JPS58124251A - 樹脂封止形半導体装置 - Google Patents
樹脂封止形半導体装置Info
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- JPS58124251A JPS58124251A JP57007957A JP795782A JPS58124251A JP S58124251 A JPS58124251 A JP S58124251A JP 57007957 A JP57007957 A JP 57007957A JP 795782 A JP795782 A JP 795782A JP S58124251 A JPS58124251 A JP S58124251A
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- Japan
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- ray
- resin
- semiconductor device
- semiconductor element
- repellent
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W42/20—Arrangements for protection of devices protecting against electromagnetic or particle radiation, e.g. light, X-rays, gamma-rays or electrons
- H10W42/25—Arrangements for protection of devices protecting against electromagnetic or particle radiation, e.g. light, X-rays, gamma-rays or electrons against alpha rays, e.g. for outer space applications
-
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
- H10W72/07551—Connecting or disconnecting of bond wires characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting
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- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
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Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明に封止用樹脂からのα線照射によってソフトエラ
ーが生じるのを防止した樹脂封止形半導体装置に関する
ものである。
ーが生じるのを防止した樹脂封止形半導体装置に関する
ものである。
近年、半導体メモＩＪＩｃの高集積度化に伴い、封止樹
脂に含まれる微量のＵ、 Ｔｈ等の放射性元素からでた
α線が半導体素子表面のメモリー領域に入射し、α線の
エネルギーによってメモリーが反転するというソフトエ
ラーが問題になっている。
脂に含まれる微量のＵ、 Ｔｈ等の放射性元素からでた
α線が半導体素子表面のメモリー領域に入射し、α線の
エネルギーによってメモリーが反転するというソフトエ
ラーが問題になっている。
αｌ１ｌｉｌに物質透過に際し、物質にエネルギーを与
え、自らにその運動エネルギーを失なっていくため、物
質透過力に少なく、半導体素子のメモリー領域上にα線
じゃへい膜を設ければソフトエラーは防止できる事が知
られている。
え、自らにその運動エネルギーを失なっていくため、物
質透過力に少なく、半導体素子のメモリー領域上にα線
じゃへい膜を設ければソフトエラーは防止できる事が知
られている。
従来、半導体素子のメモリー表面領域をα線じゃへい材
料で被覆する方法として、半導体集子金リードフレーム
にマウントしたのち、半導体素子表面をα線じゃへい材
料で厚くボッティング法にて塗布し、固化してからエポ
キシ樹脂等の封止樹脂で封止する方法と、ウェハ状態で
α線じゃへい材料全スピナー塗布方法でα線じゃへい膜
を形成する方法が用いられていた。α線じゃへい材料と
してはポリイミド樹脂等の耐熱性高分子材料が用いられ
ていた。
料で被覆する方法として、半導体集子金リードフレーム
にマウントしたのち、半導体素子表面をα線じゃへい材
料で厚くボッティング法にて塗布し、固化してからエポ
キシ樹脂等の封止樹脂で封止する方法と、ウェハ状態で
α線じゃへい材料全スピナー塗布方法でα線じゃへい膜
を形成する方法が用いられていた。α線じゃへい材料と
してはポリイミド樹脂等の耐熱性高分子材料が用いられ
ていた。
しかしながら、ボッティング法の場合、α線しやへい樹
脂を塗布した時に半導体素子の電極から外部リードに接
続するＡｕワイヤにα線じゃへい樹脂が接触し、エポキ
シ樹脂等で封止したのち、熱ストレス試験において封止
樹脂とα線じゃへい樹脂の熱膨張係数の違いにより、し
やへい材と封止材の界面でＡｕワイヤが破断し易いとい
う問題があった。
脂を塗布した時に半導体素子の電極から外部リードに接
続するＡｕワイヤにα線じゃへい樹脂が接触し、エポキ
シ樹脂等で封止したのち、熱ストレス試験において封止
樹脂とα線じゃへい樹脂の熱膨張係数の違いにより、し
やへい材と封止材の界面でＡｕワイヤが破断し易いとい
う問題があった。
また、コート厚のバラツキが大きく、特に半導体素子の
周辺部に薄＜’ｉｖ易く、αＭをしゃ断するに十分な厚
みが得られないという事があった。
周辺部に薄＜’ｉｖ易く、αＭをしゃ断するに十分な厚
みが得られないという事があった。
スピナー塗布法の場合はα線じゃへい膜厚が最大２０μ
ｍ程度しか得られず、α線のエネルギーを完全に吸収す
るに必要な４０μｍ以上の膜厚を得る事かで＠ないとい
う欠点があった。
ｍ程度しか得られず、α線のエネルギーを完全に吸収す
るに必要な４０μｍ以上の膜厚を得る事かで＠ないとい
う欠点があった。
本発明は従来の欠点に鑑みて、α線エネルギーを完全に
しゃ断した信頼性の高い樹脂封止形半導体装置を提供す
るものであり、半導体素子表面にα線じゃへい材料をス
ピナ塗布法にて薄く形成すると共に、耐熱性接着剤を介
して、α線じゃへいシートを固着した事を特徴とする。
しゃ断した信頼性の高い樹脂封止形半導体装置を提供す
るものであり、半導体素子表面にα線じゃへい材料をス
ピナ塗布法にて薄く形成すると共に、耐熱性接着剤を介
して、α線じゃへいシートを固着した事を特徴とする。
以下本発明の実施例について説明する。
第１図、第２図に本発明によるα線じゃへいを施した半
導体装置の構造を示すものである。
導体装置の構造を示すものである。
まず、ウェハ状態でα線じゃへい材料例えはポリイミド
樹脂をスピナー塗布法によりウェハ表面に薄くα線じゃ
へい膜を形成し、これをエツチング法にて所望形状にエ
ツチングして半導体素子表面のｍ−極部全露出させると
共に、少なくともソフトエラーを発生する半導体素子（
２）の活性化表面領域（７）以上の範囲を覆うようにα
線しゃへい膜ｆｌｌ’に形成する。
樹脂をスピナー塗布法によりウェハ表面に薄くα線じゃ
へい膜を形成し、これをエツチング法にて所望形状にエ
ツチングして半導体素子表面のｍ−極部全露出させると
共に、少なくともソフトエラーを発生する半導体素子（
２）の活性化表面領域（７）以上の範囲を覆うようにα
線しゃへい膜ｆｌｌ’に形成する。
前記α線じゃへいコートされた半導体素子（２）ヲリー
ドフレーム（３）のマウント部にロー材（４）ヲ介して
マウントし半導体素子（２）の電極部とリードフレーム
（３）とｋＡｕワイヤ（９）で接続したのち、α線じゃ
へい効果ヲ有する耐熱性接着剤（５）例えばエポキシ樹
脂を介してα線じゃへいシート（６）例えばポリイミド
シートを固着する。この状態で第２図に示すように全体
を封止樹脂（８）で被覆することにより半導体装置が完
成する。なお、α線じゃへいシート（６）の厚みとじて
にα線エネルギーを完全にしゃ断するという意味から４
０μｍ以上が望ましく、またα線じゃへいシートの固着
範囲に半導体素子（２）の活性化表部領域（７）以上で
、前記α線しやへい膜（１）の範囲と同等もしくに狭い
範囲とする。
ドフレーム（３）のマウント部にロー材（４）ヲ介して
マウントし半導体素子（２）の電極部とリードフレーム
（３）とｋＡｕワイヤ（９）で接続したのち、α線じゃ
へい効果ヲ有する耐熱性接着剤（５）例えばエポキシ樹
脂を介してα線じゃへいシート（６）例えばポリイミド
シートを固着する。この状態で第２図に示すように全体
を封止樹脂（８）で被覆することにより半導体装置が完
成する。なお、α線じゃへいシート（６）の厚みとじて
にα線エネルギーを完全にしゃ断するという意味から４
０μｍ以上が望ましく、またα線じゃへいシートの固着
範囲に半導体素子（２）の活性化表部領域（７）以上で
、前記α線しやへい膜（１）の範囲と同等もしくに狭い
範囲とする。
本発明にα線じゃへいとして第一層のα線じゃへい膜上
にα線じゃへいシートを固着した点に特徴があり、次に
述べるような効果が得られる。
にα線じゃへいシートを固着した点に特徴があり、次に
述べるような効果が得られる。
（イ） α線じゃへいシート材を半導体素子表面に直接
接着剤を介して固着すると、シート固着時に接着面の一
部に空気が残るため、半導体素子表面の一部が中空の状
態となり、耐湿試験等において樹脂内部を浸透してきた
湿気が溜り、短時間に半導体素子表面のＡＩ！配線を腐
蝕するという欠点があったが、第一層にスピナ塗布法に
より薄く均一なα線じゃへい膜ｔｌ＋を形成してＡるた
め、これとα線じゃへいシート（６）の間にすき壕が生
じても半導体素子表面に第一層のα線じゃへい膜＋ｌ＋
で保護されているため耐湿試験等で短時間にＡＩ！腐蝕
を生じず、極めて信頼性が高くなる。
接着剤を介して固着すると、シート固着時に接着面の一
部に空気が残るため、半導体素子表面の一部が中空の状
態となり、耐湿試験等において樹脂内部を浸透してきた
湿気が溜り、短時間に半導体素子表面のＡＩ！配線を腐
蝕するという欠点があったが、第一層にスピナ塗布法に
より薄く均一なα線じゃへい膜ｔｌ＋を形成してＡるた
め、これとα線じゃへいシート（６）の間にすき壕が生
じても半導体素子表面に第一層のα線じゃへい膜＋ｌ＋
で保護されているため耐湿試験等で短時間にＡＩ！腐蝕
を生じず、極めて信頼性が高くなる。
（ロ） じゃへい材料としてシートを用いているため、
α線エネルギーをじゃへいするに必要な厚みが均一に且
つ容易に得られる。
α線エネルギーをじゃへいするに必要な厚みが均一に且
つ容易に得られる。
（ハ） じゃへい材料がＡｕワイヤ（９）に接触しない
ため、ＡｕワイヤのＦｉ線が起こらず歩留りを向上でき
る。
ため、ＡｕワイヤのＦｉ線が起こらず歩留りを向上でき
る。
第１図および第２図に本発明の一実施例を示すもので、
第１図に樹脂封止前の半導体素子の平面図を示し、第２
図に樹脂封止後の半導体素子の断面図を示す。 図において、ｆｉ＋・・・α線じゃへい膜、（２）・・
・半導体Ｘ子、［３１・・・リードフレーム、（４）・
・・ロー材、ｔ５＋・・・α線じゃへい接着剤、（６）
・・・α線じゃへいシート、（７）・・・活性化表面領
域、（８）・・・封止樹脂、（９）・・・Ａｕワイヤで
ある。 代理人 葛野信− 手続補正書（自発） 特許庁長官殿 １、事件の表示 特願昭 ５７−００７９５７号
２、発明の名称 樹脂封止形半導体装置３、補正を
する者 事件との関係 特許出願人 （＋） ５、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 明細書をつぎのとおり訂正する。
第１図に樹脂封止前の半導体素子の平面図を示し、第２
図に樹脂封止後の半導体素子の断面図を示す。 図において、ｆｉ＋・・・α線じゃへい膜、（２）・・
・半導体Ｘ子、［３１・・・リードフレーム、（４）・
・・ロー材、ｔ５＋・・・α線じゃへい接着剤、（６）
・・・α線じゃへいシート、（７）・・・活性化表面領
域、（８）・・・封止樹脂、（９）・・・Ａｕワイヤで
ある。 代理人 葛野信− 手続補正書（自発） 特許庁長官殿 １、事件の表示 特願昭 ５７−００７９５７号
２、発明の名称 樹脂封止形半導体装置３、補正を
する者 事件との関係 特許出願人 （＋） ５、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 明細書をつぎのとおり訂正する。
Claims (1)
- 半導体素子の活性表面領域をおおうようにα線じゃへい
膜を形成すると共に前記α線じゃへい膜上にα線しやへ
い効果を有する耐熱性接着剤を介してα線じゃへいシー
トを固着し、さらに全周を封止樹脂により封止して成る
事を特徴とする樹脂封止形半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57007957A JPS58124251A (ja) | 1982-01-20 | 1982-01-20 | 樹脂封止形半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57007957A JPS58124251A (ja) | 1982-01-20 | 1982-01-20 | 樹脂封止形半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58124251A true JPS58124251A (ja) | 1983-07-23 |
Family
ID=11679963
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57007957A Pending JPS58124251A (ja) | 1982-01-20 | 1982-01-20 | 樹脂封止形半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58124251A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS647628A (en) * | 1987-06-30 | 1989-01-11 | Hitachi Ltd | Semiconductor device and manufacture thereof |
| WO2016150582A1 (de) * | 2015-03-20 | 2016-09-29 | Robert Bosch Gmbh | Elektronikmodul mit alphastrahlenschutz für eine getriebesteuereinheit sowie getriebesteuereinheit |
-
1982
- 1982-01-20 JP JP57007957A patent/JPS58124251A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS647628A (en) * | 1987-06-30 | 1989-01-11 | Hitachi Ltd | Semiconductor device and manufacture thereof |
| WO2016150582A1 (de) * | 2015-03-20 | 2016-09-29 | Robert Bosch Gmbh | Elektronikmodul mit alphastrahlenschutz für eine getriebesteuereinheit sowie getriebesteuereinheit |
| CN107637186A (zh) * | 2015-03-20 | 2018-01-26 | 罗伯特·博世有限公司 | 具有用于传动装置控制单元的阿尔法射线保护的电子装置模块以及传动装置控制单元 |
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