JPH0334131B2 - - Google Patents

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JPH0334131B2
JPH0334131B2 JP21291181A JP21291181A JPH0334131B2 JP H0334131 B2 JPH0334131 B2 JP H0334131B2 JP 21291181 A JP21291181 A JP 21291181A JP 21291181 A JP21291181 A JP 21291181A JP H0334131 B2 JPH0334131 B2 JP H0334131B2
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JP
Japan
Prior art keywords
temperature
substrate
thin film
magnetic recording
recording medium
Prior art date
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Expired
Application number
JP21291181A
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English (en)
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JPS58115634A (ja
Inventor
Ryuji Sugita
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication of JPS58115634A publication Critical patent/JPS58115634A/ja
Publication of JPH0334131B2 publication Critical patent/JPH0334131B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54Controlling or regulating the coating process
    • C23C14/541Heating or cooling of the substrates
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/84Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
    • G11B5/85Coating a support with a magnetic layer by vapour deposition

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
  • Thin Magnetic Films (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は磁気記録媒体の製造方法に関するもの
であつて、その目的とするところは磁気記録媒体
の走行性、巻き取り性、磁気ヘツドタツチ等に悪
影響を及ぼすカールの発生を防止した製造方法を
提供するものである。
従来、磁気記録媒体としては、非磁性基板上に
磁性粉を塗布した塗布形媒体が用いられてきた。
現在、磁気記録再生装置は小型化、高密度化の傾
向にあるが、塗布形媒体では高密度化に限界があ
る。この限界を越えるものとして強磁性金属薄膜
よりなる薄膜形媒体が注目されている。強磁性金
属薄膜よりなる薄膜形媒体を製造する方法には、
メツキ法、スパツタリング法、および真空蒸着法
等があるが、量産性や安定性を考慮すると真空蒸
着法が最も優れている。真空蒸着法にて生産性が
良くかつ安定に薄膜形媒体を形成するには、第1
図に示すように、円筒状キヤン2の周側面に沿わ
せて高分子材料よりなる基板1を矢印A方向へ移
動させつつ蒸着を行なえばよい。なお、3,4は
それぞれ基板1の供給ロールおよび巻き取りロー
ル、5は蒸発源である。
しかし、上記の方法で薄膜を形成すると、一般
に第2図に示す強磁性金属薄膜6が内側になるよ
うなカール(以下この様なカールを正カールと称
す)を生じ、磁気記録媒体として使用する際に走
行性、巻き取り性、磁気ヘツドタツチ等が悪くな
るという問題を生じる。磁気記録媒体として使用
するためには、カールの量を第2図に示したt,
lを用いてt/lで表わしたとき、t/lが10%
以下になることが必要である。この条件を満たす
ためには、第3図に示すように磁気記録媒体にお
いて強磁性金属薄膜6と反対側に非磁性層7を形
成するか、あるいは薄膜形成後に熱処理を施して
基板1を収縮させればよいが、いずれにしても工
程が少なくとも一つ増加してしまう。
本発明の方法は、このように工程を増加させず
に、蒸着時に基板を熱収縮させることによりカー
ルを減少させ、t/lを10%以下にすることがで
きるものである。
一般に高分子材料よりなる基板は加熱すると熱
収縮を生じるが、本発明はキヤンの温度を上げる
ことにより基板を加熱し、それに蒸発原子の付着
時の基板の温度上昇を加えることにより基板を熱
収縮させ、その収縮量をカールt/lが10%以下
になるようにするものである。実験の結果、基板
を10分間放置した後の熱収縮率が0.1〜5%にな
る温度よりも100℃低い温度に設定して蒸着を行
なうと、t/lが10%以下になることが明らかに
なつた。この熱収縮率が0.1%よりも小さい値に
なる温度よりも100℃低い温度にキヤンの温度を
設定して蒸着を行なうと、得られる磁気記録媒体
は第2図のように正カールしており、t/lが10
%以上となる。また、熱収縮率が5%より大きな
値となる温度よりも100℃低い温度にキヤンの温
度を設定して蒸着を行なうと、得られる磁気記録
媒体は第4図のように強磁性金属薄膜6が外側に
なる形でカール(以下このようなカールを逆カー
ルと称す)しており、t/lが10%以上となる。
次に本発明の実施例を述べる。
実施例 1 斜め蒸着法によりNiを20%含むCo−Ni薄膜を
第5図に示す構成の装置で作製した。図におい
て、8はマスクである。基板1として10μm厚の
ポリエチレンテレフタレートフイルムを用い蒸着
時の基板1の走行速度を20m/分、強磁性金属薄
膜としての蒸着膜の膜厚を1200Åとして、キヤン
2の温度80℃にて蒸着膜を形成した。なお、用い
たポリエチレンテレフタレートは180℃で10分間
放置した後の熱収縮率が1.2%である。得られた
磁気記録媒体は逆カールをしており、そのt/l
は2%であつた。
実施例 2 第6図に示す装置にて、膜の垂直方向に磁化容
易軸を有するCo−Cr垂直磁化膜を作製した。基
板1としてポリアミド系の耐熱性高分子材料より
なるフイルムを用い、蒸着時の基板1の走行速度
を10m/分、強磁性金属薄膜としての蒸着膜の膜
厚を2000Åとしてキヤン2の温度230℃にて膜を
形成した。なお、このフイルムは330℃で10分間
放置した後の熱収縮率は2.4%である。得られた
磁気記録媒体は正カールをしており、そのt/l
は3%であつた。
以上のように、本発明の方法は、強磁性金属薄
膜よりなる磁性層を、円筒状キヤンの周側面に沿
つて移動している高分子材料よりなる基板上に真
空蒸着法により形成する際に、基板を10分間放置
した後の熱収縮率が0.1〜5%である温度よりも
100℃低い温度に前記キヤンの温度を設定してい
るので、カールのほとんどない磁気記録媒体を得
ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は一般的な真空蒸着装置の要部の構成を
示す図、第2図は従来の真空蒸着法により得られ
た磁気記録媒体のカールの状態を示す図、第3図
は裏面に薄膜を形成することによりカールの発生
を防止した磁気記録媒体を示す図、第4図は逆カ
ールした磁気記録媒体を示す図、第5図および第
6図はそれぞれ本発明の方法の実施例を説明する
ための図である。 1……基板、2……円筒状キヤン、5……蒸発
源、8……マスク。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 強磁性金属薄膜よりなる磁性層を、円筒状キ
    ヤンの周側面に沿つて移動しつつある高分子材料
    よりなる基板上に真空蒸着法により形成する際
    に、前記基板を10分間放置した後の熱収縮率が
    0.1〜5%である温度よりも100℃低い温度に前記
    キヤンの温度を設定することを特徴とする磁気記
    録媒体の製造方法。
JP56212911A 1981-12-28 1981-12-28 磁気記録媒体の製造方法 Granted JPS58115634A (ja)

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JP56212911A JPS58115634A (ja) 1981-12-28 1981-12-28 磁気記録媒体の製造方法

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Publication Number Publication Date
JPS58115634A JPS58115634A (ja) 1983-07-09
JPH0334131B2 true JPH0334131B2 (ja) 1991-05-21

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ID=16630316

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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60150237A (ja) * 1984-01-14 1985-08-07 Sony Corp 磁気記録媒体の製造方法
JPS61115226A (ja) * 1984-11-08 1986-06-02 Fuji Photo Film Co Ltd 磁気記録媒体

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JPS58115634A (ja) 1983-07-09

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