JPS58111490A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
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- JPS58111490A JPS58111490A JP56208004A JP20800481A JPS58111490A JP S58111490 A JPS58111490 A JP S58111490A JP 56208004 A JP56208004 A JP 56208004A JP 20800481 A JP20800481 A JP 20800481A JP S58111490 A JPS58111490 A JP S58111490A
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- imaging device
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/191—Photoconductor image sensors
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、絶縁体もしくは半導体基板上ＫＭ数個の光電
変換素子を形成し、該素子をスイッチング走査する回路
を、上記同一基板上もしくは外部のいずれかにもうける
ことによってなる固体撮像装置に関するものである。
変換素子を形成し、該素子をスイッチング走査する回路
を、上記同一基板上もしくは外部のいずれかにもうける
ことによってなる固体撮像装置に関するものである。
固体撮像装置として、基板上に電極を）し成し、その上
に光導電性薄膜を形成し、更にその上に透明溝を性薄慎
を形成することによってなる、いわゆるサンドイッチ型
構造と称される形状を有するものが公知である。
に光導電性薄膜を形成し、更にその上に透明溝を性薄慎
を形成することによってなる、いわゆるサンドイッチ型
構造と称される形状を有するものが公知である。
１８１図（ａ、ｂ）Ｋその一例の断面を示す０絶縁体基
＆１上に帯状の電極２が形成さｔＩており、一方の端は
その端部なおおうように光導電性薄膜３が形成され、更
にその上に透明溝を性薄映４が形成され、該透明導電性
薄膜はバイアス電ｆｋ５に接続されている。電゛極２の
他の端は基＆１上ｋｃｉけられたスイッチング回路６に
ワイヤボンデイングア等の方法により接続されている。
＆１上に帯状の電極２が形成さｔＩており、一方の端は
その端部なおおうように光導電性薄膜３が形成され、更
にその上に透明溝を性薄映４が形成され、該透明導電性
薄膜はバイアス電ｆｋ５に接続されている。電゛極２の
他の端は基＆１上ｋｃｉけられたスイッチング回路６に
ワイヤボンデイングア等の方法により接続されている。
スイッチング回路６の断面を第２図に示す。基本的には
半導体基板８上に設けられたＭＯＳ）２ンジスタ９によ
って構成されている。
半導体基板８上に設けられたＭＯＳ）２ンジスタ９によ
って構成されている。
第１図に示した固体撮像装置は、ガラス等の絶縁基板１
上に作製することから大型のものが可能であり、原稿幅
と同一サイズのものＫより、原稿に密着させて原稿像を
読み取るいわめる密着型イメージセンナとして用いられ
る。
上に作製することから大型のものが可能であり、原稿幅
と同一サイズのものＫより、原稿に密着させて原稿像を
読み取るいわめる密着型イメージセンナとして用いられ
る。
第３図に他の一例の断面を示す。半導体基板８上ＫＭＯ
８）ツンジスタ９を形成することＫよってスイッチング
回路を設け、不純物拡散領域１１に接続されるよう電極
２を形成し、その上に光導電性薄１ｌｌＩ３を形成し、
更にその上に透明導電性薄膜４を形成し、蚊透明導電性
薄膜はバイアス電源５に接続する。不純物拡散領域１２
には信号線１０λ が接続されている。 ・・ 第３図に示した固体撮像装置は、半導体基板８上に作製
することから、高集積度のものが可能であり、二次元の
撮像素子により、いわゆる固体ＴＶカメラとして用いら
れる。
８）ツンジスタ９を形成することＫよってスイッチング
回路を設け、不純物拡散領域１１に接続されるよう電極
２を形成し、その上に光導電性薄１ｌｌＩ３を形成し、
更にその上に透明導電性薄膜４を形成し、蚊透明導電性
薄膜はバイアス電源５に接続する。不純物拡散領域１２
には信号線１０λ が接続されている。 ・・ 第３図に示した固体撮像装置は、半導体基板８上に作製
することから、高集積度のものが可能であり、二次元の
撮像素子により、いわゆる固体ＴＶカメラとして用いら
れる。
第１図、第２図とも動作原理は同じで、透明電極４を通
して入射した光強度に対応する光電流が光導電性薄１［
３中に発生する。ＭＯＳ ）ランジスタ９をＯＦＦ［ｌ
、、た状態では該光電流によって電極２の電位が時間経
過に従い変化するため、ある時点でＭＯＳ ）ランジス
タ９をＯＮ Ｋすると該電圧変化に相当する大きさの
電流が信号＠１０を流れ、検出が行なわれる。
して入射した光強度に対応する光電流が光導電性薄１［
３中に発生する。ＭＯＳ ）ランジスタ９をＯＦＦ［ｌ
、、た状態では該光電流によって電極２の電位が時間経
過に従い変化するため、ある時点でＭＯＳ ）ランジス
タ９をＯＮ Ｋすると該電圧変化に相当する大きさの
電流が信号＠１０を流れ、検出が行なわれる。
一般に前記のような固体撮像装置を利用して高量子効率
、高速光応答性あるいは低残像を実現するためｋは、そ
の特性よりバイアス電源５として十分大きな電圧（＋１
０〜÷５０Ｖ、又は−１０〜−５０ｖ）が必要となる。
、高速光応答性あるいは低残像を実現するためｋは、そ
の特性よりバイアス電源５として十分大きな電圧（＋１
０〜÷５０Ｖ、又は−１０〜−５０ｖ）が必要となる。
一般にスイッチング等の論理回路に用いられる電源電圧
は５ｖ程度の低電圧であり、上記のように比較的高電圧
を別途必要とすることは、装置の小型化、簡単化に大き
な妨げとなる。
は５ｖ程度の低電圧であり、上記のように比較的高電圧
を別途必要とすることは、装置の小型化、簡単化に大き
な妨げとなる。
本発明は以上述べた従来の固体撮像装置の欠点に鑑みな
されたものであり、低電圧で躯動可能な撮像装置を提供
することを目的とする。
されたものであり、低電圧で躯動可能な撮像装置を提供
することを目的とする。
上記目的は、絶縁体もしくは半導体基板上に複数個の充
電変換素子を形成し、該素子を順次走査して信号を絖出
す回路を前記基板上もしくは外部に設けることＫよって
なる固体撮像装置において、前記光電変換素子の印加電
圧に対する光電流の特性を低電圧において平担とするこ
とによって達成することができる。
電変換素子を形成し、該素子を順次走査して信号を絖出
す回路を前記基板上もしくは外部に設けることＫよって
なる固体撮像装置において、前記光電変換素子の印加電
圧に対する光電流の特性を低電圧において平担とするこ
とによって達成することができる。
更に、前記光電変換素子は、絶縁体もしくは半導体基板
に設けた光導電性薄膜を帯状電極及び透明導電性薄膜で
上下をはさんだ構造とすることを特徴とする。
に設けた光導電性薄膜を帯状電極及び透明導電性薄膜で
上下をはさんだ構造とすることを特徴とする。
更に前記帯状電極材料としてＣｒＴｈ ｈｕｂ Ａ Ｉ
ｓ Ｎ １等を用いたことを特徴とする。更に前記光導
電性薄−は１型又はｐ型アモルファスシリコンである事
を％徴とする。
ｓ Ｎ １等を用いたことを特徴とする。更に前記光導
電性薄−は１型又はｐ型アモルファスシリコンである事
を％徴とする。
本発明の要点は光導電性薄換３の電圧射光電流特性をそ
の低電圧領域において平担にすることＫある。
の低電圧領域において平担にすることＫある。
第４図に固体撮像装置−絵素の等価回路を示す。
定電流源１６および容量１４は光導電性薄膜３に対応す
る。容量１５は第２及び第３図における不純物拡散領域
１１の接合容量で、第１図の例では更に電極２の浮遊容
量が加えられたものである。
る。容量１５は第２及び第３図における不純物拡散領域
１１の接合容量で、第１図の例では更に電極２の浮遊容
量が加えられたものである。
ダイオード１６は不純物拡散領域１１の接合により形成
される。ＭＯＳ ）ランジスタは第２及び第３図と同
様である。容量１７は不純物拡散領域１２の接合容量と
、該不純物拡散領域に接続された信号＊ｉｏの浮遊容量
との合成容量である。
される。ＭＯＳ ）ランジスタは第２及び第３図と同
様である。容量１７は不純物拡散領域１２の接合容量と
、該不純物拡散領域に接続された信号＊ｉｏの浮遊容量
との合成容量である。
１８は信号読出のための負荷抵抗である。
光照射により定電流源１３には光電流Ｉｐ が矢印の方
向に流れ、これにより容量１５には信号に対応する電荷
が蓄積され、時間の経過に従ってＡ点の電位は第４図の
例では負の方向に下降して行く・十分な信号電荷が容量
１５に蓄積された時点でＭＯＳ ）ランジスタ９をＯ
Ｎにすると、容量１５は容１ｔ１７および抵抗１８を通
して光電され。
向に流れ、これにより容量１５には信号に対応する電荷
が蓄積され、時間の経過に従ってＡ点の電位は第４図の
例では負の方向に下降して行く・十分な信号電荷が容量
１５に蓄積された時点でＭＯＳ ）ランジスタ９をＯ
Ｎにすると、容量１５は容１ｔ１７および抵抗１８を通
して光電され。
Ａ点の電位は接地レベルＫ リセットされる。（容量１
５はマイナス電荷がたまっている為、マイナス電荷は放
電される）その時の光電々流を抗み出すことＫより信号
検出が行なわれる。
５はマイナス電荷がたまっている為、マイナス電荷は放
電される）その時の光電々流を抗み出すことＫより信号
検出が行なわれる。
ここで光電流Ｉｐは従来の一般的な方法により作製され
た光導電性薄ＩＩにおいては、印加電圧ＶｂＫ対して第
５図に示すような特性を有している・このような特性の
素子を低電圧１例えば５ｖ程度で動作させると素子はａ
の領域で作動することになり、この場合信号電荷が容量
１５に蓄積されるに従って光導電性薄＠３にかかる電圧
が減少するがそれに伴い光電流Ｉｐは減少してしまう・
簡単な例として第４図ａの領域で印加電圧に対する光電
流の関係が 工ｐ３ｋｖｂ で表わされるとすると、Ａ点の電位ｖＡは時間ｔで表わ
される。（即ち、この領域ではコンデンサー１５に電荷
が溜るに従り７ Ａ点の電位が下る・）ｖｌはバイアス
電源５の電圧、Ｃは容量１５の容量である。この場合、
Ａ点の電位の変化は時間に対してリニアーな特性ではな
いため、ｖＡの上昇に従って変化がＫぶくなる。又、上
記のような特性では、信号電荷の蓄積に伴って１．光導
電性薄膜３Ｋかかる電圧が減少し、膜中での電界が小さ
くなり、膜中で発生した電荷が途中でトラップされる。
た光導電性薄ＩＩにおいては、印加電圧ＶｂＫ対して第
５図に示すような特性を有している・このような特性の
素子を低電圧１例えば５ｖ程度で動作させると素子はａ
の領域で作動することになり、この場合信号電荷が容量
１５に蓄積されるに従って光導電性薄＠３にかかる電圧
が減少するがそれに伴い光電流Ｉｐは減少してしまう・
簡単な例として第４図ａの領域で印加電圧に対する光電
流の関係が 工ｐ３ｋｖｂ で表わされるとすると、Ａ点の電位ｖＡは時間ｔで表わ
される。（即ち、この領域ではコンデンサー１５に電荷
が溜るに従り７ Ａ点の電位が下る・）ｖｌはバイアス
電源５の電圧、Ｃは容量１５の容量である。この場合、
Ａ点の電位の変化は時間に対してリニアーな特性ではな
いため、ｖＡの上昇に従って変化がＫぶくなる。又、上
記のような特性では、信号電荷の蓄積に伴って１．光導
電性薄膜３Ｋかかる電圧が減少し、膜中での電界が小さ
くなり、膜中で発生した電荷が途中でトラップされる。
そのために光応答速度がきわめて悪くなる・これは実際
には残偉という現象で現われてくるか、固体撮像装置と
しては好ましくない特性であることは言うまでもない。
には残偉という現象で現われてくるか、固体撮像装置と
しては好ましくない特性であることは言うまでもない。
そのため、従来の固体撮像装置では第５図のｂの領域で
使用することにより前記のような現象が生じるのを避け
ていたが、結果的にはバイアス電源５に高電圧を別途必
要とするため装置の小型化及び低電力消費化への負担と
なっていた。即ち［５図に於ける飽和電圧は１２０Ｖ１
以上であり、実際は＋５０ＶＩ程度を印加する必要が有
った。
使用することにより前記のような現象が生じるのを避け
ていたが、結果的にはバイアス電源５に高電圧を別途必
要とするため装置の小型化及び低電力消費化への負担と
なっていた。即ち［５図に於ける飽和電圧は１２０Ｖ１
以上であり、実際は＋５０ＶＩ程度を印加する必要が有
った。
この様に電流が一定になるのは光量／Ｉｐがある電圧以
上では量子効率が１になる為と考えられる。
上では量子効率が１になる為と考えられる。
本発明は前記のような固体撮像装置のバイアス電源５が
低電圧においても、十分に高い量子効率と１元応答速度
を有する固体撮像装置を提供することを目的とするもの
である。本発明者らは上記目的を達成するために種々の
実験を重ねた結果第１図の帯状電極２ Ｋ Ｏｒ、 Ａ
ｕ、 Ａ１．Ｎｉ等の金属を用いる事により、従来にな
い特異な素子特性が得られる事を見出した。
低電圧においても、十分に高い量子効率と１元応答速度
を有する固体撮像装置を提供することを目的とするもの
である。本発明者らは上記目的を達成するために種々の
実験を重ねた結果第１図の帯状電極２ Ｋ Ｏｒ、 Ａ
ｕ、 Ａ１．Ｎｉ等の金属を用いる事により、従来にな
い特異な素子特性が得られる事を見出した。
本発明による固体撮像装置の光導電性薄膜の印加電圧に
対する光電流の特性を第６図に示す・本発明による光導
電性薄膜の特徴は、印加電圧Ｖｂが０においても光電流
が一定値工１だけ流れ、電圧の変化に対してもはとんど
平担な特性を有することである。上記素子を低電圧１例
えば１３０ＶＩ以下の電圧で動作させると、動作領域は
第６図のａ′ の領域となり、信号電荷の蓄積に従って
元導電性薄１ＫＫかかる電圧が減少し【も光電流は変化
せず一定となる。この様な印加電圧／Ｉｐ（光電流）特
性の祷られる原因は光導電体と帯状電極との仕事関数（
ワークファンクション）等の差に起因すると考えられる
。この場合の印加電圧ｖｂ Ｋ対する光電ａＩｐ ｆ）
関係は低電圧領域例えばｌ ３０Ｖ Ｉ以下では Ｉｐ＝に’ （ｃｏｎｓｔ）＝ＫＶｘ で表わされ、第４図におけるＡ点の電位ＶＡは時の比例
関係で表わされる。
対する光電流の特性を第６図に示す・本発明による光導
電性薄膜の特徴は、印加電圧Ｖｂが０においても光電流
が一定値工１だけ流れ、電圧の変化に対してもはとんど
平担な特性を有することである。上記素子を低電圧１例
えば１３０ＶＩ以下の電圧で動作させると、動作領域は
第６図のａ′ の領域となり、信号電荷の蓄積に従って
元導電性薄１ＫＫかかる電圧が減少し【も光電流は変化
せず一定となる。この様な印加電圧／Ｉｐ（光電流）特
性の祷られる原因は光導電体と帯状電極との仕事関数（
ワークファンクション）等の差に起因すると考えられる
。この場合の印加電圧ｖｂ Ｋ対する光電ａＩｐ ｆ）
関係は低電圧領域例えばｌ ３０Ｖ Ｉ以下では Ｉｐ＝に’ （ｃｏｎｓｔ）＝ＫＶｘ で表わされ、第４図におけるＡ点の電位ＶＡは時の比例
関係で表わされる。
Ａ点の電位変化について、従来のものと本発明−のもの
とを比較した図を第７図に示す。一点鎖線が従来のもの
、実線が本発明によるものである口実線が電圧■１以降
変化しないのは、索子に逆バイアスがかかり、光電流が
流れなくなるためである。即ち、第４図に於てＡ点の電
位がＶｉ Ｋ近づくと素子１３（定電流源）Ｋ電圧がか
からなくな 。
とを比較した図を第７図に示す。一点鎖線が従来のもの
、実線が本発明によるものである口実線が電圧■１以降
変化しないのは、索子に逆バイアスがかかり、光電流が
流れなくなるためである。即ち、第４図に於てＡ点の電
位がＶｉ Ｋ近づくと素子１３（定電流源）Ｋ電圧がか
からなくな 。
す、又、ｖｌを越えると素子の整流特性の為、電流が流
れな（なってしまうからである口ここで信号読出に十分
な電荷が蓄積されたときのＡ点の電位なり１とすると、
その電位に到達するまでの時間は、各々ｔｌ、ｔ２とな
り、本発明によるＩｆ！ｉ性のものが従来のものに比べ
″ＣＣ待時間なることは明らかである０これは固体撮像
装置としては、本発明によるものが従来のものより高感
度になったことと等価である。そのため、撮像装置の応
用として原稿読取装置を考えた場合、同一原稿照明電力
においてはライン走査速度をより高速にすることが可能
となり、即ち読取速度の高速度化が達成され、又ライン
走査速度が同一の場合においては、照明電力を低減化す
ることが可能となる。
れな（なってしまうからである口ここで信号読出に十分
な電荷が蓄積されたときのＡ点の電位なり１とすると、
その電位に到達するまでの時間は、各々ｔｌ、ｔ２とな
り、本発明によるＩｆ！ｉ性のものが従来のものに比べ
″ＣＣ待時間なることは明らかである０これは固体撮像
装置としては、本発明によるものが従来のものより高感
度になったことと等価である。そのため、撮像装置の応
用として原稿読取装置を考えた場合、同一原稿照明電力
においてはライン走査速度をより高速にすることが可能
となり、即ち読取速度の高速度化が達成され、又ライン
走査速度が同一の場合においては、照明電力を低減化す
ることが可能となる。
一方、撮倫装置の応用として固体ＴＶカメラを考えた場
合、低電圧にもかかわらず高感度、低残像の装置あ実現
シ１可能であり、その効果は極めて大である。この場合
素子の駆動電圧は５ｖ前後でおこなう事ができ従来の５
０Ｖ程度に比し、著しく低い電圧駆動が可能となる。
合、低電圧にもかかわらず高感度、低残像の装置あ実現
シ１可能であり、その効果は極めて大である。この場合
素子の駆動電圧は５ｖ前後でおこなう事ができ従来の５
０Ｖ程度に比し、著しく低い電圧駆動が可能となる。
本発明の実施例として、基本構造である第１図にもとづ
いてそり）素子の作製プロセスを以下に説明する。
いてそり）素子の作製プロセスを以下に説明する。
基板１としては平滑なガラスあるいはセラミックもしく
は表面をグレーズ処理したセラミック等の絶縁材料を用
いる０次いで所定の金属を電子ビー五蒸着等により２０
００〜５０００λの厚さで着け、フォトリソグラフィー
により所定の・櫂ターンに形成し電極２を設ける１次に
元導電性薄映６としてシランガス（ＳｉＨ４）のグロ、
−放電によってアモルファスシリコン験を約１μｍの厚
さで形成する。作製条件は基板温度２００〜３００ｒ、
放電圧力０．２〜ｔＯＴｏｒｒ、極板間距離４０５ｍ、
ＲＦパワー１０〜１００Ｗ、ガス流量１０〜５０ ＳＣ
：ＧＭ（ＳｉＨ４）であり、約１時間で着映した。更に
透明導電性薄膜４としてＩＴＯ（Ｉｎ２０３．５ｎ０２
）をＤＣ２パツクにより約１５００ｉの厚さく０２分比
重５Ｘ１０−４Ｔｏｒｒ） にマスク蒸着する。第６
図に示す例では半一４体基板８に形成されるＭＯＳ ）
ランジメタ９等のスイッチング回路は通常の半導体装置
の工程を用いて作製され、その上に形成される電極２・
光導電性薄８！Ｉ３、透明導電性薄膜４は前記と同様の
方法により作製する。
は表面をグレーズ処理したセラミック等の絶縁材料を用
いる０次いで所定の金属を電子ビー五蒸着等により２０
００〜５０００λの厚さで着け、フォトリソグラフィー
により所定の・櫂ターンに形成し電極２を設ける１次に
元導電性薄映６としてシランガス（ＳｉＨ４）のグロ、
−放電によってアモルファスシリコン験を約１μｍの厚
さで形成する。作製条件は基板温度２００〜３００ｒ、
放電圧力０．２〜ｔＯＴｏｒｒ、極板間距離４０５ｍ、
ＲＦパワー１０〜１００Ｗ、ガス流量１０〜５０ ＳＣ
：ＧＭ（ＳｉＨ４）であり、約１時間で着映した。更に
透明導電性薄膜４としてＩＴＯ（Ｉｎ２０３．５ｎ０２
）をＤＣ２パツクにより約１５００ｉの厚さく０２分比
重５Ｘ１０−４Ｔｏｒｒ） にマスク蒸着する。第６
図に示す例では半一４体基板８に形成されるＭＯＳ ）
ランジメタ９等のスイッチング回路は通常の半導体装置
の工程を用いて作製され、その上に形成される電極２・
光導電性薄８！Ｉ３、透明導電性薄膜４は前記と同様の
方法により作製する。
上記プロセスにより作製された固体撮像装置において光
導電性薄＠３に印加する電圧に対する九電流の特性は、
電極２の材料および表面処理状態に大きく依存している
ことを実験により確認した。
導電性薄＠３に印加する電圧に対する九電流の特性は、
電極２の材料および表面処理状態に大きく依存している
ことを実験により確認した。
例えば、Ｏｒ、Ａｕ、Ａ１．Ｎｉ等は第６図に示すよう
な低電圧動作が可能な特性が得られたが、 Ａｌの表面
を薄く酸化したものや、他の金属におい【も表面に酸化
膜等のプｐツキンダ層を設けたものは、第５図に示すよ
うな低電圧動作が不可能な特性になることが確認され
た。
な低電圧動作が可能な特性が得られたが、 Ａｌの表面
を薄く酸化したものや、他の金属におい【も表面に酸化
膜等のプｐツキンダ層を設けたものは、第５図に示すよ
うな低電圧動作が不可能な特性になることが確認され
た。
元導電性薄１１３としては水素ドープ１型アモルファス
シリマノ周期律表三族元索をドープしたｐ型アセルファ
スシリコンが有効であったが、この例に限らず、例えば
Ｓ＠、 ５ｅ−Ａａ、 ５ｅ−Ｔｅ％５ａ−Ａｓ−Ｔｅ
ｌｌやｃａ−ｓ、Ｃｄ−８ｏ ＠あるいはＺｎ−８ｅ。
シリマノ周期律表三族元索をドープしたｐ型アセルファ
スシリコンが有効であったが、この例に限らず、例えば
Ｓ＠、 ５ｅ−Ａａ、 ５ｅ−Ｔｅ％５ａ−Ａｓ−Ｔｅ
ｌｌやｃａ−ｓ、Ｃｄ−８ｏ ＠あるいはＺｎ−８ｅ。
Ｚｎ−ｃａ−Ｔｅ ｌ［等の光導電性材料もしくはこれ
らの傾合膜を用いることが可能であることは言うまでも
ない。
らの傾合膜を用いることが可能であることは言うまでも
ない。
又、第１図の例では透明導電性薄１１４か最上層に形成
され、その上から元が入射する構造であるが、これと逆
に１電極２を透明導電性薄膜′として。
され、その上から元が入射する構造であるが、これと逆
に１電極２を透明導電性薄膜′として。
基板１を透明基板とし、基板側から光が入射する構造も
可能である。又、）（イアスミ源５は負の例について説
明したが、正のものも可であることは首５までもない。
可能である。又、）（イアスミ源５は負の例について説
明したが、正のものも可であることは首５までもない。
又、第３図では半導体基板８上に形成されたＭＯＳ ）
ランジスタ９の上に形成された固体撮像装置の例を示し
たが、基板として絶縁体を用い、その上に多結晶シリコ
ンあるいはアモルファスシリコン等を着膜してＭＯＳ
）ランジスタを形成したいわゆる薄膜トランジスタ着
用いて上記固体撮像装置を作製することも可能である。
ランジスタ９の上に形成された固体撮像装置の例を示し
たが、基板として絶縁体を用い、その上に多結晶シリコ
ンあるいはアモルファスシリコン等を着膜してＭＯＳ
）ランジスタを形成したいわゆる薄膜トランジスタ着
用いて上記固体撮像装置を作製することも可能である。
上述した様に本発明の固体撮像装置はバイアス電源の電
圧が５ｖ程度の低電圧でも良好なＶｂ−Ｉｐ特性を実視
することを可能ならしめるもので、装置電源の簡単化、
低電圧化に極めて効を奏するものである。
圧が５ｖ程度の低電圧でも良好なＶｂ−Ｉｐ特性を実視
することを可能ならしめるもので、装置電源の簡単化、
低電圧化に極めて効を奏するものである。
第１図（ａ）、 （ｂ）は本発明に係る固体撮像装置を
示す図であり、 第２図は第１図の部分拡大図であり。 第３図は本発明に係る固体撮像装置の他の実施例を示す
図であり。 第４図は本発明に係る固体撮像装置の動作を説明するた
めの等価回路であり、 第５図は従来の固体撮像装置のＶｐ−Ｉｐ特性を示す図
であり、 第６図は本発明による固体撮像装置のＶｐ−Ｉｐ特性を
示す図であり、 第７図は固体撮像装置の動作について従来のものと本発
明のものとを比較した図である。 ２−ｍ−電極 ３−一一光導電性薄ｇｌ ４−−−透
明導電性薄１１ ５−−−バイアス電源 ６−−−スイ
ツチング回路 ７−−−ワイヤボンデイング８−−−半
導体基板 ９−−−Ｍ２Ｓ）ランジスタ １０−ｍ−信
号ｌ！ １１．１２−−一不純物拡散領域 １３−ｍ一
定電流源 １４−一一元導電性薄ＩＩ谷量 １５−ｍ−
接合容量 １６−−−ダイオード １７−−−容量 １
８−ｍ−負荷抵抗（番１か３名） 第 １ 図 （ａ） 第 ２ 図 第 ４ 図 第 ５ 図 １−−− ａ −Ｊ ｌ−ｂ÷ 第 ６ 図 第 ７ 図 第１頁の続き ０発 明 者 中村毅 海老名市本郷２２７４番地富士ゼロ ックス株式会社海老名工場内 −４８（
示す図であり、 第２図は第１図の部分拡大図であり。 第３図は本発明に係る固体撮像装置の他の実施例を示す
図であり。 第４図は本発明に係る固体撮像装置の動作を説明するた
めの等価回路であり、 第５図は従来の固体撮像装置のＶｐ−Ｉｐ特性を示す図
であり、 第６図は本発明による固体撮像装置のＶｐ−Ｉｐ特性を
示す図であり、 第７図は固体撮像装置の動作について従来のものと本発
明のものとを比較した図である。 ２−ｍ−電極 ３−一一光導電性薄ｇｌ ４−−−透
明導電性薄１１ ５−−−バイアス電源 ６−−−スイ
ツチング回路 ７−−−ワイヤボンデイング８−−−半
導体基板 ９−−−Ｍ２Ｓ）ランジスタ １０−ｍ−信
号ｌ！ １１．１２−−一不純物拡散領域 １３−ｍ一
定電流源 １４−一一元導電性薄ＩＩ谷量 １５−ｍ−
接合容量 １６−−−ダイオード １７−−−容量 １
８−ｍ−負荷抵抗（番１か３名） 第 １ 図 （ａ） 第 ２ 図 第 ４ 図 第 ５ 図 １−−− ａ −Ｊ ｌ−ｂ÷ 第 ６ 図 第 ７ 図 第１頁の続き ０発 明 者 中村毅 海老名市本郷２２７４番地富士ゼロ ックス株式会社海老名工場内 −４８（
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１＋ 絶縁体もしくは半導体基板上に複数個の光電
変換素子を形成し、該素子を順次走査して信号を読出す
回路を前記基板上もしくは外部に設けることによってな
る固体撮像装置において、前記光電変換素子の印加電圧
に対する光電流の特性を低電圧において平担とすること
を特徴とする固体撮像装置。 （２） 前記光電変換素子は、絶縁体もしくは半導体
基板′に般けた光導電性薄膜を帯状電極及び透明導電性
薄膜で上下をはさんだ構造である事を特徴とする特許請
求の範囲第１項に記載の固体操像装ｍ。 （３）＃記帯状電極材料としてＯｒ、 Ａｕ、Ａｌ、Ｎ
１等を用いたことを特徴とする特許請求の範囲第１項に
記載の固体撮像装置拳 （４１前記光導電性薄膜は１型又はｐ型アモルファスシ
リコンである事をｅｆ！ｆｇｌとする特許請求の範囲第
２項又は第３項に記載の固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56208004A JPS58111490A (ja) | 1981-12-24 | 1981-12-24 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56208004A JPS58111490A (ja) | 1981-12-24 | 1981-12-24 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58111490A true JPS58111490A (ja) | 1983-07-02 |
Family
ID=16549070
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56208004A Pending JPS58111490A (ja) | 1981-12-24 | 1981-12-24 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58111490A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61295659A (ja) * | 1985-06-24 | 1986-12-26 | Mitsubishi Electric Corp | 光読み取り装置及びその製造方法 |
| JPS627156A (ja) * | 1985-07-03 | 1987-01-14 | Mitsubishi Electric Corp | 光読み取り装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS561318A (en) * | 1979-06-18 | 1981-01-09 | Canon Inc | Photoelectric conversion device |
| JPS57187965A (en) * | 1981-05-14 | 1982-11-18 | Sony Corp | Mos type solid state image pickup device |
-
1981
- 1981-12-24 JP JP56208004A patent/JPS58111490A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS561318A (en) * | 1979-06-18 | 1981-01-09 | Canon Inc | Photoelectric conversion device |
| JPS57187965A (en) * | 1981-05-14 | 1982-11-18 | Sony Corp | Mos type solid state image pickup device |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61295659A (ja) * | 1985-06-24 | 1986-12-26 | Mitsubishi Electric Corp | 光読み取り装置及びその製造方法 |
| JPS627156A (ja) * | 1985-07-03 | 1987-01-14 | Mitsubishi Electric Corp | 光読み取り装置 |
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