JPS58102333A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
- Publication number
- JPS58102333A JPS58102333A JP56202206A JP20220681A JPS58102333A JP S58102333 A JPS58102333 A JP S58102333A JP 56202206 A JP56202206 A JP 56202206A JP 20220681 A JP20220681 A JP 20220681A JP S58102333 A JPS58102333 A JP S58102333A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- base
- substrate
- film
- recording medium
- magnetic recording
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/562—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks for coating elongated substrates
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/85—Coating a support with a magnetic layer by vapour deposition
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は垂直記録方式に適した磁気記録媒体の製造方法
に関する。
に関する。
短波長記録特性乗優れた磁気記録方式として、垂直記録
方式がある。この方式においては磁化容易軸が膜面に対
して垂直な方向となる垂直記録媒体が必要となる。この
ような媒体に信号を記録すると、残留磁化は媒体の膜面
に垂直な方向を向く。
方式がある。この方式においては磁化容易軸が膜面に対
して垂直な方向となる垂直記録媒体が必要となる。この
ような媒体に信号を記録すると、残留磁化は媒体の膜面
に垂直な方向を向く。
そのため、信号が短波長になるほど媒体内反磁界は減少
し、優れた再生出力が得られる。
し、優れた再生出力が得られる。
現在用いられている垂直記録媒体は、非磁性基板上に直
接に、あるいはパーマロイ等の軟磁性薄膜を介して、Ｃ
ＯとＯｒを主成分とし垂直方向に磁化容易軸を有する磁
性層をスパッタリング法により形成したものである。Ｃ
ＯとＯｒを主成分としたスパッタ膜は、Ｃｒの量が約３
０重量％以下の範囲では結晶系が稠密六方構造であり、
そのＣ軸を膜面に対して垂直な方向に配向させることが
でき、かつ垂直方向の異方性磁界が反磁界より太きぐな
るまで飽和磁化を低下させることができるので、垂直磁
化膜を実現することができる。
接に、あるいはパーマロイ等の軟磁性薄膜を介して、Ｃ
ＯとＯｒを主成分とし垂直方向に磁化容易軸を有する磁
性層をスパッタリング法により形成したものである。Ｃ
ＯとＯｒを主成分としたスパッタ膜は、Ｃｒの量が約３
０重量％以下の範囲では結晶系が稠密六方構造であり、
そのＣ軸を膜面に対して垂直な方向に配向させることが
でき、かつ垂直方向の異方性磁界が反磁界より太きぐな
るまで飽和磁化を低下させることができるので、垂直磁
化膜を実現することができる。
しかし、スパッタリング法は磁性薄膜の形成速度が遅い
ので、低コストで垂直磁化膜を生産することが困難であ
る。スパッタリング法に対し、真空蒸着法（イオンブレ
ーティング法のように蒸発原子の一部をイオン化する方
法も含む）によれば、数１０００人／秒という速い形成
速度でＧｏ−Ｃｒ垂直磁化膜が得られることを、発明者
らは見出した。真空蒸着法においては、基板を円筒状キ
ヤンの周側面に沿って移動させつつ、薄膜の形成を行な
うと、テープ状の垂直記録媒体が非常に生産性よく得ら
れる。
ので、低コストで垂直磁化膜を生産することが困難であ
る。スパッタリング法に対し、真空蒸着法（イオンブレ
ーティング法のように蒸発原子の一部をイオン化する方
法も含む）によれば、数１０００人／秒という速い形成
速度でＧｏ−Ｃｒ垂直磁化膜が得られることを、発明者
らは見出した。真空蒸着法においては、基板を円筒状キ
ヤンの周側面に沿って移動させつつ、薄膜の形成を行な
うと、テープ状の垂直記録媒体が非常に生産性よく得ら
れる。
第１図にこのような真空蒸着装置の内部構造の概略を示
す。高分子材料からなる基板１は円筒状キャン２に沿っ
て矢印Ａの方向へ走行する。電子ビーム蒸発源６と円筒
状キャン２との間にはマスク５が配置されており、蒸発
原子はスリットＳを通って基板１に付着する。したがっ
て、近似的に図示された長さｌの領域において、基板１
は蒸発原子にさらされる。３，４はそれぞれ基板１の供
給ロールおよび巻取りロールである。
す。高分子材料からなる基板１は円筒状キャン２に沿っ
て矢印Ａの方向へ走行する。電子ビーム蒸発源６と円筒
状キャン２との間にはマスク５が配置されており、蒸発
原子はスリットＳを通って基板１に付着する。したがっ
て、近似的に図示された長さｌの領域において、基板１
は蒸発原子にさらされる。３，４はそれぞれ基板１の供
給ロールおよび巻取りロールである。
Ｇｏ−Ｃｒ蒸着膜が垂直磁化膜になるためには、稠密六
方構造のＣ軸が膜面に垂直方向に配向し、垂直方向の異
方性磁界が反磁界よりも大きくなることが必要である。
方構造のＣ軸が膜面に垂直方向に配向し、垂直方向の異
方性磁界が反磁界よりも大きくなることが必要である。
すなわち、膜の垂直異方性定数Ｋｎが正になることが必
要である。実験の結果、蒸着時に基板温度を約２００℃
以上に保持すれば、上記の要求が満たされ、Ｇｏ−Ｃｒ
垂直磁化膜が得られることが明らかになった。特に基板
温度を３０ｏ′Ｃ程度に保持すると、膜面に垂直方向の
保磁力ＨＣが約１２００７エルステツド、飽和磁化Ｍｓ
が約４００ ｅｍｗ ／ ｃ ｃ という、非常に特
性の優れた膜が得られた。
要である。実験の結果、蒸着時に基板温度を約２００℃
以上に保持すれば、上記の要求が満たされ、Ｇｏ−Ｃｒ
垂直磁化膜が得られることが明らかになった。特に基板
温度を３０ｏ′Ｃ程度に保持すると、膜面に垂直方向の
保磁力ＨＣが約１２００７エルステツド、飽和磁化Ｍｓ
が約４００ ｅｍｗ ／ ｃ ｃ という、非常に特
性の優れた膜が得られた。
以上のように蒸着時に基板の温度を３００°Ｃ程度にす
ることにより、特性の優れたＣ０−０ｒ垂直磁化膜が得
られるが、第１図に示した構造の蒸着装置では、基板温
度を高めようとすると、キャン２の温度を上げなければ
ならない。しかしながら、真空蒸着装置の内部でキャン
２の温度を３ｏｏ℃程度にすることは困難であり、特に
キャンが大きくなればなるほどその困難さは増大する。
ることにより、特性の優れたＣ０−０ｒ垂直磁化膜が得
られるが、第１図に示した構造の蒸着装置では、基板温
度を高めようとすると、キャン２の温度を上げなければ
ならない。しかしながら、真空蒸着装置の内部でキャン
２の温度を３ｏｏ℃程度にすることは困難であり、特に
キャンが大きくなればなるほどその困難さは増大する。
本発明はこのような問題を解決し、容易にＧｏ−Ｃｒ垂
直磁化膜を形成することのできる方法を提供する。
直磁化膜を形成することのできる方法を提供する。
以下、本発明の方法の一実施例について、第２図を用い
て説明する。この実施例では第１図に示した装置とは異
なり、基板１はキャンに沿わずに、ローラー７．７間に
張架されて、矢印入方向へ走行する。したがって、基板
１の、蒸発原子にさらされる部分βは、蒸着装置内部の
他の部分に接触せずに浮いた状態である。このような状
態でＣ０−０ｒ膜を形成したところ、第１図の装置にお
いてキャン２の温度を約３ｏｏ′Ｃにした場合に得られ
た膜とほぼ等しい特性のＧｏ−１Ｏｒ垂直磁化膜を容易
に得ることができた。その理由としては、基板からの熱
の放散効果が考えられる。すなわち、蒸着時には、基板
表面には高温度の蒸発原子、電子ビーム蒸発源からの反
射電子や２次電子等が飛来し、その結果、基板には熱エ
ネルギーが供給されることになる。しかるに、第１図の
装置においいて、この熱エネルギーがキャン２を通じて
容易に逸散してし１つ。これに対して第２図の装置にお
いては、基板１のｌの部分が他と接触していす、かつ高
分子材料は熱伝導性がよくないので、熱エネルギーが逸
散せず、基板１の温度が上昇する。
て説明する。この実施例では第１図に示した装置とは異
なり、基板１はキャンに沿わずに、ローラー７．７間に
張架されて、矢印入方向へ走行する。したがって、基板
１の、蒸発原子にさらされる部分βは、蒸着装置内部の
他の部分に接触せずに浮いた状態である。このような状
態でＣ０−０ｒ膜を形成したところ、第１図の装置にお
いてキャン２の温度を約３ｏｏ′Ｃにした場合に得られ
た膜とほぼ等しい特性のＧｏ−１Ｏｒ垂直磁化膜を容易
に得ることができた。その理由としては、基板からの熱
の放散効果が考えられる。すなわち、蒸着時には、基板
表面には高温度の蒸発原子、電子ビーム蒸発源からの反
射電子や２次電子等が飛来し、その結果、基板には熱エ
ネルギーが供給されることになる。しかるに、第１図の
装置においいて、この熱エネルギーがキャン２を通じて
容易に逸散してし１つ。これに対して第２図の装置にお
いては、基板１のｌの部分が他と接触していす、かつ高
分子材料は熱伝導性がよくないので、熱エネルギーが逸
散せず、基板１の温度が上昇する。
したがって、第１図の装置においては、キャン２の温度
を上昇させることにより、基板１の温度を上げる必要が
あるが、本発明によれば強制的に基板１の温度を高めな
くても、蒸着時には必然的に基板の温度が上がり、特性
のよいＧｏ−Ｃｒ垂直磁化膜が得られる。
を上昇させることにより、基板１の温度を上げる必要が
あるが、本発明によれば強制的に基板１の温度を高めな
くても、蒸着時には必然的に基板の温度が上がり、特性
のよいＧｏ−Ｃｒ垂直磁化膜が得られる。
以上のように、本発明の方法によれば、基板の蒸発原子
にさらされる部分を、真空蒸着装置内の構成要素に接触
させることなく、ＣＯとＯｒを蒸着させているので、簡
単な構成の装置でＣｏ−Ｃｒ垂直磁化膜を容易に得るこ
とができる。
にさらされる部分を、真空蒸着装置内の構成要素に接触
させることなく、ＣＯとＯｒを蒸着させているので、簡
単な構成の装置でＣｏ−Ｃｒ垂直磁化膜を容易に得るこ
とができる。
第１図は磁気記録媒体を製造するための真空蒸着装置の
内部の一例を示す図、第２図は本発明の方法を実施する
ための真空蒸着装置の内部の一例を示す図である。 １・・・・・基板、５・・・・・・マスク、６・・・・
・・蒸発源、７・・・・・・ローラー。
内部の一例を示す図、第２図は本発明の方法を実施する
ための真空蒸着装置の内部の一例を示す図である。 １・・・・・基板、５・・・・・・マスク、６・・・・
・・蒸発源、７・・・・・・ローラー。
Claims (1)
- 磁化容易軸が膜面に垂直方向にあるＣＯとＯｒを主成分
とする磁性層を電子ビーム蒸発源を用いた真空蒸着法に
より高分子材料からなる基板上に形成する際に、前記基
板において少なくとも蒸発原子にさらされる部分が蒸着
装置内部の他の部分と接触していないことを特徴とする
磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56202206A JPS58102333A (ja) | 1981-12-14 | 1981-12-14 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56202206A JPS58102333A (ja) | 1981-12-14 | 1981-12-14 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58102333A true JPS58102333A (ja) | 1983-06-17 |
Family
ID=16453715
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56202206A Pending JPS58102333A (ja) | 1981-12-14 | 1981-12-14 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58102333A (ja) |
-
1981
- 1981-12-14 JP JP56202206A patent/JPS58102333A/ja active Pending
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