JPS649625B2 - - Google Patents
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Description
本発明は、光（ここでは広義の光で、紫外光
線、可視光線、赤外光線、Ｘ線、γ線等を示す）
の様な電磁波に感受性のある電子写真用光導電部
材に関する。 固体撮像装置、或いは像形成分野における電子
写真用像形成部材や原稿読取装置等に於ける光導
電層を構成する光導電材料としては、高感度で、
SN比〔光電流（Ip）／暗電流（Id）〕が高く、照
射する電磁波のスペクトル特性を有すること、光
応答性が良好で、所望の暗抵抗値を有すること、
使用時において人体に対して無公害である事、更
には、撮像装置に於いては、残像を所定時間内に
容易に処理出来る事等の特性が要求される。殊
に、事務機としてオフイスで使用される電子写真
装置内に組込まれる電子写真用像形成部材の場合
には、上記の使用時に於ける無公害性は重要な点
である。 この様な点に立脚して最近注目されている光導
電材料にアモルフアスシリコン（以後“ａ−Si”
と記す）があり、例えば、独国公開第2746967号
公報、同第2855718号公報には電子写真用像形成
部材として、特開昭55−39404号公報には光電変
換読取装置への応用が記載されてある。 而乍ら、従来のａ−Siで構成された光導電層を
有する光導電部材は、暗抵抗値、光感度、光応答
性等の電気的、光学的、光導電的特性及び耐候
性、耐湿性等の使用環境特性の点に於いて、更に
改良される可き点が存し、実用的な固体撮像装置
や読取装置、電子写真用像形成部材等には、生産
性、量産性をも加味して仲々有効に使用し得ない
のが実情である。 例えば、電子写真用像形成部材や固体撮像装置
に適用した場合に、その使用時において残留電位
が残る場合が度々観測され、この様な種の光導電
部材は繰返し長時間使用し続けると、繰返し使用
による疲労の蓄積が起る。残像が生ずる所謂ゴー
スト現象を発する様になる等の不都合な点が少な
くなかつた。 更には、例えば本発明者等の多くの実験によれ
ば、電子写真用像形成部材の光導電層を構成する
材料としてのａ−Siは従来のSe、CdS、ZnO或い
はPVCzやTNF等のOPC（有機光導電部材）に較
べて、数多くの利点を有するが、従来の太陽電池
用として使用する為の特性が付与されたａ−Siか
ら成る単層構成の光導電層を有する電子写真用像
形成部材の上記光導電層に静電像形成の為の帯電
処理を施しても暗滅衰（dark decay）が著しく
速く、通常の電子写真法が仲々適用され難い事、
及び多湿雰囲気中に於いては上記傾向が著しく、
場合によつては現像時間まで帯電電荷を全く保持
し得ない事がある等、解決され得る可き点が存在
している事が判明している。 従つて、ａ−Si材料そのものの特性改良が計ら
れる一方で光導電部材を設計する際に、所望の電
気的、光学的及び光導電的特性が得られる様に工
夫される必要がある。 本発明は上記の諸点に鑑み成されたもので、ａ
−Siに就て電子写真用像形成部材に使用される光
導電部材としての適用性とその応用性という観点
から総括的に鋭意研究検討を続けた結果、シリコ
ン原子を母体として水素原子を含有するアモルフ
アス材料、所謂水素化アモルフアスシリコン（以
後“ａ−Si：Ｈ”と記す）から成る光導電層と、
該光導電層を支持する支持体との間に特定の中間
層を介在させる層構成に設計されて作製された光
導電部材は実用的に充分使用し得るばかりでな
く、従来の光導電部材と較べてみても殆んどの点
に於いて凌駕していること、殊に電子写真用の光
導電部材として著しく優れた特性を有しているこ
とを見出した点に基いている。 本発明は電気的・光学的・光導電的特性が常時
安定していて、殆んど使用環境に制限を受けない
全環境型であり、耐光疲労に著しく長け、繰返し
使用に際しても劣化現象を起さず、残留電位が全
く又は殆んど観測されない電子写真用光導電部材
を提供することを主たる目的とする。 本発明の別の目的は、光感度が高く、分光感度
領域も略々全可視光域を覆つていて、且つ光応答
性の速い電子写真用光導電部材を提供することで
ある。 本発明の他の目的は、電子写真用の像形成部材
として適用させた場合通常の電子写真法が極めて
有効に適用され得る程度に、静電像形成の為の帯
電処理の際の電液保持能が充分あり、且つ多湿雰
囲気中でもその特性の低下が殆んど観測されない
優れた電子写真特性を有する電子写真用光導電部
材を提供することである。 本発明の更に他の目的は、濃度が高く、ハーフ
トーンが鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質画
像を得る事が容易に出来る電子写真用光導電部材
を提供することである。 本発明の電子写真用光導電部材は、支持体と、
シリコン原子を母体とし、水素原子を含むアモル
フアス材料で構成されている光導電層と、これ等
の間に設けられ、シリコン原子を母体とし、窒素
原子と水素原子を含むアモルフアス材料で構成さ
れ、前記支持体側から前記光導電層中へのキヤリ
アの流入を阻止し且つ電磁波照射によつて前記光
導電層中に生じ前記支持体側に向つて移動するキ
ヤリアの前記光導電層側から前記支持体側への通
過を許す中間層とを有することを特徴とするもの
である。 上記した様な層構成を取る様にして設計された
電子写真用光導電部材は、前記した諸問題の総て
を解決し得、極めてすぐれた電気的・光学的・光
導電性特性及び使用環境特性を示す。 そして本発明の電子写真用光導電部材は、電子
写真用像形成部材として適用する場合、帯電処理
の際の電荷保持能に長け、画像形成への残留電位
の影響が全くなく、多湿雰囲気中でもその電気的
特性が安定しており高感度で、高SN比を有する
ものであつて耐光疲労、繰返し使用性に著しく長
け、更に電子写真用像形成部材の場合には濃度が
高く、ハーフトーンが鮮明に出て、且つ解像度の
高い、高品質の可視画像を得る事が出来る。 又、電子写真用像形成部材として適用する場
合、高暗抵抗のａ−Si：Ｈは光感度が低く、逆に
光感度の高いａ−Si：Ｈは暗抵抗が108Ωcm前後
と低く、いずれの場合にも、従来の層構成の光導
電層のままでは電子写真用の像形成部材には適用
されなかつたのに対して、本発明の場合には、比
較的低抵抗（５×109Ωcm以上）のａ−Si：Ｈ層
でも電子写真用の光導電層を構成することができ
るので、抵抗は比較的低い高感度であるａ−Si：
Ｈも充分使用し得、ａ−Si：Ｈの特性面からの制
約が軽減され得る。 以下、図面に従つて、本発明の電子写真用光導
電部材（以下、単に“光導電部材”と称する。）
に就て詳細に説明する。 第１図は、本発明の光導電部材の基本的な構成
例を説明する為に模式的に示した模式的構成図で
ある。 第１図に示す光導電部材１００は、光導電部材
用としての支持体１０１の上に、中間層１０２、
該中間層１０２に直接接触した状態に設けられて
いる光導電層１０３とで構成される層構造を有
し、本発明の最も基本的な例である。 支持体１０１としては、導電性でも電気性でも
電気絶縁性であつても良い。導電性支持体として
は、例えば、NiCr、ステンレス、Al、Cr、Mo、
Au、Ir、Nb、Ta、Ｖ、Ti、Pt、Pd等の金属又
はこれ等の合金が挙げられる。 電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポ
リエチレン、ポリカーボネート、セルローズ、ア
セテート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポ
リ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド等
の合成樹脂のフイルム又はシート、ガラス、セラ
ミツク、紙等が通常使用される。これ等の電気絶
縁性支持体は、好適には少なくともその一方の表
面を導電処理され、該導電処理された表面側に他
の層が設けられるのが望ましい。 例えば、ガラスであれば、その表面がNiCr、
Al、Cr、Mo、Au、Ir、Nb、Ta、Ｖ、Ti、Pt、
Pd、In2O3、SnO2、ITO（In2O3＋SnO2）等の薄
膜を設けることによつて導電処理され、或いはポ
リエステルフイルム等の合成樹脂フイルムであれ
ば、NiCr、Al、Ag、Pb、Zn、Ni、Au、Cr、
Mo、Ir、Nb、Ta、Ｖ、Ti、Pt等の金属で真空
蒸着、電子ビーム蒸着、スパツターリング等で処
理し、又は前記金属でラミネート処理して、その
表面が導電処理される。支持体の形状としては、
円筒状、ベルト状、板状等任意の形状とし得、所
望によつて、その形状は決定されるが、例えば、
第１図の光導電部材１００を電子写真用像形成部
材として使用するのであれば連続高速複写の場合
には、無端ベルト状又は円筒状とするのが望まし
い。支持体の厚さは、所望通りの光導電部材が形
成される様に適宜決定されるが、光導電部材とし
て可撓性が要求される場合には、支持体としての
機能が充分発揮される範囲内であれば、可能な限
り薄くされる。而乍ら、この様な場合、支持体の
製造上及び取扱い上、機械的強度等の点から、通
常は、10μ以上とされる。 中間層１０２はシリコン原子を母体とし、窒素
原子と水素原子を含む、非光導電性のアモルフア
ス材料〔以後“ａ−（SixN1-x）y：H1-y”と略記す
る。但し０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１〕で構成され、
支持体１０１の側から光導電層１０３中へのキヤ
リアの流入を効果的に阻止し且つ電磁波の照射に
よつて光導電層１０３中に生じ、支持体１０１の
側に向つて移動するフオトキヤリアの光導電層１
０３の側から支持体１０１の側への通過を容易に
許す機能を有するものである。 ａ−（SixN1-x）y：H1-yで構成される中間層１０
２の形成はグロー放電法、スパツターリング法、
イオンインプラテーシヨン法、イオンプレーテイ
ング法、エレクトロンビーム法等によつて成され
る。これ等の製造法は、製造条件、設備資本投下
の負荷程度、製造規模、作製される光導電部材に
所望される特性等の要因によつて適宜選択されて
採用されるが、所望する特性を有する光導電部材
を製造する為の作製条件の制御が比較的容易であ
るが、シリコン原子と共に窒素原子及び水素原子
を作製する中間層中に導入するのが容易に行える
等の利点からグロー放電法或いはスパツターリン
グ法が好適に採用される。 更に、本発明に於いては、グロー放電法とスパ
ツターリング法とを同一装置系内で併用して中間
層１０２を形成しても良い グロー放電法によつて中間層１０２を形成する
には、ａ−（SixN1-x）y：H1-y形成用の原料ガス
を、必要に応じて稀釈ガスと所定量の混合比で混
合して、支持体１０１の設置してある真空堆積用
の堆積室に導入し、導入されたガスをグロー放電
を生起させることでガラスプラズマ化して前記支
持体１０１上にａ−（SixN1-x）y：H1-yを堆積させ
れば良い。 本発明に於いてａ−（SixN1-x）y：H1-y形成用の
原料ガスとしては、Si、Ｎ、Ｈの少なくとも１つ
を構成原子とするガス状の物質又はガス化し得る
物質をガス化したものの中の大概のものが使用さ
れ得る。 Si、Ｎ、Ｈの中の１つとしてSiを構成原子とす
る原料ガスを使用する場合は、例えばSiを構成原
子とする原料ガスと、Ｎを構成原子とする原料ガ
スと、Ｈを構成原子とする原料ガスとを所望の混
合比で混合して使用するか、又は、Siを構成原子
とする原料ガスと、Ｎ及びＨを構成原子とする原
料ガスとを、これも又所望の混合比で混合して使
用することが出来る。 又、別には、SiとＨとを構成原子とする原料ガ
スにＮを構成原子とする原料ガスを混合して使用
しても良い。 本発明に於いて、中間層１０２形成用の原料ガ
スに成り得るものとして有効に使用される出発物
質は、SiとＨとを構成原子とするSiH4、Si2H6、
Si4H10等のシラン（Silane）類等の水素化硅素Ｎ
を構成原子とする或いはＮとＨとを構成原子とす
る例えば窒素（N2）、アンモニア（NH3）、ヒド
ラジン（H2NNH2）、アジ化水素（NH3）、アジ
化アンモニウム（NH4N3）等のガス状の又はガ
ス化し得る窒素、窒化物及びアジ化物等の窒素化
合物を挙げることが出来る。これ等の中間層形成
用の出発物質となるものの他、Ｈ導入用原料ガス
としては勿論H2も有効なものとして使用される。 スパツターリング法によつて中間層１０２を形
成するには、単結晶又は多結晶のSiウエーハー又
はSi3N4ウエーハー又はSiとSi3N4が混合されて
含有されているウエーハーをターゲツトとして、
これ等を種々のガス雰囲気中でスパツターリング
することによつて行えば良い。 例えば、Siウエーハーをターゲツトとして使用
すれば、ＮとＨを導入する為の原料ガス、例えば
H2とN2、又はNH3を、必要に応じて稀釈ガス稀
釈して、スパツター用の堆積室中に導入し、これ
等のガスのガスプラズマを形成して前記Siウエー
ハーをスパツターリングとすれば良い。 又、別には、SiとSi3N4とは別々のターゲツト
として、又はSiとSi3N4の混合して形成した一枚
のターゲツトを使用することによつて、少なくと
もＨ原子を含有するガス雰囲気中でスパツターリ
ングすることによつて成される。 Ｎ又はＨ導入用の原料ガスと成り得るものとし
ては、先述したグロー放電の例で示した中間層形
成用の出発物質のガスが、スパツターリングの場
合にも有効なガスとして使用され得る。 本発明に於いて、中間層１０２をグロー放電法
又はスパツターリング法で形成する際に使用され
る稀釈ガスとしては、所謂、希ガス、例えばHe、
Ne、Ar等が好適なものとして挙げることが出来
る。 本発明に於ける中間層１０２は、その要求され
る特性が所望通りに与えられる様に注意深く形成
される。 即ち、Si、Ｎ、及びＨを構成原子とする物質は
その作成条件によつて構造的には結晶からアモル
フアスまでの形態を取り、電気物性的には導電性
から半導体性、絶縁性までの間の性質を、又光導
電的性質から非光導電的性質までの間の性質を、
各々示すので、本発明に於いては、好ましくは非
光導電性のａ−（SixN1-x）y：H1-yが形成される様
に、その作成条件の選択が厳密に成されるのが望
ましい。 本発明の中間層１０２を構成するａ−（Six
N1-x）y：H1-yは中間層１０２の機能が、支持体
１０１側から光導電層１０３中へのキヤリアの注
入を阻止し、且つ光導電層１０３中で発生したフ
オトキヤリアが移動して支持体１０１側に通過す
るのを容易に許すことを果たすものであることか
ら、電気絶縁性的挙動を示すものとして形成され
る。 又、光導電層１０３中で発生したフオトキヤリ
アが中間層１０２中を通過する際、その通過がス
ムーズに成される程度に通過するキヤリアに対す
る易動度（mobility）の値を有するものとしてａ
−（SixN1-x）y：H1-yが作成される。 上記の様な特性を有するａ−（SixN1-x）y：H1-y
が作成される為の作成条件の中の重要な要素とし
て、作成時の支持体温度を挙げる事が出来る。 即ち、支持体１０１の表面にａ−（SixN1-x）y：
H1-yから成る中間層１０２を形成する際、層形
成中の支持体温度は、形成される層の構造及び特
性を左右する重要な因子であつて、本発明に於い
ては、目的とする特性を有するａ−（SixN1-x）y：
H1-yが所望通りに作成され得る様に層作成時の
支持体温度が厳密に制御される。 本発明に於ける目的が効果的に達成される為の
中間層１０２を形成する際の支持体温度としては
中間層１０２の形成法に併せて適宜最適範囲が選
択されて、中間層１０２の形成が実行されるが、
通常の場合、100℃〜300℃好適には150℃〜250℃
とされるものが望ましいものである。中間層１０
２の形成には、同一系内で中間層１０２から光導
電層１０３、更には必要に応じて光導電層１０３
上に形成される第３の層まで連続的に形成する事
が出来る。各層を構成する原子の組成比の微妙な
制御や層厚の制御が他の方法に較べて比較的容易
である事等の為に、グロー放電法やスパツターリ
ング法の採用が有利であるが、これらの層形成法
で中間層１０２を形成する場合には、前記の支持
体温度と同様に層形成の際の放電パワー、ガス圧
が作成されるａ−（SixN1-x）y：H1-yの特性を左右
する重要な因子の１つである。 本発明に於ける目的が達成される為の特性を有
するａ−（SixN1-x）y：H1-yが生産性良く効果的に
形成される為の放電パワー条件としては、通常１
〜300W、好適には２〜100Wである。堆積室内の
ガス圧は通常グロー放電にて層形成を行なう場合
に於いて0.01〜5Torr、好適には0.1〜0.5Torr程
度に、スパツターリング法にて層形成を行なう場
合に於いては、通常10-3〜５×10-2Torr、好適
には８×10-3〜３×10-2Torr程度とされるのが
望ましい。 本発明の光導電部材に於ける中間層１０２に含
有される窒素原子及び水素原子の量は、中間層１
０２の作製条件と同様、本発明の目的を達成する
所望の特性が得られる中間層が形成される重要な
因子である。 本発明に於ける中間層１０２に含有される窒素
原子の量は通常は25〜55atomic％、好適には35
〜55atomic％とされるのが望ましいものである。
水素原子の含有量としては、通常の場合２〜
35atomic％、好適には５〜30atomic％とされる
のが望ましく、これ等の範囲に水素含有量がある
場合に形成される光導電部材は、実際面に於いて
優れたものとして充分適用させ得るものである。 即ち、先のａ−（SixN1-x）y：H1-yの表示で行え
ばｘが通常は0.43〜0.60、好適には0.43〜0.50、
ｙが通常0.98〜0.65、好適には0.95〜0.70である。 本発明に於ける中間層１０２の層厚の数値範囲
は、本発明の目的を効果的に達成する為の重要な
因子の１つである。中間層１０２の層厚が充分過
ぎる程に薄いと、支持体１０１の側からの光導電
層１０３へのキヤリアの流入を阻止する働きが充
分果たし得なくなり、又、充分過ぎる程以上に厚
いと、光導電層１０３中に於いて生ずるフオトキ
ヤリアの支持体１０１の側への通過する確率が極
めて小さくなり、従つて、いずれの場合にも本発
明の目的を効果的に達成され得なくなる。 本発明の目的を効果的に達成する為の中間層１
０２の層厚としては、通常の場合、30〜1000Å好
適には50〜600Åである。 本発明に於いて、その目的を効果的に達成する
為に、中間層１０２上に積層される光導電層１０
３は、下記に示す半導体特性を有するａ−Si：Ｈ
で構成される。 ｐ型ａ−Si：Ｈ…アクセプターのみを含むも
の。或いは、ドナーとアクセプターとの両方を
含み、アクセプターの濃度（Na）が高いもの。 ｐ−型ａ−Si：Ｈ…のタイプに於いてアク
セプターの濃度（Na）が低い所謂ｐ型不純物
をライトリードープしたもの。 ｎ型ａ−Si：Ｈ…ドナーのみを含むもの。或
いはドナーとアクセプターの両方を含み、ドナ
ーの濃度（Nd）が高いもの。 ｎ−型ａ−Si：Ｈ…のタイプに於いてドナ
ーの濃度（Nd）が低い。所謂ｎ型不純物をラ
イトリードープしたもの。 ｉ型ａ−Si：Ｈ…NaNdＯのもの又は、
NaNdのもの。 本発明に於いては、中間層１０２を設けること
によつて前記したように光導電層１０３を構成す
るａ−Si：Ｈは、従来に較べて比較的低抵抗のも
のも使用され得るものであるが、一層良好な結果
を得るためには、形成される光導電層１０３の暗
抵抗が好適には５〜109Ωcm以上、最適には1010
Ωcm以上となる様に光導電層１０３が形成される
のが望ましいものである。 殊に、この暗抵抗値の数値条件は、作製された
光導電部材を電子写真用像形成部材や、低照度領
域で使用される高感度の読取装置や固体撮像装
置、或いは光電変換装置として使用する場合には
重要な要素である。 本発明に於ける電子写真用光導電部材の光導電
層の層厚としては、読取装置、固体撮像装置或い
は電子写真用像形成部材等の適用するものの目的
に適合させて所望に従つて適宜決定される。 本発明に於いては、光導電層の層厚としては、
光導電層の機能及び中間層の機能が各々有効に活
されて本発明の目的が効果的に達成される様に中
間層との層厚関係に於いて適宜所望に従つて決め
られるものであり、通常の場合、中間層の層厚に
対して数百〜数千倍以上の層厚とされるのが好ま
しいものである。 具体的な値としては、通常１〜100μ、好適に
は２〜50μの範囲とされるのが望ましい。 本発明に於いて、光導電層を、ａ−Si：Ｈで構
成された層とするには、これらの層を形成する
際、次の様な方法によつてＨを層中に含有させ
る。 ここに於いて、「層中Ｈが含有されている」と
いうことは、「Ｈが、Siと結合した状態」「Ｈがイ
オン化して層中に取り込まれている状態」又は
「H2として層中に取り込まれている状態」の何れ
かの又はこれ等の複合されている状態を意味す
る。 光導電層へのＨの含有法としては、例えば層を
形成する際、堆積装置系内にSiH4、Si2H6、
Si3H8、Si4H10等のシラン（Silane）類等のシリ
コン化合物の形で導入し、グロー放電分解法によ
つて、それらの化合物を分解して、層の成長に併
せて含有される。 このグロー放電法によつて、光導電層を形成す
る場合には、ａ−Siを形成する出発物質がSiH4、
Si2H6、Si3H8、Si4H10等の水素化硅素ガスが分
解して層が形成される際、Ｈは自動的に層中に含
有される。 反応スパツターリング法による場合には、He
やAr等の不活性ガス又はこれ等のガスをベース
とした混合ガス雰囲気中でSiをターゲツトしてス
パツターリングを行なう際にH2ガスを導入して
やるか又はSiH4、Si2H4、Si3H8、S4H10等の水素
化硅素ガス、或いは、不純物のドーピングも兼ね
てB2H6、PH3等のガスを導入してやれば良い。 本発明者等の見知によれば、ａ−Si：Ｈで構成
される光導電層のＨの含有量は、形成された光導
電部材が実際面に於いて充分適用され得るか否か
を左右する大きな要因の一つであつて極めて重要
であることが判明している。 本発明に於いて、形成される光導電部材が実際
面に充分適用され得る為には、光導電層中に含有
されるＨの量は通常の場合１〜4atomic％、好適
には５〜30atomic％とされるのが望ましい。 層中に含有されるＨの量を制御するには、例え
ば堆積支持体温度又は及びＨを含有させる為に使
用される出発物質の堆積装置系内へ導入する量、
放電々力等を制御してやれば良い。 光導電層をｎ型又はｐ型とするには、グロー放
電法や反応スパツターリング法等による層形成の
際に、ｎ型不純物又は、ｐ型不純物、或いは両不
純物を形成される層中にその量を制御し乍らドー
ピングしてやる事によつて成される。 光導電層中にドーピングされる不純物として
は、光導電層をｐ型にするには、周期律表第族
Ａの元素、例えば、Ｂ、Al、Ga、In、Tl等が好
適なものとして挙げられ、ｎ型にする場合には、
周期律表第族Ａの元素、例えば、Ｎ、Ｐ、As、
Sb、Bi等が好適なものとして挙げられる。これ
らの不純物は、層中に含有される量がppmオーダ
ーであるので、光導電層を構成する主物質程その
公害性に注意を払う必要はないが出来る限り公害
性のないものを使用するのが好ましい。この様な
観点からすれば、形成される層の電気的・光学的
特性を加味して、例えば、Ｂ、Ga、Ｐ、Sb等が
最適である。この他に、例えば熱拡散やインプラ
ンテーシヨンによつてLi等がインターステイシア
ルにドーピングされることでｎ型に制御すること
も可能である。光導電層中にドーピングされる不
純物の量は、所望される電気的・光学的特性に応
じて適宜決定されるが、周期律表第族Ａの不純
物の場合には、通常10-6〜10-3atomic％、好適に
は10-5〜10-4atomic％、周期律表第族Ａの場合
には通常10-8〜10-3atomic％、好適は10-8〜
10-4atomic％とされるのが望ましい。 第２図には、本発明の光導電部材の別の実施態
様例の構成を説明する為の模式的構成図が示され
る。 第２図に示される光導電部材２００は、光導電
層２０３の上に、中間層２０２と同様の機能を有
する上部層２０５を設けた以外は、第１図に示す
光導電部材１００と同様の層構造を有するもので
ある。 即ち、光導電部材２００は、支持体２０１の上
に中間層１０２と同様の材料であるａ−（Six
N1-x）y：H1-yを使用して同様の機能を有する様
に形成された中間層２０２と、ａ−Si：Ｈで構成
される光導電層２０３と、該光導電層２０３上に
設けられ自由表面２０４を有する上部層２０５を
具備している。 上部層２０５は、例えば光導電部材２００を自
由表面２０４に帯電処理を処して電荷像を形成す
る場合の様な使い方をする際、自由表面２０４に
保持される可き電荷が光導電層２０３中に流入す
るのを阻止し且つ、電磁波の照射を受けた際には
光導電層２０３中に発生したフオトキヤリアと、
電磁波の照射を受けた部分の帯電々荷とがリコン
ビネーシヨンを起す様に、フオトキヤリアの通過
又は帯電々荷の通過を容易に許す機能を有する。 上部層２０５は、中間層２０２と同様の特性を
有するａ−（SixN1-x）y：H1-yで構成される他、ａ
−SiaC1-a、（ａ−SiaC1-a）b：H1-b、（ａ−Sic
O1-c）d：H1-d等の光導電層を構成する母体原子で
ある。シリコン原子と窒素原子又は酸素原子とで
構成されるか又は、これ等の原子を母体とし水素
原子を含むアモルフアス材料、或いは、更にハロ
ゲン原子を含む、これ等のアモルフアス材料、
Al2O3等の無機絶縁性材料、ポリエステル、ポリ
パラキシレン、ポリウレタン等の有機絶縁性材料
で構成することも出来る。 而乍ら、上部層２０５を構成する材料としては
生産性、量産性及び形成された層の電気的及び使
用環境的安定性等の点から、中間層２０２と同様
の特性を有するａ−（SixN1-x）y：H1-yで構成する
か又は、ａ−SiaC1-a、ａ−（SiaC1-a）b：H1-b、
ａ−SicN1-c、ａ−（SidC1-d）e：L1-e、ａ−（Sif
C1-f）g：（Ｈ＋Ｘ）1-g、ａ−（SihN1-h）i：X1-i、１
−（SijN1-j）k：（Ｈ＋Ｘ）1-kで構成するのが望まし
い。 上部層２０５を構成する材料としては、上記に
挙げた物質の他、好適なものとしては、シリコン
原子と、Ｃ、Ｎ、Ｏの中の少なくとも２つの原子
とを母体とし、ハロゲン原子か又はハロゲン原子
と水素原子とを含むアモルフアス材料を挙げるこ
とができる。 ハロゲン原子としては、Ｆ、Cl、Br等が挙げ
られるが、熱的安定性の点から上記アモルフアス
材料の中Ｆを含有するものが有効である。 上部層２０５を構成する材料の選択及びその層
厚の決定は、上部層２０５側より光導電層２０３
の感受する電磁波の照射する様にして光導電部材
２００を使用する場合には、照射される電磁波が
光導電層２０３に充分量到達して、効率良く、フ
オトキヤリアの発生を引起させ得る様に注意深く
成される。上部層２０５は、中間層２０２と同様
の手法で、例えばグロー放電法や反応スパツター
リング法で形成することが出来る。上部層２０５
形成の際に使用される出発物質としては、中間層
を形成するのに使用される前記の物質が使用され
る他、炭素原子導入用の出発物質として、例えば
炭素数１〜４の飽和炭化水素、炭素数２〜５のエ
チレン系炭化水素、炭素数２〜４のアセチレン系
炭化水素等を挙げることが出来る。 具体的には、飽和炭化水素としてはメタン
（CH4）、エタン（C2H6）、プロパン（C3H8）、ｎ
−ブタン（ｎ−C4H10）、ペンタン（C5H12）、エ
チレン系炭化水素としては、エチレン（C2H4）、
プロピレン（C3H6）、ブテン−１（C4H8）、ブテ
ン−２（C4H8）、イソブチレン（C4H8）、ペンテ
ン（C5H10）、アセチレン系炭化水素としては、
アセチレン（C2H2）、メチルアセチレン
（C3H4）、ブチン（C4H6）等が挙げられる。 酸素原子を上部層２０５中に含有させる為の出
発物質としては、例えば、酵素（O2）、オゾン
（O3）、一酸化炭素（CO）、二酸化炭素（CO2）、
一酸化窒素（NO）、二酸化窒素（NO2）、一酸化
二窒素（N2O）等を挙げることが出来る。 これ等の他に、上部層２０５形成用の出発物質
の１つとして、例えばCCl4、CHF3、CH2F2、
CH3F、CH3Cl、CH3Br、CH3I、C2H5Cl等のハ
ロゲン置換パラフイン系炭化水素、SF4、SF6等
のフツ素化硫黄化合物、Si（CH3）4、Si（C2H5）4等
のケイ化アルキルやSiCl（CH3）3、SiCl2C
（CH3）2、SiCl3CH3等のハロゲン含有ケイ化アル
キル等のシランの誘導体も有効なものとして挙げ
ることが出来る。 これらの上部層２０５形成用の出発物質は、所
定の原子が構成原子として、形成される上部層２
０５中に含まれる様に、層形成の際に適宜選択さ
れて使用される。 例えば、グロー放電法を採用するのであればSi
（CH3）4、SiCl2（CH3）2等の単独ガス又はSiH4−
O2（−Aγ）系、SiH4−NO2系、SiH4−O2−N2
系、SiCl4−CO2−H2系、SiCl4−NO−H2系、
SiH4−NH3系、SiCl4−NH4系、SiH4−N2系、
SiH4−NH3−NO系、Si（CH3）4−SiH4系、SiCl2
（CH3）2−SiH4系等の混合ガスを上部層１０５形
成用の出発物質として使用することが出来る。 本発明に於ける上部層２０５の層厚としては、
前述した機能が充分発揮される様に、層を構成す
る材料、層形成条件等によつて所望に従つて適宜
決定される。 本発明に於ける上部層２０５の層厚としては、
通常の場合、30〜1000Å、好適には50〜600Åと
されるのが望ましいものである。 本発明の光導電部材を電子写真用像形成部材と
して使用する場合にある種の電子写真プロセスを
採用するのであれば、第１図又は第２図に示され
る層構成の光導電部材の自由表面上に更に表面被
覆層を設ける必要がある。 この場合の表面被覆層は、例えば、特公昭42−
23910号公報、同43−24748号公報に記載されてい
るNP方式の様な電子写真プロセスを適用するの
であれば、電気的絶縁性であつて、帯電処理を受
けた際の静電荷保持能が充分であつて、ある程度
以上の厚みがあることが要求されるが、例えば、
カールソンプロセスの如き電子写真プロセスを適
用するのであれば、静電像形成後の明暗の電位は
非常に小さいことが望ましいので表面被覆層の厚
さとしては非常に薄いことが要求される。表面被
覆層は、その所望される電気的特性を満足するの
に加えて、光導電層又は上部層に化学的・物理的
に悪影響を与えないこと光導電層又は上部層との
電気的接触性及び装着性、更には耐湿性、耐摩耗
性、クリーニング性等を考慮して形成される。 表面被覆層の形成材料として有効に使用される
ものとして、その代表的なのは、ポリエチレンテ
レフタレート、ポリカーボネート、プリプロピレ
ン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ
ビニルアルコール、ポリスチレン、ポリアミド、
ポリ四弗化エチレン、ポリ三弗化塩化エチレン、
ポリ弗化ビニル、ポリ弗化ビニリデン、六弗化プ
ロピレン−四弗化エチレンコポリマー、三弗化エ
チレン−弗化ビニリデンコポリマー、ポリブデ
ン、ポリビニルブチラール、ポリウレタン、ポリ
パラキシリレン等の有機絶縁羽料、シリコン窒化
物、シリコン酸化物等の無機絶縁材料等が挙げら
れる。これ等の合成樹脂又はセルロース誘導体は
フイルム状とされて光導電層又は上部層の上に貼
合されてもよく、又、それらの塗布液を形成し
て、光導電層又は上部層上に塗布し、層形成して
も良い。表面被覆層の層厚は、所望される特性に
応じて、又、使用される材質によつて適宜決定さ
れるが、通常の場合、0.5〜70μ程度とされる。殊
に表面被覆層が先述した保護層としての機能が要
求される場合には、通常の場合、10μ以下とさ
れ、逆に電気的絶縁層としての機能が要求される
場合には、通常の場合10μ以上とされる。而乍
ら、この保護層と電気絶縁層とを差別する層厚値
は、使用材料及び適用される電子写真プロセス、
設計される像形成部材の構造によつて、変動する
もので、先の10μという値は絶対的なものではな
い。 又、この表面被覆層は、反射防止層としての役
目も荷わせれば、その機能が一層拡大されて効果
的となる。 実施例 １ 完全にシールドされたクリーンルーム中に設置
された第３図に示す装置を用い、以下の如き操作
によつて電子写真用像形成部材を作製した。 表面が清浄にされた0.5mm厚10cm角のモリブデ
ン板（基板）309を支持台３０２上に静置された
グロー放電堆積室３０１内の所定位置にある固定
部材３０３に堅固に固定した。基板３０９は、固
定部材３０３内の加熱ヒーター３０８によつて±
0.5℃の精度で加熱される。温度は、熱電対（ア
ルメル−クロメル）によつて基板裏面を直接測定
されるようになされた。次いで系内の全バルブが
閉じられていることを確認してからメインバルブ
３１０を全開して、室３０１内が排気され、約５
×10-6Torrの真空度にした。その後ヒーター３
０８の入力電圧を上昇させ、モリブデン基板温度
を検知しながら入力電圧を変化させ、200℃の一
定値になるまで安定させた。 その後、補助バルブ３４０、次いで流出バルブ
３２５，３２６，３２７及び流入バルブ３２０−
２，３２１，３２２を全開し、フローメーター３
１６，３１７，３１８内にも十分脱気真空状態に
された。補助バルブ３４０、バルブ３２５，３２
６，３２７，３２０−２，３２１，３２２を閉じ
た後、H2で10vol％に稀釈されたSiH4ガス（以後
SiH4／H2と略す。純度99.999％）ボンベ３１１
のバルブ３３０、N2（純度99.999％）ガスボンベ
３１２のバルブ３３１を開け、出口圧ゲージ３３
５，３３６の圧を１Kg／cm2に調整し、流入バルブ
３２０−２，３２１を徐々に開けてフローメータ
ー３１６，３１７内へSiH4／H2ガスN2ガスを流
入させた。引き続いて、流出バルブ３２５，３２
６を徐々に開け、次いで補助バルブ３４０を徐々
に開けた。このときSiH2／H2ガス流量とN2ガス
流量比が１：10になるように流入バルブ３２０−
２，３２１を調整した。次にピラニーゲージ３４
１の読みを注視しながら補助バルブ３４０の開口
を調整し、室３０１内が１×10-2Torrになるま
で補助バルブ３４０を開けた。室３０１内圧が安
定してから、メインバルブ３１０を徐々に閉じ、
ピラニーゲージ３４１の指示が0.5Torrになるま
で開口を絞つた。ガス流入が安定し内圧が安定す
るのを確認し続いて高周波電源３４２のスイツチ
をON状態にして、誘導コイル３４３に、13.56M
Hzの高周波電力を投入しコイル部（室上部）の室
３０１内にグロー放電を発生させ3Wの入力電力
とした。上記条件で基板上にａ−（SixN1-x）y：
H1-yを堆積させるために、１分間条件を保つて
中間層を形成した。その後、高周波電源３４２を
off状態とし、グロー放電を中止させた状態で、
流出バルブ３２６を閉じ、次にH2で50vol ppm
に稀釈されたB2H6（以後B2H6／H2と略す）ガス
ボンベ３１３から流入バルブ３２２を通じて１
Kg／cm2のガス圧（出口圧ゲージ３３７の読み）
で、流入バルブ３２２、流出バルブ３２７の調整
によつてフローメーター３１８の読みが、
SiH4／H2ガス流量の1/50になる様に流出バルブ
３２７の開口を定め、安定化させた。 引き続き、再び高周波電源３４２をON状態に
して、グロー放電を再開させた。そのときの入力
電力を10Wにした。こうしてグロー放電を更に３
時間持続させて光導電層を形成した後、加熱ヒー
ター３０８をoff状態にし、高周波電源３４２も
off状態とし、基板温度が100℃になるのを持つて
から流出バルブ３２５，３２７及び流入バルブ３
２０−２，３２２を閉じ、メインバルブ３１０を
全開して、室３１内を10-5Torr以下にした後、
メインバルブ３１０を閉じ室３０１内をリークバ
ルブ３４４によつて大気圧として基板を取り出し
た。この場合、形成された層の全厚は約9μであ
つた。こうして得られた像形成部材を、帯電露光
実験装置に設置し、6.0KVで0.2sec間コロナ帯
電を行い、直ちに光像を照射した。光像は、タン
グステンランプ光源を用い、1.01ux・secの光量
を透過型のテストチヤートを通して照射させた。 その後直ちに、荷電性の現像剤（トナーとキ
ヤリアーを含む）を部材表面にカスケードするこ
とによつて、部材表面上に良好なトナー画像を得
た。部材上のトナー画像を、5.0KVのコロナ帯
電で転写紙上に転写した所、解像力に優れ、諧調
再現性のよい鮮明な高濃度の画像が得られた。 次に上記像形成部材に就て、帯電露光実験装置
で5.5KVで、0.2sec間のコロナ帯電を行い、直
ちに0.8lux・secの光量で、画像露光を行い、そ
の後直ちに荷電性の現像剤を部材表面にカスケ
ードし、次に転写紙上に転写・定着したところ、
極めて鮮明な画像が得られた。 この結果と先の結果から、本実施例で得られた
電子写真用像形成部材は、帯電極性に対する依存
性がなく、両極性像形成部材の特性を具備してい
ることが判つた。 実施例 ２ モリブデン基板上に中間層を形成する際のグロ
ー放電保持時間を、下記の第１表に示す様に、
種々変化させた以外は、実施例１と全く同様の条
件及び手順によつて試料No.〜で示される像形
成部材を作成し、実施例１と全く同様の帯電露光
実験装置に設置して同様の画像形成を行つたとこ
ろ下記の第１表に示す如き結果を得た。 第１表に示される結果から判る様に本発明の目
的を達成するには、中間層の膜厚を30Å〜1000Å
の範囲で形成する必要がある。
線、可視光線、赤外光線、Ｘ線、γ線等を示す）
の様な電磁波に感受性のある電子写真用光導電部
材に関する。 固体撮像装置、或いは像形成分野における電子
写真用像形成部材や原稿読取装置等に於ける光導
電層を構成する光導電材料としては、高感度で、
SN比〔光電流（Ip）／暗電流（Id）〕が高く、照
射する電磁波のスペクトル特性を有すること、光
応答性が良好で、所望の暗抵抗値を有すること、
使用時において人体に対して無公害である事、更
には、撮像装置に於いては、残像を所定時間内に
容易に処理出来る事等の特性が要求される。殊
に、事務機としてオフイスで使用される電子写真
装置内に組込まれる電子写真用像形成部材の場合
には、上記の使用時に於ける無公害性は重要な点
である。 この様な点に立脚して最近注目されている光導
電材料にアモルフアスシリコン（以後“ａ−Si”
と記す）があり、例えば、独国公開第2746967号
公報、同第2855718号公報には電子写真用像形成
部材として、特開昭55−39404号公報には光電変
換読取装置への応用が記載されてある。 而乍ら、従来のａ−Siで構成された光導電層を
有する光導電部材は、暗抵抗値、光感度、光応答
性等の電気的、光学的、光導電的特性及び耐候
性、耐湿性等の使用環境特性の点に於いて、更に
改良される可き点が存し、実用的な固体撮像装置
や読取装置、電子写真用像形成部材等には、生産
性、量産性をも加味して仲々有効に使用し得ない
のが実情である。 例えば、電子写真用像形成部材や固体撮像装置
に適用した場合に、その使用時において残留電位
が残る場合が度々観測され、この様な種の光導電
部材は繰返し長時間使用し続けると、繰返し使用
による疲労の蓄積が起る。残像が生ずる所謂ゴー
スト現象を発する様になる等の不都合な点が少な
くなかつた。 更には、例えば本発明者等の多くの実験によれ
ば、電子写真用像形成部材の光導電層を構成する
材料としてのａ−Siは従来のSe、CdS、ZnO或い
はPVCzやTNF等のOPC（有機光導電部材）に較
べて、数多くの利点を有するが、従来の太陽電池
用として使用する為の特性が付与されたａ−Siか
ら成る単層構成の光導電層を有する電子写真用像
形成部材の上記光導電層に静電像形成の為の帯電
処理を施しても暗滅衰（dark decay）が著しく
速く、通常の電子写真法が仲々適用され難い事、
及び多湿雰囲気中に於いては上記傾向が著しく、
場合によつては現像時間まで帯電電荷を全く保持
し得ない事がある等、解決され得る可き点が存在
している事が判明している。 従つて、ａ−Si材料そのものの特性改良が計ら
れる一方で光導電部材を設計する際に、所望の電
気的、光学的及び光導電的特性が得られる様に工
夫される必要がある。 本発明は上記の諸点に鑑み成されたもので、ａ
−Siに就て電子写真用像形成部材に使用される光
導電部材としての適用性とその応用性という観点
から総括的に鋭意研究検討を続けた結果、シリコ
ン原子を母体として水素原子を含有するアモルフ
アス材料、所謂水素化アモルフアスシリコン（以
後“ａ−Si：Ｈ”と記す）から成る光導電層と、
該光導電層を支持する支持体との間に特定の中間
層を介在させる層構成に設計されて作製された光
導電部材は実用的に充分使用し得るばかりでな
く、従来の光導電部材と較べてみても殆んどの点
に於いて凌駕していること、殊に電子写真用の光
導電部材として著しく優れた特性を有しているこ
とを見出した点に基いている。 本発明は電気的・光学的・光導電的特性が常時
安定していて、殆んど使用環境に制限を受けない
全環境型であり、耐光疲労に著しく長け、繰返し
使用に際しても劣化現象を起さず、残留電位が全
く又は殆んど観測されない電子写真用光導電部材
を提供することを主たる目的とする。 本発明の別の目的は、光感度が高く、分光感度
領域も略々全可視光域を覆つていて、且つ光応答
性の速い電子写真用光導電部材を提供することで
ある。 本発明の他の目的は、電子写真用の像形成部材
として適用させた場合通常の電子写真法が極めて
有効に適用され得る程度に、静電像形成の為の帯
電処理の際の電液保持能が充分あり、且つ多湿雰
囲気中でもその特性の低下が殆んど観測されない
優れた電子写真特性を有する電子写真用光導電部
材を提供することである。 本発明の更に他の目的は、濃度が高く、ハーフ
トーンが鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質画
像を得る事が容易に出来る電子写真用光導電部材
を提供することである。 本発明の電子写真用光導電部材は、支持体と、
シリコン原子を母体とし、水素原子を含むアモル
フアス材料で構成されている光導電層と、これ等
の間に設けられ、シリコン原子を母体とし、窒素
原子と水素原子を含むアモルフアス材料で構成さ
れ、前記支持体側から前記光導電層中へのキヤリ
アの流入を阻止し且つ電磁波照射によつて前記光
導電層中に生じ前記支持体側に向つて移動するキ
ヤリアの前記光導電層側から前記支持体側への通
過を許す中間層とを有することを特徴とするもの
である。 上記した様な層構成を取る様にして設計された
電子写真用光導電部材は、前記した諸問題の総て
を解決し得、極めてすぐれた電気的・光学的・光
導電性特性及び使用環境特性を示す。 そして本発明の電子写真用光導電部材は、電子
写真用像形成部材として適用する場合、帯電処理
の際の電荷保持能に長け、画像形成への残留電位
の影響が全くなく、多湿雰囲気中でもその電気的
特性が安定しており高感度で、高SN比を有する
ものであつて耐光疲労、繰返し使用性に著しく長
け、更に電子写真用像形成部材の場合には濃度が
高く、ハーフトーンが鮮明に出て、且つ解像度の
高い、高品質の可視画像を得る事が出来る。 又、電子写真用像形成部材として適用する場
合、高暗抵抗のａ−Si：Ｈは光感度が低く、逆に
光感度の高いａ−Si：Ｈは暗抵抗が108Ωcm前後
と低く、いずれの場合にも、従来の層構成の光導
電層のままでは電子写真用の像形成部材には適用
されなかつたのに対して、本発明の場合には、比
較的低抵抗（５×109Ωcm以上）のａ−Si：Ｈ層
でも電子写真用の光導電層を構成することができ
るので、抵抗は比較的低い高感度であるａ−Si：
Ｈも充分使用し得、ａ−Si：Ｈの特性面からの制
約が軽減され得る。 以下、図面に従つて、本発明の電子写真用光導
電部材（以下、単に“光導電部材”と称する。）
に就て詳細に説明する。 第１図は、本発明の光導電部材の基本的な構成
例を説明する為に模式的に示した模式的構成図で
ある。 第１図に示す光導電部材１００は、光導電部材
用としての支持体１０１の上に、中間層１０２、
該中間層１０２に直接接触した状態に設けられて
いる光導電層１０３とで構成される層構造を有
し、本発明の最も基本的な例である。 支持体１０１としては、導電性でも電気性でも
電気絶縁性であつても良い。導電性支持体として
は、例えば、NiCr、ステンレス、Al、Cr、Mo、
Au、Ir、Nb、Ta、Ｖ、Ti、Pt、Pd等の金属又
はこれ等の合金が挙げられる。 電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポ
リエチレン、ポリカーボネート、セルローズ、ア
セテート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポ
リ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド等
の合成樹脂のフイルム又はシート、ガラス、セラ
ミツク、紙等が通常使用される。これ等の電気絶
縁性支持体は、好適には少なくともその一方の表
面を導電処理され、該導電処理された表面側に他
の層が設けられるのが望ましい。 例えば、ガラスであれば、その表面がNiCr、
Al、Cr、Mo、Au、Ir、Nb、Ta、Ｖ、Ti、Pt、
Pd、In2O3、SnO2、ITO（In2O3＋SnO2）等の薄
膜を設けることによつて導電処理され、或いはポ
リエステルフイルム等の合成樹脂フイルムであれ
ば、NiCr、Al、Ag、Pb、Zn、Ni、Au、Cr、
Mo、Ir、Nb、Ta、Ｖ、Ti、Pt等の金属で真空
蒸着、電子ビーム蒸着、スパツターリング等で処
理し、又は前記金属でラミネート処理して、その
表面が導電処理される。支持体の形状としては、
円筒状、ベルト状、板状等任意の形状とし得、所
望によつて、その形状は決定されるが、例えば、
第１図の光導電部材１００を電子写真用像形成部
材として使用するのであれば連続高速複写の場合
には、無端ベルト状又は円筒状とするのが望まし
い。支持体の厚さは、所望通りの光導電部材が形
成される様に適宜決定されるが、光導電部材とし
て可撓性が要求される場合には、支持体としての
機能が充分発揮される範囲内であれば、可能な限
り薄くされる。而乍ら、この様な場合、支持体の
製造上及び取扱い上、機械的強度等の点から、通
常は、10μ以上とされる。 中間層１０２はシリコン原子を母体とし、窒素
原子と水素原子を含む、非光導電性のアモルフア
ス材料〔以後“ａ−（SixN1-x）y：H1-y”と略記す
る。但し０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１〕で構成され、
支持体１０１の側から光導電層１０３中へのキヤ
リアの流入を効果的に阻止し且つ電磁波の照射に
よつて光導電層１０３中に生じ、支持体１０１の
側に向つて移動するフオトキヤリアの光導電層１
０３の側から支持体１０１の側への通過を容易に
許す機能を有するものである。 ａ−（SixN1-x）y：H1-yで構成される中間層１０
２の形成はグロー放電法、スパツターリング法、
イオンインプラテーシヨン法、イオンプレーテイ
ング法、エレクトロンビーム法等によつて成され
る。これ等の製造法は、製造条件、設備資本投下
の負荷程度、製造規模、作製される光導電部材に
所望される特性等の要因によつて適宜選択されて
採用されるが、所望する特性を有する光導電部材
を製造する為の作製条件の制御が比較的容易であ
るが、シリコン原子と共に窒素原子及び水素原子
を作製する中間層中に導入するのが容易に行える
等の利点からグロー放電法或いはスパツターリン
グ法が好適に採用される。 更に、本発明に於いては、グロー放電法とスパ
ツターリング法とを同一装置系内で併用して中間
層１０２を形成しても良い グロー放電法によつて中間層１０２を形成する
には、ａ−（SixN1-x）y：H1-y形成用の原料ガス
を、必要に応じて稀釈ガスと所定量の混合比で混
合して、支持体１０１の設置してある真空堆積用
の堆積室に導入し、導入されたガスをグロー放電
を生起させることでガラスプラズマ化して前記支
持体１０１上にａ−（SixN1-x）y：H1-yを堆積させ
れば良い。 本発明に於いてａ−（SixN1-x）y：H1-y形成用の
原料ガスとしては、Si、Ｎ、Ｈの少なくとも１つ
を構成原子とするガス状の物質又はガス化し得る
物質をガス化したものの中の大概のものが使用さ
れ得る。 Si、Ｎ、Ｈの中の１つとしてSiを構成原子とす
る原料ガスを使用する場合は、例えばSiを構成原
子とする原料ガスと、Ｎを構成原子とする原料ガ
スと、Ｈを構成原子とする原料ガスとを所望の混
合比で混合して使用するか、又は、Siを構成原子
とする原料ガスと、Ｎ及びＨを構成原子とする原
料ガスとを、これも又所望の混合比で混合して使
用することが出来る。 又、別には、SiとＨとを構成原子とする原料ガ
スにＮを構成原子とする原料ガスを混合して使用
しても良い。 本発明に於いて、中間層１０２形成用の原料ガ
スに成り得るものとして有効に使用される出発物
質は、SiとＨとを構成原子とするSiH4、Si2H6、
Si4H10等のシラン（Silane）類等の水素化硅素Ｎ
を構成原子とする或いはＮとＨとを構成原子とす
る例えば窒素（N2）、アンモニア（NH3）、ヒド
ラジン（H2NNH2）、アジ化水素（NH3）、アジ
化アンモニウム（NH4N3）等のガス状の又はガ
ス化し得る窒素、窒化物及びアジ化物等の窒素化
合物を挙げることが出来る。これ等の中間層形成
用の出発物質となるものの他、Ｈ導入用原料ガス
としては勿論H2も有効なものとして使用される。 スパツターリング法によつて中間層１０２を形
成するには、単結晶又は多結晶のSiウエーハー又
はSi3N4ウエーハー又はSiとSi3N4が混合されて
含有されているウエーハーをターゲツトとして、
これ等を種々のガス雰囲気中でスパツターリング
することによつて行えば良い。 例えば、Siウエーハーをターゲツトとして使用
すれば、ＮとＨを導入する為の原料ガス、例えば
H2とN2、又はNH3を、必要に応じて稀釈ガス稀
釈して、スパツター用の堆積室中に導入し、これ
等のガスのガスプラズマを形成して前記Siウエー
ハーをスパツターリングとすれば良い。 又、別には、SiとSi3N4とは別々のターゲツト
として、又はSiとSi3N4の混合して形成した一枚
のターゲツトを使用することによつて、少なくと
もＨ原子を含有するガス雰囲気中でスパツターリ
ングすることによつて成される。 Ｎ又はＨ導入用の原料ガスと成り得るものとし
ては、先述したグロー放電の例で示した中間層形
成用の出発物質のガスが、スパツターリングの場
合にも有効なガスとして使用され得る。 本発明に於いて、中間層１０２をグロー放電法
又はスパツターリング法で形成する際に使用され
る稀釈ガスとしては、所謂、希ガス、例えばHe、
Ne、Ar等が好適なものとして挙げることが出来
る。 本発明に於ける中間層１０２は、その要求され
る特性が所望通りに与えられる様に注意深く形成
される。 即ち、Si、Ｎ、及びＨを構成原子とする物質は
その作成条件によつて構造的には結晶からアモル
フアスまでの形態を取り、電気物性的には導電性
から半導体性、絶縁性までの間の性質を、又光導
電的性質から非光導電的性質までの間の性質を、
各々示すので、本発明に於いては、好ましくは非
光導電性のａ−（SixN1-x）y：H1-yが形成される様
に、その作成条件の選択が厳密に成されるのが望
ましい。 本発明の中間層１０２を構成するａ−（Six
N1-x）y：H1-yは中間層１０２の機能が、支持体
１０１側から光導電層１０３中へのキヤリアの注
入を阻止し、且つ光導電層１０３中で発生したフ
オトキヤリアが移動して支持体１０１側に通過す
るのを容易に許すことを果たすものであることか
ら、電気絶縁性的挙動を示すものとして形成され
る。 又、光導電層１０３中で発生したフオトキヤリ
アが中間層１０２中を通過する際、その通過がス
ムーズに成される程度に通過するキヤリアに対す
る易動度（mobility）の値を有するものとしてａ
−（SixN1-x）y：H1-yが作成される。 上記の様な特性を有するａ−（SixN1-x）y：H1-y
が作成される為の作成条件の中の重要な要素とし
て、作成時の支持体温度を挙げる事が出来る。 即ち、支持体１０１の表面にａ−（SixN1-x）y：
H1-yから成る中間層１０２を形成する際、層形
成中の支持体温度は、形成される層の構造及び特
性を左右する重要な因子であつて、本発明に於い
ては、目的とする特性を有するａ−（SixN1-x）y：
H1-yが所望通りに作成され得る様に層作成時の
支持体温度が厳密に制御される。 本発明に於ける目的が効果的に達成される為の
中間層１０２を形成する際の支持体温度としては
中間層１０２の形成法に併せて適宜最適範囲が選
択されて、中間層１０２の形成が実行されるが、
通常の場合、100℃〜300℃好適には150℃〜250℃
とされるものが望ましいものである。中間層１０
２の形成には、同一系内で中間層１０２から光導
電層１０３、更には必要に応じて光導電層１０３
上に形成される第３の層まで連続的に形成する事
が出来る。各層を構成する原子の組成比の微妙な
制御や層厚の制御が他の方法に較べて比較的容易
である事等の為に、グロー放電法やスパツターリ
ング法の採用が有利であるが、これらの層形成法
で中間層１０２を形成する場合には、前記の支持
体温度と同様に層形成の際の放電パワー、ガス圧
が作成されるａ−（SixN1-x）y：H1-yの特性を左右
する重要な因子の１つである。 本発明に於ける目的が達成される為の特性を有
するａ−（SixN1-x）y：H1-yが生産性良く効果的に
形成される為の放電パワー条件としては、通常１
〜300W、好適には２〜100Wである。堆積室内の
ガス圧は通常グロー放電にて層形成を行なう場合
に於いて0.01〜5Torr、好適には0.1〜0.5Torr程
度に、スパツターリング法にて層形成を行なう場
合に於いては、通常10-3〜５×10-2Torr、好適
には８×10-3〜３×10-2Torr程度とされるのが
望ましい。 本発明の光導電部材に於ける中間層１０２に含
有される窒素原子及び水素原子の量は、中間層１
０２の作製条件と同様、本発明の目的を達成する
所望の特性が得られる中間層が形成される重要な
因子である。 本発明に於ける中間層１０２に含有される窒素
原子の量は通常は25〜55atomic％、好適には35
〜55atomic％とされるのが望ましいものである。
水素原子の含有量としては、通常の場合２〜
35atomic％、好適には５〜30atomic％とされる
のが望ましく、これ等の範囲に水素含有量がある
場合に形成される光導電部材は、実際面に於いて
優れたものとして充分適用させ得るものである。 即ち、先のａ−（SixN1-x）y：H1-yの表示で行え
ばｘが通常は0.43〜0.60、好適には0.43〜0.50、
ｙが通常0.98〜0.65、好適には0.95〜0.70である。 本発明に於ける中間層１０２の層厚の数値範囲
は、本発明の目的を効果的に達成する為の重要な
因子の１つである。中間層１０２の層厚が充分過
ぎる程に薄いと、支持体１０１の側からの光導電
層１０３へのキヤリアの流入を阻止する働きが充
分果たし得なくなり、又、充分過ぎる程以上に厚
いと、光導電層１０３中に於いて生ずるフオトキ
ヤリアの支持体１０１の側への通過する確率が極
めて小さくなり、従つて、いずれの場合にも本発
明の目的を効果的に達成され得なくなる。 本発明の目的を効果的に達成する為の中間層１
０２の層厚としては、通常の場合、30〜1000Å好
適には50〜600Åである。 本発明に於いて、その目的を効果的に達成する
為に、中間層１０２上に積層される光導電層１０
３は、下記に示す半導体特性を有するａ−Si：Ｈ
で構成される。 ｐ型ａ−Si：Ｈ…アクセプターのみを含むも
の。或いは、ドナーとアクセプターとの両方を
含み、アクセプターの濃度（Na）が高いもの。 ｐ−型ａ−Si：Ｈ…のタイプに於いてアク
セプターの濃度（Na）が低い所謂ｐ型不純物
をライトリードープしたもの。 ｎ型ａ−Si：Ｈ…ドナーのみを含むもの。或
いはドナーとアクセプターの両方を含み、ドナ
ーの濃度（Nd）が高いもの。 ｎ−型ａ−Si：Ｈ…のタイプに於いてドナ
ーの濃度（Nd）が低い。所謂ｎ型不純物をラ
イトリードープしたもの。 ｉ型ａ−Si：Ｈ…NaNdＯのもの又は、
NaNdのもの。 本発明に於いては、中間層１０２を設けること
によつて前記したように光導電層１０３を構成す
るａ−Si：Ｈは、従来に較べて比較的低抵抗のも
のも使用され得るものであるが、一層良好な結果
を得るためには、形成される光導電層１０３の暗
抵抗が好適には５〜109Ωcm以上、最適には1010
Ωcm以上となる様に光導電層１０３が形成される
のが望ましいものである。 殊に、この暗抵抗値の数値条件は、作製された
光導電部材を電子写真用像形成部材や、低照度領
域で使用される高感度の読取装置や固体撮像装
置、或いは光電変換装置として使用する場合には
重要な要素である。 本発明に於ける電子写真用光導電部材の光導電
層の層厚としては、読取装置、固体撮像装置或い
は電子写真用像形成部材等の適用するものの目的
に適合させて所望に従つて適宜決定される。 本発明に於いては、光導電層の層厚としては、
光導電層の機能及び中間層の機能が各々有効に活
されて本発明の目的が効果的に達成される様に中
間層との層厚関係に於いて適宜所望に従つて決め
られるものであり、通常の場合、中間層の層厚に
対して数百〜数千倍以上の層厚とされるのが好ま
しいものである。 具体的な値としては、通常１〜100μ、好適に
は２〜50μの範囲とされるのが望ましい。 本発明に於いて、光導電層を、ａ−Si：Ｈで構
成された層とするには、これらの層を形成する
際、次の様な方法によつてＨを層中に含有させ
る。 ここに於いて、「層中Ｈが含有されている」と
いうことは、「Ｈが、Siと結合した状態」「Ｈがイ
オン化して層中に取り込まれている状態」又は
「H2として層中に取り込まれている状態」の何れ
かの又はこれ等の複合されている状態を意味す
る。 光導電層へのＨの含有法としては、例えば層を
形成する際、堆積装置系内にSiH4、Si2H6、
Si3H8、Si4H10等のシラン（Silane）類等のシリ
コン化合物の形で導入し、グロー放電分解法によ
つて、それらの化合物を分解して、層の成長に併
せて含有される。 このグロー放電法によつて、光導電層を形成す
る場合には、ａ−Siを形成する出発物質がSiH4、
Si2H6、Si3H8、Si4H10等の水素化硅素ガスが分
解して層が形成される際、Ｈは自動的に層中に含
有される。 反応スパツターリング法による場合には、He
やAr等の不活性ガス又はこれ等のガスをベース
とした混合ガス雰囲気中でSiをターゲツトしてス
パツターリングを行なう際にH2ガスを導入して
やるか又はSiH4、Si2H4、Si3H8、S4H10等の水素
化硅素ガス、或いは、不純物のドーピングも兼ね
てB2H6、PH3等のガスを導入してやれば良い。 本発明者等の見知によれば、ａ−Si：Ｈで構成
される光導電層のＨの含有量は、形成された光導
電部材が実際面に於いて充分適用され得るか否か
を左右する大きな要因の一つであつて極めて重要
であることが判明している。 本発明に於いて、形成される光導電部材が実際
面に充分適用され得る為には、光導電層中に含有
されるＨの量は通常の場合１〜4atomic％、好適
には５〜30atomic％とされるのが望ましい。 層中に含有されるＨの量を制御するには、例え
ば堆積支持体温度又は及びＨを含有させる為に使
用される出発物質の堆積装置系内へ導入する量、
放電々力等を制御してやれば良い。 光導電層をｎ型又はｐ型とするには、グロー放
電法や反応スパツターリング法等による層形成の
際に、ｎ型不純物又は、ｐ型不純物、或いは両不
純物を形成される層中にその量を制御し乍らドー
ピングしてやる事によつて成される。 光導電層中にドーピングされる不純物として
は、光導電層をｐ型にするには、周期律表第族
Ａの元素、例えば、Ｂ、Al、Ga、In、Tl等が好
適なものとして挙げられ、ｎ型にする場合には、
周期律表第族Ａの元素、例えば、Ｎ、Ｐ、As、
Sb、Bi等が好適なものとして挙げられる。これ
らの不純物は、層中に含有される量がppmオーダ
ーであるので、光導電層を構成する主物質程その
公害性に注意を払う必要はないが出来る限り公害
性のないものを使用するのが好ましい。この様な
観点からすれば、形成される層の電気的・光学的
特性を加味して、例えば、Ｂ、Ga、Ｐ、Sb等が
最適である。この他に、例えば熱拡散やインプラ
ンテーシヨンによつてLi等がインターステイシア
ルにドーピングされることでｎ型に制御すること
も可能である。光導電層中にドーピングされる不
純物の量は、所望される電気的・光学的特性に応
じて適宜決定されるが、周期律表第族Ａの不純
物の場合には、通常10-6〜10-3atomic％、好適に
は10-5〜10-4atomic％、周期律表第族Ａの場合
には通常10-8〜10-3atomic％、好適は10-8〜
10-4atomic％とされるのが望ましい。 第２図には、本発明の光導電部材の別の実施態
様例の構成を説明する為の模式的構成図が示され
る。 第２図に示される光導電部材２００は、光導電
層２０３の上に、中間層２０２と同様の機能を有
する上部層２０５を設けた以外は、第１図に示す
光導電部材１００と同様の層構造を有するもので
ある。 即ち、光導電部材２００は、支持体２０１の上
に中間層１０２と同様の材料であるａ−（Six
N1-x）y：H1-yを使用して同様の機能を有する様
に形成された中間層２０２と、ａ−Si：Ｈで構成
される光導電層２０３と、該光導電層２０３上に
設けられ自由表面２０４を有する上部層２０５を
具備している。 上部層２０５は、例えば光導電部材２００を自
由表面２０４に帯電処理を処して電荷像を形成す
る場合の様な使い方をする際、自由表面２０４に
保持される可き電荷が光導電層２０３中に流入す
るのを阻止し且つ、電磁波の照射を受けた際には
光導電層２０３中に発生したフオトキヤリアと、
電磁波の照射を受けた部分の帯電々荷とがリコン
ビネーシヨンを起す様に、フオトキヤリアの通過
又は帯電々荷の通過を容易に許す機能を有する。 上部層２０５は、中間層２０２と同様の特性を
有するａ−（SixN1-x）y：H1-yで構成される他、ａ
−SiaC1-a、（ａ−SiaC1-a）b：H1-b、（ａ−Sic
O1-c）d：H1-d等の光導電層を構成する母体原子で
ある。シリコン原子と窒素原子又は酸素原子とで
構成されるか又は、これ等の原子を母体とし水素
原子を含むアモルフアス材料、或いは、更にハロ
ゲン原子を含む、これ等のアモルフアス材料、
Al2O3等の無機絶縁性材料、ポリエステル、ポリ
パラキシレン、ポリウレタン等の有機絶縁性材料
で構成することも出来る。 而乍ら、上部層２０５を構成する材料としては
生産性、量産性及び形成された層の電気的及び使
用環境的安定性等の点から、中間層２０２と同様
の特性を有するａ−（SixN1-x）y：H1-yで構成する
か又は、ａ−SiaC1-a、ａ−（SiaC1-a）b：H1-b、
ａ−SicN1-c、ａ−（SidC1-d）e：L1-e、ａ−（Sif
C1-f）g：（Ｈ＋Ｘ）1-g、ａ−（SihN1-h）i：X1-i、１
−（SijN1-j）k：（Ｈ＋Ｘ）1-kで構成するのが望まし
い。 上部層２０５を構成する材料としては、上記に
挙げた物質の他、好適なものとしては、シリコン
原子と、Ｃ、Ｎ、Ｏの中の少なくとも２つの原子
とを母体とし、ハロゲン原子か又はハロゲン原子
と水素原子とを含むアモルフアス材料を挙げるこ
とができる。 ハロゲン原子としては、Ｆ、Cl、Br等が挙げ
られるが、熱的安定性の点から上記アモルフアス
材料の中Ｆを含有するものが有効である。 上部層２０５を構成する材料の選択及びその層
厚の決定は、上部層２０５側より光導電層２０３
の感受する電磁波の照射する様にして光導電部材
２００を使用する場合には、照射される電磁波が
光導電層２０３に充分量到達して、効率良く、フ
オトキヤリアの発生を引起させ得る様に注意深く
成される。上部層２０５は、中間層２０２と同様
の手法で、例えばグロー放電法や反応スパツター
リング法で形成することが出来る。上部層２０５
形成の際に使用される出発物質としては、中間層
を形成するのに使用される前記の物質が使用され
る他、炭素原子導入用の出発物質として、例えば
炭素数１〜４の飽和炭化水素、炭素数２〜５のエ
チレン系炭化水素、炭素数２〜４のアセチレン系
炭化水素等を挙げることが出来る。 具体的には、飽和炭化水素としてはメタン
（CH4）、エタン（C2H6）、プロパン（C3H8）、ｎ
−ブタン（ｎ−C4H10）、ペンタン（C5H12）、エ
チレン系炭化水素としては、エチレン（C2H4）、
プロピレン（C3H6）、ブテン−１（C4H8）、ブテ
ン−２（C4H8）、イソブチレン（C4H8）、ペンテ
ン（C5H10）、アセチレン系炭化水素としては、
アセチレン（C2H2）、メチルアセチレン
（C3H4）、ブチン（C4H6）等が挙げられる。 酸素原子を上部層２０５中に含有させる為の出
発物質としては、例えば、酵素（O2）、オゾン
（O3）、一酸化炭素（CO）、二酸化炭素（CO2）、
一酸化窒素（NO）、二酸化窒素（NO2）、一酸化
二窒素（N2O）等を挙げることが出来る。 これ等の他に、上部層２０５形成用の出発物質
の１つとして、例えばCCl4、CHF3、CH2F2、
CH3F、CH3Cl、CH3Br、CH3I、C2H5Cl等のハ
ロゲン置換パラフイン系炭化水素、SF4、SF6等
のフツ素化硫黄化合物、Si（CH3）4、Si（C2H5）4等
のケイ化アルキルやSiCl（CH3）3、SiCl2C
（CH3）2、SiCl3CH3等のハロゲン含有ケイ化アル
キル等のシランの誘導体も有効なものとして挙げ
ることが出来る。 これらの上部層２０５形成用の出発物質は、所
定の原子が構成原子として、形成される上部層２
０５中に含まれる様に、層形成の際に適宜選択さ
れて使用される。 例えば、グロー放電法を採用するのであればSi
（CH3）4、SiCl2（CH3）2等の単独ガス又はSiH4−
O2（−Aγ）系、SiH4−NO2系、SiH4−O2−N2
系、SiCl4−CO2−H2系、SiCl4−NO−H2系、
SiH4−NH3系、SiCl4−NH4系、SiH4−N2系、
SiH4−NH3−NO系、Si（CH3）4−SiH4系、SiCl2
（CH3）2−SiH4系等の混合ガスを上部層１０５形
成用の出発物質として使用することが出来る。 本発明に於ける上部層２０５の層厚としては、
前述した機能が充分発揮される様に、層を構成す
る材料、層形成条件等によつて所望に従つて適宜
決定される。 本発明に於ける上部層２０５の層厚としては、
通常の場合、30〜1000Å、好適には50〜600Åと
されるのが望ましいものである。 本発明の光導電部材を電子写真用像形成部材と
して使用する場合にある種の電子写真プロセスを
採用するのであれば、第１図又は第２図に示され
る層構成の光導電部材の自由表面上に更に表面被
覆層を設ける必要がある。 この場合の表面被覆層は、例えば、特公昭42−
23910号公報、同43−24748号公報に記載されてい
るNP方式の様な電子写真プロセスを適用するの
であれば、電気的絶縁性であつて、帯電処理を受
けた際の静電荷保持能が充分であつて、ある程度
以上の厚みがあることが要求されるが、例えば、
カールソンプロセスの如き電子写真プロセスを適
用するのであれば、静電像形成後の明暗の電位は
非常に小さいことが望ましいので表面被覆層の厚
さとしては非常に薄いことが要求される。表面被
覆層は、その所望される電気的特性を満足するの
に加えて、光導電層又は上部層に化学的・物理的
に悪影響を与えないこと光導電層又は上部層との
電気的接触性及び装着性、更には耐湿性、耐摩耗
性、クリーニング性等を考慮して形成される。 表面被覆層の形成材料として有効に使用される
ものとして、その代表的なのは、ポリエチレンテ
レフタレート、ポリカーボネート、プリプロピレ
ン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ
ビニルアルコール、ポリスチレン、ポリアミド、
ポリ四弗化エチレン、ポリ三弗化塩化エチレン、
ポリ弗化ビニル、ポリ弗化ビニリデン、六弗化プ
ロピレン−四弗化エチレンコポリマー、三弗化エ
チレン−弗化ビニリデンコポリマー、ポリブデ
ン、ポリビニルブチラール、ポリウレタン、ポリ
パラキシリレン等の有機絶縁羽料、シリコン窒化
物、シリコン酸化物等の無機絶縁材料等が挙げら
れる。これ等の合成樹脂又はセルロース誘導体は
フイルム状とされて光導電層又は上部層の上に貼
合されてもよく、又、それらの塗布液を形成し
て、光導電層又は上部層上に塗布し、層形成して
も良い。表面被覆層の層厚は、所望される特性に
応じて、又、使用される材質によつて適宜決定さ
れるが、通常の場合、0.5〜70μ程度とされる。殊
に表面被覆層が先述した保護層としての機能が要
求される場合には、通常の場合、10μ以下とさ
れ、逆に電気的絶縁層としての機能が要求される
場合には、通常の場合10μ以上とされる。而乍
ら、この保護層と電気絶縁層とを差別する層厚値
は、使用材料及び適用される電子写真プロセス、
設計される像形成部材の構造によつて、変動する
もので、先の10μという値は絶対的なものではな
い。 又、この表面被覆層は、反射防止層としての役
目も荷わせれば、その機能が一層拡大されて効果
的となる。 実施例 １ 完全にシールドされたクリーンルーム中に設置
された第３図に示す装置を用い、以下の如き操作
によつて電子写真用像形成部材を作製した。 表面が清浄にされた0.5mm厚10cm角のモリブデ
ン板（基板）309を支持台３０２上に静置された
グロー放電堆積室３０１内の所定位置にある固定
部材３０３に堅固に固定した。基板３０９は、固
定部材３０３内の加熱ヒーター３０８によつて±
0.5℃の精度で加熱される。温度は、熱電対（ア
ルメル−クロメル）によつて基板裏面を直接測定
されるようになされた。次いで系内の全バルブが
閉じられていることを確認してからメインバルブ
３１０を全開して、室３０１内が排気され、約５
×10-6Torrの真空度にした。その後ヒーター３
０８の入力電圧を上昇させ、モリブデン基板温度
を検知しながら入力電圧を変化させ、200℃の一
定値になるまで安定させた。 その後、補助バルブ３４０、次いで流出バルブ
３２５，３２６，３２７及び流入バルブ３２０−
２，３２１，３２２を全開し、フローメーター３
１６，３１７，３１８内にも十分脱気真空状態に
された。補助バルブ３４０、バルブ３２５，３２
６，３２７，３２０−２，３２１，３２２を閉じ
た後、H2で10vol％に稀釈されたSiH4ガス（以後
SiH4／H2と略す。純度99.999％）ボンベ３１１
のバルブ３３０、N2（純度99.999％）ガスボンベ
３１２のバルブ３３１を開け、出口圧ゲージ３３
５，３３６の圧を１Kg／cm2に調整し、流入バルブ
３２０−２，３２１を徐々に開けてフローメータ
ー３１６，３１７内へSiH4／H2ガスN2ガスを流
入させた。引き続いて、流出バルブ３２５，３２
６を徐々に開け、次いで補助バルブ３４０を徐々
に開けた。このときSiH2／H2ガス流量とN2ガス
流量比が１：10になるように流入バルブ３２０−
２，３２１を調整した。次にピラニーゲージ３４
１の読みを注視しながら補助バルブ３４０の開口
を調整し、室３０１内が１×10-2Torrになるま
で補助バルブ３４０を開けた。室３０１内圧が安
定してから、メインバルブ３１０を徐々に閉じ、
ピラニーゲージ３４１の指示が0.5Torrになるま
で開口を絞つた。ガス流入が安定し内圧が安定す
るのを確認し続いて高周波電源３４２のスイツチ
をON状態にして、誘導コイル３４３に、13.56M
Hzの高周波電力を投入しコイル部（室上部）の室
３０１内にグロー放電を発生させ3Wの入力電力
とした。上記条件で基板上にａ−（SixN1-x）y：
H1-yを堆積させるために、１分間条件を保つて
中間層を形成した。その後、高周波電源３４２を
off状態とし、グロー放電を中止させた状態で、
流出バルブ３２６を閉じ、次にH2で50vol ppm
に稀釈されたB2H6（以後B2H6／H2と略す）ガス
ボンベ３１３から流入バルブ３２２を通じて１
Kg／cm2のガス圧（出口圧ゲージ３３７の読み）
で、流入バルブ３２２、流出バルブ３２７の調整
によつてフローメーター３１８の読みが、
SiH4／H2ガス流量の1/50になる様に流出バルブ
３２７の開口を定め、安定化させた。 引き続き、再び高周波電源３４２をON状態に
して、グロー放電を再開させた。そのときの入力
電力を10Wにした。こうしてグロー放電を更に３
時間持続させて光導電層を形成した後、加熱ヒー
ター３０８をoff状態にし、高周波電源３４２も
off状態とし、基板温度が100℃になるのを持つて
から流出バルブ３２５，３２７及び流入バルブ３
２０−２，３２２を閉じ、メインバルブ３１０を
全開して、室３１内を10-5Torr以下にした後、
メインバルブ３１０を閉じ室３０１内をリークバ
ルブ３４４によつて大気圧として基板を取り出し
た。この場合、形成された層の全厚は約9μであ
つた。こうして得られた像形成部材を、帯電露光
実験装置に設置し、6.0KVで0.2sec間コロナ帯
電を行い、直ちに光像を照射した。光像は、タン
グステンランプ光源を用い、1.01ux・secの光量
を透過型のテストチヤートを通して照射させた。 その後直ちに、荷電性の現像剤（トナーとキ
ヤリアーを含む）を部材表面にカスケードするこ
とによつて、部材表面上に良好なトナー画像を得
た。部材上のトナー画像を、5.0KVのコロナ帯
電で転写紙上に転写した所、解像力に優れ、諧調
再現性のよい鮮明な高濃度の画像が得られた。 次に上記像形成部材に就て、帯電露光実験装置
で5.5KVで、0.2sec間のコロナ帯電を行い、直
ちに0.8lux・secの光量で、画像露光を行い、そ
の後直ちに荷電性の現像剤を部材表面にカスケ
ードし、次に転写紙上に転写・定着したところ、
極めて鮮明な画像が得られた。 この結果と先の結果から、本実施例で得られた
電子写真用像形成部材は、帯電極性に対する依存
性がなく、両極性像形成部材の特性を具備してい
ることが判つた。 実施例 ２ モリブデン基板上に中間層を形成する際のグロ
ー放電保持時間を、下記の第１表に示す様に、
種々変化させた以外は、実施例１と全く同様の条
件及び手順によつて試料No.〜で示される像形
成部材を作成し、実施例１と全く同様の帯電露光
実験装置に設置して同様の画像形成を行つたとこ
ろ下記の第１表に示す如き結果を得た。 第１表に示される結果から判る様に本発明の目
的を達成するには、中間層の膜厚を30Å〜1000Å
の範囲で形成する必要がある。
【表】
◎：優 ○：良 △：実用上使用し得る ×：不可
中間層の膜堆積速度：1Å／sec
実施例 ３ モリブデン基板上に中間層を形成する際の中間
層におけるSiH4／H2とN2の流量比を第２表に示
す様に種々変化させた以外は、実施例１と全く同
様の条件及び手順によつて試料No.〜で示され
る像形成部材を作成し、実施例１と全く同様の帯
電露光実験装置に設置して同様の画像形成を行な
つた所、第２表に示す如き結果を得た。尚、試料
No.〜の中間層のみをオージエ電子分光分析法
により分析した結果を第３表に示す。第２、３表
に示される結果から判る様に本発明の目的を達成
するには中間層におけるSiとＮの組成比に関係す
るｘを0.60〜0.43の範囲で形成する必要がある。
中間層の膜堆積速度：1Å／sec
実施例 ３ モリブデン基板上に中間層を形成する際の中間
層におけるSiH4／H2とN2の流量比を第２表に示
す様に種々変化させた以外は、実施例１と全く同
様の条件及び手順によつて試料No.〜で示され
る像形成部材を作成し、実施例１と全く同様の帯
電露光実験装置に設置して同様の画像形成を行な
つた所、第２表に示す如き結果を得た。尚、試料
No.〜の中間層のみをオージエ電子分光分析法
により分析した結果を第３表に示す。第２、３表
に示される結果から判る様に本発明の目的を達成
するには中間層におけるSiとＮの組成比に関係す
るｘを0.60〜0.43の範囲で形成する必要がある。
【表】
◎：優 ○：良 △：実用上使用し得る ×：
不可
不可
【表】
実施例 ４
実施例１と同様にモリブデン基板を設置し続い
て実施例１と同様の操作によつてグロー放電堆積
室３０１内を５×10-6Torrの真空となし、基板
温度は200℃に保たれた後実施例１と同様の操作
によつて補助バルブ３４０、次いで流出バルブ３
２５，３２６、及び流入バルブ３２０−２，３２
１を全開し、フローメーター３１６，３１７内も
十分脱気真空状態にされた。補助バルブ３４０、
バルブ３２５，３２６，３２０−２，３２１を閉
じた後、H2で10vol％に稀釈されたSiH4ガス（純
度99.999％、SiH4／H2）ボンベ３１１のバルブ
３３０、ガスボンベ３１２のバルブ３３１を開
け、出口圧ゲージ３３５，３３６の圧を１ｍ／cm2
に調整し、流入バルブ３２０−２，３２１を徐々
に開けてフローメーター３１６，３１７内へ
SiH4／H2ガス、N2ガスを流入させた。引き続い
て、流出バルブ３２５，３２６を徐々に開け、次
いで補助バルブ３４０を徐々に開けた。このとき
SiH4／H2ガス流量とN2ガス流量比が１：10にな
るように流入バルブ３２０−２，３２１を調整し
た。次にピラニーゲージ３４１の読みを注視しな
がら補助バルブ３４０の開口を調整し、室３０１
内が１×10-2Torrになるまで補助バルブ３４０
を開けた。室３０１内圧が安定してから、メイン
バルブ３１０を徐々に閉じ、ピラニーゲージ３４
１の指示が0.5Torrになるまで開口を絞つた。ガ
ス流入が安定し内圧が安定するのを確認し続いて
高周波電源３４２のスイツチをON状態にして、
誘導コイル３４３に、13.56MHzの高周波電力を
投入しコイル部（室上部）の室３０１内にグロー
放電を発生させ、3Wの入力電力とした。上記条
件で基板上にａ−（SixN1-x）y：H1-yを堆積させる
為に、１分間条件を保つて中間層を形成した。そ
の後、高周波電源３４２をoff状態とし、グロー
放電を中止させた状態で、流出バルブ３２６を閉
じ、引き続き、再び高周波電源３４２をON状態
にして、グロー放電を再開させた。そのときの入
力電力を10Wにした。こうしてグロー放電を更に
５時間持続させて光導電層を形成した後、加熱ヒ
ーター308をoff状態にし、高周波電源３４２も
off状態とし、基板温度が100℃になるのを待つて
から流出バルブ３２５及び流入バルブ３２０−
２，３２１を閉じ、メインバルブ３１０を全開に
して、室３０１内を10-5Torr以下にした後、メ
インバルブ３１０を閉じ室３０１内をリークバル
ブ３４４によつて大気圧として基板を取り出し
た。この場合形成された層の全厚は約15μであつ
た。この像形成部材に就て、実施例１と同様の条
件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ、
コロナ放電を行つて画像形成した方が、コロ
ナ放電を行つて画像を形成したよりも、その画質
が優れており、極めて鮮明であつた。この結果よ
り本実施例で得られた感光体には、帯電極性の依
存性が認められた。 実施例 ５ 実施例１と同様な条件及び手順によつて、モリ
ブデン基板上に１分間の中間層の形成を行つた
後、その後、高周波電源３４２をoff状態とし、
グロー放電を中止させた状態で、流出バルブ３２
６を閉じ、次にH2で25volppmに稀釈されたPH3
ガスボンベ（以後PH3／H2と略す）３１４から
流入バルブ３２３を通じて１Kg／cm2のガス圧（出
口圧ゲージ３３８Ｚの読み）で、流入バルブ３２
３、流出バルブ３２８の調整によつてフローメー
ター３１９の読みが、SiH4／H2ガスの流量の1/5
０になる様に流出バルブ３２８の開口を定め、安
定化させた。 引き続き、再び高周波電源３４２をON状態に
して、グロー放電を再開させた。そのときの入力
電力を10Wにした。こうしてグロー放電を更に４
時間持続させて光導電層を形成した後、加熱ヒー
ター３０８をoff状態にし、高周波電源３４２も
off状態とし、基板温度が100℃になるのを持つて
から流出バルブ３２５，３２８及び流入バルブ３
２０−２，３２３を閉じ、メインバルブ３１０を
全開にして、室３０１内を10-5Torr以下にした
後、メインバルブ３１０を閉じ室３０１内をリー
クバルブ３４４によつて大気圧として基板を取り
出した。この場合、形成された層の全厚は約11μ
であつた。こうして得られた像形成部材を、実施
例１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形
成したところ、コロナ放電を行つて画像形成し
た方が、コロナ放電を行つて画像形成したより
も、その画質が優れており極めて鮮明であつた。
この結果より本実施例で得られた感光体には、帯
電極性の依存性が認められた。 実施例 ６ 実施例１と同様な条件及び手順によつて、モリ
ブデン基板上に１分間の中間層の形成を行つた
後、高周波電源３４２をoff状態とし、グロー放
電を中止させた状態で、流出バルブ３２６を閉
じ、次にH2で50volppmに稀釈されたB2H6がス
ボンベ３１３から流入バルブ３２２を通じて１
Kg／cm2のガス圧（出口圧ゲージ３３７の読み）
で、流入バルブ３２２流出バルブ３２７の調整に
よつてフローメーター３１８の読みが、SiH4／
H2ガスの流量の1/10になる様に流出バルブ３２
７の開口を定め、安定化させた。 引き続き、再び高周波電源３４２をON状態に
して、グロー放電を再開させた。そのときの入力
電力を10Wにした。こうしてグロー放電を更に３
時間持続させて光導電層を形成した後、加熱ヒー
ター308をoff状態にし、高周波電源３４２もoff
状態とし、基板温度が100℃になるのを持つてか
ら流出バルブ３２５，３２７及び流入バルブ３２
０，３２２を閉じ、メインバルブ３１０を全開し
て、室３０１内を10-5torr以下にした後、メイン
バルブ３１０を閉じ室３０１内をリークバルブ３
４４によつて大気圧として基板を取り出した。こ
の場合、形成された層の全厚は約10μであつた。
こうして得られた像形成部材を実施例１と同様の
条件及び手順で転写紙上に画像を形成したとこ
ろ、コロナ放電を行つて画像形成した方が、
コロナ放電を行つて画像形成したよりも、その画
質が優れており極めて鮮明であつた。この結果よ
り本実施例で得られた感光体には、帯電極性の依
存性が認められた。而し、との帯電極性依存性
は、実施例４、５で得られた像形成部材とは逆で
あつた。 実施例 ７ 実施例１と同様な条件及び手順によつて、モリ
ブデン基板上に１分間の中間層の形成、５時間の
光導電層の形成を行つた後、高周波電源３４２を
off状態として、グロー放電を中止させた状態で、
流出バルブ３２７を閉じ、そして再び、流出バル
ブ３２６を開き、中間層の形成時と同様の条件に
なるようにした。引き続き再び高周波電源をON
状態にしてグロー放電を再開させた。そのときの
入力電力も中間層形成時と同様の3Wとした。こ
うしてグロー放電を２分間持続させて光導電層上
に、上部層を形成した後、加熱ヒーター３０８を
off状態にし、高周波電源３４２もoff状態とし、
基板温度が100℃になるのを持つてから流出バル
ブ３２５，３２６及び流入バルブ３２０−２，３
２１を閉じ、メインバルブ３１０を全開にして、
室３０１内を10-5torr以下にした後、メインバル
ブ３１０を閉じ室３０１内をリークバルブ３４４
によつて大気圧として基板を取り出した。こうし
て得られた像形成部材を、実施例１と同様の帯電
露光実験装置に設置し、6.0KVで0.2sec間コロ
ナ帯電を行い、直ちに光像を照射した。光像は、
タングステンランプ光源を用い、1.01ux・secの
光量を透過型のテストチヤートを通して照射させ
た。 その後直ちに、荷電性の現像剤（トナーとキ
ヤリアーを含む）を部材表面にカスケードするこ
とによつて、部材表面上に良好なトナー画像を得
た。部材上のトナー画像を、5.0KVのコロナ帯
電で転写紙上に転写した所、解像力に優れ、諧調
再現性のよい鮮明な高濃度の画像が得られた。 実施例 ８ 光導電層形成に際してH2で10vol％に稀釈され
たSiH4ガスのボンベ３１１のかわりに稀釈され
ていないSi2H6ボンベ３１５を使用して、Si2H6
とB2H6／H2の流量比を５：１に設定した以外
は、実施例１と同様の条件及び手順によつて中間
層、光導電層をモリブデン基板上に形成した後、
堆積室３０１外に取り出し実施例１と同様に帯電
露光の実験装置に静置して画像形成の試験をした
所、5.5KVのコロナ放電荷電性現像剤の組み
合せの場合に、極めて良質の、コントラストの高
いトナー画像が転写紙上に得られた。 実施例 ９ 実施例１と同様の条件及び手順に従いモリブデ
ン基板上に中間層、光導電層を形成したのち第４
図に示す堆積室４０１内の所定の固定部材４０３
に光導電層を下にして基板４０２を固定した。リ
ークバルブ４１１を閉じ、メインバルブ４１２を
開け、室内を５×10-7torrまで真空にした。その
後補助バルブ４０９流出バルブ４１３〜４１９、
流入バルブ４２７〜４３３を全開とし、系内のガ
スを排気した後、補助バルブ４０９、流出バルブ
４１３〜４１９流入バルブ４２７〜４３３を閉じ
た。固定部材４０３内の加熱ヒーター４０４を
ON状態にし所定の温度に設定した後第４表に示
す各条件に従い各種ガスボンベ４４９〜４５５の
中の所定のガスボンベの出口バルブ（４４１〜４
４８）を設け、出口圧を１Kg／cm2とし（出口圧ゲ
ージ４３４〜４４０の読み）流入バルブと流出バ
ルブによつてフローメーター４２０〜４２６を流
れるガスの流量を所定値に制御した。その後、補
助バルブ４０９を開けて室内へガスを流入させ、
メインバルブ４１２により室内圧を制御した（ピ
ラニゲージ４１０の読み）。流量及び室内圧が安
定した後、グロー放電分解の場合はシヤツター４
０７を閉とし、スパツタリングの場合はシヤツタ
ー４０７を開として高周波電源４０８をON状態
にし、室内にグロー放電を発生させて層を形成し
た。 所定の時間、層を形成した後、高周波電源４０
８と加熱ヒーター４０４をoff状態にして補助バ
ルブ４０９を閉じメインバルブ４１２を全開し
た。基板温度が100℃になるのをまつてメインバ
ルブ４１２を閉じ、リーフバルブ４１１により室
内に大気圧にして基板をとり出した。 なお、スパツタリングに際してターゲツト４０
５は必要に応じて多結晶Si、多結晶Si上にグラフ
アイトが部分的に積層されたもの及びSi3N4を使
用した。 又、第４図における各ボンベ内のガス種は以下
の通りである。 ボンベ４４９：SiH4ガス（H2で10vol％に稀
釈）、ボンベ４５０：SiF4ガス（H2を10vol％含
む）、ボンベ４５１：Si（CH3）4（H2で10vol％に稀
釈）、ボンベ４５２：C2H4ガス（H2で10vol％に
稀釈）、ボンベ４５３：NH3ガス（H2で10vol％
に稀釈）、ボンベ４５４：Arガス、ボンベ４５
５：N2ガス この様にして作製した像形成部材Ａ〜Ｈについ
て各々、実施例１と同様にして、両極性に関
して帯電、露光及び転写を行なつたところ、いず
れも帯電極性に対する依存性がなく、極めて鮮明
なトナー画像が得られた。
て実施例１と同様の操作によつてグロー放電堆積
室３０１内を５×10-6Torrの真空となし、基板
温度は200℃に保たれた後実施例１と同様の操作
によつて補助バルブ３４０、次いで流出バルブ３
２５，３２６、及び流入バルブ３２０−２，３２
１を全開し、フローメーター３１６，３１７内も
十分脱気真空状態にされた。補助バルブ３４０、
バルブ３２５，３２６，３２０−２，３２１を閉
じた後、H2で10vol％に稀釈されたSiH4ガス（純
度99.999％、SiH4／H2）ボンベ３１１のバルブ
３３０、ガスボンベ３１２のバルブ３３１を開
け、出口圧ゲージ３３５，３３６の圧を１ｍ／cm2
に調整し、流入バルブ３２０−２，３２１を徐々
に開けてフローメーター３１６，３１７内へ
SiH4／H2ガス、N2ガスを流入させた。引き続い
て、流出バルブ３２５，３２６を徐々に開け、次
いで補助バルブ３４０を徐々に開けた。このとき
SiH4／H2ガス流量とN2ガス流量比が１：10にな
るように流入バルブ３２０−２，３２１を調整し
た。次にピラニーゲージ３４１の読みを注視しな
がら補助バルブ３４０の開口を調整し、室３０１
内が１×10-2Torrになるまで補助バルブ３４０
を開けた。室３０１内圧が安定してから、メイン
バルブ３１０を徐々に閉じ、ピラニーゲージ３４
１の指示が0.5Torrになるまで開口を絞つた。ガ
ス流入が安定し内圧が安定するのを確認し続いて
高周波電源３４２のスイツチをON状態にして、
誘導コイル３４３に、13.56MHzの高周波電力を
投入しコイル部（室上部）の室３０１内にグロー
放電を発生させ、3Wの入力電力とした。上記条
件で基板上にａ−（SixN1-x）y：H1-yを堆積させる
為に、１分間条件を保つて中間層を形成した。そ
の後、高周波電源３４２をoff状態とし、グロー
放電を中止させた状態で、流出バルブ３２６を閉
じ、引き続き、再び高周波電源３４２をON状態
にして、グロー放電を再開させた。そのときの入
力電力を10Wにした。こうしてグロー放電を更に
５時間持続させて光導電層を形成した後、加熱ヒ
ーター308をoff状態にし、高周波電源３４２も
off状態とし、基板温度が100℃になるのを待つて
から流出バルブ３２５及び流入バルブ３２０−
２，３２１を閉じ、メインバルブ３１０を全開に
して、室３０１内を10-5Torr以下にした後、メ
インバルブ３１０を閉じ室３０１内をリークバル
ブ３４４によつて大気圧として基板を取り出し
た。この場合形成された層の全厚は約15μであつ
た。この像形成部材に就て、実施例１と同様の条
件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ、
コロナ放電を行つて画像形成した方が、コロ
ナ放電を行つて画像を形成したよりも、その画質
が優れており、極めて鮮明であつた。この結果よ
り本実施例で得られた感光体には、帯電極性の依
存性が認められた。 実施例 ５ 実施例１と同様な条件及び手順によつて、モリ
ブデン基板上に１分間の中間層の形成を行つた
後、その後、高周波電源３４２をoff状態とし、
グロー放電を中止させた状態で、流出バルブ３２
６を閉じ、次にH2で25volppmに稀釈されたPH3
ガスボンベ（以後PH3／H2と略す）３１４から
流入バルブ３２３を通じて１Kg／cm2のガス圧（出
口圧ゲージ３３８Ｚの読み）で、流入バルブ３２
３、流出バルブ３２８の調整によつてフローメー
ター３１９の読みが、SiH4／H2ガスの流量の1/5
０になる様に流出バルブ３２８の開口を定め、安
定化させた。 引き続き、再び高周波電源３４２をON状態に
して、グロー放電を再開させた。そのときの入力
電力を10Wにした。こうしてグロー放電を更に４
時間持続させて光導電層を形成した後、加熱ヒー
ター３０８をoff状態にし、高周波電源３４２も
off状態とし、基板温度が100℃になるのを持つて
から流出バルブ３２５，３２８及び流入バルブ３
２０−２，３２３を閉じ、メインバルブ３１０を
全開にして、室３０１内を10-5Torr以下にした
後、メインバルブ３１０を閉じ室３０１内をリー
クバルブ３４４によつて大気圧として基板を取り
出した。この場合、形成された層の全厚は約11μ
であつた。こうして得られた像形成部材を、実施
例１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形
成したところ、コロナ放電を行つて画像形成し
た方が、コロナ放電を行つて画像形成したより
も、その画質が優れており極めて鮮明であつた。
この結果より本実施例で得られた感光体には、帯
電極性の依存性が認められた。 実施例 ６ 実施例１と同様な条件及び手順によつて、モリ
ブデン基板上に１分間の中間層の形成を行つた
後、高周波電源３４２をoff状態とし、グロー放
電を中止させた状態で、流出バルブ３２６を閉
じ、次にH2で50volppmに稀釈されたB2H6がス
ボンベ３１３から流入バルブ３２２を通じて１
Kg／cm2のガス圧（出口圧ゲージ３３７の読み）
で、流入バルブ３２２流出バルブ３２７の調整に
よつてフローメーター３１８の読みが、SiH4／
H2ガスの流量の1/10になる様に流出バルブ３２
７の開口を定め、安定化させた。 引き続き、再び高周波電源３４２をON状態に
して、グロー放電を再開させた。そのときの入力
電力を10Wにした。こうしてグロー放電を更に３
時間持続させて光導電層を形成した後、加熱ヒー
ター308をoff状態にし、高周波電源３４２もoff
状態とし、基板温度が100℃になるのを持つてか
ら流出バルブ３２５，３２７及び流入バルブ３２
０，３２２を閉じ、メインバルブ３１０を全開し
て、室３０１内を10-5torr以下にした後、メイン
バルブ３１０を閉じ室３０１内をリークバルブ３
４４によつて大気圧として基板を取り出した。こ
の場合、形成された層の全厚は約10μであつた。
こうして得られた像形成部材を実施例１と同様の
条件及び手順で転写紙上に画像を形成したとこ
ろ、コロナ放電を行つて画像形成した方が、
コロナ放電を行つて画像形成したよりも、その画
質が優れており極めて鮮明であつた。この結果よ
り本実施例で得られた感光体には、帯電極性の依
存性が認められた。而し、との帯電極性依存性
は、実施例４、５で得られた像形成部材とは逆で
あつた。 実施例 ７ 実施例１と同様な条件及び手順によつて、モリ
ブデン基板上に１分間の中間層の形成、５時間の
光導電層の形成を行つた後、高周波電源３４２を
off状態として、グロー放電を中止させた状態で、
流出バルブ３２７を閉じ、そして再び、流出バル
ブ３２６を開き、中間層の形成時と同様の条件に
なるようにした。引き続き再び高周波電源をON
状態にしてグロー放電を再開させた。そのときの
入力電力も中間層形成時と同様の3Wとした。こ
うしてグロー放電を２分間持続させて光導電層上
に、上部層を形成した後、加熱ヒーター３０８を
off状態にし、高周波電源３４２もoff状態とし、
基板温度が100℃になるのを持つてから流出バル
ブ３２５，３２６及び流入バルブ３２０−２，３
２１を閉じ、メインバルブ３１０を全開にして、
室３０１内を10-5torr以下にした後、メインバル
ブ３１０を閉じ室３０１内をリークバルブ３４４
によつて大気圧として基板を取り出した。こうし
て得られた像形成部材を、実施例１と同様の帯電
露光実験装置に設置し、6.0KVで0.2sec間コロ
ナ帯電を行い、直ちに光像を照射した。光像は、
タングステンランプ光源を用い、1.01ux・secの
光量を透過型のテストチヤートを通して照射させ
た。 その後直ちに、荷電性の現像剤（トナーとキ
ヤリアーを含む）を部材表面にカスケードするこ
とによつて、部材表面上に良好なトナー画像を得
た。部材上のトナー画像を、5.0KVのコロナ帯
電で転写紙上に転写した所、解像力に優れ、諧調
再現性のよい鮮明な高濃度の画像が得られた。 実施例 ８ 光導電層形成に際してH2で10vol％に稀釈され
たSiH4ガスのボンベ３１１のかわりに稀釈され
ていないSi2H6ボンベ３１５を使用して、Si2H6
とB2H6／H2の流量比を５：１に設定した以外
は、実施例１と同様の条件及び手順によつて中間
層、光導電層をモリブデン基板上に形成した後、
堆積室３０１外に取り出し実施例１と同様に帯電
露光の実験装置に静置して画像形成の試験をした
所、5.5KVのコロナ放電荷電性現像剤の組み
合せの場合に、極めて良質の、コントラストの高
いトナー画像が転写紙上に得られた。 実施例 ９ 実施例１と同様の条件及び手順に従いモリブデ
ン基板上に中間層、光導電層を形成したのち第４
図に示す堆積室４０１内の所定の固定部材４０３
に光導電層を下にして基板４０２を固定した。リ
ークバルブ４１１を閉じ、メインバルブ４１２を
開け、室内を５×10-7torrまで真空にした。その
後補助バルブ４０９流出バルブ４１３〜４１９、
流入バルブ４２７〜４３３を全開とし、系内のガ
スを排気した後、補助バルブ４０９、流出バルブ
４１３〜４１９流入バルブ４２７〜４３３を閉じ
た。固定部材４０３内の加熱ヒーター４０４を
ON状態にし所定の温度に設定した後第４表に示
す各条件に従い各種ガスボンベ４４９〜４５５の
中の所定のガスボンベの出口バルブ（４４１〜４
４８）を設け、出口圧を１Kg／cm2とし（出口圧ゲ
ージ４３４〜４４０の読み）流入バルブと流出バ
ルブによつてフローメーター４２０〜４２６を流
れるガスの流量を所定値に制御した。その後、補
助バルブ４０９を開けて室内へガスを流入させ、
メインバルブ４１２により室内圧を制御した（ピ
ラニゲージ４１０の読み）。流量及び室内圧が安
定した後、グロー放電分解の場合はシヤツター４
０７を閉とし、スパツタリングの場合はシヤツタ
ー４０７を開として高周波電源４０８をON状態
にし、室内にグロー放電を発生させて層を形成し
た。 所定の時間、層を形成した後、高周波電源４０
８と加熱ヒーター４０４をoff状態にして補助バ
ルブ４０９を閉じメインバルブ４１２を全開し
た。基板温度が100℃になるのをまつてメインバ
ルブ４１２を閉じ、リーフバルブ４１１により室
内に大気圧にして基板をとり出した。 なお、スパツタリングに際してターゲツト４０
５は必要に応じて多結晶Si、多結晶Si上にグラフ
アイトが部分的に積層されたもの及びSi3N4を使
用した。 又、第４図における各ボンベ内のガス種は以下
の通りである。 ボンベ４４９：SiH4ガス（H2で10vol％に稀
釈）、ボンベ４５０：SiF4ガス（H2を10vol％含
む）、ボンベ４５１：Si（CH3）4（H2で10vol％に稀
釈）、ボンベ４５２：C2H4ガス（H2で10vol％に
稀釈）、ボンベ４５３：NH3ガス（H2で10vol％
に稀釈）、ボンベ４５４：Arガス、ボンベ４５
５：N2ガス この様にして作製した像形成部材Ａ〜Ｈについ
て各々、実施例１と同様にして、両極性に関
して帯電、露光及び転写を行なつたところ、いず
れも帯電極性に対する依存性がなく、極めて鮮明
なトナー画像が得られた。
【表】
実施例 10
あらかじめN2ガスボンベをH2で10vol％に稀釈
したNH3ガスボンベに変えた上で実施例１と同
様な手順に従い、NH3／N2ガスとSiH4／H2ガス
の流量比を２：１として中間層を形成し、さらに
同様な条件及び手順のもとで光導電層を形成し
た。その基板を第５図に示す装置内の所定の固定
部材に固定し、実施例９と同様の手順により下記
の第５表に示す試料Ｉ〜Ｑを作製した。各々、実
施例１と同様にして、両極性に関して帯電、
露光及び転写を行なつたところ、いずれも帯電極
性に対する依存性がなく、極めて鮮明なトナー画
像が得られた。
したNH3ガスボンベに変えた上で実施例１と同
様な手順に従い、NH3／N2ガスとSiH4／H2ガス
の流量比を２：１として中間層を形成し、さらに
同様な条件及び手順のもとで光導電層を形成し
た。その基板を第５図に示す装置内の所定の固定
部材に固定し、実施例９と同様の手順により下記
の第５表に示す試料Ｉ〜Ｑを作製した。各々、実
施例１と同様にして、両極性に関して帯電、
露光及び転写を行なつたところ、いずれも帯電極
性に対する依存性がなく、極めて鮮明なトナー画
像が得られた。
【表】
実施例 11
光学研磨されたガラス板上に通常の方法で酸化
スズ透明電極を設けた基体上に実施例１と同様に
して中間層及び光導電層を形成した。但し、光導
電層の形成に際しては、作成時間を短縮して、層
厚が約2μとなる様にした。次に通常の蒸着装置
に移してArガスの５×10-3Torrの真空下で三硫
化アンチモンをビームランデイング層として80n
ｍの厚さに前記光導電層上に蒸着形成した。 この様に作成された光導電部材をビジユン型撮
像管の受光面として用いたところ、ターゲツト印
加電圧55Vで白色光121uxを照射した時に信号電
流650ｍＡ、暗電流0.8ｍＡ以下、残像特性３フイ
ールド後に８％という良好な特性が得られた。
スズ透明電極を設けた基体上に実施例１と同様に
して中間層及び光導電層を形成した。但し、光導
電層の形成に際しては、作成時間を短縮して、層
厚が約2μとなる様にした。次に通常の蒸着装置
に移してArガスの５×10-3Torrの真空下で三硫
化アンチモンをビームランデイング層として80n
ｍの厚さに前記光導電層上に蒸着形成した。 この様に作成された光導電部材をビジユン型撮
像管の受光面として用いたところ、ターゲツト印
加電圧55Vで白色光121uxを照射した時に信号電
流650ｍＡ、暗電流0.8ｍＡ以下、残像特性３フイ
ールド後に８％という良好な特性が得られた。
第１図及び第２図は各々本発明の電子写真用像
形成部材の好適な実施態様例の構成を説明する為
の模式的構成図、第３図、第４図は各々本発明の
電子写真用光導電部材を製造する場合の装置の一
例を示す模式的説明図である。 １００，２００……電子写真用光導電部材、１
０１，１０２……支持体、１０２，２０２……中
間層、１０３，２０３……光導電層、１０４，２
０４……自由表面、２０５……上部層。
形成部材の好適な実施態様例の構成を説明する為
の模式的構成図、第３図、第４図は各々本発明の
電子写真用光導電部材を製造する場合の装置の一
例を示す模式的説明図である。 １００，２００……電子写真用光導電部材、１
０１，１０２……支持体、１０２，２０２……中
間層、１０３，２０３……光導電層、１０４，２
０４……自由表面、２０５……上部層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 支持体と、シリコン原子を母体とし、水素原
子を含むアモルフアス材料で構成され、該水素原
子の含有量が１〜40atomic％である光導電層と、
これ等の間に設けられ、シリコン原子を母体と
し、窒素原子と水素原子を含むアモルフアス材料
で構成され、前記支持体側から前記光導電層中へ
のキヤリアの流入を阻止し且つ電磁波照射によつ
て前記光導電層中に生じ前記支持体側に向つて移
動するキヤリアの前記光導電層側から前記支持体
側への通過を許す中間層とを有し、該中間層に於
ける窒素原子の量が25〜55atomic％、水素原子
の量が0.25〜35atomic％であることを特徴とする
電子写真用光導電部材。 ２ 前記光導電層上に上部層を更に有する特許請
求の範囲第１項に記載の電子写真用光導電部材。 ３ 前記上部層は、シリコン原子を母体とし、酸
素原子、窒素原子及び炭素原子の中の少なくとも
一種を含むアモルフアス材料で構成されている特
許請求の範囲第２項に記載の電子写真用光導電部
材。 ４ 前記上部層を構成するアモルフアス材料は、
水素原子又はハロゲン原子の少なくとも一方を含
む特許請求の範囲第３項に記載の電子写真用光導
電部材。 ５ 前記上部層は、無機絶縁材料で構成されてい
る特許請求の範囲第２項に記載の電子写真用光導
電部材。 ６ 前記中間層の層厚が30〜1000Åである特許請
求の範囲第１項に記載の電子写真用光導電部材。 ７ 前記上部層の層厚が30〜1000Åである特許請
求の範囲第２項に記載の電子写真用光導電部材。 ８ 前記光導電層は、ｎ型不純物及びｐ型不純物
のいずれか一方を含有している特許請求の範囲第
１項に記載の電子写真用光導電部材。 ９ 前記ｎ型不純物は、周期律表第族に属する
元素である特許請求の範囲第８項に記載の電子写
真用光導電部材。 １０ 前記ｐ型不純物は、周期律表第族に属す
る元素である特許請求の範囲第８項に記載の電子
写真用光導電部材。
Priority Applications (9)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55134115A JPS5758160A (en) | 1980-09-25 | 1980-09-25 | Photoconductive member |
| US06/304,568 US4394426A (en) | 1980-09-25 | 1981-09-22 | Photoconductive member with α-Si(N) barrier layer |
| AU75648/81A AU554181B2 (en) | 1980-09-25 | 1981-09-24 | Photoconductive device |
| GB8128841A GB2087643B (en) | 1980-09-25 | 1981-09-24 | Photoconductive member |
| DE813152399A DE3152399A1 (en) | 1980-09-25 | 1981-09-25 | Photoconductive member |
| PCT/JP1981/000256 WO1982001261A1 (en) | 1980-09-25 | 1981-09-25 | Photoconductive member |
| FR8118123A FR2490839B1 (fr) | 1980-09-25 | 1981-09-25 | Element photoconducteur |
| NL8104426A NL192142C (nl) | 1980-09-25 | 1981-09-25 | Fotogeleidend orgaan. |
| CA000386703A CA1181628A (en) | 1980-09-25 | 1981-09-25 | Photoconductive member including non-photoconductive layer containing amorphous silicon matrix containing nitrogen |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55134115A JPS5758160A (en) | 1980-09-25 | 1980-09-25 | Photoconductive member |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57077667A Division JPS5811949A (ja) | 1982-05-10 | 1982-05-10 | 光導電部材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5758160A JPS5758160A (en) | 1982-04-07 |
| JPS649625B2 true JPS649625B2 (ja) | 1989-02-17 |
Family
ID=15120802
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55134115A Granted JPS5758160A (en) | 1980-09-25 | 1980-09-25 | Photoconductive member |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5758160A (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5824148A (ja) * | 1981-08-06 | 1983-02-14 | Seiko Epson Corp | 電子写真感光体 |
| JPS5995541A (ja) * | 1982-11-25 | 1984-06-01 | Tomoegawa Paper Co Ltd | 電子写真感光体およびその製造方法 |
| US4675263A (en) | 1984-03-12 | 1987-06-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Member having substrate and light-receiving layer of A-Si:Ge film and A-Si film with non-parallel interface with substrate |
| JPS60256151A (ja) * | 1984-05-31 | 1985-12-17 | Fujitsu Ltd | 電子写真感光体 |
| US4678733A (en) | 1984-10-15 | 1987-07-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Member having light receiving layer of A-Si: Ge (C,N,O) A-Si/surface antireflection layer with non-parallel interfaces |
| JPS6289064A (ja) | 1985-10-16 | 1987-04-23 | Canon Inc | 光受容部材 |
| JPS6290663A (ja) | 1985-10-17 | 1987-04-25 | Canon Inc | 光受容部材 |
| JPS62106468A (ja) | 1985-11-01 | 1987-05-16 | Canon Inc | 光受容部材 |
| JPS62106470A (ja) | 1985-11-02 | 1987-05-16 | Canon Inc | 光受容部材 |
| JPH0769622B2 (ja) * | 1988-03-08 | 1995-07-31 | 富士通株式会社 | 光背面記録用感光体及び画像形成装置 |
-
1980
- 1980-09-25 JP JP55134115A patent/JPS5758160A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5758160A (en) | 1982-04-07 |
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| JPS6346408B2 (ja) | ||
| JPH0216512B2 (ja) |