JPS58121602A - サ−ミスタ用酸化物半導体の製造方法 - Google Patents
サ−ミスタ用酸化物半導体の製造方法Info
- Publication number
- JPS58121602A JPS58121602A JP57003913A JP391382A JPS58121602A JP S58121602 A JPS58121602 A JP S58121602A JP 57003913 A JP57003913 A JP 57003913A JP 391382 A JP391382 A JP 391382A JP S58121602 A JPS58121602 A JP S58121602A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thermistor
- copper
- oxide semiconductor
- manganese
- nickel
- Prior art date
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- Pending
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- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、汎用サーミスタの主な材料成分系であるマン
ガン、ニッケル、銅３成分系のうちで、銅の含有率が比
較的低いサーミスタを銅の含有率を容易に変化させ、特
性範囲の広いサーミスタを供給することを特徴とした負
の温度係数を有するサーミスタ用酸化物半導体の製造方
法に関するものである。
ガン、ニッケル、銅３成分系のうちで、銅の含有率が比
較的低いサーミスタを銅の含有率を容易に変化させ、特
性範囲の広いサーミスタを供給することを特徴とした負
の温度係数を有するサーミスタ用酸化物半導体の製造方
法に関するものである。
従来、負の抵抗温度係数を有する市販の汎用サーミスタ
の製造方法は、他のセラミックスの製造工程と同様に目
的組成の酸化物を配合し、これを湿式混合、仮焼、湿式
粉砕、造粒、成形、焼成と込う工程を経るのが一般的で
ある。
の製造方法は、他のセラミックスの製造工程と同様に目
的組成の酸化物を配合し、これを湿式混合、仮焼、湿式
粉砕、造粒、成形、焼成と込う工程を経るのが一般的で
ある。
また、酸化マンガン、酸化二ソケル、酸化鋼の３成分か
らなるサーミスタ用酸化物半導体組成は、上述したよう
に既に広く知られ用いられている（〔株〕日立製作所、
中央研究所創立二十周年記念論文集、Ｐａｏ〜４６．昭
和３７年）。
らなるサーミスタ用酸化物半導体組成は、上述したよう
に既に広く知られ用いられている（〔株〕日立製作所、
中央研究所創立二十周年記念論文集、Ｐａｏ〜４６．昭
和３７年）。
本発明は、このマンガン、ニッケル、ｍ３成分系のうち
、比較的銅含有率が少ない組成範囲の製造方法に係り、
マンガン−ニッケルの一次反応物を、銅−有機酸錯塩溶
液中で湿式粉砕することにより銅を添加して目的のサー
ミスタを得ることを特徴とする。
、比較的銅含有率が少ない組成範囲の製造方法に係り、
マンガン−ニッケルの一次反応物を、銅−有機酸錯塩溶
液中で湿式粉砕することにより銅を添加して目的のサー
ミスタを得ることを特徴とする。
以下、実施例を挙げて本発明の詳細な説明する。
市販の原料Ｍ ｎ ＣＯ３＋ Ｎ ｉＯをそれぞれ金属
元素８０：２ｏ原子チに配合し、これをボールミルで２
Ｑ時間混合し、このスラリーを乾燥後８００°Ｃで仮焼
する。この仮焼物、すなわち−次反応物を銅−、エチレ
ンジアミン四酢酸（以下ＥＤＴＡと略称する）溶液を用
いてボールミルで湿式粉砕する。その後、スラリーを乾
燥後、造粒、成形工程を経て、１２００°Ｃで２時間空
気中で焼成した。ここで、銅−ＥＤＴＡ溶液の濃度ある
いは粉砕時間を変えることにより、銅含有率を容易に調
整できる。例えば、１Ｍ銅−ＥＤＴＡ溶液を用いて１６
時間粉砕したものの最終組成比は、Ｍｎ：Ｎｉ；Ｃｕ＝
７８，７：１７．１ ：４．２原子チ、０．１Ｍ銅−Ｅ
ＤＴＡ溶液を用いたものは、Ｍｎ ： Ｎｌ 二Ｃｕ＝
８１．７ ：１７．９ ：０，４原子チであった。従来
のように配合時に組成が決定されている場合には、多様
な特性範囲をカバーするのは機能的でない。すなわち、
−特性−組成比と限定される。ところが本発明の製造方
法を用いれば、基本とするＭｎ−Ｎｉの一次反応物を多
量に準備しておけば、素子特性の要望に対して容易に広
範囲の特性に対処できる点で産業上の効果が大きい。
元素８０：２ｏ原子チに配合し、これをボールミルで２
Ｑ時間混合し、このスラリーを乾燥後８００°Ｃで仮焼
する。この仮焼物、すなわち−次反応物を銅−、エチレ
ンジアミン四酢酸（以下ＥＤＴＡと略称する）溶液を用
いてボールミルで湿式粉砕する。その後、スラリーを乾
燥後、造粒、成形工程を経て、１２００°Ｃで２時間空
気中で焼成した。ここで、銅−ＥＤＴＡ溶液の濃度ある
いは粉砕時間を変えることにより、銅含有率を容易に調
整できる。例えば、１Ｍ銅−ＥＤＴＡ溶液を用いて１６
時間粉砕したものの最終組成比は、Ｍｎ：Ｎｉ；Ｃｕ＝
７８，７：１７．１ ：４．２原子チ、０．１Ｍ銅−Ｅ
ＤＴＡ溶液を用いたものは、Ｍｎ ： Ｎｌ 二Ｃｕ＝
８１．７ ：１７．９ ：０，４原子チであった。従来
のように配合時に組成が決定されている場合には、多様
な特性範囲をカバーするのは機能的でない。すなわち、
−特性−組成比と限定される。ところが本発明の製造方
法を用いれば、基本とするＭｎ−Ｎｉの一次反応物を多
量に準備しておけば、素子特性の要望に対して容易に広
範囲の特性に対処できる点で産業上の効果が大きい。
これは特性に与える影響度が銅が最も大きいことにもよ
る。
る。
また、請求の範囲の中で限定したサーミスタの組成の限
定理由は、既に市販されている汎用サーミスタの特性値
（比抵抗１０Ω・ｃｒｎ〜１ＭΩ・６ｎｌＢ定数１００
００に〜６０ｏｏ０Ｋ）および溶解度からくるものであ
る。さらに、銅−有機酸錯塩溶液に限定するのは、金属
と有機酸との錯形成能力が大きく容易に置換反応をおこ
すこと、溶液ＰＨが無機塩のように強酸性でなく一次反
応物を溶解せず中性での溶解度が大きいこ七、さらに焼
成段階で有機酸はＮＯ２およびＣＯ２として分解する利
点をもつことによる。
定理由は、既に市販されている汎用サーミスタの特性値
（比抵抗１０Ω・ｃｒｎ〜１ＭΩ・６ｎｌＢ定数１００
００に〜６０ｏｏ０Ｋ）および溶解度からくるものであ
る。さらに、銅−有機酸錯塩溶液に限定するのは、金属
と有機酸との錯形成能力が大きく容易に置換反応をおこ
すこと、溶液ＰＨが無機塩のように強酸性でなく一次反
応物を溶解せず中性での溶解度が大きいこ七、さらに焼
成段階で有機酸はＮＯ２およびＣＯ２として分解する利
点をもつことによる。
以上のように本発明は構成されているものであり、非常
に簡単な方法でもって容易に広範囲の特性に応用できる
サーミスタ用酸化物半導体を得ることができ、その産業
性は大なるものである。
に簡単な方法でもって容易に広範囲の特性に応用できる
サーミスタ用酸化物半導体を得ることができ、その産業
性は大なるものである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 マンガン、ニッケル２成分系の一次反応物を銅−有機酸
錯塩溶液中で湿式粉砕し、さらに乾燥。 造粒、成形、焼成させて銅を添加し、金属元素としてマ
ンガン９４．８〜６ｏ原子係、ニッケル５〜３゜原子チ
、銅０．０１〜１０原子係の３種を合計１００原子％含
有することを特徴とするサーミスタ用酸化物半導体の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57003913A JPS58121602A (ja) | 1982-01-12 | 1982-01-12 | サ−ミスタ用酸化物半導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57003913A JPS58121602A (ja) | 1982-01-12 | 1982-01-12 | サ−ミスタ用酸化物半導体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58121602A true JPS58121602A (ja) | 1983-07-20 |
Family
ID=11570414
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57003913A Pending JPS58121602A (ja) | 1982-01-12 | 1982-01-12 | サ−ミスタ用酸化物半導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58121602A (ja) |
-
1982
- 1982-01-12 JP JP57003913A patent/JPS58121602A/ja active Pending
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