JPH1184673A - パターン形成用レジスト積層体及びそれを用いたパターン形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 断面形状に優れた、忠実度の高いパターンを
形成しうる、反射防止層を含むパターン形成用レジスト
積層体、及びそれを用いてパターンを形成する方法を提
供する。 【解決手段】 基板上に設けられた反射防止層の上に、
オキシムスルホネート系化合物及びトリス（ハロゲノア
ルキル）イソシアヌレートから成る酸発生剤を含むネガ
型レジスト層を有するレジスト積層体を作成し、及びこ
の積層体のネガ型レジスト層に、活性線を選択的に照射
後、加熱処理を施したのち、現像処理して反射防止層に
ネガ型レジストパターンを形成させ、次いでこのレジス
トパターンをマスクとしてドライエッチング処理して基
板上にパターンを形成させる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、パターン形成用レ
ジスト積層体及びそれを用いたパターン形成方法、さら
に詳しくは、断面形状の良好なレジストパターンを与え
ることができる解像性の高いパターン形成用レジスト積
層体及びこのパターン形成用レジスト積層体を用いてパ
ターンを形成する方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体デバイスの製造分野におい
ては、デバイスの集積度の向上に伴い、リソグラフィ技
術で使用する活性線の短波長化が進み、ｉ線（３６５ｎ
ｍ）、遠紫外線、エキシマレーザー光などを用いた技術
が主流となってきた。ところで、このような活性線の短
波長化が進むと基板からの反射光が大きくなり、この反
射光によるレジストパターンの局所的な歪み（ノッチン
グ）や寸法精度の劣化などが問題となってくる。

【０００３】このような反射光に起因するトラブルを解
決する方法の１つとして反射防止膜を設けることが提案
されているが、この場合のレジストについては高い感度
と解像性を必要とすることから、化学増幅型レジスト組
成物を使用するのが有利である。この化学増幅型レジス
ト組成物は、活性線の照射により生成した酸の触媒作用
を利用したものであって、ポジ型とネガ型の２つのタイ
プがあり、これらは一般に酸発生剤と、発生する酸の作
用によりアルカリ水溶液に対する溶解性が変化する被膜
形成成分とを基本成分としている。

【０００４】そして、ポジ型レジストとしては、例えば
被膜形成成分としてヒドロキシスチレンの単独重合体や
ヒドロキシスチレンと他のスチレン系単量体との共重合
体などのアルカリ可溶性樹脂と、酸の作用によりアルカ
リに対する溶解性が増大する溶解抑制剤を組み合わせた
ものや、ポリヒドロキシスチレンなどのアルカリ可溶性
樹脂の水酸基の一部を置換基で保護してアルカリ不溶性
とした樹脂などが知られている。

【０００５】一方、ネガ型レジストとしては、例えば被
膜形成成分としてノボラック樹脂、ヒドロキシスチレン
の単独重合体やヒドロキシスチレンと他のスチレン系単
量体との共重合体などのアルカリ可溶性樹脂、又はポリ
ヒドロキシスチレンなどのアルカリ可溶性樹脂における
水酸基の一部を置換基で保護してアルカリ不溶性とした
樹脂と、酸硬化性物質とを組み合わせたものが知られて
いる。

【０００６】しかしながら、これまでの化学増幅型レジ
スト、特にネガ型レジストにおいては、反射防止膜上で
レジストパターンを形成する場合、反射防止膜と接する
レジストパターン下部に食い込みを生じ、矩形の良好な
断面形状を有するレジストパターンが形成できない。

【０００７】そして、反射防止膜上で断面形状が不良の
レジストパターンが形成されるとそのレジストパターン
をマスクとして反射防止膜をドライエッチングする際
に、寸法精度の高いエッチングができず、結果として解
像性の良いパターンが得られないことになる。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
事情に鑑み、反射光に起因するトラブルを抑制し、かつ
良好な断面形状をもち、忠実度の高いパターンを形成し
うるパターン形成用レジスト積層体及びそれを用いたパ
ターン形成方法を提供することを目的としてなされたも
のである。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、反射防止
膜を有するレジスト積層体の性能改善について鋭意研究
を重ね、先に基板上に設けられた反射防止膜の上に、オ
キシムスルホネート系化合物から成る酸発生剤を含有す
るネガ型レジスト膜を形成することにより、断面形状の
良好なレジストパターンを与えることができるパターン
形成用レジスト積層体が得られることを見出したが、さ
らに研究を進めた結果、オキシムスルホネート系化合物
とトリス（ハロゲノアルキル）イソシアヌレートから成
る酸発生剤を用いることにより、パターンの断面形状が
いっそう優れたものになることを見出し、この知見に基
づいて本発明をなすに至った。

【００１０】すなわち、本発明は、基板上に設けられた
反射防止層の上に、オキシムスルホネート系化合物及び
トリス（ハロゲノアルキル）イソシアヌレートから成る
酸発生剤を含有するネガ型レジスト層を積層したことを
特徴とするパターン形成用レジスト積層体、及びこのレ
ジスト積層体のネガ型レジスト層に活性線を選択的に照
射後、加熱処理を施したのち、現像処理して反射防止層
上にネガ型レジストパターンを形成させ、次いでこのレ
ジストパターンをマスクとして露出した反射防止層をド
ライエッチングすることを特徴とするパターン形成方法
を提供するものである。

【００１１】

【発明の実施の形態】本発明のレジスト積層体において
用いられる反射防止層については特に制限はなく、これ
までレジスト材料に慣用されているものの中から任意に
選んで使用することができる。このような反射防止層と
しては、例えば紫外線吸収剤と架橋剤とを含有するも
の、紫外線吸収剤とバインダー樹脂とを含有するもの、
紫外線吸収剤と架橋剤とバインダー樹脂とを含有するも
のなどを挙げることができる。ここで用いられる紫外線
吸収剤は、一般に紫外線吸収剤として用いられているベ
ンゾフェノン系化合物、アゾメチン系化合物、ジフェニ
ルスルホン系化合物、ジフェニルスルホキシド系化合物
などのいずれでもよい。このような紫外線吸収剤の例と
しては、２，２′，４，４′‐テトラヒドロキシベンゾ
フェノン、２‐ヒドロキシ‐４′‐ジメチルアミノベン
ゾフェノン、２，４‐ジヒドロキシ‐４′‐ジメチルア
ミノベンゾフェノン、２，４‐ジヒドロキシ‐４′‐ジ
エチルアミノベンゾフェノン、４，４′‐ビス（ジエチ
ルアミノ）ベンゾフェノン、４，４′‐ビス（ジメチル
アミノ）ベンゾフェノンなどのベンゾフェノン系化合
物、３‐ヒドロキシ‐Ｎ‐（４‐ジエチルアミノベンジ
リデン）アニリン、２‐ヒドロキシ‐Ｎ‐（４‐ジエチ
ルアミノベンジリデン）アニリン、４‐ヒドロキシ‐Ｎ
‐（４‐ジエチルアミノベンジリデン）アニリン、４‐
ヒドロキシ‐Ｎ‐（４‐ジエチルアミノベンジリデン）
‐１‐ナフチルアミン、２‐ヒドロキシ‐５‐クロロ‐
Ｎ‐（４‐ジエチルアミノベンジリデン）アニリン、
２，４‐ジヒドロキシ‐Ｎ‐（４‐ジエチルアミノベン
ジリデン）アニリン、３‐ニトロ‐４‐ヒドロキシ‐Ｎ
‐（４‐ジエチルアミノベンジリデン）アニリン、２‐
メチル‐４‐ヒドロキシ‐Ｎ‐（４‐ジエチルアミノベ
ンジリデン）アニリン、３‐ヒドロキシ‐４‐メトキシ
‐Ｎ‐（４‐ジエチルアミノベンジリデン）アニリン、
４‐ジエチルアミノ‐Ｎ‐（３‐ヒドロキシ‐４‐メト
キシベンジリデン）アニリンなどがある。そのほか、次
の化学式を有するアゾメチン系化合物も用いることがで
きる。

【化４】 また、ビス（２，４‐ジヒドロキシフェニル）スルホ
ン、ビス（３，４‐ジヒドロキシフェニル）スルホン、
ビス（３，５‐ジヒドロキシフェニル）スルホン、ビス
（３，６‐ジヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（４
‐ヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（３‐ヒドロキ
シフェニル）スルホン、ビス（３，５‐ジメチル‐４‐
ヒドロキシフェニル）スルホンなどのジフェニルスルホ
ン系化合物、ビス（２，３‐ジヒドロキシフェニル）ス
ルホキシド、ビス（５‐クロロ‐２，３‐ジヒドロキシ
フェニル）スルホキシド、ビス（２，４‐ジヒドロキシ
フェニル）スルホキシド、ビス（２，４‐ジヒドロキシ
‐６‐メチルフェニル）スルホキシド、ビス（５‐クロ
ロ‐２，４‐ジヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビ
ス（２，５‐ジヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビ
ス（３，４‐ジヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビ
ス（３，５‐ジヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビ
ス（２，３，４‐トリヒドロキシフェニル）スルホキシ
ド、ビス（２，３，４‐トリヒドロキシ‐６‐メチルフ
ェニル）スルホキシド、ビス（５‐クロロ‐２，３，４
‐トリヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（２，
４，６‐トリヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス
（５‐クロロ‐２，４，６‐トリヒドロキシフェニル）
スルホキシドなどのジフェニルスルホキシド系化合物な
ども用いることができる。これらの紫外線吸収剤は単独
で用いてもよいし、また２種以上を組み合わせて用いて
もよい。

【００１２】また、架橋剤としては、加熱により自己同
士、あるいは併用する紫外線吸収剤又はバインダー樹脂
あるいはその両方との間で架橋を形成しうる官能基をも
つもの、例えばヒドロキシアルキル基又はアルコキシア
ルキル基あるいはその両方で置換されたアミノ基を少な
くとも２個有する含窒素化合物を挙げることができる。
このような化合物の例としては、アミノ基の水素原子が
メチロール基又はアルコキシメチル基あるいはその両方
で置換されたメラミン、尿素、グアナミン、ベンゾグア
ナミン、グリコールウリル、スクシニルアミド、エチレ
ン尿素などを挙げることができる。これらの含窒素化合
物は、例えばメラミン、尿素、グアナミン、ベンゾグア
ナミン、グリコールウリル、スクシニルアミド、エチレ
ン尿素などを沸騰水中においてホルマリンと反応させて
メチロール化することにより、あるいはこれにさらにメ
タノール、エタノール、ｎ‐プロパノール、イソプロパ
ノールのような低級アルコールを反応させてアルコキシ
ル化することにより容易に製造することができる。

【００１３】これらの含窒素化合物の中では、特に一般
式

【化５】 （式中のＡは水素原子、アルキル基、アラルキル基、ア
リール基又は−ＮＲ⁶Ｒ⁷基を示し、Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁸、
Ｒ⁹、Ｒ¹⁰及びＲ¹¹はたがいに同じか異なったもので、
それぞれ水素原子、メチロール基又はアルコキシメチル
基を示すが、分子中に存在する４〜６個のＲ⁶、Ｒ⁷、Ｒ
⁸、Ｒ⁹、Ｒ¹⁰及びＲ¹¹の中の少なくとも２個はメチロー
ル基又はアルコキシメチル基である）で表わされる化合
物が架橋反応性がよいので有利である。この一般式で表
わされる化合物中のメラミン誘導体はメラミン環１個当
り、メチロール基又はアルコキシメチル基を平均３個以
上６個未満有するものが好ましく、このようなメラミン
誘導体としては、市販のメラミン環１個当り、メトキシ
メチル基が平均３．７個置換されているＭｘ−７５０、
メラミン環１個当り、メトキシメチル基が平均５．８個
置換されているＭｗ−３０（いずれも三和ケミカル社
製）、またベンゾグアナミン誘導体としてはサイメルシ
リーズ（三井サイアナミッド社製）などがある。また、
これらの化合物は二量体又は三量体として用いてもよ
い。本発明においては、前記架橋剤を単独で用いてもよ
いし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

【００１４】一方、バインダー樹脂としては、ポリアミ
ド酸、ポリスルホン、ハロゲン化重合体、ポリアセター
ル、アセタール共重合体、α‐置換ビニル重合体、ポリ
アミン酸、ポリブテンスルホン酸、アクリル系樹脂など
があるが、特にアクリル系樹脂が好ましい。このアクリ
ル系樹脂としては、例えばグリシジルアクリレート、メ
チルアクリレート、エチルアクリレート、プロピルアク
リレートなどのアルキルアクリレート、４‐（４‐ヒド
ロキシフェニル）スルホニルフェニルアクリレート及び
対応するメタクリレートなどを重合して得られる重合体
が好ましい。このような重合体としては、例えばポリグ
リシジルアクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリ
エチルアクリレート、ポリ［４‐（４‐ヒドロキシフェ
ニル）スルホニルフェニルアクリレート］、グリシジル
アクリレートとメチルアクリレートとの共重合体及び対
応するメタクリレート重合体又は共重合体などを挙げる
ことができる。なお、これらの中で、グリシジルメタク
リレートとメチルメタクリレートとの重量比２：８ない
し８：２、特に３：７ないし７：３の共重合体や、ポリ
［４‐（４‐ヒドロキシフェニル）スルホニルフェニル
メタクリレート］が反射防止層上に形成するレジスト膜
との間にインターミキシング層を発生しにくいという点
で有利である。

【００１５】本発明の積層体における反射防止層には、
上記した紫外線吸収剤及び架橋剤やバインダー樹脂のほ
かに必要に応じて、相容性のある公知の添加剤、例えば
酢酸、シュウ酸、マレイン酸、ｏ‐ヒドロキシ安息香
酸、３，５‐ジニトロ安息香酸、２，６‐ジヒドロキシ
安息香酸、ｏ‐ヒドロキシ安息香酸とｐ‐キシレンとの
共重合体として市販されているＳＡＸ（商品名、三井東
圧化学社製）などの有機酸を添加することができる。

【００１６】この反射防止層は、例えば上記した紫外線
吸収剤及び架橋剤やバインダー樹脂と必要に応じて配合
される各種添加剤を適当な溶剤に溶解して溶液を調製
し、基板上に塗布、乾燥することによって形成させるこ
とができる。この際の溶剤としては、例えばアセトン、
メチルエチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサ
ノン、メチルイソアミルケトン、２‐ヘプタノン、１，
１，１‐トリメチルアセトンなどのケトン類や、エチレ
ングリコール、エチレングリコールモノアセテート、ジ
エチレングリコール又はジエチレングリコールモノアセ
テート、プロピレングリコール、プロピレングリコール
モノアセテート、あるいはこれらのモノメチルエーテ
ル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノ
ブチルエーテル又はモノフェニルエーテルなどの多価ア
ルコール類及びその誘導体や、ジオキサンのような環状
エーテル類や、乳酸エチル、酢酸メチル、酢酸エチル、
酢酸ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、３
‐メトキシプロピオン酸メチル、３‐エトキシプロピオ
ン酸エチルなどのエステル類などが用いられる。これら
は単独で用いてもよいし、２種以上を混合して用いても
よい。

【００１７】また、この反射防止層形成用溶液には、塗
布性の向上やストリエーション防止のために、所望によ
り界面活性剤を添加することもできる。このような界面
活性剤としては、例えばサーフロンＳＣ−１０３、ＳＲ
−１００（旭硝子社製）、ＥＦ−３５１（東北肥料社
製）、フロラードＦｃ−４３１、フロラードＦｃ−１３
５、フロラードＦｃ−９８、フロラードＦｃ−４３０、
フロラードＦｃ−１７６（住友３Ｍ社製）などのフッ素
系界面活性剤を挙げることができる。この場合の添加量
としては反射防止層形成用溶液の固形分に対して、２０
００ｐｐｍ未満の範囲で選ぶのが好ましい。

【００１８】本発明における反射防止層は上記したよう
な紫外線吸収剤及び架橋剤やバインダー樹脂を含有する
ものが好ましい。その配合割合としては、紫外線吸収剤
と架橋剤とを含有するものの場合には、紫外線吸収剤１
００重量部に対して、架橋剤１０〜３００重量部、好ま
しくは２０〜２００重量部の範囲が選ばれ、また紫外線
吸収剤と架橋剤とバインダー樹脂とを含有するものの場
合には、紫外線吸収剤と架橋剤の合計量１００重量部に
対し、バインダー樹脂１〜４００重量部、好ましくは５
〜３００重量部の範囲が選ばれる。さらに紫外線吸収剤
とバインダー樹脂とを含有するものの場合には、バイン
ダー樹脂１００重量部に対し、紫外線吸収剤１〜２００
重量部、好ましくは５〜１５０重量部の範囲で配合する
のが有利である。紫外線吸収剤と架橋剤やバインダー樹
脂との配合割合が上記範囲を逸脱すると、基板からの反
射光の抑制効果が不十分になる。

【００１９】本発明のレジスト積層体における反射防止
層は、例えばシリコンウエーハなどの基板上に、前記の
ようにして調製した反射防止層形成用溶液をスピンナー
などの慣用的な塗布手段を用いて塗布し、乾燥させ、次
いで１５０〜３００℃の範囲の温度で加熱することによ
り形成することができる。この反射防止層の厚さは、通
常０．０５〜０．３μｍ程度で、基板表面の凹凸により
適宜選択すればよい。

【００２０】次に、本発明のパターン形成用レジスト積
層体において、基板上に設けられた前記反射防止層の上
に形成されるネガ型レジスト層として好適なものは、
（Ａ）フェノール性水酸基含有アルカリ可溶性樹脂及び
その水酸基の一部を酸に対して不活性な置換基で保護し
てアルカリ不溶性とした樹脂の中から選ばれた少なくと
も１種と、（Ｂ）オキシムスルホネート系化合物及びト
リス（ハロゲノアルキル）イソシアヌレートから成る酸
発生剤と、（Ｃ）架橋性化合物とを含有するものであ
る。

【００２１】前記（Ａ）成分のフェノール性水酸基含有
アルカリ可溶性樹脂としては、例えば各種ノボラック樹
脂やポリヒドロキシスチレン系樹脂などを挙げることが
できる。該ノボラック樹脂としては、例えばフェノー
ル、ｍ‐クレゾール、ｐ‐クレゾール、ｏ‐クレゾー
ル、２，３‐キシレノール、２，５‐キシレノール、
３，５‐キシレノール、３，４‐キシレノール、２，
３，５‐トリメチルフェノール、２，３，５‐トリエチ
ルフェノールなどのフェノール系化合物と、ホルムアル
デヒド、パラホルムアルデヒド、トリオキサンなどのア
ルデヒド類とを酸性触媒の存在下に常法により縮合させ
て得られるものである。このノボラック樹脂は、重量平
均分子量２０００〜３００００のものが好ましく、この
重量平均分子量が２０００未満では残膜率が低下すると
ともに、レジストパターン形状が悪くなるし、また、３
００００を超えると解像性が劣化する。

【００２２】一方、ポリヒドロキシスチレン系樹脂は、
例えばヒドロキシスチレンの単独重合体やヒドロキシス
チレンと他のスチレン系単量体との共重合体、ヒドロキ
シスチレンとアクリル酸やメタクリル酸やそれらの誘導
体との共重合体などである。ここで、他のスチレン系単
量体としては、例えばスチレン、ｐ‐メチルスチレン、
α‐メチルスチレン、ｏ‐メチルスチレン、ｐ‐メトキ
シスチレン、ｐ‐クロロスチレン及びこれらの混合物な
どが挙げられる。またアクリル酸やメタクリル酸の誘導
体としては、例えばアクリル酸メチル、アクリル酸エチ
ル、アクリル酸２‐ヒドロキシエチル、アクリル酸２‐
ヒドロキシプロピル、アクリル酸アミド、アクリロニト
リル、これらに対応するメタクリル酸誘導体及びこれら
の混合物などを挙げることができる。このポリヒドロキ
シスチレン系樹脂は、重量平均分子量１０００〜３００
００のものが好ましく、重量平均分子量が１０００未満
では残膜率が低下するとともに、レジストパターン形状
が悪くなるし、３００００を超えると解像性が劣化す
る。

【００２３】また、水酸基の一部を酸に対して不活性な
置換基で保護してアルカリ不溶性とした樹脂としては、
例えば上記したノボラック樹脂やポリヒドロキシスチレ
ン系樹脂の水酸基の一部を酸に対して不活性な置換基で
保護した樹脂を挙げることができる。

【００２４】この酸に対して不活性な置換基とは、酸に
より変化しない置換基のことであり、このような置換基
としては、例えば置換又は未置換のベンゼンスルホニル
基、置換又は未置換のナフタレンスルホニル基、置換又
は未置換のベンゼンカルボニル基、置換又は未置換のナ
フタレンカルボニル基などが挙げられる。置換又は未置
換のベンゼンスルホニル基の例としては、ベンゼンスル
ホニル基、クロロベンゼンスルホニル基、メチルベンゼ
ンスルホニル基、エチルベンゼンスルホニル基、プロピ
ルベンゼンスルホニル基、メトキシベンゼンスルホニル
基、エトキシベンゼンスルホニル基、プロポキシベンゼ
ンスルホニル基、アセトアミノベンゼンスルホニル基な
どがあり、置換又は未置換のナフタレンスルホニル基の
例としては、ナフタレンスルホニル基、クロロナフタレ
ンスルホニル基、メチルナフタレンスルホニル基、エチ
ルナフタレンスルホニル基、プロピルナフタレンスルホ
ニル基、メトキシナフタレンスルホニル基、エトキシナ
フタレンスルホニル基、プロポキシナフタレンスルホニ
ル基、アセトアミノナフタレンスルホニル基などがあ
る。また、置換又は未置換のベンゼンカルボニル基及び
置換又は未置換のナフタレンカルボニル基の例として
は、前記置換基中のスルホニル基をカルボニル基に置き
換えたものなどがある。

【００２５】これらの酸に対して不活性な置換基による
置換率は、アルカリ可溶性樹脂の水酸基に対し、０．０
１〜１モル％の範囲、特に０．０８〜０．１５モル％の
範囲が好ましい。

【００２６】前記（Ａ）成分のフェノール性水酸基含有
アルカリ可溶性樹脂の中では、ポリヒドロキシスチレン
系樹脂、特にポリヒドロキシスチレン及びｐ‐ヒドロキ
シスチレンとスチレンとの共重合体が好ましい。また、
水酸基の一部を酸に対して不活性な置換基で保護してア
ルカリ不溶性とした樹脂としては、ポリヒドロキシスチ
レンの水酸基の一部をアセトアミノベンゼンスルホニル
基で置換したものが感度及び解像性に優れるので有利で
ある。これらの樹脂成分は単独で用いてもよいし、また
２種以上を組み合わせて用いてもよい。

【００２７】また、（Ｂ）成分の酸発生剤の一方の成分
のオキシムスルホネート系化合物としては、例えば特公
平４−７３４６５号公報に記載されているα‐（ｐ‐ト
ルエンスルホニルオキシイミノ）‐フェニルアセトニト
リル、α‐（ｐ‐クロロベンゼンスルホニルオキシイミ
ノ）‐フェニルアセトニトリル、α‐（４‐ニトロベン
ゼンスルホニルオキシイミノ）‐フェニルアセトニトリ
ル、α‐（４‐ニトロ‐２‐トリフルオロメチルベンゼ
ンスルホニルオキシイミノ）‐フェニルアセトニトリ
ル、α‐（ベンゼンスルホニルオキシイミノ）‐４‐ク
ロロフェニルアセトニトリル、α‐（ベンゼンスルホニ
ルオキシイミノ）‐２，４‐ジクロロフェニルアセトニ
トリル、α‐（ベンゼンスルホニルオキシイミノ）‐
２，６‐ジクロロフェニルアセトニトリル、α‐（ベン
ゼンスルホニルオキシイミノ）‐４‐メトキシフェニル
アセトニトリル、α‐（２‐クロロベンゼンスルホニル
オキシイミノ）‐４‐メトキシフェニルアセトニトリ
ル、α‐（ベンゼンスルホニルオキシイミノ）‐２‐チ
エニルアセトニトリル、α‐（４‐ドデシルベンゼンス
ルホニルオキシイミノ）‐フェニルアセトニトリル、α
‐（４‐トルエンスルホニルオキシイミノ）‐４‐メト
キシフェニルアセトニトリル、α‐（４‐ドデシルベン
ゼンスルホニルオキシイミノ）‐４‐メトキシフェニル
アセトニトリル、α‐（トリルスルホニルオキシイミ
ノ）‐３‐チエニルアセトニトリルなどが用いられる。

【００２８】このオキシムスルホネート系化合物の中
で、特に一般式

【化６】 （式中のＲ¹は芳香族性環基、Ｒ²は低級アルキル基又は
ハロゲン化低級アルキル基である）で表わされる化合
物、又は一般式

【化７】 （式中のＲ³及びＲ⁴は置換又は未置換の非芳香族性炭化
水素基である）で表わされる化合物、又は一般式

【化８】 （式中のＡは二価又は三価の有機基、Ｒ⁵は置換又は未
置換の炭化水素基、ｎは２又は３の整数である）で表わ
される化合物を用いると、前記した公知のオキシムスル
ホネート系化合物を用いた場合よりもより高感度で正確
な矩形状の断面形状をもつ良好なレジストパターンが得
られる。

【００２９】前記一般式（ＩＩ）において、Ｒ¹の芳香
族性環基とは、芳香族化合物に特有な物理的、化学的性
質を示す基を意味し、このようなものとしては例えばフ
ェニル基、ナフチル基、フリル基、チエニル基などがあ
る。また、これらの芳香族性環基は塩素原子、臭素原
子、ヨウ素原子のようなハロゲン原子、アルキル基、ア
ルコキシル基、ニトロ基などの不活性な置換基を有して
いてもよい。またＲ²の低級アルキル基又はハロゲン化
低級アルキル基の中では、特にメチル基、エチル基、ｎ
‐プロピル基、イソプロピル基、ブチル基などの炭素数
１〜４のアルキル基、トリクロロメチル基、トリフルオ
ロメチル基が好適である。

【００３０】この一般式（ＩＩ）で表わされる化合物の
例としては、α‐（メチルスルホニルオキシイミノ）‐
フェニルアセトニトリル、α‐（メチルスルホニルオキ
シイミノ）‐４‐メトキシフェニルアセトニトリル、α
‐（トリフルオロメチルスルホニルオキシイミノ）‐フ
ェニルアセトニトリル、α‐（トリフルオロメチルスル
ホニルオキシイミノ）‐４‐メトキシフェニルアセトニ
トリル、α‐（エチルスルホニルオキシイミノ）‐４‐
メトキシフェニルアセトニトリル、α‐（プロピルスル
ホニルオキシイミノ）‐４‐メチルフェニルアセトニト
リル、α‐（メチルスルホニルオキシイミノ）‐４‐ブ
ロモフェニルアセトニトリルなどを挙げることができ
る。

【００３１】次に、前記一般式（ＩＩＩ）における、Ｒ
³及びＲ⁴の置換又は未置換の非芳香族性炭化水素基とし
ては、アルキル基、ハロゲン化アルキル基、アルケニル
基、シクロアルキル基、シクロアルケニル基、アルコキ
シ基、シクロアルコキシ基及びアダマンチル基がある。

【００３２】ここで、アルキル基の例としては、炭素数
１〜１２の直鎖状又は枝分れ状のアルキル基、例えばメ
チル基、エチル基、ｎ‐プロピル基、イソプロピル基、
ｎ‐ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ‐ブチル基、ｔｅ
ｒｔ‐ブチル基、ｎ‐ペンチル基、ｎ‐オクチル基、ｎ
‐ドデシル基などが挙げられる。

【００３３】また、ハロゲン化アルキル基におけるハロ
ゲン原子の導入数については特に制限はなく、１個導入
されていてもよいし、複数導入されていてもよい。この
ようなハロゲン化アルキル基としては、炭素数１〜４の
ハロゲン化アルキル基、例えばクロロメチル基、トリク
ロロメチル基、トリフルオロメチル基、２‐ブロモプロ
ピル基などが挙げられる。

【００３４】次に、アルケニル基としては、炭素数２〜
６の直鎖状又は枝分れ状のアルケニル基、例えばビニル
基、アリル基、１‐プロペニル基、イソプロペニル基、
２‐ブテニル基などが、シクロアルキル基としては、炭
素数５〜１２のシクロアルキル基、例えばシクロペンチ
ル基、シクロヘキシル基、シクロオクチル基、シクロド
デシル基などが、シクロアルケニル基としては、炭素数
４〜８のシクロアルケニル基、例えば１‐シクロブテニ
ル基、１‐シクロペンテニル基、１‐シクロヘキセニル
基、１‐シクロヘプテニル基、１‐シクロオクテニル基
などが、また、アルコキシ基としては、炭素数１〜１２
の直鎖状又は枝分れ状のアルコキシ基、例えばメトキシ
基、エトキシ基、ｎ‐プロポキシ基、イソプロポキシ
基、ｎ‐ペントキシ基、ｎ‐オクチルオキシ基などが、
シクロアルコキシ基としては、炭素数５〜８のシクロア
ルコキシ基、例えばシクロペントキシ基、シクロヘキシ
ルオキシ基などが挙げられる。Ｒ³としては、特にシク
ロアルケニル基、例えば１‐シクロペンテニル基、１‐
シクロヘキセニル基、１‐シクロヘプテニル基及び１‐
シクロオクテニル基が好ましい。また、Ｒ⁴としては、
アルキル基、ハロゲン化アルキル基及びシクロアルキル
基が好ましく、中でもメチル基、エチル基、ｎ‐プロピ
ル基、イソプロピル基、ブチル基などの炭素数１〜４の
アルキル基、トリクロロメチル基、トリフルオロメチル
基、シクロヘキシル基が好ましい。

【００３５】この一般式（ＩＩＩ）で表わされる化合物
の例としては、α‐（メチルスルホニルオキシイミノ）
‐１‐シクロペンテニルアセトニトリル、α‐（メチル
スルホニルオキシイミノ）‐１‐シクロヘキセニルアセ
トニトリル、α‐（メチルスルホニルオキシイミノ）‐
１‐シクロヘプテニルアセトニトリル、α‐（メチルス
ルホニルオキシイミノ）‐１‐シクロオクテニルアセト
ニトリル、α‐（トリフルオロメチルスルホニルオキシ
イミノ）‐１‐シクロペンテニルアセトニトリル、α‐
（トリフルオロメチルスルホニルオキシイミノ）‐シク
ロヘキセニルアセトニトリル、α‐（エチルスルホニル
オキシイミノ）‐エチルアセトニトリル、α‐（プロピ
ルスルホニルオキシイミノ）‐プロピルアセトニトリ
ル、α‐（シクロヘキシルスルホニルオキシイミノ）‐
シクロペンチルアセトニトリル、α‐（シクロヘキシル
スルホニルオキシイミノ）‐シクロヘキシルアセトニト
リル、α‐（シクロヘキシルスルホニルオキシイミノ）
‐１‐シクロペンテニルアセトニトリルなどを挙げるこ
とができる。

【００３６】他方、前記一般式（ＩＶ）におけるＡの二
価又は三価の有機基とは、有機化合物から２個又は３個
の水素原子が取り除かれ、結合手２個又は３個が形成さ
れている残基をいう。また、Ｒ⁵の置換又は未置換の炭
化水素基としては、芳香族性及び非芳香族性炭化水素基
が挙げられる。この芳香族性炭化水素基としては、炭素
数６〜１４のものが好ましく、例えばフェニル基、トリ
ル基、メトキシフェニル基、キシリル基、ビフェニル
基、ナフチル基、アントリル基などがある。また、非芳
香族性炭化水素基はベンゼン環、ナフタレン環、フラン
環、チオフェン環、ピリジン環のような芳香族性を示す
環を有しない炭化水素基、例えば脂肪族炭化水素基、脂
環式炭化水素基、具体的にはアルキル基、アルケニル
基、シクロアルキル基、シクロアルケニル基などであ
る。このアルキル基、アルケニル基は、直鎖状、枝分れ
状のいずれでもよいが、炭素数１〜１２のものが、また
シクロアルキル基又はシクロアルケニル基は、炭素数４
〜１２のものが好ましい。このアルキル基の例として
は、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル
基、ｎ‐ブチル基、ｓｅｃ‐ブチル基、ｔｅｒｔ‐ブチ
ル基、ｎ‐ペンチル基、ｎ‐オクチル基、ｎ‐ドデシル
基などを、アルケニル基の例としては、エテニル基、プ
ロペニル基、ブテニル基、ブタジエニル基、ヘキセニル
基、オクタジエニル基などを、シクロアルキル基の例と
しては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロ
オクチル基、シクロドデシル基を、シクロアルケニル基
の例としては、１‐シクロブテニル基、１‐シクロペン
テニル基、１‐シクロヘキセニル基、１‐シクロヘプテ
ニル基、１‐シクロオクテニル基などを挙げることがで
きる。

【００３７】Ｒ⁵のうちの置換基を有する炭化水素基と
しては、前記の芳香族性及び非芳香族性炭化水素基の水
素原子の１個又は２個以上が適当な置換基で置換された
ものを挙げることができるが、塩素原子、臭素原子、フ
ッ素原子などのハロゲン原子、水酸基、アルコキシル
基、アシル基などで置換されたもの、特にハロゲン化ア
リール基又はハロゲン化アルキル基が好ましい。ここ
で、ハロゲン化アルキル基としては、例えばクロロメチ
ル基、トリクロロメチル基、トリフルオロメチル基、２
‐ブロモプロピル基のような炭素数１〜４のハロゲン化
アルキル基が好適である。

【００３８】この一般式（ＩＶ）の化合物の例として
は、次の化学式で示される化合物を挙げることができ
る。

【化９】

【化１０】

【００３９】他方、酸発生剤において、これらのオキシ
ムスルホネート系化合物と組み合わせて用いられるもう
一方の成分のトリス（ハロゲノアルキル）イソシアヌレ
ートとしては、例えば一般式

【化１１】 （式中のＸはハロゲン原子、ｎは１〜５の整数、ｍは２
〜１１の整数であって、ｍ≦２ｎ＋１である）で表わさ
れる化合物が好ましい。

【００４０】この一般式（Ｖ）のＸのハロゲン原子とし
ては、塩素原子、臭素原子、フッ素原子があるが、特に
臭素原子が好ましい。また、この式中のＣ_nＨ_2n+1基
は、直鎖状でも枝分れ状でもよい。

【００４１】この一般式（Ｖ）の化合物の例としては、
トリス（２，３‐ジブロモプロピル）イソシアヌレー
ト、トリス（２，３，３‐トリブロモプロピル）イソシ
アヌレート、トリス（３，４‐ジブロモブチル）イソシ
アヌレート、トリス（３，４，４‐トリブロモブチル）
イソシアヌレート、トリス（４，５‐ジブロモペンチ
ル）イソシアヌレート、トリス（３‐クロロ‐４，４‐
ジブロモブチル）イソシアヌレート、トリス（２，３‐
ジクロロ‐４，５‐ジブロモペンチル）イソシアヌレー
トなどを挙げることができる。この中で特に好ましいの
は、トリス（２，３‐ジブロモプロピル）イソシアヌレ
ートである。

【００４２】本発明における酸発生剤は、前記したオキ
シムスルホネート系化合物とトリス（ハロゲノアルキ
ル）イソシアヌレートとを重量比１：１０ないし２：１
好ましくは１：５ないし１：１の割合で混合したもので
ある。これよりもトリス（ハロゲノアルキル）イソシア
ヌレートの量が少なくても、また多くても良好な断面形
状のパターンが得られない。

【００４３】一方、（Ｃ）成分の架橋性化合物として
は、従来化学増幅型のネガ型レジストに架橋性化合物と
して慣用されているものの中から任意に選ぶことができ
る。このような架橋性化合物としては、ヒドロキシル基
又はアルコキシル基を有するアミノ樹脂、例えばメラミ
ン樹脂、尿素樹脂、グアナミン樹脂、グリコールウリル
‐ホルムアルデヒド樹脂、スクシニルアミド‐ホルムア
ルデヒド樹脂、エチレン尿素‐ホルムアルデヒド樹脂な
どを挙げることができる。これらは、例えばメラミン、
尿素、グアナミン、グリコールウリル、スクシニルアミ
ド、エチレン尿素などから、これらを沸騰水中でホルマ
リンと反応させてメチロール化あるいはこれにさらに低
級アルコールを反応させてアルコキシル化することによ
り容易に得られるが、市販品としてニカラックＭｘ−７
５０、ニカラックＭｘ−２９０、ニカラックＭｘ−３０
（いずれも三和ケミカル社製）などが入手することがで
きる。

【００４４】また、１，３，５‐トリス（メトキシメト
キシ）ベンゼン、１，２，４‐トリス（イソプロポキシ
メトキシ）ベンゼン、１，４‐ビス（ｓｅｃ‐ブトキシ
メトキシ）ベンゼンなどのアルコキシル基を有するベン
ゼン化合物、２，６‐ジヒドロキシメチル‐ｐ‐クレゾ
ール、２，６‐ジヒドロキシメチル‐ｐ‐ｔｅｒｔ‐ブ
チルフェノールなどのヒドロキシル基又はアルコキシル
基を含有するフェノール化合物なども用いることができ
る。これらの架橋性化合物は単独で用いてもよいし、２
種以上を組み合わせて用いてもよい。

【００４５】ネガ型レジスト層における各成分の配合割
合については、（Ａ）成分の樹脂と（Ｃ）成分の架橋性
化合物は、重量比１００：３ないし１００：７０の割合
で配合するのが好ましい。架橋性化合物の量がこの範囲
より少ないと感度が不十分になるおそれがあるし、また
この範囲より多くなると均一なレジスト層が形成されに
くい上、現像性も低下して、良好なレジストパターンが
得られにくくなる。感度、均一なレジスト層の形成及び
現像性などの面から、（Ａ）成分と（Ｃ）成分の特に好
ましい配合割合は、重量比１００：５ないし１００：５
０の範囲で選ばれる。

【００４６】また、（Ｂ）成分の酸発生剤は、前記
（Ａ）成分と（Ｃ）成分との合計重量に対して、０．１
〜３０重量％の割合で配合するのが好ましい。（Ｂ）成
分の量がこの範囲を逸脱すると像が形成されにくい上、
現像性も低下し、良好なレジストパターンが得られにく
くなる。像形成性及び現像性などの面から、この（Ｂ）
成分の特に好ましい配合量は、（Ａ）成分と（Ｃ）成分
との合計重量に対して、１〜２０重量％の範囲で選ばれ
る。

【００４７】本発明のレジスト積層体においては、この
ネガ型レジスト層は、例えば前記（Ａ）成分、（Ｂ）成
分及び（Ｃ）成分を溶剤に溶解して、ネガ型レジスト層
形成用溶液を調製し、これを反射防止層上に、スピンナ
ー、ドクターナイフなどの慣用的な塗布手段を用いて塗
布し、乾燥することで形成させるのが好ましい。前記ネ
ガ型レジスト層形成用溶液の調製に用いられる溶剤とし
ては、例えばアセトン、メチルエチルケトン、シクロペ
ンタノン、シクロヘキサノン、メチルイソアミルケト
ン、２‐ヘプタノン、１，１，１‐トリメチルアセトン
などのケトン類や、エチレングリコール、エチレングリ
コールモノアセテート、ジエチレングリコール又はジエ
チレングリコールモノアセテート、プロピレングリコー
ル、プロピレングリコールモノアセテート、あるいはこ
れらのモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノ
プロピルエーテル、モノブチルエーテル又はモノフェニ
ルエーテルなどの多価アルコール類及びその誘導体や、
ジオキサンのような環状エーテル類や、乳酸エチル、酢
酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、ピルビン酸メチ
ル、ピルビン酸エチル、３‐メトキシプロピオン酸メチ
ル、３‐エトキシプロピオン酸エチルなどのエステル類
などを挙げることができる。これらは単独で用いてもよ
いし、２種以上を混合して用いてもよい。

【００４８】また、このネガ型レジスト層形成用溶液に
は、さらに所望により混和性のある添加物、例えばレジ
スト層の性能を改良するための付加的樹脂、可塑剤、安
定剤、着色剤、界面活性剤などの慣用されているものを
添加含有させることができる。

【００４９】次に、このようにして得られたレジスト積
層体を用いてパターンを形成する本発明方法について説
明する。このパターン形成方法としては、従来のリソグ
ラフィ技術を利用して、まずネガ型レジスト層に例えば
縮小投影露光装置を用いて、ｄｅｅｐ‐ＵＶやエキシマ
レーザー光などの活性線をマスクパターンを介して選択
的に照射したのち、加熱処理を施し、次いでこれを現像
液、例えば１〜１０重量％テトラメチルアンモニウムヒ
ドロキシド水溶液のようなアルカリ性水溶液で現像処理
して、反射防止層上にネガ型レジストパターンを形成し
たのち、露出した反射防止層を、プラズマなどを用いた
ドライエッチング装置を使用して、ネガ型レジストパタ
ーンをマスクとしてエッチングすることにより、マスク
パターンに忠実な画像を得ることができる。

【００５０】この場合、マスクパターンとして、位相シ
フトマスクを使用することにより、忠実性にも優れたレ
ジストパターンを形成することができるため、位相シフ
トマスクの使用は、本発明のレジスト積層体においては
有効である。特に本発明のレジスト積層体では断面形状
が優れ、かつ忠実性の高いラインアンドスペースパター
ンを形成させるには、オルタネイティング型の位相シフ
トマスクとの組合せが有効である。

【００５１】

【発明の効果】本発明のレジスト積層体は、反射防止層
上に、オキシムスルホネート系化合物及びトリス（ハロ
ゲノアルキル）イソシアヌレートから成る酸発生剤を含
むネガ型レジスト層を有するものであって、反射防止層
とネガ型レジスト層との接触部分でのネガ型レジストの
食い込みがなく、矩形の断面形状を有するネガ型レジス
トパターンを形成することができ、特に位相シフトマス
クを使用することにより、断面形状だけでなく、忠実性
にも優れたレジストパターンを形成できるという効果を
奏する。

【００５２】

【実施例】以下、本発明を実施例及び比較例によりさら
に詳細に説明するが、本発明は、これらの例によってな
んら限定されるものではない。

【００５３】実施例１ 架橋剤としてベンゾグアナミン誘導体であるサイメル１
１２３（三井サイアナミッド社製）８ｇ、ビス（４‐ヒ
ドロキシフェニル）スルホン２ｇ、重量平均分子量３０
００〜４０００の４‐（４‐ヒドロキシフェニル）スル
ホニルフェニルメタクリレート４ｇをプロピレングリコ
ールモノメチルエーテル１９０ｇに溶解し、孔径が０．
２μｍのメンブランフィルターを用いてろ過することに
よって、反射防止層形成用溶液を調製した。次いで、シ
リコンウエーハ上にこの反射防止層形成用溶液をスピン
ナー塗布して９０℃で９０秒間乾燥処理を行ったのち、
１８０℃で２分間加熱することで、層厚０．２μｍの反
射防止層を形成した。

【００５４】次に、ヒドロキシスチレンとスチレンとの
共重合体（重量平均分子量２５００）１００重量部、メ
ラミン樹脂であるＭｗ−３０（三和ケミカル社製）７重
量部をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテ
ート５００重量部に溶解し、これに酸発生剤としてα‐
（メチルスルホニルオキシイミノ）‐４‐メトキシフェ
ニルアセトニトリル１重量部、α‐（メチルスルホニル
オキシイミノ）フェニルアセトニトリル１重量部及びト
リス（２，３‐ジブロモプロピル）イソシアヌレート３
重量部を溶解してネガ型レジスト層形成用溶液を調製し
た。この溶液を上記反射防止層上にスピンナー塗布し
て、１１０℃で９０秒間乾燥し、層厚０．７μｍのネガ
型レジスト層を形成した。

【００５５】次いで、ネガ型レジスト層を、ＮＳＲ−２
００５Ｅｘ８Ａ（ニコン社製）を用いてオルタネイティ
ング型位相シフトマスクを介して露光したのち、露光後
加熱処理を１２０℃で９０秒間行い、次いで２．３８重
量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で６
５秒間現像し、３０秒間水洗して乾燥した。現像処理後
に形成された０．１８μｍのラインパターンの断面形状
を電子顕微鏡により観察したところ、反射防止層に対し
て正確に垂直な矩形のパターンであり、反射防止層との
接触部分における食い込みは全く確認されなかった。

【００５６】実施例２ 実施例１で使用した反射防止層形成用溶液を、架橋剤と
してサイメル１１２５（三井サイアナミッド社製）８
ｇ、ビス（４‐ヒドロキシフェニル）スルホン６ｇをプ
ロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート１９
０ｇに溶解し、孔径が０．２μｍのメンブランフィルタ
ーを用いてろ過することで調製したものに代えた以外
は、実施例１と同様の操作により、パターンを形成し
た。その結果、現像処理後に形成された０．１８μｍの
ラインパターンの断面形状は、反射防止層に対して正確
に垂直な矩形のパターンであり、反射防止層との接触部
分における食い込みは全く確認されず、また反射防止層
のドライエッチング処理により形成されたパターンにお
いても、寸法精度の高いマスクパターンに忠実な画像が
シリコンウエーハ上に形成された。

【００５７】比較例１ 実施例１で使用した酸発生剤を、トリス（２，３‐ジブ
ロモプロピル）イソシアヌレート９重量部に代えた以外
は、実施例１と同様の操作により、パターンを形成し
た。その結果、現像処理後に形成された０．２０μｍの
ラインパターンの断面形状は反射防止層との接触部分に
おける食い込みが確認され、また反射防止層のドライエ
ッチング処理により形成されたパターンにおいても、寸
法精度は不良であった。

【００５８】比較例２ 実施例１で使用した酸発生剤を、α‐（メチルスルホニ
ルオキシイミノ）‐４‐メトキシフェニルアセトニトリ
ル３重量部に代えた以外は、実施例１と同様の操作によ
りパターンを形成した。その結果、現像処理後に形成さ
れた０．２０μｍのラインパターンの断面形状には反射
防止層に対してわずかな矩形パターンの裾の広がりが認
められた。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５７４

Claims (13)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上に設けられた反射防止層の上に、
   オキシムスルホネート系化合物及びトリス（ハロゲノア
   ルキル）イソシアヌレートから成る酸発生剤を含有する
   ネガ型レジスト膜を積層したことを特徴とするパターン
   形成用レジスト積層体。
2. 【請求項２】 ネガ型レジスト層が、（Ａ）フェノール
   性水酸基含有アルカリ可溶性樹脂及びその水酸基の一部
   を酸に対して不活性な置換基で保護してアルカリ不溶性
   とした樹脂の中から選ばれた少なくとも１種と、（Ｂ）
   オキシムスルホネート系化合物及びトリス（ハロゲノア
   ルキル）イソシアヌレートから成る酸発生剤と、（Ｃ）
   架橋性化合物とを含有するものである請求項１記載のパ
   ターン形成用レジスト積層体。
3. 【請求項３】 オキシムスルホネート系化合物が、一般
   式 【化１】 （式中のＲ¹は芳香族性環基、Ｒ²は低級アルキル基又は
   ハロゲン化低級アルキル基である） 又は一般式 【化２】 （式中のＲ³及びＲ⁴は置換又は未置換の非芳香族性炭化
   水素基である） 又は一般式 【化３】 （式中のＡは二価又は三価の有機基、Ｒ⁵は置換又は未
   置換の炭化水酸基、ｎは２又は３の整数である）で表わ
   される化合物である請求項１又は２記載のパターン形成
   用レジスト積層体。
4. 【請求項４】 トリス（ハロゲノアルキル）イソシアヌ
   レートがトリス（ジブロモアルキル）イソシアヌレート
   である請求項１又は２記載のパターン形成用レジスト積
   層体。
5. 【請求項５】 トリス（ジブロモアルキル）イソシアヌ
   レートがトリス（２，３‐ジブロモプロピル）イソシア
   ヌレートである請求項４記載のパターン形成用レジスト
   積層体。
6. 【請求項６】 反射防止層が紫外線吸収剤と架橋剤とを
   含有するものである請求項１ないし５のいずれかに記載
   のパターン形成用レジスト積層体。
7. 【請求項７】 反射防止層が紫外線吸収剤とバインダー
   樹脂とを含有するものである請求項１ないし５のいずれ
   かに記載のパターン形成用レジスト積層体。
8. 【請求項８】 反射防止層が紫外線吸収剤と架橋剤とバ
   インダー樹脂とを含有するものである請求項１ないし５
   のいずれかに記載のパターン形成用レジスト積層体。
9. 【請求項９】 紫外線吸収剤が、ベンゾフェノン系化合
   物、アゾメチン系化合物、ジフェニルスルホン系化合物
   及びジフェニルスルホキシド系化合物の中から選ばれた
   少なくとも１種である請求項６、７又は８記載のパター
   ン形成用レジスト積層体。
10. 【請求項１０】 架橋剤が、ヒドロキシアルキル基又は
    アルコキシアルキル基あるいはその両方で置換されたア
    ミノ基少なくとも２個を有する含窒素化合物である請求
    項６又は８記載のパターン形成用レジスト積層体。
11. 【請求項１１】 バインダー樹脂がアクリル系樹脂であ
    る請求項７又は８載のパターン形成用レジスト積層体。
12. 【請求項１２】 請求項１ないし１１のいずれかに記載
    のパターン形成用レジスト積層体のネガ型レジスト層に
    活性線を選択的に照射後、加熱処理を施したのち、現像
    処理して反射防止層上にネガ型レジストパターンを形成
    させ、次いでこのレジストパターンをマスクとして露出
    した反射防止層をドライエッチングすることを特徴とす
    るパターン形成方法。
13. 【請求項１３】 活性線を位相シフトマスクを介して選
    択的に照射する請求項１２記載のパターン形成方法。