５ｎｍ、１０ｎｍ、
２０ｎｍ、３０ｎｍ、５０ｎｍ、１００ｎｍであるディ
スク７種類を試作して、アクリル樹脂の塗布状態を確認
した。１．２μｍピッチの案内溝を有する直径１２０ｍ
ｍのポリカーボネート基板１上に、実施例１に記載の静
止対向式スパッタ装置を用いて（表１）に記載の成膜条
件で、第１の光干渉層２、記録層３、第２の光干渉層
４、反射層５、材料層６を順次積層した。積層後、真空
チャンバーよりディスクを取り出し、初期化工程を経て
保護層７を塗布した。保護層７にはウレタンアクリレー
トとアクリル酸エステルモノマーの混合体を使用し、回
転数１２５０ｒｐｍで塗布し、４５００ｒｐｍ２秒で全
面に約３μｍ厚で拡げた。薄く速く均一に塗布するには
低粘度の方が適しており、本実施例で使用したアクリル
樹脂は粘度が約２３ｃＰである。全面に拡げた後、５０
０ｍＷ／ｃｍ2の強度の紫外線を３秒間照射し硬化させ
た。硬化後の状態を目視確認した結果を（表５）に示
す。
き、第１の光干渉層２を１３０ｎｍ、記録層３を２３ｎ
ｍ、第２の光干渉層４を２４ｎｍ、反射層５を１０ｎｍ
として、材料層６の膜厚が０ｎｍ、５ｎｍ、１０ｎｍ、
２０ｎｍ、３０ｎｍ、５０ｎｍ、１００ｎｍであるディ
スク７種類を試作して、アクリル樹脂の塗布状態を確認
した。１．２μｍピッチの案内溝を有する直径１２０ｍ
ｍのポリカーボネート基板１上に、実施例１に記載の静
止対向式スパッタ装置を用いて（表１）に記載の成膜条
件で、第１の光干渉層２、記録層３、第２の光干渉層
４、反射層５、材料層６を順次積層した。積層後、真空
チャンバーよりディスクを取り出し、初期化工程を経て
保護層７を塗布した。保護層７にはウレタンアクリレー
トとアクリル酸エステルモノマーの混合体を使用し、回
転数１２５０ｒｐｍで塗布し、４５００ｒｐｍ２秒で全
面に約３μｍ厚で拡げた。薄く速く均一に塗布するには
低粘度の方が適しており、本実施例で使用したアクリル
樹脂は粘度が約２３ｃＰである。全面に拡げた後、５０
０ｍＷ／ｃｍ2の強度の紫外線を３秒間照射し硬化させ
た。硬化後の状態を目視確認した結果を（表５）に示
す。
【００２９】
【表５】
【００３０】この結果から、材料層６がない場合反射層
５には直接塗布できないが、材料層６が５ｎｍでもあれ
ばディスク全面に均一に塗布できることがわかった。
５には直接塗布できないが、材料層６が５ｎｍでもあれ
ばディスク全面に均一に塗布できることがわかった。
【００３１】（実施例５）実施例４で試作したディスク
の最内周部と最外周部の記録特性を評価した。また反射
率の測定も行った。材料層６が０ｎｍ（ディスクＡ）の
場合保護層７は塗布できないため、５ｎｍ（Ｂ）、１０
ｎｍ（Ｃ）、２０ｎｍ（Ｄ）、３０ｎｍ（Ｅ）、５０ｎ
ｍ（Ｆ）、１００ｎｍ（Ｇ）のディスクについても保護
層７は塗布せずに、材料層６の膜厚に対する記録特性の
相対比較を行った。この実験の目的は、ディスクの熱的
特性が変化しない材料層６の膜厚範囲を明らかにするこ
とである。また、試作ディスクの反射率を測定すること
により、実施例２で行った計算結果との比較を行い、光
学的特性が変化しないための材料層６の膜厚範囲を実験
的に決定できる。記録特性の評価条件は、ディスク回転
数２０００ｒｐｍ、レーザー波長７８０ｎｍ、記録信号
は１．５Ｔ信号である。最内周部及び最外周部ともに消
去バイアスパワーを固定して、記録ピークパワーを変化
させてＣＮ比を測定した。ＣＮ比４３ｄＢとなるピーク
パワーを−２５％としてディスクＡの評価結果から最内
周部及び最外周部の−２５、０、＋１０％のピークパワ
ーを決め、ディスクＢ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、ＦについてもＣＮ
比を測定した。その結果を（表６）に示す。
の最内周部と最外周部の記録特性を評価した。また反射
率の測定も行った。材料層６が０ｎｍ（ディスクＡ）の
場合保護層７は塗布できないため、５ｎｍ（Ｂ）、１０
ｎｍ（Ｃ）、２０ｎｍ（Ｄ）、３０ｎｍ（Ｅ）、５０ｎ
ｍ（Ｆ）、１００ｎｍ（Ｇ）のディスクについても保護
層７は塗布せずに、材料層６の膜厚に対する記録特性の
相対比較を行った。この実験の目的は、ディスクの熱的
特性が変化しない材料層６の膜厚範囲を明らかにするこ
とである。また、試作ディスクの反射率を測定すること
により、実施例２で行った計算結果との比較を行い、光
学的特性が変化しないための材料層６の膜厚範囲を実験
的に決定できる。記録特性の評価条件は、ディスク回転
数２０００ｒｐｍ、レーザー波長７８０ｎｍ、記録信号
は１．５Ｔ信号である。最内周部及び最外周部ともに消
去バイアスパワーを固定して、記録ピークパワーを変化
させてＣＮ比を測定した。ＣＮ比４３ｄＢとなるピーク
パワーを−２５％としてディスクＡの評価結果から最内
周部及び最外周部の−２５、０、＋１０％のピークパワ
ーを決め、ディスクＢ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、ＦについてもＣＮ
比を測定した。その結果を（表６）に示す。
【００３２】
【表６】
【００３３】最外周部の記録ピークパワーは順に９ｍ
Ｗ、１２ｍＷ、１３．２ｍＷで消去バイアスパワーは６
ｍＷ固定、最内周部の記録ピークパワーは順に７．５ｍ
Ｗ、１０ｍＷ、１１ｍＷで消去バイアスパワーは４ｍＷ
固定である。この結果から材料層６の膜厚が０〜２０ｎ
ｍまではＣＮ比の飽和値は変化がない。−２５％の記録
ピークパワーで最内周部最外周部ともに若干ＣＮ比に差
が見られるが、実質的に記録感度の変化がないと判断で
きる。また３０ｎｍ以上になるとＣＮ比の低下が顕著に
なり、光学的にも熱的にもディスク特性に影響している
ことが判る。実施例３で行った光学計算結果と比較する
と、３０ｎｍからΔＲとＡｃが低下する傾向と良く一致
している。次に最内周部最外周部の反射率の測定結果を
（表７）に示す。
Ｗ、１２ｍＷ、１３．２ｍＷで消去バイアスパワーは６
ｍＷ固定、最内周部の記録ピークパワーは順に７．５ｍ
Ｗ、１０ｍＷ、１１ｍＷで消去バイアスパワーは４ｍＷ
固定である。この結果から材料層６の膜厚が０〜２０ｎ
ｍまではＣＮ比の飽和値は変化がない。−２５％の記録
ピークパワーで最内周部最外周部ともに若干ＣＮ比に差
が見られるが、実質的に記録感度の変化がないと判断で
きる。また３０ｎｍ以上になるとＣＮ比の低下が顕著に
なり、光学的にも熱的にもディスク特性に影響している
ことが判る。実施例３で行った光学計算結果と比較する
と、３０ｎｍからΔＲとＡｃが低下する傾向と良く一致
している。次に最内周部最外周部の反射率の測定結果を
（表７）に示す。
【００３４】
【表７】
【００３５】反射率についても光学計算値と傾向は良く
一致しており、３０ｎｍまでは反射率に影響しない。以
上の結果から光学的熱的変化を生じることなく形成でき
る、材料層６の膜厚範囲は５〜３０ｎｍであり、約１０
ｎｍが最適であることが明らかである。
一致しており、３０ｎｍまでは反射率に影響しない。以
上の結果から光学的熱的変化を生じることなく形成でき
る、材料層６の膜厚範囲は５〜３０ｎｍであり、約１０
ｎｍが最適であることが明らかである。
【００３６】（実施例６）実施例１、２、３、４、５
を、反射層５として他の貴金属元素Ｐｔ、Ａｇ、Ｐｄに
ついても行い同様の結果を得た。
を、反射層５として他の貴金属元素Ｐｔ、Ａｇ、Ｐｄに
ついても行い同様の結果を得た。
【００３７】（実施例７）実施例１、２、３、４、５
を、材料層６としてＴａ2Ｏ5、ＧｅＮ、ＺｎＳ、Ｓｉ
Ｃ、ＣａＦ2についても行い同様の結果を得た。
を、材料層６としてＴａ2Ｏ5、ＧｅＮ、ＺｎＳ、Ｓｉ
Ｃ、ＣａＦ2についても行い同様の結果を得た。
【００３８】（実施例８）次に第２の発明について説明
する。（表１）記載の材料及び成膜条件で直径１２０ｍ
ｍのポリカーボネート基板１上に、第１の光干渉層２を
１３０ｎｍ、記録層３を２３ｎｍ、第２の光干渉層４を
２４ｎｍ、反射層５を１０ｎｍ順次スパッタにより形成
し初期化を行った。反射層５に直接塗布できる樹脂の粘
度を決めるため、エポキシ樹脂とスチレンコポリマーの
混合比を変えて塗布実験を行った。その結果を（表８）
に示す。
する。（表１）記載の材料及び成膜条件で直径１２０ｍ
ｍのポリカーボネート基板１上に、第１の光干渉層２を
１３０ｎｍ、記録層３を２３ｎｍ、第２の光干渉層４を
２４ｎｍ、反射層５を１０ｎｍ順次スパッタにより形成
し初期化を行った。反射層５に直接塗布できる樹脂の粘
度を決めるため、エポキシ樹脂とスチレンコポリマーの
混合比を変えて塗布実験を行った。その結果を（表８）
に示す。
【００３９】
【表８】
【００４０】粘度１０００〜１５００ｃＰの樹脂はＡｕ
反射層５にはじくことなく塗布でき、５００ｃＰ以下は
はじいて塗布ムラが発生した。粘度が大きいと塗布厚が
大きくなるため、塗布状態と塗り厚を考慮して粘度は１
０００〜１４００ｃＰが最も好ましい。また、エポキシ
樹脂に限らずアクリル樹脂でも粘度が１０００〜１４０
０ｃＰであればＡｇ、Ｐｔ、Ｐｄといった他の貴金属に
塗布することが可能であることが確認できた。粘度の低
い樹脂と比較して塗布時間と塗布厚は大きくなるが、材
料層を形成しなくて良いため設備の簡素化が図れる。
反射層５にはじくことなく塗布でき、５００ｃＰ以下は
はじいて塗布ムラが発生した。粘度が大きいと塗布厚が
大きくなるため、塗布状態と塗り厚を考慮して粘度は１
０００〜１４００ｃＰが最も好ましい。また、エポキシ
樹脂に限らずアクリル樹脂でも粘度が１０００〜１４０
０ｃＰであればＡｇ、Ｐｔ、Ｐｄといった他の貴金属に
塗布することが可能であることが確認できた。粘度の低
い樹脂と比較して塗布時間と塗布厚は大きくなるが、材
料層を形成しなくて良いため設備の簡素化が図れる。
【００４１】
【発明の効果】以上のように本発明は、基板上に少なく
とも貴金属を含む反射層と樹脂材料からなる保護層を有
する光学情報記録媒体であって、反射層と保護層の間
に、窒化物、酸化物、フッ化物、炭化物、硫化物の中か
ら形成される群より選ばれる材料層が形成されているこ
とにより、光学的熱的特性を変えずに貴金属反射層上に
粘度が低い樹脂が塗布できるという効果が得られた。
とも貴金属を含む反射層と樹脂材料からなる保護層を有
する光学情報記録媒体であって、反射層と保護層の間
に、窒化物、酸化物、フッ化物、炭化物、硫化物の中か
ら形成される群より選ばれる材料層が形成されているこ
とにより、光学的熱的特性を変えずに貴金属反射層上に
粘度が低い樹脂が塗布できるという効果が得られた。
【図１】本発明の光学情報記録媒体における一実施の形
態の部分断面図
態の部分断面図
【図２】同、別の実施の形態の部分断面図
１ 基板 ２ 第１の光干渉層 ３ 記録層 ４ 第２の光干渉層 ５ 反射層 ６ 材料層 ７ 保護層 ８ 保護層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山田 昇 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (10)
- 【請求項１】 基板上に貴金属を含む反射層と、樹脂材
料からなる保護層と、単層または複数の層よりなる情報
記録可能な記録層とを有する光学情報記録媒体であっ
て、上記基板と上記反射層の間に上記記録層が形成さ
れ、上記反射層と上記保護層の間に窒化物、酸化物、フ
ッ化物、炭化物、硫化物の中から形成される群より選ば
れる材料層が形成されていることを特徴とする光学情報
記録媒体。 - 【請求項２】 基板上に貴金属を含む反射層と、樹脂材
料からなる保護層と、単層または複数の層よりなる情報
記録可能な記録層とを有する光学情報記録媒体であっ
て、上記基板と上記反射層の間に上記記録層が形成さ
れ、上記保護層がエポキシ樹脂を主成分とし、上記保護
層の硬化収縮率Ｘが０≦Ｘ≦５（％）であり、上記保護
層の２５℃における硬化前の粘度Ｙが６００≦Ｙ≦１４
００（ｃＰ）であることを特徴とする光学情報記録媒
体。 - 【請求項３】 基板上に凹凸ピット信号が記録された再
生専用型であることを特徴とする請求項１または請求項
２記載の光学情報記録媒体。 - 【請求項４】 基板と反射層の間に少なくとも追記型記
録層を有することを特徴とする請求項１または請求項２
記載の光学情報記録媒体。 - 【請求項５】 基板と反射層の間に少なくとも書換型記
録層を有することを特徴とする請求項１または請求項２
記載の光学情報記録媒体。 - 【請求項６】 保護層がアクリル樹脂を主成分とし、硬
化収縮率Ａが８≦Ａ≦１２（％）、２５℃における硬化
前の粘度Ｂが１０≦Ｂ≦１００（ｃＰ）であることを特
徴とする請求項１記載の光学情報記録媒体。 - 【請求項７】 保護層の厚みｄが２≦ｄ≦３０（μｍ）
であることを特徴とする請求項１または請求項２記載の
光学情報記録媒体。 - 【請求項８】 材料層の厚みＤが５≦Ｄ≦３０（ｎｍ）
であることを特徴とする請求項１記載の光学情報記録媒
体。 - 【請求項９】 反射層がＡｕを主成分とすることを特徴
とする請求項１または請求項２記載の光学情報記録媒
体。 - 【請求項１０】 材料層がＺｎＳ−ＳｉＯ2を主成分と
することを特徴とする請求項１記載の光学情報記録媒
体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9160838A JPH117656A (ja) | 1997-06-18 | 1997-06-18 | 光学情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9160838A JPH117656A (ja) | 1997-06-18 | 1997-06-18 | 光学情報記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH117656A true JPH117656A (ja) | 1999-01-12 |
Family
ID=15723511
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9160838A Pending JPH117656A (ja) | 1997-06-18 | 1997-06-18 | 光学情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH117656A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100373467C (zh) * | 2003-07-01 | 2008-03-05 | Tdk株式会社 | 光学记录介质、光学记录/再现设备、光学记录设备和光学再现设备、针对光学记录介质的数据记录/再现方法、和数据记录方法和数据再现方法 |
-
1997
- 1997-06-18 JP JP9160838A patent/JPH117656A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100373467C (zh) * | 2003-07-01 | 2008-03-05 | Tdk株式会社 | 光学记录介质、光学记录/再现设备、光学记录设备和光学再现设备、针对光学记录介质的数据记录/再现方法、和数据记录方法和数据再现方法 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050215 |
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| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050412 |
|
| RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20050624 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060704 |