JPS58103114A - コンデンサ用半導体磁器 - Google Patents
コンデンサ用半導体磁器Info
- Publication number
- JPS58103114A JPS58103114A JP56201692A JP20169281A JPS58103114A JP S58103114 A JPS58103114 A JP S58103114A JP 56201692 A JP56201692 A JP 56201692A JP 20169281 A JP20169281 A JP 20169281A JP S58103114 A JPS58103114 A JP S58103114A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- weight
- semiconductor
- pbo
- insulating material
- substance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 6
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 title description 25
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 14
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 14
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 13
- 238000003869 coulometry Methods 0.000 claims description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 9
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 8
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 4
- 210000000554 iris Anatomy 0.000 claims description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 2
- 241000208340 Araliaceae Species 0.000 claims 1
- 235000005035 Panax pseudoginseng ssp. pseudoginseng Nutrition 0.000 claims 1
- 235000003140 Panax quinquefolius Nutrition 0.000 claims 1
- 235000008434 ginseng Nutrition 0.000 claims 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 11
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 8
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 239000002689 soil Substances 0.000 description 2
- 241000283690 Bos taurus Species 0.000 description 1
- 241000255925 Diptera Species 0.000 description 1
- 239000000020 Nitrocellulose Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052770 Uranium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229920001220 nitrocellulos Polymers 0.000 description 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IATRAKWUXMZMIY-UHFFFAOYSA-N strontium oxide Inorganic materials [O-2].[Sr+2] IATRAKWUXMZMIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
- H01G4/1272—Semiconductive ceramic capacitors
- H01G4/1281—Semiconductive ceramic capacitors with grain boundary layer
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/46—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates
- C04B35/462—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates
- C04B35/465—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates
- C04B35/47—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates based on strontium titanates
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
不発明Φ了、粒界絶縁製の５ｒＴｊＯ，糸コンデンサ用
半導体磁器及びその製造方法に関し、更に詳細にｔＸ、
見損けの比誘電率（ｃ）が大きく、その比−電率の温度
変化率（暢）が小さく、しか％１１電体損失（ｔａｎ
＃ ４）が少ない半導体ａＭ！及びその製造方法に関す
る。
半導体磁器及びその製造方法に関し、更に詳細にｔＸ、
見損けの比誘電率（ｃ）が大きく、その比−電率の温度
変化率（暢）が小さく、しか％１１電体損失（ｔａｎ
＃ ４）が少ない半導体ａＭ！及びその製造方法に関す
る。
特公昭５５−２２０１４号公＠に、５ｒＴｉＯ，、Ｔａ
ｇＯいＺｎＯから成ゐ半導体磁器ｆ）結晶粒界４（ｐｂ
ｏ。
ｇＯいＺｎＯから成ゐ半導体磁器ｆ）結晶粒界４（ｐｂ
ｏ。
ｂ ｉ２０＠ ｈ ｂｊｏｌ ’に’含有させた粒界絶
縁層の５ｒＴｉ０１糸コンデンヤ用牛導体磁器即ち半導
体ｍａｉｌ放物が開示されている。このａ器組成物の見
損けの比卿電＊ （ｇ）−１５０，０００〜６７．００
０であり、この比誘電率Ｃ）温ｆ％性は土１５１（−２
５℃〜＋８５℃）以内であり、誘電体指先ｔａｎ ａ
４２０−７５１１ｋ Ｊ′ｉ下であるので、比軟的特注
の優れたａ器コンデンサを提供することが出来る。しか
し、半導体ａＳＳの結晶粒子の平均粒＠ｔ２４０〜６０
１ｍであり、これに対応した見羨けの比誘電率しか得ら
ｎない。
縁層の５ｒＴｉ０１糸コンデンヤ用牛導体磁器即ち半導
体ｍａｉｌ放物が開示されている。このａ器組成物の見
損けの比卿電＊ （ｇ）−１５０，０００〜６７．００
０であり、この比誘電率Ｃ）温ｆ％性は土１５１（−２
５℃〜＋８５℃）以内であり、誘電体指先ｔａｎ ａ
４２０−７５１１ｋ Ｊ′ｉ下であるので、比軟的特注
の優れたａ器コンデンサを提供することが出来る。しか
し、半導体ａＳＳの結晶粒子の平均粒＠ｔ２４０〜６０
１ｍであり、これに対応した見羨けの比誘電率しか得ら
ｎない。
このため、今日要求されている見損けの比ｐｓｉｆ）極
めて高い磁器組成物を提供することができない。
めて高い磁器組成物を提供することができない。
そこで、本発明の目的は、見１ｉ４１ｊの比騎電４（Ｃ
）が１に約て高い８ｒＴｉＯ，糸コンデンサ用半導体磁
器及びその製造方法を提供することにある。
）が１に約て高い８ｒＴｉＯ，糸コンデンサ用半導体磁
器及びその製造方法を提供することにある。
上記目的を達成するための本−の第１番目の発明を１．
５ｒＴｉＯｓ９４−５０〜９９．６２１量鳴とＴａ、０
゜０．３３〜３．００１量鳴とＺｎＯＯ，０５〜２−５
０ Ｎ１鳴とで１００１［重畳となる主成分］００１量
部、 Ｓｉｎ。
５ｒＴｉＯｓ９４−５０〜９９．６２１量鳴とＴａ、０
゜０．３３〜３．００１量鳴とＺｎＯＯ，０５〜２−５
０ Ｎ１鳴とで１００１［重畳となる主成分］００１量
部、 Ｓｉｎ。
０．０２〜０．１０電量部、ＡＩ、０．０．０１〜０．
０３３電量部、（ＯＩシ、前記Ｓｉｎｇの電量部及び前
記ＡＩ、０．の電量部をゴ、Ｓｉｎ雪の１童ｓ／Ａｌ倉
０薯の電量部が１．５〜５．０となる範囲である）を含
有し、更に、前記主成分と前記Ｓｉｎ、と前記ＡＩ、０
１との合計電量に対して０．０３〜２．８０電量嘔のＰ
ｂＯと、 ０．１ ］〜４．３８重量嘔のＢｉ、０１と
、０．００１〜０．１８３１量暢のＢ、Ｏ畠とを含有し
ていることを％像とするコンデンサ用半導体磁器に係わ
るものである。
０３３電量部、（ＯＩシ、前記Ｓｉｎｇの電量部及び前
記ＡＩ、０．の電量部をゴ、Ｓｉｎ雪の１童ｓ／Ａｌ倉
０薯の電量部が１．５〜５．０となる範囲である）を含
有し、更に、前記主成分と前記Ｓｉｎ、と前記ＡＩ、０
１との合計電量に対して０．０３〜２．８０電量嘔のＰ
ｂＯと、 ０．１ ］〜４．３８重量嘔のＢｉ、０１と
、０．００１〜０．１８３１量暢のＢ、Ｏ畠とを含有し
ていることを％像とするコンデンサ用半導体磁器に係わ
るものである。
上記発明によれば、見ｍけの比誘電率が約８０．０００
以上、ｔａｎ Ｉが１参以下、抵抗率が１．０×１００
・ｃｍ以上のような良品基準を上回るコンデンサ用牛導
体ａ器を得ることができる。
以上、ｔａｎ Ｉが１参以下、抵抗率が１．０×１００
・ｃｍ以上のような良品基準を上回るコンデンサ用牛導
体ａ器を得ることができる。
本願の第２番目の発明Ｉ″Ｓ、牛導体磁器を製造する方
法に係わるものであり、第１誉目の発明と同一の組成比
でＳｒＴｉ０ｇ、Ｔａ１Ｏ，ｓ ＺｎＯ％ ｂｊｏｌ
ｂ ＡｌｅＯｓを含む円板又Ｉ″Ｓ円筒等の半導体ｍ器
を作製し、しかる後、ＰｂＯ１Ｂｉ、０．及びＢ、０．
又Ｉゴこれ等を祷ることが出来る物質を含む絶縁化物質
（拡散物質）を半導体磁器の表面に付着させ、これを熱
拡散することによって半導体磁器の結晶粒界にＰｂＯ１
Ｂ輸０１及びＢ、０１を含有させることを特徴とするも
のである。この方法によれば、本発明で目的とする見揖
けの比誘電率の高い半導体磁器を容易に得ることができ
る。
法に係わるものであり、第１誉目の発明と同一の組成比
でＳｒＴｉ０ｇ、Ｔａ１Ｏ，ｓ ＺｎＯ％ ｂｊｏｌ
ｂ ＡｌｅＯｓを含む円板又Ｉ″Ｓ円筒等の半導体ｍ器
を作製し、しかる後、ＰｂＯ１Ｂｉ、０．及びＢ、０．
又Ｉゴこれ等を祷ることが出来る物質を含む絶縁化物質
（拡散物質）を半導体磁器の表面に付着させ、これを熱
拡散することによって半導体磁器の結晶粒界にＰｂＯ１
Ｂ輸０１及びＢ、０１を含有させることを特徴とするも
のである。この方法によれば、本発明で目的とする見揖
けの比誘電率の高い半導体磁器を容易に得ることができ
る。
次に本発明の好ましい実施例について述べる。
実施例 】
工業用の５ｒＴｉＯｓ （不純物として、Ｂａ ％ Ｆ
ｅ ｈ Ｍｎ ｓＣｍ 、Ｎａ 、 Ｋ等を微量含！
） 、Ｔａ、０．、 ＺｎＯ１Ｓｉｎ。
ｅ ｈ Ｍｎ ｓＣｍ 、Ｎａ 、 Ｋ等を微量含！
） 、Ｔａ、０．、 ＺｎＯ１Ｓｉｎ。
及びＡｔ、（Ｊ、を第１表に示す組成となるように配合
し、これ等に不純物が混入することを防止するためにゴ
ムライニングボール使用のゴムライニングミルで湿式混
合をし、乾燥させた後、有機バインダとしてポリビニル
アルコールを加え、加圧成形理によりバインダを除去し
た後、９９優Ｎ□−１暢Ｈ８の弱還元性の雰囲気中にお
いて、１３５０〜１４５゜℃、２〜４時間焼結し、大き
さがそれぞれ直径約８ ｍｍ％厚さ約０．４ｍｍの円板
状半導体ｆＢ器を作製した。なお、原料なゴムライニン
グミルで混合し友ので、磁器製ボール等のメディアから
不純物が混入することが阻止され、Ｓ１０．とＡＩ、０
．との量のコントロールを正確に行うことが可能になっ
九。
し、これ等に不純物が混入することを防止するためにゴ
ムライニングボール使用のゴムライニングミルで湿式混
合をし、乾燥させた後、有機バインダとしてポリビニル
アルコールを加え、加圧成形理によりバインダを除去し
た後、９９優Ｎ□−１暢Ｈ８の弱還元性の雰囲気中にお
いて、１３５０〜１４５゜℃、２〜４時間焼結し、大き
さがそれぞれ直径約８ ｍｍ％厚さ約０．４ｍｍの円板
状半導体ｆＢ器を作製した。なお、原料なゴムライニン
グミルで混合し友ので、磁器製ボール等のメディアから
不純物が混入することが阻止され、Ｓ１０．とＡＩ、０
．との量のコントロールを正確に行うことが可能になっ
九。
次に、ＰｂＯ粉末５０菖童鳴、Ｂ１１０１粉末４５１量
Ｓ％Ｂ、０．粉末５電倉鳴で］００電童嘔となるように
配合され九絶縁化物質にニトロセルロース及びブチルカ
ルピトールを加えてペーストを作製し。
Ｓ％Ｂ、０．粉末５電倉鳴で］００電童嘔となるように
配合され九絶縁化物質にニトロセルロース及びブチルカ
ルピトールを加えてペーストを作製し。
これを前の工株で作製し九円板状牛導体ｉＢ器ｆ）片主
面にスクリーン印刷で塗布し九、なお、】００ｒｎｇの
円板状半導体磁器に対して絶縁化物質を】Ｏｒｎｇ（３
０菖當憾）Ｉ１ｍ！布した。
面にスクリーン印刷で塗布し九、なお、】００ｒｎｇの
円板状半導体磁器に対して絶縁化物質を】Ｏｒｎｇ（３
０菖當憾）Ｉ１ｍ！布した。
次に、絶縁化物質を塗布した牛導体ａ器を酸化雰囲気中
において】】５０〜１３００℃の範囲の一定ｍ度で２時
間加熱処理し、半導体ａｍの粒界層にＰｂＯ１ＢｉｌＯ
，、及びＢ、０１を拡散させ１粒界層の絶縁体化を図っ
た。これにより、第】図に模式的に示す半導体結晶粒子
１１３と絶縁化された粒界層（２１とから成る半導体磁
器（３１が得られた。しかる後、この半導体磁器１３１
の両主面に銀ペーストを塗布し、焼付けることによって
一対のコンデンサ電極＋４１ ＋５１を形成し、半導体
磁器コンデンサを完成させた。
において】】５０〜１３００℃の範囲の一定ｍ度で２時
間加熱処理し、半導体ａｍの粒界層にＰｂＯ１ＢｉｌＯ
，、及びＢ、０１を拡散させ１粒界層の絶縁体化を図っ
た。これにより、第】図に模式的に示す半導体結晶粒子
１１３と絶縁化された粒界層（２１とから成る半導体磁
器（３１が得られた。しかる後、この半導体磁器１３１
の両主面に銀ペーストを塗布し、焼付けることによって
一対のコンデンサ電極＋４１ ＋５１を形成し、半導体
磁器コンデンサを完成させた。
上述のような磁器コンデンサの製造に於いて、主成分、
Ｓ ｉＵ、、及びＡＩ、０．４２鳳科の組成比の状態で
完成した磁器に含まれるが、絶縁化物質とじてのＰｂＱ
、ＢＩ、Ｏ，及びＢ、０．は塗布後の加熱処理ＩＦ）工
程で全部拡散されない。ｊｌｌＪち拡散のための加熱処
理時の蒸発勢のために、塗布した絶縁化物質°の一部の
みが磁器中に残存する。］０００ｍｇ１Ｆａ器に対する
絶縁化物質の拡散量（残存量）は成分によっテ１４Ｙｘ
ｒ）、ｐｂｏｔｘ約０．２７〜０．７９１量１１ （
０，２７〜０．７９Ｊ ） ノ範囲、Ｈｉ、０１ｔ２０
．５３〜］−５０ｌ１ｌｉ１１（０，５］ 〜１．５０
ｍｇ）４”）範囲、Ｂ＊０ａｔ２ ｏ、ｏ ３〜ｏ、ｏ
５１に童憾（０，０１〜０．０５ ｍｇ）の範囲であ
る。
Ｓ ｉＵ、、及びＡＩ、０．４２鳳科の組成比の状態で
完成した磁器に含まれるが、絶縁化物質とじてのＰｂＱ
、ＢＩ、Ｏ，及びＢ、０．は塗布後の加熱処理ＩＦ）工
程で全部拡散されない。ｊｌｌＪち拡散のための加熱処
理時の蒸発勢のために、塗布した絶縁化物質°の一部の
みが磁器中に残存する。］０００ｍｇ１Ｆａ器に対する
絶縁化物質の拡散量（残存量）は成分によっテ１４Ｙｘ
ｒ）、ｐｂｏｔｘ約０．２７〜０．７９１量１１ （
０，２７〜０．７９Ｊ ） ノ範囲、Ｈｉ、０１ｔ２０
．５３〜］−５０ｌ１ｌｉ１１（０，５］ 〜１．５０
ｍｇ）４”）範囲、Ｂ＊０ａｔ２ ｏ、ｏ ３〜ｏ、ｏ
５１に童憾（０，０１〜０．０５ ｍｇ）の範囲であ
る。
このようにして得られた各試料について、Ｊｔ彌けの比
誘電率ε、誘電体損失ｔａｎ Ｊ％抵抗Ｗ−ｐを測定し
たところ、第】表に示す結果が得られた。
誘電率ε、誘電体損失ｔａｎ Ｊ％抵抗Ｗ−ｐを測定し
たところ、第】表に示す結果が得られた。
尚、Ｃとｔａｎ Ｊ ＋１ ］ ｋＨｚ″Ｑ＄１Ｊ足し
、Ｐを１厘ｆｉ５０Ｖを印加して１分間経過した後に測
定した。ｆ虎第１表に於いて、主成分の５ｒＴｉ０１と
Ｔａ２Ｏ，とＺｎＯとの電量係の総和が】００重量暢で
ある。′！！た副成分のＳｉｎ、とＡＩ、０．とｔゴ、
主成分１００重量部に対する１童部で示されて−る。ま
九、電気的特性ｔ１同一試料３０個の平均値で示されて
いる。
、Ｐを１厘ｆｉ５０Ｖを印加して１分間経過した後に測
定した。ｆ虎第１表に於いて、主成分の５ｒＴｉ０１と
Ｔａ２Ｏ，とＺｎＯとの電量係の総和が】００重量暢で
ある。′！！た副成分のＳｉｎ、とＡＩ、０．とｔゴ、
主成分１００重量部に対する１童部で示されて−る。ま
九、電気的特性ｔ１同一試料３０個の平均値で示されて
いる。
第１表から明らかなように、主成分の組成比が８ｒＴｉ
Ｕ１９４−り Ｏ〜９９．６０１１量番、Ｔａ麿０＠
０−３３〜３．００１１量鳴、Ｚｎ００．Ｏｂ 〜２．
ＩＳ Ｏ重置部の範囲にあり、且つ１００１量ｓｆ）主
成分に対して８１０゜が０．０２〜０．１０ ｘｍｓ
−Ａｌｅ’ｓが０．０１〜０．０３ＸｔＳ＜但し、ｓｔ
ｏ、 ／ Ａｌｔｏｓ ノ１量比１＄ １．ｆｉ 〜５
．０）の範囲にある試料番号８〜１１．１３〜１６、】
８．２０〜２２．２５〜２７．２９、及び３０の磁器に
よれば、結晶の平均粒径が６０〜１２０声、−が８４．
０００〜１４３，０００、ｔａｎ ａが０．６畳以下、
−が］、Ｉ Ｘ ］ ＯΩ・ｃｍ以上となり、前述の良
品基準を上回るコンデンサを得ることが出来る。
Ｕ１９４−り Ｏ〜９９．６０１１量番、Ｔａ麿０＠
０−３３〜３．００１１量鳴、Ｚｎ００．Ｏｂ 〜２．
ＩＳ Ｏ重置部の範囲にあり、且つ１００１量ｓｆ）主
成分に対して８１０゜が０．０２〜０．１０ ｘｍｓ
−Ａｌｅ’ｓが０．０１〜０．０３ＸｔＳ＜但し、ｓｔ
ｏ、 ／ Ａｌｔｏｓ ノ１量比１＄ １．ｆｉ 〜５
．０）の範囲にある試料番号８〜１１．１３〜１６、】
８．２０〜２２．２５〜２７．２９、及び３０の磁器に
よれば、結晶の平均粒径が６０〜１２０声、−が８４．
０００〜１４３，０００、ｔａｎ ａが０．６畳以下、
−が］、Ｉ Ｘ ］ ＯΩ・ｃｍ以上となり、前述の良
品基準を上回るコンデンサを得ることが出来る。
一方、本発明の＠回外である試料番号１〜７．１２．１
７、】９．２３．２４．２８．３１〜３４の磁器から明
゛らかなように、”＊ ／ Ａ１１０３ Ｆ）重量比が
１．５未満範囲ではｓ ｏ、ｏ ｏ ｏ以上のＣを得る
ことが出来ず、また上記比が５を越えた範囲では、ｔａ
ｎ ａが１．０’１以上又ｋｌ ｐが］、ＯＸ］０Ω−
ｃｍ以下トＩＩＡ＜ｒｘｌ、１１ｃり、８ｉ０．カ）
００Ｆ１１１１ｍＦ）主成分に対して０．０２菖量部未
満であるとεを５ｏｏｏ。
７、】９．２３．２４．２８．３１〜３４の磁器から明
゛らかなように、”＊ ／ Ａ１１０３ Ｆ）重量比が
１．５未満範囲ではｓ ｏ、ｏ ｏ ｏ以上のＣを得る
ことが出来ず、また上記比が５を越えた範囲では、ｔａ
ｎ ａが１．０’１以上又ｋｌ ｐが］、ＯＸ］０Ω−
ｃｍ以下トＩＩＡ＜ｒｘｌ、１１ｃり、８ｉ０．カ）
００Ｆ１１１１ｍＦ）主成分に対して０．０２菖量部未
満であるとεを５ｏｏｏ。
以上にすることが出来ず、またこれが０．１重食部を越
すと、大きなＣが得られな（なる。またＡｔ、Ｏａが０
．０３１に型部未満であると、８０．０００以上のｇｔ
得ることが不可能になり、これが０．０３重量部を越え
ると、Ｃがｓｏ、ｏｏｏ以下になる。従って、Ｓｉ偽及
びＡＩ、Ｕ、の好まし一範曲を了、Ｓ ｉ Ｏ＊／Ａ１
＊Ｏａの重量比が１．５〜５であると共に、ＳｉＯ，が
０．０２〜０．Ｊ重量部、ＡＩ、０．が０．Ｏ］〜０．
０３電量部の範囲である。
すと、大きなＣが得られな（なる。またＡｔ、Ｏａが０
．０３１に型部未満であると、８０．０００以上のｇｔ
得ることが不可能になり、これが０．０３重量部を越え
ると、Ｃがｓｏ、ｏｏｏ以下になる。従って、Ｓｉ偽及
びＡＩ、Ｕ、の好まし一範曲を了、Ｓ ｉ Ｏ＊／Ａ１
＊Ｏａの重量比が１．５〜５であると共に、ＳｉＯ，が
０．０２〜０．Ｊ重量部、ＡＩ、０．が０．Ｏ］〜０．
０３電量部の範囲である。
なお、主成分の組成比を本発明の範Ｈ外にし光場合にも
、勿論良品基準を上回るコンデンサを得ることが不可能
になる。
、勿論良品基準を上回るコンデンサを得ることが不可能
になる。
第１表に於いて１本発明の範囲、に入る試料の見ＩＩけ
の比誘電率６の温度特性を欄定したところ、鋤ての試料
の見ｍけの比誘電率Ｃの温度変化率は第２図のｆＲ線領
域に含まれ良、即ち、２０℃の比誘電率を基準にして、
−２１Ｃ〜＋８５℃の範囲での比誘電率の変化率・１土
１５畳以内であった。
の比誘電率６の温度特性を欄定したところ、鋤ての試料
の見ｍけの比誘電率Ｃの温度変化率は第２図のｆＲ線領
域に含まれ良、即ち、２０℃の比誘電率を基準にして、
−２１Ｃ〜＋８５℃の範囲での比誘電率の変化率・１土
１５畳以内であった。
実施例 ２
実施例１に於ける絶縁化物質（拡散物質）としてのＰｂ
Ｏ１Ｂｉ、０．、及びＢ、０．０比率のみを＄２表に示
すように変化させ、製造方法は実施例１と同一として半
導体磁器コンデンサを作製し、電気的特性を欄定したと
ころ、第２表に示す結果が得られた。なお、第２表に於
ける磁器の欄は絶縁化物質を塗布する半導体磁器を示す
、また絶縁化物質は磁器（］０００１ｇに対して１０富
量嘔（］Ｏｍｇ）塗布し友。
Ｏ１Ｂｉ、０．、及びＢ、０．０比率のみを＄２表に示
すように変化させ、製造方法は実施例１と同一として半
導体磁器コンデンサを作製し、電気的特性を欄定したと
ころ、第２表に示す結果が得られた。なお、第２表に於
ける磁器の欄は絶縁化物質を塗布する半導体磁器を示す
、また絶縁化物質は磁器（］０００１ｇに対して１０富
量嘔（］Ｏｍｇ）塗布し友。
この第２表の試料番号３６〜４０．４２．４３．４５．
４７．４８．５０．５３〜６】、及び６３〜６８から明
らかなように、 ｐｂｏが３】〜５６重量鳴置部ｉ、０
．が３４〜６６菖童鳴、Ｂ、Ｏｓが２〜】。
４７．４８．５０．５３〜６】、及び６３〜６８から明
らかなように、 ｐｂｏが３】〜５６重量鳴置部ｉ、０
．が３４〜６６菖童鳴、Ｂ、Ｏｓが２〜】。
１量鳴の範四で１１大きなＣを有し、ｔａｎ Ｉ及び−
も優れて−る磁器を得ることが出来る。一方、本発明の
範囲外である試料番号３５．４】、４４．４６．４９．
５１．５２、及び６２から明らかなように、ｐｂｏ、Ｂ
ｌ、０．、Ｂ雪０１の比が上記の範囲外となｎば所望の
特性を得ることが不可能になる。
も優れて−る磁器を得ることが出来る。一方、本発明の
範囲外である試料番号３５．４】、４４．４６．４９．
５１．５２、及び６２から明らかなように、ｐｂｏ、Ｂ
ｌ、０．、Ｂ雪０１の比が上記の範囲外となｎば所望の
特性を得ることが不可能になる。
従って、塗布する絶縁化物質の、好ｆしい組成比金子、
ｐｂｏが３１〜５６電を憾、Ｂｉ、０畠が３４〜６６冨
を畳、Ｂ、０．が２〜１０重量憾である。
ｐｂｏが３１〜５６電を憾、Ｂｉ、０畠が３４〜６６冨
を畳、Ｂ、０．が２〜１０重量憾である。
この実施ガ２に於ける本発明の１＠囲円の試料の磁器に
対するｐｂｏ、Ｂｉ、０．、及びＢ、０．の拡散量を求
約たところ、ｐｂｏｔｌｏ、０６〜１．７９重量係、Ｂ
ｉ、０゜４０．２３〜２．８０重量畳、Ｂ、Ｏｄ） ０
．００２〜０．１２電量鳴の範囲であつ九。
対するｐｂｏ、Ｂｉ、０．、及びＢ、０．の拡散量を求
約たところ、ｐｂｏｔｌｏ、０６〜１．７９重量係、Ｂ
ｉ、０゜４０．２３〜２．８０重量畳、Ｂ、Ｏｄ） ０
．００２〜０．１２電量鳴の範囲であつ九。
実施例 ３
実施ガ２で示した本発明の範囲内の組成比の絶縁化物質
の塗布量な半導体磁器（重量約１００ｍｍｇ）に対して
ｉｌｌ量鳴置部ｍｍｇ）〜３Ｂ３５電量鳴 ５ ｍｍｇ
）の範囲で変化させ、加熱温度を】】５０〜１３００
℃、加熱時間１に１〜４時間の範Ｈで変化させることに
よって絶縁化物質の拡散量が異なる多数の磁器を作製し
、εがｓｏ、ｏｏｏ以上、ｔａｎδが１畳以下、Ｐが］
、ＯＸ］０ Ω・ｃｍ以上の半導体ａ″６を得ること
が可能な絶縁化物質σ）拡散量を求めたところ、半導体
磁器の重量（１００重量僑）に対してＰｂＯが０．０３
〜２．８０３１１１％Ｂｉ、０．が０・１１〜４．３８
１童鳴、Ｂ、０１が０．００１〜０．１８重量畳であつ
九。
の塗布量な半導体磁器（重量約１００ｍｍｇ）に対して
ｉｌｌ量鳴置部ｍｍｇ）〜３Ｂ３５電量鳴 ５ ｍｍｇ
）の範囲で変化させ、加熱温度を】】５０〜１３００
℃、加熱時間１に１〜４時間の範Ｈで変化させることに
よって絶縁化物質の拡散量が異なる多数の磁器を作製し
、εがｓｏ、ｏｏｏ以上、ｔａｎδが１畳以下、Ｐが］
、ＯＸ］０ Ω・ｃｍ以上の半導体ａ″６を得ること
が可能な絶縁化物質σ）拡散量を求めたところ、半導体
磁器の重量（１００重量僑）に対してＰｂＯが０．０３
〜２．８０３１１１％Ｂｉ、０．が０・１１〜４．３８
１童鳴、Ｂ、０１が０．００１〜０．１８重量畳であつ
九。
以上、本発明の実施例について述べたが、本発明はこれ
に限定されるものでｔゴな（、更に変形可能なものであ
る１例えば、本発明の％徽を阻瞥しない範囲で他の特性
改豐物質を付加しても差支えない。ま九、Ｐｂ（Ｊ 、
ｋ３１＊Ｏａ、Ｂ、０１の粉末にてベーストを作製せ
ずに、絶縁化のための拡散加熱でＰｂＯ１Ｈｉ、Ｏ，、
Ｂ、０．に変換さｎる例えばｐｂ、ｏ、、ＰｂＦ諺、Ｐ
ｂ（ＢＵ、）ｈＢｉＦ、等の物質を磁器の一方又ｔ１両
方の主面に塗布して、最終的に磁器の中にＰｂ０Ｂ ｉ
＊ Ｕｓ −８ｍ ０１を偏在させてもよい。また、
ＰｂＵ、Ｂ１．Ｕ、、Ｈ，ＯＩに変換することが出来る
物質の配合物を作り、これを例えば１０００℃で焼成し
、ＰｂＵＢｉＨＯＢ Ｂ＠ＯＨｔ）組成物を作り、こ
れを粉砕した粉末ペーストを作って塗布してもよい、ま
た絶縁化物質を蒸着又を丁浸漬等で磁器に付着させても
よい、ｆた、最初の原料を５ｒＴｉＯ，、Ｔａ１Ｏ＠、
ＺｎＯ１Ｓ１０１、ＡＩ、（Ｊｌ、 ＰｂＯ１Ｂｉ、０
．、 Ｂ、０．とせずに、これ等を得るための物質を原
料としてもよい１例えばＳｒｌ’ｉ０１ヲ炭ａｌストロ
ンチウムと酸化チタンとから得るようにしてもよい、ま
たゴムライニングボールに限らずに、ＳｉＵヨとＡＩ、
０．とが不純物として混入する恐れのない他の容器を使
用して主成分と副成分との原料を混合するようにしても
よい、・
に限定されるものでｔゴな（、更に変形可能なものであ
る１例えば、本発明の％徽を阻瞥しない範囲で他の特性
改豐物質を付加しても差支えない。ま九、Ｐｂ（Ｊ 、
ｋ３１＊Ｏａ、Ｂ、０１の粉末にてベーストを作製せ
ずに、絶縁化のための拡散加熱でＰｂＯ１Ｈｉ、Ｏ，、
Ｂ、０．に変換さｎる例えばｐｂ、ｏ、、ＰｂＦ諺、Ｐ
ｂ（ＢＵ、）ｈＢｉＦ、等の物質を磁器の一方又ｔ１両
方の主面に塗布して、最終的に磁器の中にＰｂ０Ｂ ｉ
＊ Ｕｓ −８ｍ ０１を偏在させてもよい。また、
ＰｂＵ、Ｂ１．Ｕ、、Ｈ，ＯＩに変換することが出来る
物質の配合物を作り、これを例えば１０００℃で焼成し
、ＰｂＵＢｉＨＯＢ Ｂ＠ＯＨｔ）組成物を作り、こ
れを粉砕した粉末ペーストを作って塗布してもよい、ま
た絶縁化物質を蒸着又を丁浸漬等で磁器に付着させても
よい、ｆた、最初の原料を５ｒＴｉＯ，、Ｔａ１Ｏ＠、
ＺｎＯ１Ｓ１０１、ＡＩ、（Ｊｌ、 ＰｂＯ１Ｂｉ、０
．、 Ｂ、０．とせずに、これ等を得るための物質を原
料としてもよい１例えばＳｒｌ’ｉ０１ヲ炭ａｌストロ
ンチウムと酸化チタンとから得るようにしてもよい、ま
たゴムライニングボールに限らずに、ＳｉＵヨとＡＩ、
０．とが不純物として混入する恐れのない他の容器を使
用して主成分と副成分との原料を混合するようにしても
よい、・
ｌ＠１図を１本発明の実施例に保わる磁器コンデンヤを
模式的に示す断面図、第２図は温度変化に対Ｔる比銹電
率を示す特性図である。 尚図面に用いられ１いる符号に於いて、ｉｌｌ を子粒
子、（２ｍ粒界層、（３）は磁器、１４１１５１は電極
である。 代 珊 人 高 野 則 次手続補正書（−
発） １．事件の表示 昭和６６年 脅 許 ｗ 第１０１６Ｈｌ 号２、発−
の名称 ；ｙデｙｔ用半導体龜・及びその躾造方法３、
補正をする者 事件との関係 出 願 人 ４、代理人 ５、 補正命令の日付 自 働 ６、 補正により増加する発明の数 置１膳 ＆ｊｌＩＩＡ書第１５員第２行のｊ ９９，６
０ Ｊを「９９．１１２」に補正する。 （２）明細書ｊ１１９員第２１！（２）の試料番号４０
０Ｂ輸０■の欄の「３２」を「５２」に補正する。 （３） ＃ｌ１ｉａｌｌ第２０勇縞２表（６）の試料
番号５３０Ｂ−〇魯の欄の「５６」を「５Ｂ」に補正す
る。
模式的に示す断面図、第２図は温度変化に対Ｔる比銹電
率を示す特性図である。 尚図面に用いられ１いる符号に於いて、ｉｌｌ を子粒
子、（２ｍ粒界層、（３）は磁器、１４１１５１は電極
である。 代 珊 人 高 野 則 次手続補正書（−
発） １．事件の表示 昭和６６年 脅 許 ｗ 第１０１６Ｈｌ 号２、発−
の名称 ；ｙデｙｔ用半導体龜・及びその躾造方法３、
補正をする者 事件との関係 出 願 人 ４、代理人 ５、 補正命令の日付 自 働 ６、 補正により増加する発明の数 置１膳 ＆ｊｌＩＩＡ書第１５員第２行のｊ ９９，６
０ Ｊを「９９．１１２」に補正する。 （２）明細書ｊ１１９員第２１！（２）の試料番号４０
０Ｂ輸０■の欄の「３２」を「５２」に補正する。 （３） ＃ｌ１ｉａｌｌ第２０勇縞２表（６）の試料
番号５３０Ｂ−〇魯の欄の「５６」を「５Ｂ」に補正す
る。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１３５ｒＴ１０ｓ ９４−５０〜９９−６２Ｘ量暢と
Ｔａ、０゜０．３３〜３．００１［量憾とＺｎ００．０
５〜２．５０Ｘ量暢とで１００１を鳴となる主成分１０
０重量部、Ｓｉｎ、 ０．０２〜０．］Ｏ菖量重量Ａ
Ｉ、０．０．０１〜０．０３重量部、（但し、前記Ｓ１
０．の重量部及び鹸記Ａｌ、０１０重量部を１、Ｓ ｊ
ｏｌの重量部／ Ａｌ、Ｏｌの重量部が１．５〜５・０
となる範囲内である） を含有し、更に、前記生成分と前記別０．と前記Ａ１１
０ｇ トＩ＞合計１量に対し、 テ０．０３〜２．８０
ｇ置部のｐｂｏと、０．】】〜４．３８１量僑の８５
０１と、０−００３〜０．３８１１ ｉｉ 参ノＢｏｏ
ｍ ト％： ｔ 有Ｌ テ’／’ ４ことを特徴とする
コンデンサ用牛導体ａＳ。 １２１ ５ｒＴｉＯ＠ ９４．５０〜９９．８２Ｘ量暢
とＴａ１Ｏ。 ０．３３〜３−００１ｔｌトＺｎＯＯ，０５〜２．５０
Ｘ量暢とで３００重量部となる主成分１００Ｊ［置部、
８１０＊ ０−０２〜０．１０菖量部、ＡＩ、０．０
．０ ］〜ｏ、ｏａｌ童部、（但し、置部８１への重量
部及び前記ＡＩ、０．の重量部は、Ｓｉｎ、のｍｔ部／
Ａｌ、Ｏｌの重量部が１．５〜５・０となる範囲内で
ある） から成る牛導体ＷＢ器を作ｌ１１Ｉ′″ｆること、前記
半導体ａ！器の少なくとも一方の主面に、ＰｂＯ又ｔ１
加熱処理によってＰｂＯになる物質と、Ｂ輸Ｏ１又ｆコ
加熱処理によって８１，０．になる物質と、 Ｂ、０゜
又・１加熱処場にＪつて４０１になる物質とｖ、Ｐｂ０
に換算して３１〜５６菖量参、Ｂｉ、０．に換算して３
４〜６６直量鳴、Ｂ、０．に換算して２〜】０電量鳴で
］００］１ｉｉ’ｌとなるような比で含む絶縁化物質を
、１００重量部の前記牛導体′俤器に対して１〜】５電
量部Ｆ）ｉ１１１合で付着させ、しかる後加熱処理する
ことによって前記半導体磁器の結晶粒界にＰｂＯ％Ｂ
１，０．、及びＢ、０．を拡散させること、かう成るコ
ンデンサ用半導体ｉＢｍの製造方法。 １３＋ 前記牛導体ｉｌｌ器に前記絶縁化物質な付着
させること１１前記絶縁化物質を含むペースドナ塗布す
ることである％ＦＦ趙求０範囲第２項記載のコンデンサ
用半導体ｉ８器の製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56201692A JPS58103114A (ja) | 1981-12-16 | 1981-12-16 | コンデンサ用半導体磁器 |
| EP82108979A EP0076456B1 (en) | 1981-10-01 | 1982-09-28 | Dielectric ceramic materials with insulated boundaries between crystal grains, and process for preparation |
| DE8282108979T DE3274734D1 (en) | 1981-10-01 | 1982-09-28 | Dielectric ceramic materials with insulated boundaries between crystal grains, and process for preparation |
| US06/443,774 US4405473A (en) | 1981-12-16 | 1982-11-22 | Dielectric ceramic materials with insulated boundaries between crystal grains, and process for preparation |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56201692A JPS58103114A (ja) | 1981-12-16 | 1981-12-16 | コンデンサ用半導体磁器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58103114A true JPS58103114A (ja) | 1983-06-20 |
| JPS6242365B2 JPS6242365B2 (ja) | 1987-09-08 |
Family
ID=16445318
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56201692A Granted JPS58103114A (ja) | 1981-10-01 | 1981-12-16 | コンデンサ用半導体磁器 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4405473A (ja) |
| JP (1) | JPS58103114A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1107270A3 (en) * | 1999-12-06 | 2003-04-02 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Switching assembly |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR970001056B1 (ko) * | 1994-06-30 | 1997-01-25 | 한국과학기술연구원 | 고주파용 유전체 조성물 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3933668A (en) * | 1973-07-16 | 1976-01-20 | Sony Corporation | Intergranular insulation type polycrystalline ceramic semiconductive composition |
-
1981
- 1981-12-16 JP JP56201692A patent/JPS58103114A/ja active Granted
-
1982
- 1982-11-22 US US06/443,774 patent/US4405473A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1107270A3 (en) * | 1999-12-06 | 2003-04-02 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Switching assembly |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4405473A (en) | 1983-09-20 |
| JPS6242365B2 (ja) | 1987-09-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3933668A (en) | Intergranular insulation type polycrystalline ceramic semiconductive composition | |
| US4377840A (en) | Screen-printable dielectric composition | |
| US4397915A (en) | Electrical resistor material, resistor made therefrom and method of making the same | |
| US5091820A (en) | Ceramic piezoelectric element with electrodes formed by reduction | |
| US4761711A (en) | Barrier layer ceramic dielectric capacitor containing barium plumbate | |
| US4378409A (en) | Electrical resistor material, resistor made therefrom and method of making the same | |
| JPH0226775B2 (ja) | ||
| EP0773594A1 (en) | Piezoelectric ceramic | |
| JPS6159525B2 (ja) | ||
| JPS6242368B2 (ja) | ||
| JPS58103116A (ja) | コンデンサ用半導体磁器 | |
| JPS6242365B2 (ja) | ||
| JPS5820133B2 (ja) | 半導体磁器コンデンサ用磁器およびその製造方法 | |
| US3505574A (en) | Ceramic composition for barrier layer capacitors | |
| JPS6242366B2 (ja) | ||
| IE53026B1 (en) | Thick film silver compositions for silver terminations for reduced barium titanate capacitors | |
| JPH1012043A (ja) | 導電性組成物および粒界絶縁型半導体磁器コンデンサ | |
| JPS6312373B2 (ja) | ||
| JPS6242363B2 (ja) | ||
| JPS58101415A (ja) | コンデンサ用半導体磁器及びその製造方法 | |
| IE52509B1 (en) | Screen-printable dielectric composition | |
| JPH038759A (ja) | 半導体磁器物質 | |
| US3753057A (en) | Frit capacitor | |
| JPS58123714A (ja) | 粒界層型磁器誘電体及びその製造方法 | |
| CA1177550A (en) | Resistance material, resistor and method of making the same |