JPS58106547A - 電子写真感光体製造方法 - Google Patents
電子写真感光体製造方法Info
- Publication number
- JPS58106547A JPS58106547A JP20652581A JP20652581A JPS58106547A JP S58106547 A JPS58106547 A JP S58106547A JP 20652581 A JP20652581 A JP 20652581A JP 20652581 A JP20652581 A JP 20652581A JP S58106547 A JPS58106547 A JP S58106547A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- silane
- oxygen
- electrophotographic photoreceptor
- silicon carbide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08278—Depositing methods
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、広義の意味の光（紫外光線、可視光線、赤外
光線、Ｘ線、α線等）に感受性があり、静電形成処理を
施されて、像形成され得る電子写真用感光体の製晧方法
に関する。
光線、Ｘ線、α線等）に感受性があり、静電形成処理を
施されて、像形成され得る電子写真用感光体の製晧方法
に関する。
従来のアモルファスｕＪ化シリコン光電層の製造方法は
水素、ヘリウム、ネオン、アルゴン、キセノン等をベー
スガスとしたメタンガス、エタンガス、プロパンガス、
エチレンガス、プロピレンガス、アセチレンガス等の炭
化水素ガス、シランガス、ジクロロシランガス、四弗化
シラン、ダイシラン、トリシラン等のシリコン系ガスを
所定の混合比とした混合ガスを排気系を具備した真空槽
内に所定内圧導入し、該真空槽内にグロー放電を起こさ
しめ、所定温度に保った支持基板上に析出し得られた。
水素、ヘリウム、ネオン、アルゴン、キセノン等をベー
スガスとしたメタンガス、エタンガス、プロパンガス、
エチレンガス、プロピレンガス、アセチレンガス等の炭
化水素ガス、シランガス、ジクロロシランガス、四弗化
シラン、ダイシラン、トリシラン等のシリコン系ガスを
所定の混合比とした混合ガスを排気系を具備した真空槽
内に所定内圧導入し、該真空槽内にグロー放電を起こさ
しめ、所定温度に保った支持基板上に析出し得られた。
又、ホスフィン、アルシン、ジボラン等のガスを該混合
ガス中に数〜１％程度混合する事により、該光電層の価
電子制御を行い、光電層の帯電極性を正、負、又は正負
両帯電能の光電層が得られる。従来、アモルファス炭化
ケイ素光電層を有する電子写真感光体を該アモルファス
炭化ケイ素の炭素／ケイ素の組成比が大きい程、帯電電
圧すなわち表面電位が大きくなるが、光感受性が著しく
悪化する。第１図に従来のアモルファス炭化ケイ素中の
炭素量と帯電電圧及び光感受性に対応する光電導率を示
す。Ｃはアモルファス炭化ケイ素中の炭素量で右に行く
程増大、Ｓは６ＫＶコロナ放電器により帯電を行い、帯
電後２秒後の表面電位、１０ｇＦは１ｍＶの６３２８Ａ
ヘリウムネオンし−ザー光照射時の光電導率の対数であ
る。図に示す様にアモルファス炭化ケイ素光電層は炭素
含有率が増す程、表面電位は良好となるが、光感受性は
大巾に減少する。このため、アモルファス炭化ケイ素を
光電層とする電子写真感光体はどうしても光感受性が悪
化してしまった。
ガス中に数〜１％程度混合する事により、該光電層の価
電子制御を行い、光電層の帯電極性を正、負、又は正負
両帯電能の光電層が得られる。従来、アモルファス炭化
ケイ素光電層を有する電子写真感光体を該アモルファス
炭化ケイ素の炭素／ケイ素の組成比が大きい程、帯電電
圧すなわち表面電位が大きくなるが、光感受性が著しく
悪化する。第１図に従来のアモルファス炭化ケイ素中の
炭素量と帯電電圧及び光感受性に対応する光電導率を示
す。Ｃはアモルファス炭化ケイ素中の炭素量で右に行く
程増大、Ｓは６ＫＶコロナ放電器により帯電を行い、帯
電後２秒後の表面電位、１０ｇＦは１ｍＶの６３２８Ａ
ヘリウムネオンし−ザー光照射時の光電導率の対数であ
る。図に示す様にアモルファス炭化ケイ素光電層は炭素
含有率が増す程、表面電位は良好となるが、光感受性は
大巾に減少する。このため、アモルファス炭化ケイ素を
光電層とする電子写真感光体はどうしても光感受性が悪
化してしまった。
本発明はかかる欠点を除去したもので、本発明によれば
アモルファス炭化ケイ素光電層の光感受性を悪化させず
、十分な表面電位が得られる優れたアモルファス炭化ケ
イ素光電層を有する電子写真感光体を提供するものであ
る。
アモルファス炭化ケイ素光電層の光感受性を悪化させず
、十分な表面電位が得られる優れたアモルファス炭化ケ
イ素光電層を有する電子写真感光体を提供するものであ
る。
以下、実施例に基づき本発明について詳しく説明する。
本発明は前記に示したすべてのベースガスに対して、以
下に示した効果が得られたが、本実施では特に効果の著
しいベースガスであった水素ガスについて述べる。本実
施に用いたアモルファス炭化ケイ素の製造装置の概要図
を第１図に示す。１はガス導入管、２は真空チェンバー
、６はグロー放電用電極、４は支持基板で、ステンレス
、ＡＡ、Ｏｒ、Ｍｏ、Ａｕ、工ｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔ
ｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｏｕ、Ｎｉ等金属又は該金属の組み合
せによる合金又は該金属を蒸着した導電性支持基板体、
該支持体には耐熱性を示す合成樹脂のフィルム、シート
、ガラス、セラミックス等の絶縁性支持体が有効なもの
として挙げられる。５は該支持基板を加熱しうる基板支
持部兼電極、６は該真空チェンバー支持架台、７は該基
板支持部を支持する支持棒で回転機構を有する。８は高
周波用マツチング・ボックス、９は４ＭθＨｚ又は１３
、０６ ＭｅＨｚ高周波電源、１０は酸素系ガス導入管
、Ｇはガス、０は酸素系ガス、Ｐは排気系である。
下に示した効果が得られたが、本実施では特に効果の著
しいベースガスであった水素ガスについて述べる。本実
施に用いたアモルファス炭化ケイ素の製造装置の概要図
を第１図に示す。１はガス導入管、２は真空チェンバー
、６はグロー放電用電極、４は支持基板で、ステンレス
、ＡＡ、Ｏｒ、Ｍｏ、Ａｕ、工ｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔ
ｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｏｕ、Ｎｉ等金属又は該金属の組み合
せによる合金又は該金属を蒸着した導電性支持基板体、
該支持体には耐熱性を示す合成樹脂のフィルム、シート
、ガラス、セラミックス等の絶縁性支持体が有効なもの
として挙げられる。５は該支持基板を加熱しうる基板支
持部兼電極、６は該真空チェンバー支持架台、７は該基
板支持部を支持する支持棒で回転機構を有する。８は高
周波用マツチング・ボックス、９は４ＭθＨｚ又は１３
、０６ ＭｅＨｚ高周波電源、１０は酸素系ガス導入管
、Ｇはガス、０は酸素系ガス、Ｐは排気系である。
該ガス導入管１より水素、シラン、メタン、アンモニア
を、又ガス導入管１０より、酸素を該真空チェンバー内
に導入し、内圧を０．１〜１０ ｔｏｒｒ内に保ち、５
０〜ＩＫＷ程度の高周波を該両電極間３，５に印加しグ
ロー放電を起こさしめ、導入ガスを分解する事により、
該支持基板上に本発明によるアモルファス炭化ケイ素を
５〜１０μｍ 程度析出し、アモルファス炭化ケイ素を
光電層とする電子写真感光体が得られる。第１表に主な
製造条件を記す。
を、又ガス導入管１０より、酸素を該真空チェンバー内
に導入し、内圧を０．１〜１０ ｔｏｒｒ内に保ち、５
０〜ＩＫＷ程度の高周波を該両電極間３，５に印加しグ
ロー放電を起こさしめ、導入ガスを分解する事により、
該支持基板上に本発明によるアモルファス炭化ケイ素を
５〜１０μｍ 程度析出し、アモルファス炭化ケイ素を
光電層とする電子写真感光体が得られる。第１表に主な
製造条件を記す。
第１表 本実施による主な製造条件
第３図に（メタン流量）／（シラン流量）を０４とし、
アンモニアを前記流量範囲で増減した時の表面電位及び
光電導率を示す。Ｎはアンモニアの流量、Ｓは表面電位
、ｌｏｇ Ｐは光導電率の対数、αは従来のアモルファ
スケイ素電子写真感光体の値である。従来（メタン流量
）／（シラン流量）を０．４としたアモルファス炭化ケ
イ素電子写真感光体は、表面電位は５００ Ｖ ／ ７
Ｉｔ ｍ程度となるが、光導電率は非常に小さく実用
とならなかったが、窒素系ガス、すなわちアンモニアガ
スの混入により、２ケタ以上光導電率が増加し、光感受
性の大きなアモルファス炭化ケイ素電子写真感光体が得
られる。
アンモニアを前記流量範囲で増減した時の表面電位及び
光電導率を示す。Ｎはアンモニアの流量、Ｓは表面電位
、ｌｏｇ Ｐは光導電率の対数、αは従来のアモルファ
スケイ素電子写真感光体の値である。従来（メタン流量
）／（シラン流量）を０．４としたアモルファス炭化ケ
イ素電子写真感光体は、表面電位は５００ Ｖ ／ ７
Ｉｔ ｍ程度となるが、光導電率は非常に小さく実用
とならなかったが、窒素系ガス、すなわちアンモニアガ
スの混入により、２ケタ以上光導電率が増加し、光感受
性の大きなアモルファス炭化ケイ素電子写真感光体が得
られる。
第４図は酸素流量と感光体の表面電位をプロットした図
である。０は酸素濃度、Ｓは表面電位、ｌｏｇ Ｐは１
惧Ｗの６３２８Ａヘリウムネオンレーザ−光照射時の光
電導率の対数、ｂは第３図の点ｔのアンモニアガスを混
合し作成したアモルファス炭化ケイ素電子写真感光体の
表面電位及び光導電率の対数を示す。第４図に示す様に
酸素をシラン、メタン、アンモニア及び水素のガス群に
混合する事により、光導電率がほとんど変化せず、表面
電位が増加する。これより、帯電電位の大きな、光感受
性の大きいアモルファス炭化ケイ素電子写真感光体が得
られる。
である。０は酸素濃度、Ｓは表面電位、ｌｏｇ Ｐは１
惧Ｗの６３２８Ａヘリウムネオンレーザ−光照射時の光
電導率の対数、ｂは第３図の点ｔのアンモニアガスを混
合し作成したアモルファス炭化ケイ素電子写真感光体の
表面電位及び光導電率の対数を示す。第４図に示す様に
酸素をシラン、メタン、アンモニア及び水素のガス群に
混合する事により、光導電率がほとんど変化せず、表面
電位が増加する。これより、帯電電位の大きな、光感受
性の大きいアモルファス炭化ケイ素電子写真感光体が得
られる。
本発明は（メタン流量）／（シラン流量）が０．４に限
るものではなく、２ Ｘ １０−２〜乙の範囲内で、又
アンモニア流量１０−４〜１１０５ＯＣの範囲内で同様
の効果が得られる。このとき、該光電層中の酸素濃度及
び窒素濃度を分析したところともに０．０１〜１５原子
パーセントの吊索及び窒素原子が含まれていた。
るものではなく、２ Ｘ １０−２〜乙の範囲内で、又
アンモニア流量１０−４〜１１０５ＯＣの範囲内で同様
の効果が得られる。このとき、該光電層中の酸素濃度及
び窒素濃度を分析したところともに０．０１〜１５原子
パーセントの吊索及び窒素原子が含まれていた。
本発明は、用いるガスを水素、シラン、メタン、アンモ
ニア及び酸素に限るものでなく、ベースガスとしてヘリ
ウム、ネオン、アルゴン及びキセノン等又炭化水素ガス
として、エタン、プロパン、エチレン、プロピレン、ア
セチレン、又シリコン系ガスとして、ジクロロシラン、
四弗化シラン、及びダイシラン（Ｓ１ｔＨａ）＊）リシ
ラン（Ｓｉ３Ｈ６）等の高次シランガス、又窒素系ガス
及び酸素系ガスとして窒素９二酸化窒素、−酸化窒素、
−酸炭素、二酸化炭素等のガスが挙げられ、該ガス群の
いかなる組み合ぜ（同一系ガスを２８類以上組み合せて
もよい。）においても同様の効果が得られた。
ニア及び酸素に限るものでなく、ベースガスとしてヘリ
ウム、ネオン、アルゴン及びキセノン等又炭化水素ガス
として、エタン、プロパン、エチレン、プロピレン、ア
セチレン、又シリコン系ガスとして、ジクロロシラン、
四弗化シラン、及びダイシラン（Ｓ１ｔＨａ）＊）リシ
ラン（Ｓｉ３Ｈ６）等の高次シランガス、又窒素系ガス
及び酸素系ガスとして窒素９二酸化窒素、−酸化窒素、
−酸炭素、二酸化炭素等のガスが挙げられ、該ガス群の
いかなる組み合ぜ（同一系ガスを２８類以上組み合せて
もよい。）においても同様の効果が得られた。
本発明によるアモルファス炭化ケイ素電子写真感光体を
用いれば、安価で高感度、帯電電位の大きな感光体が提
供でき、レーザープリンター、ＬＦＤプリンター等コピ
ア分野において有用である
用いれば、安価で高感度、帯電電位の大きな感光体が提
供でき、レーザープリンター、ＬＦＤプリンター等コピ
ア分野において有用である
第１図は従来のアモルファス炭化ケイ素電子写真感光体
の該アモルファス炭化ケイ素中に含有する炭繁量に対す
る表面電位及び光導電率の関係を示す図である。 第２図は本実施例に用いたアモルファス炭化ケイ素の製
造装置の概要図である。 第６図は本実施例のアモルファス炭化ケイ素電子写真感
光体製造時におけるアンモニア流量に対する表面電位及
び光導電率の関係を示す図である第４図は本実施例のア
モルファス炭化ケイ素電子写真感光体製造時における酸
素流量に対する表面電位及び光導電率の関係を示す図で
ある。 以 上 出願人 株式会社諏訪精工舎 第１図
の該アモルファス炭化ケイ素中に含有する炭繁量に対す
る表面電位及び光導電率の関係を示す図である。 第２図は本実施例に用いたアモルファス炭化ケイ素の製
造装置の概要図である。 第６図は本実施例のアモルファス炭化ケイ素電子写真感
光体製造時におけるアンモニア流量に対する表面電位及
び光導電率の関係を示す図である第４図は本実施例のア
モルファス炭化ケイ素電子写真感光体製造時における酸
素流量に対する表面電位及び光導電率の関係を示す図で
ある。 以 上 出願人 株式会社諏訪精工舎 第１図
Claims (2)
- （１）支持基板上にシリコン系ガス及び炭化水素ガスを
用いて非晶質光電層を形成する電子写真感光体製造方法
において、酸素原子を含むガス及び窒素原子を含むガス
を用いて非晶質光電層を形成する電子写真感光体製造方
法。 - （２） 前記非晶質光電層の酸素濃度が０．０１〜１
５原子パーセントでかつ９素濃度が００１〜１５原子パ
ーセント含有するように、酸素原子を含むガス及び窒素
原子を含むガスを用いて非晶質光電層を形成する特許請
求の範囲第１項記載の電子写真感光体製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20652581A JPS58106547A (ja) | 1981-12-21 | 1981-12-21 | 電子写真感光体製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20652581A JPS58106547A (ja) | 1981-12-21 | 1981-12-21 | 電子写真感光体製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58106547A true JPS58106547A (ja) | 1983-06-24 |
Family
ID=16524804
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20652581A Pending JPS58106547A (ja) | 1981-12-21 | 1981-12-21 | 電子写真感光体製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58106547A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54145539A (en) * | 1978-05-04 | 1979-11-13 | Canon Inc | Electrophotographic image forming material |
| JPS54145540A (en) * | 1978-05-04 | 1979-11-13 | Canon Inc | Electrophotographic image forming material |
-
1981
- 1981-12-21 JP JP20652581A patent/JPS58106547A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54145539A (en) * | 1978-05-04 | 1979-11-13 | Canon Inc | Electrophotographic image forming material |
| JPS54145540A (en) * | 1978-05-04 | 1979-11-13 | Canon Inc | Electrophotographic image forming material |
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