JPH118472A - 多層配線基板 - Google Patents
多層配線基板Info
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- JPH118472A JPH118472A JP9161288A JP16128897A JPH118472A JP H118472 A JPH118472 A JP H118472A JP 9161288 A JP9161288 A JP 9161288A JP 16128897 A JP16128897 A JP 16128897A JP H118472 A JPH118472 A JP H118472A
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- hole conductor
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Abstract
(57)【要約】
【課題】金属粉末が充填されたバイアホール導体を具備
する多層配線基板において、バイアホール導体を低抵抗
化しつつ、導体配線層との接続信頼性に優れた多層配線
基板を提供する。 【解決手段】有機樹脂を含有する複数の絶縁層1と、絶
縁層1の表面あるいは絶縁層間に配設された複数の導体
配線層3と、配線層3間を接続するために設けられ、少
なくとも金属粉末を充填してなるバイアホール導体4と
を具備する多層配線基板において、導体配線層3のバイ
アホール導体4との接続部に、バイアホール導体4内に
突出する突起部5を形成する。
する多層配線基板において、バイアホール導体を低抵抗
化しつつ、導体配線層との接続信頼性に優れた多層配線
基板を提供する。 【解決手段】有機樹脂を含有する複数の絶縁層1と、絶
縁層1の表面あるいは絶縁層間に配設された複数の導体
配線層3と、配線層3間を接続するために設けられ、少
なくとも金属粉末を充填してなるバイアホール導体4と
を具備する多層配線基板において、導体配線層3のバイ
アホール導体4との接続部に、バイアホール導体4内に
突出する突起部5を形成する。
Description
【0001】
【発明の属する分野】本発明は、有機樹脂を含む絶縁基
板に導体配線層が形成されてなる多層配線基板に関する
ものであり、特に金属粉末を充填されてなるバイアホー
ル導体を具備する基板において、バイアホール導体と導
体配線層との接続信頼性を向上させるための改良に関す
るものである。
板に導体配線層が形成されてなる多層配線基板に関する
ものであり、特に金属粉末を充填されてなるバイアホー
ル導体を具備する基板において、バイアホール導体と導
体配線層との接続信頼性を向上させるための改良に関す
るものである。
【0002】
【従来技術】従来より、エポキシ樹脂、フェノール樹脂
等の熱硬化性樹脂を含む絶縁基板の表面に導体配線層を
形成した、いわゆるプリント基板が回路基板や半導体素
子を搭載したパッケージ等に適用されている。
等の熱硬化性樹脂を含む絶縁基板の表面に導体配線層を
形成した、いわゆるプリント基板が回路基板や半導体素
子を搭載したパッケージ等に適用されている。
【0003】このようなプリント基板において導体配線
層を形成する方法としては、絶縁基板の表面に銅箔を接
着した後、これをエッチングして配線回路を形成する方
法、または配線回路に形成された銅箔を絶縁基板に転写
する方法、絶縁基板の表面に金属メッキ法によって回路
を形成する方法等が用いられている。
層を形成する方法としては、絶縁基板の表面に銅箔を接
着した後、これをエッチングして配線回路を形成する方
法、または配線回路に形成された銅箔を絶縁基板に転写
する方法、絶縁基板の表面に金属メッキ法によって回路
を形成する方法等が用いられている。
【0004】また、配線基板の多層化に伴い、異なる層
間の導体配線層をスルーホール導体に電気的に接続する
ことも行われている。このスルーホール導体は、多層配
線基板の所定箇所にドリル等でスルーホールを開けた後
に、スルーホール内の内壁にメッキ等を施すのが一般的
である。
間の導体配線層をスルーホール導体に電気的に接続する
ことも行われている。このスルーホール導体は、多層配
線基板の所定箇所にドリル等でスルーホールを開けた後
に、スルーホール内の内壁にメッキ等を施すのが一般的
である。
【0005】ところが、上記のような方法では、スルー
ホール導体を多層構造における任意の層間に形成するこ
とが難しいことから、導体配線層の密度を向上できない
という問題がある。
ホール導体を多層構造における任意の層間に形成するこ
とが難しいことから、導体配線層の密度を向上できない
という問題がある。
【0006】このような問題に対して、最近では、導体
配線層を、銀、銅、半田などの金属粉末と、結合用有機
樹脂とを調合した導体ペーストを用い、これを絶縁基板
の表面に塗布したり、スルーホールやバイアホール内に
充填し積層して多層化する方法が、特開昭56−101
739号、特公昭58−49966号、特開平8−13
8437号等にて提案されている。
配線層を、銀、銅、半田などの金属粉末と、結合用有機
樹脂とを調合した導体ペーストを用い、これを絶縁基板
の表面に塗布したり、スルーホールやバイアホール内に
充填し積層して多層化する方法が、特開昭56−101
739号、特公昭58−49966号、特開平8−13
8437号等にて提案されている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、金属粉
末とともに結合用有機樹脂を含む導体ペーストをバイア
ホール中に充填した後、導体ペースト中の熱硬化性樹脂
を熱硬化させたり、あるいは樹脂分を熱分解させると、
導体ペースト自体の体積が減少するために絶縁層の表面
に形成された導体配線層との接続不良が発生したり、半
田などによる処理を行った際に、導体の抵抗が大きくな
るなど、層間の接続信頼性が低くなり、製造にあたって
不良品の発生率も高くなるという問題があった。この傾
向は、バイアホール導体が小径になるほど顕著である。
末とともに結合用有機樹脂を含む導体ペーストをバイア
ホール中に充填した後、導体ペースト中の熱硬化性樹脂
を熱硬化させたり、あるいは樹脂分を熱分解させると、
導体ペースト自体の体積が減少するために絶縁層の表面
に形成された導体配線層との接続不良が発生したり、半
田などによる処理を行った際に、導体の抵抗が大きくな
るなど、層間の接続信頼性が低くなり、製造にあたって
不良品の発生率も高くなるという問題があった。この傾
向は、バイアホール導体が小径になるほど顕著である。
【0008】このような問題に対して、従来から、絶縁
基板に充填したバイアホール導体の直上にバイアホール
導体よりも広い面積のランドをスクリーン印刷により形
成し、導体回路の接続を採っていた。しかし、この方法
では、更なるバイアホール導体の小径化、および配線の
高密度化に対応できないものであった。
基板に充填したバイアホール導体の直上にバイアホール
導体よりも広い面積のランドをスクリーン印刷により形
成し、導体回路の接続を採っていた。しかし、この方法
では、更なるバイアホール導体の小径化、および配線の
高密度化に対応できないものであった。
【0009】従って、本発明は、金属粉末が充填された
バイアホール導体を具備する多層配線基板において、バ
イアホール導体の高導電性を維持しつつ、導体配線層と
の接続信頼性に優れるとともに、不良品の発生を抑制し
て製造することが可能な多層配線基板を提供することを
目的とするものである。
バイアホール導体を具備する多層配線基板において、バ
イアホール導体の高導電性を維持しつつ、導体配線層と
の接続信頼性に優れるとともに、不良品の発生を抑制し
て製造することが可能な多層配線基板を提供することを
目的とするものである。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明者は、かかる目的
に対して検討を重ねた結果、導体配線層のバイアホール
導体との接続部において突起部を形成し、この突起部を
バイアホール導体内に突出するように押し込めることに
より、バイアホール導体内の金属粉末の充填密度を高
め、且つ導体配線層とバイアホール導体との電気的接続
性を高め、高信頼性の配線基板が得られることを見いだ
し、本発明に至った。
に対して検討を重ねた結果、導体配線層のバイアホール
導体との接続部において突起部を形成し、この突起部を
バイアホール導体内に突出するように押し込めることに
より、バイアホール導体内の金属粉末の充填密度を高
め、且つ導体配線層とバイアホール導体との電気的接続
性を高め、高信頼性の配線基板が得られることを見いだ
し、本発明に至った。
【0011】即ち、本発明の多層配線基板は、有機樹脂
を含有する複数の絶縁層と、該絶縁層の表面あるいは絶
縁層間に配設された複数の導体配線層と、該導体配線層
間を接続するために設けられ、金属粉末を充填してなる
バイアホール導体とを具備する多層配線基板において、
前記導体配線層の前記バイアホール導体との接続部に、
前記バイアホール導体内に突出する突起部を形成したこ
とを特徴とするのである。なお、前記突起部は、矩形型
或いは台形型からなり、前記突起部の前記バイアホール
導体への突出高さが5〜30μmであることが望まし
い。
を含有する複数の絶縁層と、該絶縁層の表面あるいは絶
縁層間に配設された複数の導体配線層と、該導体配線層
間を接続するために設けられ、金属粉末を充填してなる
バイアホール導体とを具備する多層配線基板において、
前記導体配線層の前記バイアホール導体との接続部に、
前記バイアホール導体内に突出する突起部を形成したこ
とを特徴とするのである。なお、前記突起部は、矩形型
或いは台形型からなり、前記突起部の前記バイアホール
導体への突出高さが5〜30μmであることが望まし
い。
【0012】
【発明の実施の形態】本発明の配線基板の一例を示す概
略断面図を図1に示した。図1によれば、本発明の多層
配線基板は、絶縁層1を複数層積層してなる絶縁基板2
と、その絶縁層1の表面あるいは絶縁層間に配設された
複数の導体配線層3を具備し、さらに、異なる層間の導
体配線層を電気的に接続するためのバイアホール導体4
を具備するものである。そして、このバイアホール導体
4は、少なくとも金属粉末が充填されたものからなる。
略断面図を図1に示した。図1によれば、本発明の多層
配線基板は、絶縁層1を複数層積層してなる絶縁基板2
と、その絶縁層1の表面あるいは絶縁層間に配設された
複数の導体配線層3を具備し、さらに、異なる層間の導
体配線層を電気的に接続するためのバイアホール導体4
を具備するものである。そして、このバイアホール導体
4は、少なくとも金属粉末が充填されたものからなる。
【0013】本発明の配線基板によれば、図2の図1の
要部拡大断面図に示すように、導体配線層3のバイアホ
ール導体4との接続部において、導体配線層3の一部に
突起部5が形成され、その突起部5がバイアホール導体
4内に突出するように配置されている。この突起部5
は、バイアホール導体4と同一あるいはそれよりも小さ
い径からなり、バイアホール導体4内の金属粉末を含む
ペーストを押し込んで、バイアホール導体4内の金属粉
末の充填密度を高めるとともに、バイアホール導体4と
の電気的な接続を強固に行う作用をなすものである。
要部拡大断面図に示すように、導体配線層3のバイアホ
ール導体4との接続部において、導体配線層3の一部に
突起部5が形成され、その突起部5がバイアホール導体
4内に突出するように配置されている。この突起部5
は、バイアホール導体4と同一あるいはそれよりも小さ
い径からなり、バイアホール導体4内の金属粉末を含む
ペーストを押し込んで、バイアホール導体4内の金属粉
末の充填密度を高めるとともに、バイアホール導体4と
の電気的な接続を強固に行う作用をなすものである。
【0014】この突起部5は、図1(a)に示すよう
に、バイアホール導体4の一方の端部に位置する導体配
線層3に形成されるもの、あるいは図1(b)に示すよ
うに、バイアホール導体4の両端部に位置する導体配線
層3に形成されるもののいずれでもよい。バイアホール
導体4の充填密度を高める上では、後者が望ましい。
に、バイアホール導体4の一方の端部に位置する導体配
線層3に形成されるもの、あるいは図1(b)に示すよ
うに、バイアホール導体4の両端部に位置する導体配線
層3に形成されるもののいずれでもよい。バイアホール
導体4の充填密度を高める上では、後者が望ましい。
【0015】本発明によれば、導体配線層3に形成され
た突起部5の直径はバイアホールの直径と同一、若しく
はそれより小さい径であれば、その形状を特別限定する
ものではなく、例えば、図2に示すように、突起部5の
縦断面形状が矩形型や、突起部5の付け根よりも先端の
径が小さい、縦断面形状が台形型であってもよい。
た突起部5の直径はバイアホールの直径と同一、若しく
はそれより小さい径であれば、その形状を特別限定する
ものではなく、例えば、図2に示すように、突起部5の
縦断面形状が矩形型や、突起部5の付け根よりも先端の
径が小さい、縦断面形状が台形型であってもよい。
【0016】また、この突起部5は、導体配線層3から
の突出高さLが、5〜30μmであることが望ましい。
これは、バイアホール導体の径にもよるが、突出高さが
5μmよりも低いと、バイアホール導体中の金属粉末を
含むペーストへの押し込み量が小さく金属粉末の充填密
度を高めることができず、導体配線層3とバイアホール
導体4との電気的接続の信頼性の点で不十分となりやす
いためである。また、突起部5の表面の表面粗さをRm
axで0.5μm以上とすることにより、バイアホール
導体中の金属粉末との接続強度を高めることもできる。
の突出高さLが、5〜30μmであることが望ましい。
これは、バイアホール導体の径にもよるが、突出高さが
5μmよりも低いと、バイアホール導体中の金属粉末を
含むペーストへの押し込み量が小さく金属粉末の充填密
度を高めることができず、導体配線層3とバイアホール
導体4との電気的接続の信頼性の点で不十分となりやす
いためである。また、突起部5の表面の表面粗さをRm
axで0.5μm以上とすることにより、バイアホール
導体中の金属粉末との接続強度を高めることもできる。
【0017】本発明の多層配線基板において、絶縁基板
2は、少なくとも有機樹脂を含むものであり、従来から
プリント基板として用いられる有機樹脂などにより構成
され、例えば、エポキシ樹脂、BTレジン(ビスマレイ
ミドトリアジン樹脂)等のトリアジン系樹脂、ポリブタ
ジエン系樹脂、フェノール樹脂、フッ素樹脂、ジアリル
フタレート系樹脂、ポリイミド樹脂等が挙げられる。
2は、少なくとも有機樹脂を含むものであり、従来から
プリント基板として用いられる有機樹脂などにより構成
され、例えば、エポキシ樹脂、BTレジン(ビスマレイ
ミドトリアジン樹脂)等のトリアジン系樹脂、ポリブタ
ジエン系樹脂、フェノール樹脂、フッ素樹脂、ジアリル
フタレート系樹脂、ポリイミド樹脂等が挙げられる。
【0018】また、絶縁基板2には、一定の強度を持た
せるために上記の有機樹脂とともに無機質充填材や繊維
状基材が使用される。無機質充填材としては、例えば、
シリカ(SiO2 ),アルミナ(Al2 O3 )、酸化ジ
ルコニウム(ZrO2 )、ゼオライト、酸化チタン(T
iO2 )、窒化アルミニウム(AlN)、炭化けい素
(SiC)、チタン酸バリウム(BaTiO3 )、チタ
ン酸ストロンチウム(SrTiO3 )、チタン酸カルシ
ウム(CaTiO3 )、ほう酸アルミニウム等が挙げら
れ、これら無機質充填剤は、平均粒径が20μm以下、
特に10μm以下の粉末や、平均アスペクト比が2以
上、特に5以上の繊維状の粒子を使用することもでき
る。また繊維状基材としては、ガラスファイバー、アラ
ミド樹脂からなる不織布や織布などが使用される。これ
らの充填材や基材は、前記有機樹脂分と体積比率で20
〜60体積%の割合で複合化される。
せるために上記の有機樹脂とともに無機質充填材や繊維
状基材が使用される。無機質充填材としては、例えば、
シリカ(SiO2 ),アルミナ(Al2 O3 )、酸化ジ
ルコニウム(ZrO2 )、ゼオライト、酸化チタン(T
iO2 )、窒化アルミニウム(AlN)、炭化けい素
(SiC)、チタン酸バリウム(BaTiO3 )、チタ
ン酸ストロンチウム(SrTiO3 )、チタン酸カルシ
ウム(CaTiO3 )、ほう酸アルミニウム等が挙げら
れ、これら無機質充填剤は、平均粒径が20μm以下、
特に10μm以下の粉末や、平均アスペクト比が2以
上、特に5以上の繊維状の粒子を使用することもでき
る。また繊維状基材としては、ガラスファイバー、アラ
ミド樹脂からなる不織布や織布などが使用される。これ
らの充填材や基材は、前記有機樹脂分と体積比率で20
〜60体積%の割合で複合化される。
【0019】また、導体配線層は、金、銀、銅、アルミ
ニウム等の低抵抗金属あるいはその合金等の金属によっ
て形成され、特に、銅、または銅を含む合金が望まし
い。また、導体配線層は、上記金属からなる箔体や上記
金属の粉末を含むペーストを塗布して形成されたもので
あってもよい。なお、導体配線層の厚みは、一般に1〜
100μm、特に5〜50μmの範囲が適当である。
ニウム等の低抵抗金属あるいはその合金等の金属によっ
て形成され、特に、銅、または銅を含む合金が望まし
い。また、導体配線層は、上記金属からなる箔体や上記
金属の粉末を含むペーストを塗布して形成されたもので
あってもよい。なお、導体配線層の厚みは、一般に1〜
100μm、特に5〜50μmの範囲が適当である。
【0020】さらに、バイアホール内に充填される金属
粉末は、前記導体配線層を形成する金属と同様な金属を
用いることができ、特に、平均粒径が3〜8μmである
のが望ましい。また、このバイアホール導体中には、金
属粉末の他に、結合用有機樹脂として、アクリル樹脂、
メタクリル樹脂、ビニル系樹脂、カーボネート系樹脂、
セルロースなどの熱可塑性樹脂、エポキシ樹脂、フェノ
ール樹脂、不飽和ポリエステル樹脂等の熱硬化性樹脂な
どの熱硬化性樹脂が主として使用されるが、その他、2
00℃以下の加熱分解できるエチルセルロースなどの樹
脂も使用できる。その場合、これらの結合用樹脂は、
0.1〜5体積%の割合で配合される。
粉末は、前記導体配線層を形成する金属と同様な金属を
用いることができ、特に、平均粒径が3〜8μmである
のが望ましい。また、このバイアホール導体中には、金
属粉末の他に、結合用有機樹脂として、アクリル樹脂、
メタクリル樹脂、ビニル系樹脂、カーボネート系樹脂、
セルロースなどの熱可塑性樹脂、エポキシ樹脂、フェノ
ール樹脂、不飽和ポリエステル樹脂等の熱硬化性樹脂な
どの熱硬化性樹脂が主として使用されるが、その他、2
00℃以下の加熱分解できるエチルセルロースなどの樹
脂も使用できる。その場合、これらの結合用樹脂は、
0.1〜5体積%の割合で配合される。
【0021】次に、本発明の多層配線基板を製造するた
めの一実施例について図3をもとに説明する。まず、図
3(a)に示すように、有機樹脂を含む絶縁層6に対し
て、バイアホールを形成し、そのバイアホール内に金属
粉末をスクリーン印刷や吸引処理しながら充填してバイ
アホール導体7を形成する。具体的には、まず、絶縁層
として、前述したような熱硬化性有機樹脂、または熱硬
化性有機樹脂と無機質充填剤など組成物を混練機や3本
ロールなどの手段によって十分に混合し、これを圧延
法、押し出し法、射出法、ドクターブレード法などによ
ってシート状に成形した後、熱硬化性樹脂を半硬化させ
る。半硬化には、樹脂が完全硬化するに十分な温度より
もやや低い温度に加熱する。
めの一実施例について図3をもとに説明する。まず、図
3(a)に示すように、有機樹脂を含む絶縁層6に対し
て、バイアホールを形成し、そのバイアホール内に金属
粉末をスクリーン印刷や吸引処理しながら充填してバイ
アホール導体7を形成する。具体的には、まず、絶縁層
として、前述したような熱硬化性有機樹脂、または熱硬
化性有機樹脂と無機質充填剤など組成物を混練機や3本
ロールなどの手段によって十分に混合し、これを圧延
法、押し出し法、射出法、ドクターブレード法などによ
ってシート状に成形した後、熱硬化性樹脂を半硬化させ
る。半硬化には、樹脂が完全硬化するに十分な温度より
もやや低い温度に加熱する。
【0022】そして、この半硬化状態の絶縁層に対し
て、バイアホールを形成する。このバイアホールの形成
は、ドリル、パンチング、サンドブラスト、あるいは炭
酸ガスレーザ、YAGレーザ、及びエキシマレーザ等の
照射による加工など公知の方法が採用される。
て、バイアホールを形成する。このバイアホールの形成
は、ドリル、パンチング、サンドブラスト、あるいは炭
酸ガスレーザ、YAGレーザ、及びエキシマレーザ等の
照射による加工など公知の方法が採用される。
【0023】その後、そのバイアホール内に導体ペース
トを充填してバイアホール導体を形成する。導体ペース
トは、前述したような金属粉末に対して、前述したよう
な結合用有機樹脂や溶剤を添加混合して調製される。ペ
ースト中に添加される溶剤としては、用いる結合用有機
樹脂が溶解可能な溶剤であればよく、例えば、イソプロ
ピルアルコール、テルピネオール、2−オクタノール、
ブチルカルビトールアセテート等が用いられる。
トを充填してバイアホール導体を形成する。導体ペース
トは、前述したような金属粉末に対して、前述したよう
な結合用有機樹脂や溶剤を添加混合して調製される。ペ
ースト中に添加される溶剤としては、用いる結合用有機
樹脂が溶解可能な溶剤であればよく、例えば、イソプロ
ピルアルコール、テルピネオール、2−オクタノール、
ブチルカルビトールアセテート等が用いられる。
【0024】一方、導体配線層を形成するために、図3
(b)に示すように、樹脂フィルム8の表面に所定厚み
の金属箔を接着剤等を用いて貼り付けた後、その金属箔
をエッチング処理して導体配線層9を形成する。そし
て、図3(c)に示すように、形成した導体配線層9に
おけるバイアホール導体7との接続部に所定高さの突起
部10を形成する。この突起部10は、金属箔をエッチ
ングして形成した導体配線層9の表面をエッチング処理
するか、または、突起部形成箇所以外の領域をレジスト
で被覆した後、メッキによって所定厚みの金属からなる
突起部10を形成することができる。
(b)に示すように、樹脂フィルム8の表面に所定厚み
の金属箔を接着剤等を用いて貼り付けた後、その金属箔
をエッチング処理して導体配線層9を形成する。そし
て、図3(c)に示すように、形成した導体配線層9に
おけるバイアホール導体7との接続部に所定高さの突起
部10を形成する。この突起部10は、金属箔をエッチ
ングして形成した導体配線層9の表面をエッチング処理
するか、または、突起部形成箇所以外の領域をレジスト
で被覆した後、メッキによって所定厚みの金属からなる
突起部10を形成することができる。
【0025】次に、図3(d)に示すように、図3
(a)のバイアホール導体7を形成した絶縁層6に対し
て図3(c)の突起部10を有する導体配線層9が形成
された樹脂フィルム8をバイアホール導体7と突起部1
0とを位置合わせして重ね合わせて、圧力を印加して突
起部10をバイアホール導体7内に押し込んだ後、樹脂
フィルム8を剥離して、導体配線層9を具備する1層の
配線基板を形成することができる。
(a)のバイアホール導体7を形成した絶縁層6に対し
て図3(c)の突起部10を有する導体配線層9が形成
された樹脂フィルム8をバイアホール導体7と突起部1
0とを位置合わせして重ね合わせて、圧力を印加して突
起部10をバイアホール導体7内に押し込んだ後、樹脂
フィルム8を剥離して、導体配線層9を具備する1層の
配線基板を形成することができる。
【0026】そして、図3(a)〜(d)のようにして
同様にして作製した配線基板を図3(e)に示すように
配置して積層し、加圧しながら、絶縁層中の熱硬化性樹
脂が硬化するに十分な温度に加熱して完全硬化させて図
1(a)に示すような多層配線基板を作製することがで
きる。
同様にして作製した配線基板を図3(e)に示すように
配置して積層し、加圧しながら、絶縁層中の熱硬化性樹
脂が硬化するに十分な温度に加熱して完全硬化させて図
1(a)に示すような多層配線基板を作製することがで
きる。
【0027】図3の製造方法においては、バイアホール
導体7の片方に位置する導体配線層9に突起部10を形
成したものであるが、本発明によれば、図3(d)によ
って、絶縁層6の表面に導体配線層9を転写させた後、
図4(d’)に示すように、その導体配線層9の表面の
上層のバイアホール導体との接続部以外の領域をレジス
トで被覆した後、メッキ処理して接続部に金属メッキか
らなる突起部12を形成するか、または転写された導体
配線層9の表面にバイアホール導体との接続部にレジス
トを形成してエッチング処理して突起部12を形成す
る。
導体7の片方に位置する導体配線層9に突起部10を形
成したものであるが、本発明によれば、図3(d)によ
って、絶縁層6の表面に導体配線層9を転写させた後、
図4(d’)に示すように、その導体配線層9の表面の
上層のバイアホール導体との接続部以外の領域をレジス
トで被覆した後、メッキ処理して接続部に金属メッキか
らなる突起部12を形成するか、または転写された導体
配線層9の表面にバイアホール導体との接続部にレジス
トを形成してエッチング処理して突起部12を形成す
る。
【0028】その後、図3(a)〜(d),図4
(d’)を経て作製した複数の配線基板を図4(e’)
に示すようにして積層圧着した後、絶縁層中の樹脂が完
全に硬化する温度で熱処理することにより、図1(b)
に示すように、バイアホール導体の両側から突起部12
が押し込まれた構造を有する多層配線基板を作製するこ
とができる。
(d’)を経て作製した複数の配線基板を図4(e’)
に示すようにして積層圧着した後、絶縁層中の樹脂が完
全に硬化する温度で熱処理することにより、図1(b)
に示すように、バイアホール導体の両側から突起部12
が押し込まれた構造を有する多層配線基板を作製するこ
とができる。
【0029】なお、上記の製造方法の説明では、導体配
線層9を樹脂フィルムからの転写によって形成する方法
を採用したものであるが、導体配線層9の形成は、この
方法に必ずしも限定されるものではなく、バイアホール
導体7が形成された絶縁層6の表面に直接金属箔を形成
し、それをエッチング処理して導体配線層9を形成する
こともできる。また、導体配線層9の突起部10は、導
体配線層9を図4(d’)で説明したのと同様な方法
に、導体配線層9表面にメッキ法により形成したり、エ
ッチング法により形成することができる。
線層9を樹脂フィルムからの転写によって形成する方法
を採用したものであるが、導体配線層9の形成は、この
方法に必ずしも限定されるものではなく、バイアホール
導体7が形成された絶縁層6の表面に直接金属箔を形成
し、それをエッチング処理して導体配線層9を形成する
こともできる。また、導体配線層9の突起部10は、導
体配線層9を図4(d’)で説明したのと同様な方法
に、導体配線層9表面にメッキ法により形成したり、エ
ッチング法により形成することができる。
【0030】さらに他の方法としては、打ち抜き加工さ
れた金属箔の表裏に、エッチングやメッキ法によって突
起部を形成したものをバイアホール導体7が形成された
絶縁層6に、位置合わせして張り付けながら、突起部を
バイアホール導体に押し込むこともできる。
れた金属箔の表裏に、エッチングやメッキ法によって突
起部を形成したものをバイアホール導体7が形成された
絶縁層6に、位置合わせして張り付けながら、突起部を
バイアホール導体に押し込むこともできる。
【0031】突起部10や12の形状としては、メッキ
法に形成すると、矩形型形状となりやすく、またエッチ
ングにより形成すると、突起部の先端が尖った台形型形
状の突起部を形成することができる。
法に形成すると、矩形型形状となりやすく、またエッチ
ングにより形成すると、突起部の先端が尖った台形型形
状の突起部を形成することができる。
【0032】
【実施例】ポリイミド樹脂に、フィラーとしてSiO2
粉末を60体積%混合し、この樹脂組成物を用いてシー
ト成形し、厚み100μmの絶縁シートを作製した。こ
の絶縁シートを外辺200mm□、内辺172mm□、
厚さ0.4mmのSUSフレームにポリエステルテープ
を用いて貼り付け、数値制御式穴加工機により直径10
0μmのバイアホールの加工を行った。次に、銅粉末と
エチルセルロースから構成された導体ペーストを絶縁シ
ートに形成したバイアホール内にスクリーン印刷により
充填した。
粉末を60体積%混合し、この樹脂組成物を用いてシー
ト成形し、厚み100μmの絶縁シートを作製した。こ
の絶縁シートを外辺200mm□、内辺172mm□、
厚さ0.4mmのSUSフレームにポリエステルテープ
を用いて貼り付け、数値制御式穴加工機により直径10
0μmのバイアホールの加工を行った。次に、銅粉末と
エチルセルロースから構成された導体ペーストを絶縁シ
ートに形成したバイアホール内にスクリーン印刷により
充填した。
【0033】一方、厚さ25μmのポリエチレンテレフ
タレート樹脂(PET)製のシートを予め貼り付けた厚
さ12μmの銅箔を用い、公知のレジスト法等により銅
箔をエッチングして導体配線層を形成し、その後、再び
レジスト法によりバイアホール導体部との接続部にメッ
キ法により銅メッキからなる所定高さの突起部を形成し
た。
タレート樹脂(PET)製のシートを予め貼り付けた厚
さ12μmの銅箔を用い、公知のレジスト法等により銅
箔をエッチングして導体配線層を形成し、その後、再び
レジスト法によりバイアホール導体部との接続部にメッ
キ法により銅メッキからなる所定高さの突起部を形成し
た。
【0034】次に絶縁シートと、突起部を有する銅箔に
より形成された導体配線層とをCCDカメラにより位置
合わせしながら、貼り合わせを行った。その後、静水圧
加圧を用いて、50℃、50kg/cm2 の温度と圧力
により加圧加熱後、PETフィルムを剥がすことによっ
て導体配線層を絶縁シートに転写し、単層の配線基板を
作製した。その後、同様にして作製した配線基板を4枚
積層し、再び、静水圧加圧装置を用いて、単層の配線基
板を作製した条件で一体化した。そして、ホットプレス
機を用いて、250℃、66kg/cm2 の温度、圧力
の条件で更に、絶縁層樹脂の硬化や導体配線層の接着を
補強し評価用の多層配線基板を作製した。
より形成された導体配線層とをCCDカメラにより位置
合わせしながら、貼り合わせを行った。その後、静水圧
加圧を用いて、50℃、50kg/cm2 の温度と圧力
により加圧加熱後、PETフィルムを剥がすことによっ
て導体配線層を絶縁シートに転写し、単層の配線基板を
作製した。その後、同様にして作製した配線基板を4枚
積層し、再び、静水圧加圧装置を用いて、単層の配線基
板を作製した条件で一体化した。そして、ホットプレス
機を用いて、250℃、66kg/cm2 の温度、圧力
の条件で更に、絶縁層樹脂の硬化や導体配線層の接着を
補強し評価用の多層配線基板を作製した。
【0035】得られた多層配線基板に対して、バイアホ
ール導体を含む導体間の導体抵抗R1 を直流4端子法に
より測定した。また、半田耐熱テスト(260℃、12
0秒)の試験を行い、同様にして導体抵抗R2 を測定
し、その変化率(R2 −R1 /R1 )を求めた。結果
は、表1に示した。
ール導体を含む導体間の導体抵抗R1 を直流4端子法に
より測定した。また、半田耐熱テスト(260℃、12
0秒)の試験を行い、同様にして導体抵抗R2 を測定
し、その変化率(R2 −R1 /R1 )を求めた。結果
は、表1に示した。
【0036】
【表1】
【0037】表1の結果から明らかなように、本発明に
基づき、突起部を形成した試料は、突起部を形成しない
試料No.1に比較して、導体抵抗値が低く、しかも、半
田耐熱試験後における導体抵抗の変化が小さいものであ
った。特に、突起高さが高くなるほど抵抗値および変化
率が低くなる傾向にあったが、突起高さが30μmを越
えると、導体配線層のバイアホール導体との接続部付近
が膨れによる変形が見られた。
基づき、突起部を形成した試料は、突起部を形成しない
試料No.1に比較して、導体抵抗値が低く、しかも、半
田耐熱試験後における導体抵抗の変化が小さいものであ
った。特に、突起高さが高くなるほど抵抗値および変化
率が低くなる傾向にあったが、突起高さが30μmを越
えると、導体配線層のバイアホール導体との接続部付近
が膨れによる変形が見られた。
【0038】
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明の多層配線基
板は、少なくとも金属粉末を充填してなるバイアホール
導体に対して、導体配線層に形成した突起部をバイアホ
ール導体内に突出させた構造を有することから、バイア
ホール導体における金属粉末の充填密度を高め、導体抵
抗を低減すると同時に、導体配線層と電気的な接続信頼
性を高めることができる。これにより、金属粉末を充填
したバイアホール導体を具備する有機系の多層配線基板
における微細配線化や高集積化に対応した高信頼性の高
い基板を提供できる。
板は、少なくとも金属粉末を充填してなるバイアホール
導体に対して、導体配線層に形成した突起部をバイアホ
ール導体内に突出させた構造を有することから、バイア
ホール導体における金属粉末の充填密度を高め、導体抵
抗を低減すると同時に、導体配線層と電気的な接続信頼
性を高めることができる。これにより、金属粉末を充填
したバイアホール導体を具備する有機系の多層配線基板
における微細配線化や高集積化に対応した高信頼性の高
い基板を提供できる。
【図1】本発明の多層配線基板の概略断面図であり、
(a)はその一例、(b)は他の例を示す図である。
(a)はその一例、(b)は他の例を示す図である。
【図2】図1の多層配線基板の導体配線層とバイアホー
ル導体との接続部の要部拡大断面図である。
ル導体との接続部の要部拡大断面図である。
【図3】本発明の多層配線基板を製造するための工程を
説明するための図である。
説明するための図である。
【図4】本発明の多層配線基板を製造するための他の工
程を説明するための図である。
程を説明するための図である。
1 絶縁層 2 絶縁基板 3 導体配線層 4 バイアホール導体 5 突起部
Claims (2)
- 【請求項1】有機樹脂を含有する複数の絶縁層と、該絶
縁層の表面あるいは絶縁層間に配設された複数の導体配
線層と、該導体配線層間を接続するために設けられ、少
なくとも金属粉末を充填してなるバイアホール導体とを
具備する多層配線基板において、前記導体配線層の前記
バイアホール導体との接続部に、前記バイアホール導体
内に突出する突起部を形成したことを特徴とする多層配
線基板。 - 【請求項2】前記突起部の前記バイアホール導体への突
出高さが5〜30μmである請求項1記載の多層配線基
板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9161288A JPH118472A (ja) | 1997-06-18 | 1997-06-18 | 多層配線基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9161288A JPH118472A (ja) | 1997-06-18 | 1997-06-18 | 多層配線基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH118472A true JPH118472A (ja) | 1999-01-12 |
Family
ID=15732269
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9161288A Pending JPH118472A (ja) | 1997-06-18 | 1997-06-18 | 多層配線基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH118472A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001203459A (ja) * | 2000-01-20 | 2001-07-27 | Hitachi Chem Co Ltd | 多層プリント配線板及びその製造法 |
| JP2002246751A (ja) * | 2001-02-19 | 2002-08-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 回路形成基板および回路形成基板の製造方法 |
| JP2005159074A (ja) * | 2003-11-27 | 2005-06-16 | Matsushita Electric Works Ltd | 内層側に凸出部のあるビアホール接続用の電極 |
| JP2005310934A (ja) * | 2004-04-20 | 2005-11-04 | Dainippon Printing Co Ltd | 多層配線基板およびその製造方法 |
| JP2009239185A (ja) * | 2008-03-28 | 2009-10-15 | Toppan Printing Co Ltd | ビルドアップ多層配線基板およびその製造方法 |
| JP2019080039A (ja) * | 2017-10-20 | 2019-05-23 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド. | プリント回路基板 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04263486A (ja) * | 1991-02-19 | 1992-09-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 焼結導体配線基板とその製造方法 |
| JPH05226509A (ja) * | 1992-02-14 | 1993-09-03 | Hitachi Ltd | 多層回路の製造方法 |
-
1997
- 1997-06-18 JP JP9161288A patent/JPH118472A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04263486A (ja) * | 1991-02-19 | 1992-09-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 焼結導体配線基板とその製造方法 |
| JPH05226509A (ja) * | 1992-02-14 | 1993-09-03 | Hitachi Ltd | 多層回路の製造方法 |
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|---|---|---|---|---|
| JP2001203459A (ja) * | 2000-01-20 | 2001-07-27 | Hitachi Chem Co Ltd | 多層プリント配線板及びその製造法 |
| JP2002246751A (ja) * | 2001-02-19 | 2002-08-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 回路形成基板および回路形成基板の製造方法 |
| JP2005159074A (ja) * | 2003-11-27 | 2005-06-16 | Matsushita Electric Works Ltd | 内層側に凸出部のあるビアホール接続用の電極 |
| JP2005310934A (ja) * | 2004-04-20 | 2005-11-04 | Dainippon Printing Co Ltd | 多層配線基板およびその製造方法 |
| JP2009239185A (ja) * | 2008-03-28 | 2009-10-15 | Toppan Printing Co Ltd | ビルドアップ多層配線基板およびその製造方法 |
| JP2019080039A (ja) * | 2017-10-20 | 2019-05-23 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド. | プリント回路基板 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040809 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040914 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20041112 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050524 |