JPS60925B2 - サ−ミスタ用酸化物半導体材料の製造方法 - Google Patents
サ−ミスタ用酸化物半導体材料の製造方法Info
- Publication number
- JPS60925B2 JPS60925B2 JP490580A JP490580A JPS60925B2 JP S60925 B2 JPS60925 B2 JP S60925B2 JP 490580 A JP490580 A JP 490580A JP 490580 A JP490580 A JP 490580A JP S60925 B2 JPS60925 B2 JP S60925B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thermistor
- oxide semiconductor
- semiconductor material
- manufacturing
- manufacturing oxide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 5
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 6
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000001238 wet grinding Methods 0.000 claims description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims 2
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims 1
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910019580 Cr Zr Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910019817 Cr—Zr Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011029 spinel Substances 0.000 description 2
- 229910020641 Co Zr Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020520 Co—Zr Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017985 Cu—Zr Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017060 Fe Cr Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017076 Fe Zr Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002544 Fe-Cr Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018651 Mn—Ni Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、酸化マンガンを主成分とし、特に酸化ジルコ
ニウムを含有することを特徴とした負の抵抗温度係数を
有するサーミスタ用酸化物半導体材料の製造方法に関す
るものである。
ニウムを含有することを特徴とした負の抵抗温度係数を
有するサーミスタ用酸化物半導体材料の製造方法に関す
るものである。
従来、負の抵抗温度係数を有する市販の汎用サーミスタ
材料の製造方法は、他のセラミックスの製造工程と同様
、湿式混合・仮焼・湿式粉砕が−般的である。
材料の製造方法は、他のセラミックスの製造工程と同様
、湿式混合・仮焼・湿式粉砕が−般的である。
また、不純物の混入を極度に嫌う場合には、溶液法が導
入されている。上記湿式混合および湿式粉砕に使用され
る玉石はメノウ玉石が一般的である。また、酸化ジルコ
ニウムを含有し、酸化マンガンを主成分とするサーミス
タ用酸化物組成としては「Ｍｎ−Ｚ「系、Ｃｏ−Ｚｒ系
、Ｎｉ−Ｚｒ系、Ｃｕ−Ｚｒ系の２成分系がよく知られ
ている〔■日立製作所、中央研究所創立二十周年記念論
文集、Ｐ３０〜４０昭和３７年〕。
入されている。上記湿式混合および湿式粉砕に使用され
る玉石はメノウ玉石が一般的である。また、酸化ジルコ
ニウムを含有し、酸化マンガンを主成分とするサーミス
タ用酸化物組成としては「Ｍｎ−Ｚ「系、Ｃｏ−Ｚｒ系
、Ｎｉ−Ｚｒ系、Ｃｕ−Ｚｒ系の２成分系がよく知られ
ている〔■日立製作所、中央研究所創立二十周年記念論
文集、Ｐ３０〜４０昭和３７年〕。
本発明は、Ｎｍ−Ｎｉスピネルに鉄もしくはクロムおよ
び鉄とクロムを含有させることにより比抵抗をコントロ
ールし、しかも酸化ジルコニウム含有効果として常温比
抵抗のわりにＢ定数が大きく、安定しているＭｎ−Ｎｉ
−Ｆｅ−Ｚｒ系もしくはＭｎ−Ｎｉ−Ｃｒ−Ｚｒ系ある
いはＭｎ−Ｎｉ−Ｆｅ−Ｃｒ−Ｚｒ系酸化物材料の製造
方法で、ジルコニアボールを玉石として湿式混合・湿式
粉砕を行い、Ｍｎ−Ｎｉ−Ｆｅ系もしくはＭｎ−Ｎｊ−
Ｃｒ系あるいはＭｎ−Ｎｉ−Ｆｅ−Ｃｒ系材料にＺｒを
ジルコニアボールからの摩耗により添加することを特徴
とする。
び鉄とクロムを含有させることにより比抵抗をコントロ
ールし、しかも酸化ジルコニウム含有効果として常温比
抵抗のわりにＢ定数が大きく、安定しているＭｎ−Ｎｉ
−Ｆｅ−Ｚｒ系もしくはＭｎ−Ｎｉ−Ｃｒ−Ｚｒ系ある
いはＭｎ−Ｎｉ−Ｆｅ−Ｃｒ−Ｚｒ系酸化物材料の製造
方法で、ジルコニアボールを玉石として湿式混合・湿式
粉砕を行い、Ｍｎ−Ｎｉ−Ｆｅ系もしくはＭｎ−Ｎｊ−
Ｃｒ系あるいはＭｎ−Ｎｉ−Ｆｅ−Ｃｒ系材料にＺｒを
ジルコニアボールからの摩耗により添加することを特徴
とする。
以下、実施例を挙げて説明する。
市販の原料ＭｈＣ０３，ＮＯおよびＣｒ２０３をＭｎ三
Ｎｉ：Ｃｒ＝８１．５：１７．５：１．０原子％になる
ように配合し、これをｌ ｉＭｈｅｎｄｍｄｂｎｓｔｙ
ｐｅ（アメリカ、ノートン社製）のジルコニアボールを
玉石としてボールミルで湿式混合し、これらのスラリー
を乾燥後、８００ｑｏの温度で仮擁し「 これらの仮焼
物を上記のボールミルで湿式粉砕混合を行った。
Ｎｉ：Ｃｒ＝８１．５：１７．５：１．０原子％になる
ように配合し、これをｌ ｉＭｈｅｎｄｍｄｂｎｓｔｙ
ｐｅ（アメリカ、ノートン社製）のジルコニアボールを
玉石としてボールミルで湿式混合し、これらのスラリー
を乾燥後、８００ｑｏの温度で仮擁し「 これらの仮焼
物を上記のボールミルで湿式粉砕混合を行った。
こうして得られたスラリーを乾燥し「半導体材料を得る
。ここで、粉砕条件を変えることにより添加するＺｄ量
をコントロールできる。下表にボールミルの回転数およ
び粉砕時間を変えた場合の嫌絹体としての最終組成比を
示す。この最終組成比は、鱗結体を蛍光Ｘ線解析を行い
求めた。＊は配合組成比Ｍｎ：Ｎｉ：Ｃｒ：Ｚｒ〒７６
．５：１７．５：１．０：５．０（原子％）上記表に示
すように、Ｚｒを含有させる系で、しかも徴量添加が必
要な場合に最も適している。
。ここで、粉砕条件を変えることにより添加するＺｄ量
をコントロールできる。下表にボールミルの回転数およ
び粉砕時間を変えた場合の嫌絹体としての最終組成比を
示す。この最終組成比は、鱗結体を蛍光Ｘ線解析を行い
求めた。＊は配合組成比Ｍｎ：Ｎｉ：Ｃｒ：Ｚｒ〒７６
．５：１７．５：１．０：５．０（原子％）上記表に示
すように、Ｚｒを含有させる系で、しかも徴量添加が必
要な場合に最も適している。
従来のようにメノウ玉石を用いた場合には、玉石からＳ
Ｐ２，Ｃａ○が混入し「特性上に大きな影響を与えｔ製
造上の再現性にも乏しい。また、溶液法に転換するには
設備面等の投資が必要である。以上のように本発明の製
造方法を用いれば、従来通りの設備を使用でき、且つ特
性の再現性が得られる点で産業上の効果は大きい。また
「請求の範囲の中で限定したサーミスタ組成の限定理由
は、既に市販されている汎用サーミスタの特性値（比抵
抗１０Ｑ伽〜ｌｈ４０伽「 Ｂ定数は１００びＫ〜６０
０びＫの範囲）からなるものである。
Ｐ２，Ｃａ○が混入し「特性上に大きな影響を与えｔ製
造上の再現性にも乏しい。また、溶液法に転換するには
設備面等の投資が必要である。以上のように本発明の製
造方法を用いれば、従来通りの設備を使用でき、且つ特
性の再現性が得られる点で産業上の効果は大きい。また
「請求の範囲の中で限定したサーミスタ組成の限定理由
は、既に市販されている汎用サーミスタの特性値（比抵
抗１０Ｑ伽〜ｌｈ４０伽「 Ｂ定数は１００びＫ〜６０
０びＫの範囲）からなるものである。
Claims (1)
- １ 金属酸化物の焼結混合体において、その金属元素が
マンガン９４．６〜５５原子％、ニツケル５〜２５原子
％、鉄およびクロムからなる群から選択した少なくとも
１種以上の元素を０．３〜５原子％、およびジルコニウ
ム０．３〜１０原子％を含有し、合計少なくとも４種以
上の金属元素を総合計１００原子％含有するサーミスタ
用酸化物半導体を得るために、粉末製造工程でジルコニ
アボールを玉石とした湿式混合・湿式粉砕工程を行なう
ことを特徴とするサーミスタ用酸化物半導体材料の製造
方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP490580A JPS60925B2 (ja) | 1980-01-18 | 1980-01-18 | サ−ミスタ用酸化物半導体材料の製造方法 |
| CA000363406A CA1147945A (en) | 1979-11-02 | 1980-10-28 | Oxide thermistor compositions |
| US06/201,441 US4324702A (en) | 1979-11-02 | 1980-10-28 | Oxide thermistor compositions |
| DE8080303866T DE3069423D1 (en) | 1979-11-02 | 1980-10-30 | Oxide thermistor compositions and thermistors containing them |
| EP80303866A EP0028510B1 (en) | 1979-11-02 | 1980-10-30 | Oxide thermistor compositions and thermistors containing them |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP490580A JPS60925B2 (ja) | 1980-01-18 | 1980-01-18 | サ−ミスタ用酸化物半導体材料の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56101706A JPS56101706A (en) | 1981-08-14 |
| JPS60925B2 true JPS60925B2 (ja) | 1985-01-11 |
Family
ID=11596659
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP490580A Expired JPS60925B2 (ja) | 1979-11-02 | 1980-01-18 | サ−ミスタ用酸化物半導体材料の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60925B2 (ja) |
-
1980
- 1980-01-18 JP JP490580A patent/JPS60925B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56101706A (en) | 1981-08-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Pullar et al. | Novel aqueous sol–gel preparation and characterization of barium M ferrite, BaFe12O19 fibres | |
| JPH082962A (ja) | 高安定性サーミスタ用焼結セラミックス及びその製造方法 | |
| JP3365072B2 (ja) | フェライト材料およびその製造方法 | |
| JPS6156184B2 (ja) | ||
| JPS60925B2 (ja) | サ−ミスタ用酸化物半導体材料の製造方法 | |
| JPS5933242B2 (ja) | サ−ミスタ用酸化物半導体材料の製造方法 | |
| JP3211536B2 (ja) | サーミスタ素子の製造方法 | |
| JP2583935B2 (ja) | サーミスタ用酸化物半導体 | |
| JP2578804B2 (ja) | サ−ミスタ用酸化物半導体 | |
| JPH06251928A (ja) | フェライト樹脂 | |
| JP3391190B2 (ja) | サーミスタ組成物 | |
| JPH08104561A (ja) | 酸化物磁性材料 | |
| JP2578803B2 (ja) | サ−ミスタ用酸化物半導体 | |
| JPH0259462A (ja) | サーミスタ用組成物 | |
| JPS58155701A (ja) | サ−ミスタ用酸化物半導体の製造方法 | |
| JP2578806B2 (ja) | サ−ミスタ用酸化物半導体 | |
| JPH0578921B2 (ja) | ||
| JPS63288917A (ja) | エレクトロセラミックス用金属酸化物の製造方法 | |
| CN113205934A (zh) | 煅烧铁氧体和烧结铁氧体磁体及其制备方法 | |
| JPS63296304A (ja) | サ−ミスタ用酸化物半導体 | |
| JPH043644B2 (ja) | ||
| JPS61236653A (ja) | 窒化クロム―ジルコニア系セラミックス及びその製造方法 | |
| JPH0543161B2 (ja) | ||
| JPH07247160A (ja) | 耐スラグ浸食性に優れたマグネシア・クロミア・ニオビア系焼成耐火煉瓦 | |
| JPH0383855A (ja) | チタン酸バリウム系半導体磁器の製造方法 |