JPH1197571A - 変換基板及び半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】半導体チツプの電極間隔の狭ピツチ化に実用上
十分に対応し得る変換基板及び半導体装置を実現し難か
つた。 【解決手段】変換基板の絶縁基板を半導体チツプの各電
極を形成する際に利用する加工技術と同じ加工技術を用
いて一面側に当該半導体チツプの各電極と同じ位置関係
で複数の第１の電極を形成することができる絶縁材を用
いて形成するようにした。また当該変換基板の一面側に
半導体チツプを実装してなる半導体装置において、当該
絶縁基板を半導体チツプの各電極を形成する際に利用す
る加工技術と同じ加工技術を用いて一面側に半導体チツ
プの各電極と同じ位置関係で複数の第１の電極を形成す
ることができる絶縁材を用いて形成するようにした。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【目次】以下の順序で本発明を説明する。

【０００２】発明の属する技術分野 従来の技術 発明が解決しようとする課題 課題を解決するための手段（図１〜図６） 発明の実施の形態（図１〜図６） 発明の効果

【０００３】

【発明の属する技術分野】本発明は変換基板及び半導体
装置に関し、例えば電極間隔が狭ピツチ化された半導体
チツプの電極配列を再配列する変換基板及び当該変換基
板上に半導体チツプが実装されてなる半導体装置に適用
して好適なものである。

【０００４】

【従来の技術】従来、半導体チツプにおいては、シリコ
ン（Si）等の半導体材料からなる基板の一面側に所定の
回路パターンと、複数の電極とが形成されてなることに
より構成されている。

【０００５】そしてこのような半導体チツプをマザー基
板に実装する実装方法の１つとしてフリツプチツプ実装
法がある。

【０００６】このフリツプチツプ実装法は、半導体チツ
プの回路面に設けられた各電極上にそれぞれ突起電極で
なるバンプを形成し、当該半導体チツプをマザー基板の
実装面上にフエースダウンで直接実装する実装方法であ
り、半導体チツプを高密度で実装できる利点を有してい
る。

【０００７】ところが近年、エレクトロニクス機器は軽
薄短小傾向を強め、高機能集積化及び信号処理の高速化
が進んでおり、これに伴つて半導体チツプの電極間ピツ
チも益々狭ピツチ化が進んでいる。

【０００８】そしてこのように狭ピツチ化された半導体
チツプの各電極に対応させて、ランド及び配線パターン
をマザー基板上に複数形成することは高度な技術を要
し、またコストアツプにもつながつていた。

【０００９】このため近年では、既存の実装技術を用い
て半導体チツプをマザー基板上に実装する方法として、
半導体チツプの電極配列を所望状態に再配列するための
インターポーザと呼ばれる変換基板を用いて半導体チツ
プの電極間ピツチを拡げた後、当該半導体チツプをイン
ターポーザと一体にマザー基板上に実装する手法が広く
用いられている。

【００１０】実際上インターポーザは、半導体チツプと
ほぼ同形状で一回り程度大きく形成されたガラスエポキ
シ樹脂やセラミツク等からなる絶縁基板の一面側に半導
体チツプの各バンプと同じ位置関係で複数の第１の電極
が形成されると共に、絶縁基板の他面側（すなわち、マ
ザー基板の実装面と向かい合う側）に各第１の電極にそ
れぞれ対応させて第１の電極の電極間ピツチよりも広い
間隔で複数の第２の電極が形成され、これら対応する第
１及び第２の電極間が配線パターン及びスルーホールを
順次介して電気的に接続されることにより構成されてい
る。

【００１１】そしてこのインターポーザを用いた半導体
チツプのマザー基板への実装は、半導体チツプをインタ
ーポーザの一面側にフリツプチツプ実装した後、当該イ
ンターポーザをマザー基板上に実装するようにして行わ
れる。

【００１２】従つてこのようなインターポーザを用いた
方法によれば、マザー基板の電極パターンをインターポ
ーザの第２の電極の電極パターンに応じて形成すれば良
い分、マザー基板の電極間ピツチを広くでき、その分容
易にかつ安価にマザー基板を形成し得る利点がある。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】ところが既存の技術で
は、インターポーザに半導体チツプの狭ピツチ化する電
極間隔の配線パターンを形成する上でエツチング精度
（すなわち、配線パターンを露光現像等により形成する
技術精度）を良くし難い問題があつた。

【００１４】これは、ガラスエポキシ樹脂やセラミツク
に対する微細加工技術の限界がシリコンからなる半導体
チツプの基板に対する微細加工技術の限界よりも低いた
め、これに伴つてインターポーザの微細加工技術が半導
体チツプの微細加工技術に追随できないことや、微細加
工ができたとしても歩留りが悪いうえにコストアツプに
もつながる問題であつた。

【００１５】このことは半導体チツプの電極間隔が狭ピ
ツチ化したときに、これに応じた間隔でインターポーザ
上に電極を形成し得ず、この結果半導体チツプの電極間
隔の狭ピツチ化に実用上十分に対応し得ないことを意味
する。

【００１６】本発明は以上の点を考慮してなされたもの
で、半導体チツプの電極間隔の狭ピツチ化に実用上十分
に対応し得る変換基板及び半導体装置を提案しようとす
るものである。

【００１７】

【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め本発明においては、一面側に複数の電極が形成された
半導体チツプの電極を再配列する変換基板において、絶
縁基板を半導体チツプの各電極を形成する際に利用する
加工技術と同じ加工技術を用いて当該各第１の電極を形
成することができる絶縁材を用いて形成するようにし
た。

【００１８】この結果この変換基板では、半導体チツプ
の各電極と同じピツチで変換基板の各第１の電極を形成
できる。

【００１９】また本発明においては、半導体装置におい
て、一面側に半導体チツプの各電極と同じ位置関係で複
数の第１の電極が形成されると共に、当該一面側又は他
面側に各第１の電極にそれぞれ対応させて複数の第２の
電極が形成され、これら対応する各第１の電極及び第２
の電極同士が導通接続手段により導通接続されてなる変
換基板の当該絶縁基板を、当該半導体チツプの各電極を
形成する際に利用する加工技術と同じ加工技術を用いて
当該各第１の電極を形成することができる絶縁材を用い
て形成するようにした。

【００２０】この結果この半導体装置では、半導体チツ
プの各電極と同じピツチで変換基板の各第１の電極を形
成できる。

【００２１】

【発明の実施の形態】以下図面について、本発明の一実
施の形態を詳述する。

【００２２】（１）第１の実施の形態 図１において１は全体として本実施の形態による半導体
装置を示し、シリコン基板の一面側に所定の回路パター
ンと複数の電極とが形成されてなる半導体チツプ２をイ
ンターポーザ３上にフリツプチツプ実装した後、当該半
導体チツプ２をエポキシ樹脂等の封止樹脂材４により封
止することにより構成されている。

【００２３】この場合インターポーザ３は、図１との対
応部分に同一符号を付した図２に示すように、半導体チ
ツプ２とほぼ同形状で一回り程度大きく形成されたシリ
コンからなる絶縁基板３Ａの一面側に半導体チツプ２の
各バンプ２Ａと同じ位置関係で複数の第１の電極３Ｂが
形成されると共に、絶縁基板３Ａの他面側に各第１の電
極３Ｂにそれぞれ対応させて第１の電極３Ｂの電極間ピ
ツチよりも広い間隔で複数の第２の電極３Ｃが形成さ
れ、これら対応する第１及び第２の電極３Ｂ、３Ｃ間が
配線ライン３Ｄ及びスルーホール３Ｅを順次介して電気
的に接続されることにより構成されている。

【００２４】これによりこの半導体装置１においては、
半導体チツプ２の電極間ピツチよりも広い間隔のインタ
ーポーザ３の第２の電極３Ｃを外部電極としてマザー基
板上に実装することができるようになされている。

【００２５】以上の構成において、この半導体装置１で
は、インターポーザ３の絶縁基板３Ａが半導体チツプ２
の基板と同じシリコンで形成されているため、半導体チ
ツプ２の各電極を形成する際に用いる微細加工技術と同
じ微細加工技術を用いてインターポーザ３の各第１の電
極３Ｂを形成することができる。

【００２６】従つてこの半導体装置１では、半導体チツ
プ２の電極間隔の狭ピツチ化に追随してインターポーザ
３の各第１の電極３Ｂを狭ピツチで形成することがで
き、半導体チツプ２の電極間隔の狭ピツチ化に実用上十
分に対応することができる。

【００２７】以上の構成によれば、半導体装置１におい
てインターポーザ３の絶縁基板３Ａをシリコンを用いて
形成するようにしたことにより、半導体チツプ２と同様
の微細加工技術を用いてインターポーザ３に第１の電極
３Ｂを形成することができ、かくして半導体チツプ２の
電極間隔の狭ピツチ化に実用上十分に対応し得るインタ
ーポーザ３及び半導体装置１を実現できる。

【００２８】（２）第２の実施の形態 図１との対応部分に同一符号を付した図３は第２の実施
の形態による半導体装置１０を示すものであり、プリン
ト配線板１２の一面上にインターポーザ１１が固着され
ると共に、当該インターポーザ１１上に半導体チツプ２
がフリツプチツプ実装されている。

【００２９】この場合インターポーザ１１は、図３との
対応部分に同一符号を付した図４に示すように、半導体
チツプ２とほぼ同形状で一回り程度大きく形成されたシ
リコンからなる絶縁基板１１Ａの一面側の中央部に半導
体チツプ２の各バンプ２Ａと同じ位置関係で複数の第１
の電極１１Ｂが形成されると共に、当該絶縁基板１１Ａ
の一面側の周辺部に各第１の電極１１Ｂにそれぞれ対応
させて第１の電極１１Ｂの電極間ピツチよりも広い間隔
で複数の第２の電極１１Ｃが形成され、これら対応する
第１及び第２の電極１１Ｂ、１１Ｃ間が配線ライン１１
Ｄを介して電気的に接続されることにより構成されてい
る。

【００３０】またプリント配線板１２は、例えばガラス
エポキシ樹脂からなる絶縁基板１２Ａの一面側にインタ
ーポーザ１１の各第２の電極１１Ｃとそれぞれ対応させ
て第１の電極１２Ｂが形成されると共に、当該絶縁基板
１２Ａの他面側に各第１の電極１２Ｂにそれぞれ対応さ
せて第２の電極１２Ｃが形成され、これら第１及び第２
の電極１２Ｂ、１２Ｃがスルーホール１２Ｄを介して導
通接続されることにより構成されている。

【００３１】さらにインターポーザ１１の各第２の電極
１１Ｃはそれぞれプリント配線板１２の対応する第１の
電極１２Ｂと金ワイヤ１４を介して導通接続されると共
に、半導体チツプ２、インターポーザ１１及び各金ワイ
ヤ１４がエポキシ樹脂等の封止樹脂材により一体に封止
されている。

【００３２】これによりこの半導体装置１０において
は、半導体チツプ２の電極間ピツチよりも広い間隔のプ
リント配線板１２の第２の電極１２Ｃを外部電極として
マザー基板上に実装することができるようになされてい
る。

【００３３】以上の構成において、半導体装置１０で
は、インターポーザ１１の絶縁基板１１Ａが半導体チツ
プ２と同じシリコンで形成されているため、半導体チツ
プ２の各電極を形成する際に用いる微細加工技術と同じ
微細加工技術を用いてインターポーザ１１の各第１の電
極１１Ｂを形成することができる。

【００３４】従つてこの半導体装置１０では、半導体チ
ツプ２の電極間隔の狭ピツチ化に追随してインターポー
ザ１１の各第１の電極１１Ｂを狭ピツチで形成すること
ができ、半導体チツプ２の電極間隔の狭ピツチ化に実用
上十分に対応することができる。

【００３５】以上の構成によれば、半導体装置１０にお
いてインターポーザ１１の絶縁基板１１Ａをシリコンを
用いて形成するようにしたことにより、半導体チツプ２
と同様の微細加工技術を用いてインターポーザ１１に第
１の電極１１Ｂを形成することができ、かくして半導体
チツプ２の電極間隔の狭ピツチ化に実用上十分に対応し
得るインターポーザ１１及び半導体装置１０を実現でき
る。

【００３６】（３）第３の実施の形態 図３との対応部分に同一符号を付した図５は第３の実施
の形態による半導体装置２０を示すものであり、半導体
チツプ２がインターポーザ１１を介して凹型プリント配
線板２１の一面側に実装されている。

【００３７】この場合凹型プリント配線板２１は、図５
との対応部分に同一符号を付した図６に示すように、例
えばガラスエポキシ樹脂等の絶縁材からなる平板状の第
１の絶縁基板２１Ａの一面側に、その中央部に半導体チ
ツプ２よりも一回り程度大きい開口部２２が設けられた
平板状の第２の絶縁基板２１Ｂが貼り付けられることに
より構成されている。

【００３８】また第２の絶縁基板２１Ｂの一面側には、
インターポーザ１１の各第２の電極１１Ｃとそれぞれ対
応させてこれらインターポーザ１１の各第２の電極１１
Ｃと同じ位置関係で複数の第１の電極２１Ｃが形成され
ると共に、第１の絶縁基板２１Ａの他面側には各第１の
電極２１Ｃとそれぞれ対応させて複数の第２の電極２１
Ｄが形成され、これら第１及び第２の電極２１Ｃ、２１
Ｄが第１及び第２の絶縁基板２１Ａ、２１Ｂを一体に貫
通するように設けられたスルーホール２１Ｅを介して導
通接続されている。

【００３９】そしてインターポーザ１１は、この凹型プ
リント配線板２１上に、各第２の電極１１Ｃがそれぞれ
凹型プリント配線板２１の対応する第１の電極２１Ｃと
バンプ２３を介して導通接続されるようにして実装され
ている。

【００４０】これによりこの半導体装置２０において
は、半導体チツプ２の電極間ピツチよりも広い間隔の凹
型プリント配線板２１の各第２の電極２１Ｄをそれぞれ
外部電極としてマザー基板上に実装することができるよ
うになされている。

【００４１】以上の構成において、半導体装置２０で
は、インターポーザ１１の絶縁基板１１Ａが半導体チツ
プ２と同じシリコンで形成されているため、半導体チツ
プ２の各電極を形成する際に用いる微細加工技術と同じ
微細加工技術を用いてインターポーザ１１の各第１の電
極１１Ｂを形成することができる。

【００４２】従つてこの半導体装置２０では、半導体チ
ツプ２の電極間隔の狭ピツチ化に追随してインターポー
ザ１１の各第１の電極１１Ｂを狭ピツチで形成すること
ができ、半導体チツプ２の電極間隔の狭ピツチ化に実用
上十分に対応することができる。

【００４３】以上の構成によれば、半導体装置２０にお
いてインターポーザ１１の絶縁基板１１Ａをシリコンを
用いて形成するようにしたことにより、半導体チツプ２
と同様の微細加工技術を用いてインターポーザ１１に第
１の電極１１Ｂを形成することができ、かくして半導体
チツプ２の電極間隔の狭ピツチ化に実用上十分に対応し
得るインターポーザ１１及び半導体装置２０を実現でき
る。

【００４４】（４）他の実施の形態 なお上述の第１〜第３の実施の形態においては、インタ
ーポーザ３、１１の対応する第１及び第２の電極３Ｂ、
１１Ｂ、及び３Ｃ、１１Ｃの間を導通接続する導通接続
手段として配線ライン３Ｄ、１１Ｄとスルーホール３Ｅ
とを用いるようにした場合について述べたが、本発明は
これに限らず、インターポーザ３、１１の外周を沿つて
第１の電極３Ｂ、１１Ｂから第２の電極３Ｃ、１１Ｃに
到る配線ライン３Ｄにより導通接続手段を形成するよう
にしても良く、要は、インターポーザ３、１１の対応す
る第１及び第２の電極３Ｂ、１１Ｂ及び３Ｃ、１１Ｃ間
を導通接続することができるのであれば導通接続手段の
構成としてはこの他種々の構成を適用できる。

【００４５】また上述の第１及び第２の実施の形態にお
いては、半導体チツプ２及びインターポーザ３、１１を
一体に封止する封止樹脂材４、１３としてエポキシ樹脂
材を使用するようにした場合について述べたが、本発明
はこれに限らず、他の種々の絶縁材を使用するようにし
ても良い。

【００４６】さらに上述の第２の実施の形態において
は、インターポーザ１１の各第２の電極１１Ｃとプリン
ト配線板１２の対応する第１の電極１２Ｂとの間の導通
をそれぞれ金ワイヤ１４を用いてとるようにした場合に
ついて述べたが、本発明はこれに限らず、他の種々の方
法を用いてインターポーザ１１の各第２の電極１１Ｃと
プリント配線板１２の対応する第１の電極１２Ｂとの間
の導通をとるようにしても良い。

【００４７】さらに上述の第３の実施の形態において
は、凹型プリント配線板２１を図６のように形成された
第１及び第２の絶縁基板２１Ａ、２１Ｂを貼り付けるこ
とにより形成するようにした場合について述べたが、本
発明はこれに限らず、ビルドアツプ法等この他種々の方
法を用いて凹型プリント配線板２１を形成するようにし
ても良い。

【００４８】さらに上述の第１〜第３の実施の形態にお
いては、マザー基板の電極に対応する外部電極としてイ
ンターポーザ３の第２の電極３Ｃ、プリント配線板１２
の第２の電極１２Ｃ及び凹型プリント配線板２１の第２
の電極２１Ｄをそれぞれ各電極３Ｃ、１２Ｃ、２１Ｄが
形成された絶縁基板３Ａ、１２Ａ、２１Ａ上の周辺部に
再配列するようにした場合について述べたが、本発明は
これに限らず、例えばこれら各外部電極３Ｃ、１２Ｃ、
２１Ｄから新たな配線ラインを引き回して当該各絶縁基
板３Ａ、１２Ａ、２１Ａ上の全面にアレイ状に再配列す
るようにしても良い。またプリント配線板１２の絶縁基
板１２Ａ及び凹型プリント配線板２１の第１の絶縁基板
２１Ａを多層積層し、その中の何層かを用いて再配列し
ても良い。

【００４９】さらに上述の第１〜第３の実施の形態にお
いては、インターポーザ３、１１の各第２の電極３Ｃ、
１１Ｃはそれぞれ対応する各第１の電極３Ｂ、１１Ｂの
電極間ピツチを広くするようにした場合について述べた
が、本発明はこれに限らず、要は、半導体チツプ２の電
極配列を所望状態に再配列するようにインターポーザ
３、１１に第２の電極３Ｃ、１１Ｃを形成すれば良い。

【００５０】さらに上述の第２及び第３の実施の形態に
おいては、プリント配線板１２の絶縁基板１２Ａ及び凹
型プリント配線板２１の絶縁基板２１Ａ、２１Ｂを、ガ
ラスエポキシ樹脂を用いて形成するようにした場合につ
いて述べたが、本発明はこれに限らず、他の種々の絶縁
材を用いて形成するようにしても良い。

【００５１】さらに上述の第２及び第３の実施の形態に
おいては、インターポーザ１１の各第２の電極１１Ｃに
対応するプリント配線板１２及び凹型プリント配線板２
１の第１の電極１２Ｂ、２１Ｃと各第２の電極１２Ｃ、
２１Ｄとをスルーホール１２Ｄ、２１Ｅを介して導通接
続するようにした場合について述べたが、本発明はこれ
に限らず、例えばプリント配線板１２及び凹型プリント
配線板２１の外周を沿つて各第１の電極１２Ｂ、２１Ｃ
から各第２の電極１２Ｃ、２１Ｄにそれぞれ配線ライン
を引き回して導通接続するようにしても良い。

【００５２】さらに上述の第１〜第３の実施の形態にお
いては、インターポーザ３、１１の絶縁基板３Ａ、１１
Ａを半導体チツプ２の基板と同じシリコンを用いて形成
するようにした場合について述べたが、本発明はこれに
限らず、要は、インターポーザ３、１１の絶縁基板３
Ａ、１１Ａを、例えば半導体チツプ２の基板と同じ又は
ほぼ同じ組成の材料を用いるなど半導体チツプ２の各電
極を形成する際に用いる加工技術と同じ加工技術を用い
て各第１の電極３Ｂ、１１Ｂを形成することができる材
料を用いて形成するのであれば、当該絶縁基板の組成と
してはこの他種々の組成を広く適用できる。

【００５３】

【発明の効果】上述のように本発明によれば、一面側に
複数の電極が形成された半導体チツプの電極を再配列す
る変換基板において、絶縁基板を半導体チツプの各電極
を形成する際に利用する加工技術と同じ加工技術を用い
て一面側に半導体チツプの各電極と同じ位置関係で複数
の第１の電極を形成することができる絶縁材を用いて形
成するようにしたことにより、半導体チツプの各電極と
同じピツチで変換基板の各第１の電極を形成でき、かく
して半導体チツプの電極間隔の狭ピツチ化に実用上十分
に対応し得る変換基板を実現できる。

【００５４】また上述のように本発明によれば、絶縁材
からなる絶縁基板の一面側に半導体チツプの各電極と同
じ位置関係で複数の第１の電極が形成されると共に、当
該絶縁基板の一面側又は他面側に各第１の電極にそれぞ
れ対応させて複数の第２の電極が形成され、当該対応す
る各第１の電極及び第２の電極同士が導通接続手段によ
り導通接続されてなる変換基板の当該絶縁基板の一面側
に半導体チツプが実装されてなる半導体装置において、
絶縁基板を半導体チツプの各電極を形成する際に利用す
る加工技術と同じ加工技術を用いて各第１の電極を形成
することができる絶縁材を用いて形成するようにしたこ
とにより、半導体チツプの各電極と同じピツチで変換基
板の各第１の電極を形成でき、かくして半導体チツプの
電極間隔の狭ピツチ化に実用上十分に対応し得る半導体
装置を実現できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１の実施の形態による半導体装置の構成を示
す断面図である。

【図２】第１の実施の形態によるインターポーザの構成
を示す平面図である。

【図３】第２の実施の形態による半導体装置の構成を示
す断面図である。

【図４】第２及び第３の実施の形態によるインターポー
ザの構成を示す平面図である。

【図５】第３の実施の形態による半導体装置の構成を示
す断面図である。

【図６】凹型プリント配線板の形成方法の説明に供する
斜視図である。

【符号の説明】

１、１０、２０……半導体装置、２……半導体チツプ、
２Ａ、２３……バンプ、３、１１……インターポーザ、
３Ａ、１１Ａ……絶縁基板、３Ｂ、３Ｃ、１１Ｂ、１１
Ｃ、１２Ｂ、１２Ｃ、２１Ｃ、２１Ｄ……電極、３Ｅ、
１２Ｄ、２１Ｅ……スルーホール、３Ｄ、１１Ｄ……配
線ライン、４、１３……封止樹脂材、１２、２１Ａ、２
１Ｂ……プリント配線板、１４……金ワイヤ、２１……
凹型プリント配線板、２２……開口部。

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】一面側に複数の電極が形成された半導体チ
   ツプの上記電極を再配列する変換基板において、 絶縁材からなる絶縁基板と、 上記絶縁基板の一面側に上記半導体チツプの各上記電極
   と同じ位置関係で形成された複数の第１の電極と、 上記絶縁基板の上記一面側又は他面側に、各上記第１の
   電極にそれぞれ対応させて形成された複数の第２の電極
   と、 対応する各上記第１の電極及び第２の電極同士を導通接
   続する導通接続手段とを具え、上記絶縁基板は、上記半
   導体チツプの各上記電極を形成する際に利用する加工技
   術と同じ加工技術を用いて各上記第１の電極を形成する
   ことができる上記絶縁材を用いて形成されたことを特徴
   とする変換基板。
2. 【請求項２】各上記第２の電極は、各上記第１の電極の
   電極間ピツチを広くするように形成されたことを特徴と
   する請求項１に記載の変換基板。
3. 【請求項３】上記絶縁基板はシリコンからなることを特
   徴とする請求項１に記載の変換基板。
4. 【請求項４】一面側に複数の電極が形成された半導体チ
   ツプと、 絶縁材からなる絶縁基板の一面側に、上記半導体チツプ
   の各上記電極と同じ位置関係で複数の第１の電極が形成
   されると共に、上記絶縁基板の上記一面側又は他面側に
   各上記第１の電極にそれぞれ対応させて複数の第２の電
   極が形成され、対応する各上記第１の電極及び第２の電
   極同士が導通接続手段により導通接続されてなる変換基
   板とを具え、上記半導体チツプが上記変換基板の上記一
   面側に実装されると共に、上記絶縁基板が上記半導体チ
   ツプの各上記電極を形成する際に利用する加工技術と同
   じ加工技術を用いて各上記第１の電極を形成することが
   できる上記絶縁材を用いて形成されたことを特徴とする
   半導体装置。
5. 【請求項５】各上記第２の電極は、各上記第１の電極の
   電極間ピツチを広くするように形成されたことを特徴と
   する請求項４に記載の半導体装置。
6. 【請求項６】上記絶縁基板はシリコンからなることを特
   徴とする請求項４に記載の半導体装置。