JPS58100436A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

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JPS58100436A
JPS58100436A JP56198553A JP19855381A JPS58100436A JP S58100436 A JPS58100436 A JP S58100436A JP 56198553 A JP56198553 A JP 56198553A JP 19855381 A JP19855381 A JP 19855381A JP S58100436 A JPS58100436 A JP S58100436A
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JP
Japan
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pellet
melting point
face
low melting
point glass
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Pending
Application number
JP56198553A
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English (en)
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Eiji Yamamoto
英治 山本
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
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Publication of JPS58100436A publication Critical patent/JPS58100436A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は低融点ガラスを用いて半導体ペレットを搭載す
る半導体装置の製造方法に関するものである。
ガラス封止層の半導体装置では低融点ガラスによる半導
体ベレットの搭載方法が知られている。
この方法は第１図に示すように、パッケージ１のペレッ
ト取“何面ｌａ上に予め低融点ガラス２ｖ加熱して軟化
させた状態で設けておき、この低融点ガラス２の上方か
ら半導体ペレット３を押圧することにより、低融点ガラ
ス２を接着剤としてベレン）３ｖ取付面１ａに溶着する
方法である。
しかしながらこの方法では、低融点ガラス２を軟化状態
にした時にペレッＦ取付面１ａの側壁に低融点ガラス２
が濡れ上りガラス層の表面が凹状になる。このため、こ
のようなガラス上にペレット３を押し付けろと、最初に
ペレットの周辺部がガラスに接触することになり、ペレ
ット３０下側とガラスとの間に空気が閉じ込められてボ
イド（空気層）４ができ晶くなる。このようなボイド４
が存在すると、断熱作用によってペレットの放熱性が低
下したりペレットの溶着強度が低下すゐのみならず熱衝
撃等のストレスな受けたときにボイド４の周辺にペレッ
トを破壊する工つな応力集中が生じたりペレットが剥離
するような問題が生ずる。特に、近年のメモリ等の半導
体ペレットは高集積化と共にペレット寸法も大型化して
おり、このような不＾合は顕著である。
したがって、本発明の目的は低融点ガラスＹプリフォー
ムしてペレットと取付面との間に介在させた上で、ガラ
スＶ加熱溶融することにより、ベレットと取付面との間
にボイドを発生させることはなく、ベレットの搭載強度
の向上や放熱性の向上１連成することができる半導体装
置の製造方法を提供することにある。
以下１図示の実施例により本発明を説明する。
第２図は本発明方法を説明するための半導体装置！示し
ており、１はその上面中央にペレッ）３ａ付面ｌ鳳とし
ての凹部を形成したパッケージベースであり、セラミッ
ク材等にて形成している。また、このベースｌの上面周
辺部には封止ガラス５を用いて外部導出リード６を固着
している。そして、このベース１に半導体ベレット３を
搭載するに際しては、少なくとも上面が平坦になるよう
にプリフォームした常温固型の低融点ガラス２Ａ’ｌ−
取付ｍ１１上に置き、更にその上に半導体ペレット３′
４を載置する。しかる後にベース１ｖ加熱すると低融点
ガラス２人は直ちに溶融し、ベレット３を取付１ｉｊｌ
ｌに溶着する。このとき、ベレット３は若干の力をもっ
て下方に押し付けることが肝要である。
したがって、このようにしてペレット付けを行なえば、
低融点ガラス２人は上面ヲ平坦にプリフォームしている
のでベレット３の下面との密着性は良く、ガラスが溶融
したときにもベレットとの間にボイドが生ずることはな
い。こ３により、ベレット３の放熱効果を高めると共に
溶着強度が向上し、またストレスの集中等の不具合が生
じることもない。
セラミックキャップ８ｖ封止ガラス５ＡＫて取付けてパ
ッケージを構成することはこれまでと同じである。
以上のように本発明によれば、取付面とベレットとの間
にプリフォームした低融点ガラスを介装し、その後これ
を加熱溶融してベレットを取付面に溶着しているので、
両者間に生じ易いボイドの発生を防止し、ベレットの接
着強度や放熱特性の向上な達成することができるという
効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来の不具合Ｖ説明する断面図、第２Ｅおよび
第３Ｅは本発明方法ｖｉａ明するための断面図である。 ｌ・・・ベース（パッケージ）、１ａ・・・ベレット取
付面、２．２人・・・低融点ガラス、３・・・ベレット
、４・・・ボイド、５．５Ａ′％・・封止ガラス％６・
・・外部導出リード、７・・・ワイヤ％８・・・セラミ
ックキャップ。 第　　１　　図 第　　２　　図 第　　３　　図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １、パッケージの半導体ペレット取付面上に半導体ペレ
    ッ）Ｖ低融点ガラスにて取着するに際し、低融点ガラス
    は予めプリフォームとして取付面と半導体ペレットとの
    間に介装し、しかる後低融点ガラスＶ加熱溶融して半導
    体ペレットをパッケージに溶着したことＶ特徴とする半
    導体装置の製造方法。
JP56198553A 1981-12-11 1981-12-11 半導体装置の製造方法 Pending JPS58100436A (ja)

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JP56198553A JPS58100436A (ja) 1981-12-11 1981-12-11 半導体装置の製造方法

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JPS58100436A true JPS58100436A (ja) 1983-06-15

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011207655A (ja) * 2010-03-30 2011-10-20 Nippon Electric Glass Co Ltd 接合材料およびそれを用いた部材接合方法
JP2011210911A (ja) * 2010-03-30 2011-10-20 Nippon Electric Glass Co Ltd 半導体発光素子デバイスの製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011207655A (ja) * 2010-03-30 2011-10-20 Nippon Electric Glass Co Ltd 接合材料およびそれを用いた部材接合方法
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