JPS58105502A - サ−ミスタ用酸化物半導体の製造方法 - Google Patents
サ−ミスタ用酸化物半導体の製造方法Info
- Publication number
- JPS58105502A JPS58105502A JP56203914A JP20391481A JPS58105502A JP S58105502 A JPS58105502 A JP S58105502A JP 56203914 A JP56203914 A JP 56203914A JP 20391481 A JP20391481 A JP 20391481A JP S58105502 A JPS58105502 A JP S58105502A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- copper
- thermistor
- manufacturing
- oxide semiconductor
- atoms
- Prior art date
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- Granted
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- Thermistors And Varistors (AREA)
- Magnetic Ceramics (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、汎用サーミスタの主な材料成分系であるマン
ガン、コバルト、銅３成分系のうちで、銅の含有率が比
較的低いサーミスタを銅の含有率な容易に変化させ、特
性範囲の広いサーミスタを供給することを特徴とした負
の温度係数を有するサーミスタ用酸化物半導体の製造方
法に関するものである。
ガン、コバルト、銅３成分系のうちで、銅の含有率が比
較的低いサーミスタを銅の含有率な容易に変化させ、特
性範囲の広いサーミスタを供給することを特徴とした負
の温度係数を有するサーミスタ用酸化物半導体の製造方
法に関するものである。
従来、負の抵抗温度係数を有する市販の汎用サーミスタ
の製造方法は、他のセラミックスの製造工程と同様に目
的組成の酸化物を配合し、これを湿式混合、仮焼、湿式
粉砕、造粒、成形、焼成という工程を経るのが一般的で
ある。
の製造方法は、他のセラミックスの製造工程と同様に目
的組成の酸化物を配合し、これを湿式混合、仮焼、湿式
粉砕、造粒、成形、焼成という工程を経るのが一般的で
ある。
また、酸化マンガン、酸化マバルト、酸化銅の３成分か
らなるサーミスタ用酸化物半導体組成は。
らなるサーミスタ用酸化物半導体組成は。
上述したように既に広く知られ用いられている（〔東印
立製作所、中央研究所創立二十周年配念論文集、Ｐ３０
〜４６．昭和３７年）。
立製作所、中央研究所創立二十周年配念論文集、Ｐ３０
〜４６．昭和３７年）。
本発明は、このマンガン、コバルト、銅３成分系のうち
、比較的銅含有率が少ない組成範囲の製造方法に係り、
マンガン−コバルトの一次反応物を、銅−有機酸錯塩溶
液中で湿式粉砕することにより銅を添加して目的サーミ
スタを得ることを特徴とする。
、比較的銅含有率が少ない組成範囲の製造方法に係り、
マンガン−コバルトの一次反応物を、銅−有機酸錯塩溶
液中で湿式粉砕することにより銅を添加して目的サーミ
スタを得ることを特徴とする。
以下、実施例を挙げて本発明の詳細な説明する。
市販の原料ＭｎＣ０，、ｃｏ、ｏ４ をそれぞれ金属元
素５０原子俤に配合し、これをボールミルで２０時間混
合し、このスラリーを乾燥後８００ ’Ｃで仮焼する。
素５０原子俤に配合し、これをボールミルで２０時間混
合し、このスラリーを乾燥後８００ ’Ｃで仮焼する。
この仮焼物、すなわち−次反応物を銅−エチレンジアミ
ン四酢酸（以下ＥＤＴムと略称する）溶液を用いてボー
ルミルで湿式粉砕する。その後、スラリーを乾燥後、造
粒、成形工程を経て、１２５０℃で２時間空気中で焼成
した。ここで、銅−Ｂ ＤＴム溶液の濃度あるいは粉砕
時間を変えることにより、銅含有率を容易に調整できる
。例えば、１０Ｍ銅−ＥＤＴ人溶液を用いて１６時間粉
砕したものの最終組成比は、Ｍｎ ： Ｃｏ ： Ｃｕ
＝４４ 、７＝４４．５＝９．８原子係、６Ｍ銅−ＥＤ
Ｔム溶液を用いたものは、Ｍｎ：ｃｏ ”、 Ｃｕ ＝
＝ ４７−２ ： ４ Ｂ、Ｏ： ４−８原子チであっ
た。従来のように配合時に組成が決定されている場合に
は、多様な特性範囲をカバーするのは機能的でない。す
なわち、−特性−組成比と限定される。ところが本発明
の製造方法を用いれば、基本とするＭｎ −ｃｏの一次
反応物を多量に準備しておけば、素子特性の要望に対し
て容易に広範囲の特性に対処できる点で、産業上の効果
が太きい。
ン四酢酸（以下ＥＤＴムと略称する）溶液を用いてボー
ルミルで湿式粉砕する。その後、スラリーを乾燥後、造
粒、成形工程を経て、１２５０℃で２時間空気中で焼成
した。ここで、銅−Ｂ ＤＴム溶液の濃度あるいは粉砕
時間を変えることにより、銅含有率を容易に調整できる
。例えば、１０Ｍ銅−ＥＤＴ人溶液を用いて１６時間粉
砕したものの最終組成比は、Ｍｎ ： Ｃｏ ： Ｃｕ
＝４４ 、７＝４４．５＝９．８原子係、６Ｍ銅−ＥＤ
Ｔム溶液を用いたものは、Ｍｎ：ｃｏ ”、 Ｃｕ ＝
＝ ４７−２ ： ４ Ｂ、Ｏ： ４−８原子チであっ
た。従来のように配合時に組成が決定されている場合に
は、多様な特性範囲をカバーするのは機能的でない。す
なわち、−特性−組成比と限定される。ところが本発明
の製造方法を用いれば、基本とするＭｎ −ｃｏの一次
反応物を多量に準備しておけば、素子特性の要望に対し
て容易に広範囲の特性に対処できる点で、産業上の効果
が太きい。
これは特性に与える影響度が銅が最も大きいことにもよ
る。
る。
また、請求の範囲の中で限定したサーミスタの組成の限
定理由は、既に市販されている汎用サーミスタの特性値
（比抵抗１０Ω・（ｍ〜１ＭΩ・口。
定理由は、既に市販されている汎用サーミスタの特性値
（比抵抗１０Ω・（ｍ〜１ＭΩ・口。
Ｂ定数１０００°に〜６００００Ｋ）および溶解度から
くるものである。さらに、銅−有機酸錯塩溶液に限定す
るのは、また金属と有機酸錯塩に限定するのは、金属と
有機酸との錯形成能力が大きく容易に置換反応をおこす
こと、溶液ＰＨが無機塩のように強酸性でなく一次反応
物を溶解せず中性での溶解度が大きいこと、さらに焼成
段階で有機酸は［０２およびＣＯ２として分解する利点
をもつことによる。
くるものである。さらに、銅−有機酸錯塩溶液に限定す
るのは、また金属と有機酸錯塩に限定するのは、金属と
有機酸との錯形成能力が大きく容易に置換反応をおこす
こと、溶液ＰＨが無機塩のように強酸性でなく一次反応
物を溶解せず中性での溶解度が大きいこと、さらに焼成
段階で有機酸は［０２およびＣＯ２として分解する利点
をもつことによる。
以上のように本発明は構成されているものであり、非常
に簡単な方法でもって容易に広範囲の特性に応用できる
サーミスタ用酸化物半導体を得ることができ、その産業
性は大なるものである。
に簡単な方法でもって容易に広範囲の特性に応用できる
サーミスタ用酸化物半導体を得ることができ、その産業
性は大なるものである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 マンガン、コバルト２成分系の一次反応物を銅−有機酸
錯塩溶液中で湿式粉砕し、さらに乾燥。 造粒、成形、焼成させて銅を添加し、金属元素としてマ
ンガン９４．８〜５原子チ、コバルト５〜９４．８原子
チ、銅０．０１〜１０原子チの３種を台形１００原子チ
含有することを特徴とするサーミスタ用酸化物半導体の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56203914A JPS58105502A (ja) | 1981-12-17 | 1981-12-17 | サ−ミスタ用酸化物半導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56203914A JPS58105502A (ja) | 1981-12-17 | 1981-12-17 | サ−ミスタ用酸化物半導体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58105502A true JPS58105502A (ja) | 1983-06-23 |
| JPH038082B2 JPH038082B2 (ja) | 1991-02-05 |
Family
ID=16481780
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56203914A Granted JPS58105502A (ja) | 1981-12-17 | 1981-12-17 | サ−ミスタ用酸化物半導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58105502A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04233702A (ja) * | 1990-12-28 | 1992-08-21 | Mitsubishi Materials Corp | 酸化物半導体組成物 |
-
1981
- 1981-12-17 JP JP56203914A patent/JPS58105502A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04233702A (ja) * | 1990-12-28 | 1992-08-21 | Mitsubishi Materials Corp | 酸化物半導体組成物 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH038082B2 (ja) | 1991-02-05 |
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