JPS58106836A - レ−ザ−アニ−ル装置 - Google Patents
レ−ザ−アニ−ル装置Info
- Publication number
- JPS58106836A JPS58106836A JP56203741A JP20374181A JPS58106836A JP S58106836 A JPS58106836 A JP S58106836A JP 56203741 A JP56203741 A JP 56203741A JP 20374181 A JP20374181 A JP 20374181A JP S58106836 A JPS58106836 A JP S58106836A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser light
- light source
- laser
- light sources
- area
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/352—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring for surface treatment
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はレーザーアニール装置に関するものである。
最近、たとえば牛導体製品の製造過程においてシリコン
（８ｉ）基板ＫＮしてレーザーアニール処理を總こすこ
とが提案されている。
（８ｉ）基板ＫＮしてレーザーアニール処理を總こすこ
とが提案されている。
単一波長のレーザー光を発生する１つのレーザー光源を
用いて被処理物の表面を７ニールするものであるの寸、
その吸収係数や吸収端が＾なる異種物質を平面的または
立体的に組み合わせた被処理物をアニールすることはｌ
ｌ１ｌである。また、この場合、レーず一光源の個々に
要求される出力が大きくなり、高エネルギーのレーザー
光の照射による結蟲の瞬間的な溶融、再結晶化によって
被処理物の熱歪や損傷等を生じるという閤腫もある。さ
らに、１つのレーザー光源では、一度に大面積を熱処履
することは困難である。
用いて被処理物の表面を７ニールするものであるの寸、
その吸収係数や吸収端が＾なる異種物質を平面的または
立体的に組み合わせた被処理物をアニールすることはｌ
ｌ１ｌである。また、この場合、レーず一光源の個々に
要求される出力が大きくなり、高エネルギーのレーザー
光の照射による結蟲の瞬間的な溶融、再結晶化によって
被処理物の熱歪や損傷等を生じるという閤腫もある。さ
らに、１つのレーザー光源では、一度に大面積を熱処履
することは困難である。
本発明の目的は、前記した開−を解消するためになされ
たもので、異種物質を同時に熱＃ｌＩ＆環でき、また個
々のレーず一光源の出力が小さくて済むレーザーアニー
ル装置を提供することにある。
たもので、異種物質を同時に熱＃ｌＩ＆環でき、また個
々のレーず一光源の出力が小さくて済むレーザーアニー
ル装置を提供することにある。
この目的を達成するため１本発明は興なる波長のレーダ
ー光を発生する傭数個のレーダー光源を有するものであ
る。
ー光を発生する傭数個のレーダー光源を有するものであ
る。
また、本発明の他の特徴によれば、複数個のし加熱面積
よりも広い領域を予備加熱した後、他のレーザー光源で
予備加熱領域の一部分を加熱又は溶融させる。
よりも広い領域を予備加熱した後、他のレーザー光源で
予備加熱領域の一部分を加熱又は溶融させる。
以下、本発明を図面に示す実施例にしたがって説明する
。
。
第１図は本発明によるレーザーアニール装置の一実施例
を示す概略説明図である。本実施例においては、被処理
物ｌはたとえばシリコン（８１）基板である。この被処
理物１の所要領域にレーず一アニール処瑞を施こすため
、本実施例では、２個ル−ザー光源２．３が用いられて
いる。
を示す概略説明図である。本実施例においては、被処理
物ｌはたとえばシリコン（８１）基板である。この被処
理物１の所要領域にレーず一アニール処瑞を施こすため
、本実施例では、２個ル−ザー光源２．３が用いられて
いる。
すなわち、これらのレーザー光源２と３は互いＫＪＩｉ
なる波長のレーザー光を発生するものである。
なる波長のレーザー光を発生するものである。
レーザー光源２からのレーザー光４はミラー５を介して
被処理物１の所要領域に照射される。一方、レーザー光
１１［３はミラー７を介して、前記レーザー光１１２か
らのレーザー光４とは興なる波長のレーザー光６を被処
理物１の同一領域に同時に照射する。
被処理物１の所要領域に照射される。一方、レーザー光
１１［３はミラー７を介して、前記レーザー光１１２か
らのレーザー光４とは興なる波長のレーザー光６を被処
理物１の同一領域に同時に照射する。
したがって、本実施例においては、２つのレ−ず一光源
２，３からの異なる波長のレーザー光４゜６かそれぞれ
ミラー５．７を介して被処理物１の同一領域に同時に照
射される。そのため、被処理物１の被処暑領域が、平面
的または立体的に、光の吸収係数や吸収端の興なる異種
物質からなるものでも、各物質に応じた適当な波長のレ
ーザー光をレーザー光源２．３から照射することができ
るので、同時に異種物質な熱処理することができる。
２，３からの異なる波長のレーザー光４゜６かそれぞれ
ミラー５．７を介して被処理物１の同一領域に同時に照
射される。そのため、被処理物１の被処暑領域が、平面
的または立体的に、光の吸収係数や吸収端の興なる異種
物質からなるものでも、各物質に応じた適当な波長のレ
ーザー光をレーザー光源２．３から照射することができ
るので、同時に異種物質な熱処理することができる。
しかも、この場合には、個々のレーザー光源２゜３の出
力を小さくすることができ、被処理物１の損傷を軽減で
きる。また、被処理物１の温度勾配を小さくすることが
でき、被処理物１の熱歪な減少させることができる。
力を小さくすることができ、被処理物１の損傷を軽減で
きる。また、被処理物１の温度勾配を小さくすることが
でき、被処理物１の熱歪な減少させることができる。
第２ＷＪは本発明による他の１つの実施例を示す概略説
明図である。本実施例の場合にも前記実施例と同様ＫＩ
ｌ処環物１１の熱処理を行うために被数個のレーザー光
源１２．１３が用いられている。
明図である。本実施例の場合にも前記実施例と同様ＫＩ
ｌ処環物１１の熱処理を行うために被数個のレーザー光
源１２．１３が用いられている。
レーず一光源１２は彼処１１１ｍＦ１１の所要処理領域
ム、よりも大きい領域Ａ、を融点以下の適当な温度に予
備加熱するためのものであり、このレーザー光源１２か
らのレーザー光１４はミラー１５を介して被処理物１１
の領域Ａ、に照射する。
ム、よりも大きい領域Ａ、を融点以下の適当な温度に予
備加熱するためのものであり、このレーザー光源１２か
らのレーザー光１４はミラー１５を介して被処理物１１
の領域Ａ、に照射する。
一方、レーザー光源１３は被処理物１１の所要処珈領域
Ａ、を最終的に溶融させるものであり、前記レーザー光
源１２からのレーザー光１４で予備加熱された領域Ａ、
のうちの所要処理領域人。
Ａ、を最終的に溶融させるものであり、前記レーザー光
源１２からのレーザー光１４で予備加熱された領域Ａ、
のうちの所要処理領域人。
に対し、レーザー光１６をミラー１７を介して照射する
。
。
すなわち、本実施例においては、まず最初にレーザー光
源１２からのレーザー光１４をミラー１５を介して領域
Ａ、に照射して該領域Ａ、をその融点以）の適当な温度
に予備加熱する。次に、レーザー光源１３からのレーザ
ー光１６をミラー１７を介して、予備加熱領域Ａ、の一
部分である所要処ｍｑ域Ａ１に照射して該領域Ａ、を溶
融させる。
源１２からのレーザー光１４をミラー１５を介して領域
Ａ、に照射して該領域Ａ、をその融点以）の適当な温度
に予備加熱する。次に、レーザー光源１３からのレーザ
ー光１６をミラー１７を介して、予備加熱領域Ａ、の一
部分である所要処ｍｑ域Ａ１に照射して該領域Ａ、を溶
融させる。
したがって、本実施例によれば、個々のレーザー光源１
２．１３の出力をあまり大きくする必要なく所要の処１
［領域Ａ、をアニール処理できる。
２．１３の出力をあまり大きくする必要なく所要の処１
［領域Ａ、をアニール処理できる。
また、一度に大きい面積のアニール処理が司能である。
さらに、レーザーアニール前後の熱処理を同時に行うこ
ともできる。
ともできる。
なお、前記両実施例では２個のレーザー光源を用いてい
るが、３個以上のレーず一光源を用いてもよいことは勿
論である。また、レーザー光源の組合せだけでなく、他
の赤外線光源、白色光光源と組合せることもできる。
るが、３個以上のレーず一光源を用いてもよいことは勿
論である。また、レーザー光源の組合せだけでなく、他
の赤外線光源、白色光光源と組合せることもできる。
以上説明したように、本発明によれば、異種物質でも同
時にアニール処理できる。また、個々のレーず一光源の
出力をあまり大きくする必要がなく、被処理物の熱歪や
損傷を減少することもできる。
時にアニール処理できる。また、個々のレーず一光源の
出力をあまり大きくする必要がなく、被処理物の熱歪や
損傷を減少することもできる。
第１図は本発明によるレーザーアニール装置の一実施例
を示す概略説明図、第２図は本発明の他の１つの実施例
を示す概略説明図である。 ｌ・・・被処理物、２，３・・・レーザー光源、４．６
・・・レーザー光、５．７・・・ミラー、１１・・・被
処理物、１２．１３・・・レーザー光源、１４．１６・
・・レーザー光、１５．１７・・・ミラー。 代理人 弁理士 薄 １）利、ｊｌ’−Ａ；ｓ″
・ １ 第 １ 図 第 ２ 図
を示す概略説明図、第２図は本発明の他の１つの実施例
を示す概略説明図である。 ｌ・・・被処理物、２，３・・・レーザー光源、４．６
・・・レーザー光、５．７・・・ミラー、１１・・・被
処理物、１２．１３・・・レーザー光源、１４．１６・
・・レーザー光、１５．１７・・・ミラー。 代理人 弁理士 薄 １）利、ｊｌ’−Ａ；ｓ″
・ １ 第 １ 図 第 ２ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 ＩＩ歇数個レーず一光源を備え、前記箇数個の
レーザー光源から互いＫＪＩＩなる波長のレーザー光を
被処瑠面上に照射するよう構成したレーザーアニール装
置。 ２、 ＠数個の光源の５ち、少なくとも１個のレーザ
ー光源を備え、１つの光源で所要の加熱面積よりも広い
領域を融点以下の適当な温度に予備加熱し、他の光源で
前記予備加熱領域の少なくとも一部分をさらに加熱させ
るよう構成したレーザーアニール装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56203741A JPS58106836A (ja) | 1981-12-18 | 1981-12-18 | レ−ザ−アニ−ル装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56203741A JPS58106836A (ja) | 1981-12-18 | 1981-12-18 | レ−ザ−アニ−ル装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58106836A true JPS58106836A (ja) | 1983-06-25 |
Family
ID=16479078
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56203741A Pending JPS58106836A (ja) | 1981-12-18 | 1981-12-18 | レ−ザ−アニ−ル装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58106836A (ja) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62160781A (ja) * | 1986-01-09 | 1987-07-16 | Agency Of Ind Science & Technol | レ−ザ光照射装置 |
| JPS63147313A (ja) * | 1986-12-10 | 1988-06-20 | Sanyo Electric Co Ltd | Ｓｏｉ膜の形成方法 |
| JPH027422A (ja) * | 1988-06-24 | 1990-01-11 | Ricoh Co Ltd | レーザによる高温熱処理方法 |
| JPH02226718A (ja) * | 1989-02-28 | 1990-09-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 非単結晶半導体の作製方法 |
| JPH05206053A (ja) * | 1992-01-30 | 1993-08-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 結晶損傷除去装置 |
| GB2406709A (en) * | 2000-12-04 | 2005-04-06 | Vortek Ind Ltd | Heat-treating methods and systems |
| US6941063B2 (en) | 2000-12-04 | 2005-09-06 | Mattson Technology Canada, Inc. | Heat-treating methods and systems |
| WO2008128781A1 (de) * | 2007-04-24 | 2008-10-30 | Limo Patentverwaltung Gmbh & Co. Kg | Verfahren zur umstrukturierung von halbleiterschichten |
| WO2010033389A1 (en) | 2008-09-17 | 2010-03-25 | Applied Materials, Inc. | Managing thermal budget in annealing of substrates |
| US9070590B2 (en) | 2008-05-16 | 2015-06-30 | Mattson Technology, Inc. | Workpiece breakage prevention method and apparatus |
| US9114479B2 (en) | 2008-09-17 | 2015-08-25 | Applied Materials, Inc. | Managing thermal budget in annealing of substrates |
| WO2016093287A1 (ja) * | 2014-12-10 | 2016-06-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 微細構造形成方法、半導体デバイスの製造方法、及びｃｍｏｓの形成方法 |
| US9627244B2 (en) | 2002-12-20 | 2017-04-18 | Mattson Technology, Inc. | Methods and systems for supporting a workpiece and for heat-treating the workpiece |
-
1981
- 1981-12-18 JP JP56203741A patent/JPS58106836A/ja active Pending
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| CN101680107A (zh) * | 2007-04-24 | 2010-03-24 | Limo专利管理有限及两合公司 | 改变半导体层结构的方法 |
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| WO2010033389A1 (en) | 2008-09-17 | 2010-03-25 | Applied Materials, Inc. | Managing thermal budget in annealing of substrates |
| JP2012503311A (ja) * | 2008-09-17 | 2012-02-02 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 基板のアニールにおける熱量の管理 |
| EP2342739A4 (en) * | 2008-09-17 | 2013-05-22 | Applied Materials Inc | MANAGEMENT OF THE HEAT BUDGET ON LIGHTING OF SUBSTRATES |
| US9114479B2 (en) | 2008-09-17 | 2015-08-25 | Applied Materials, Inc. | Managing thermal budget in annealing of substrates |
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