JPH01244624A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH01244624A JPH01244624A JP7229288A JP7229288A JPH01244624A JP H01244624 A JPH01244624 A JP H01244624A JP 7229288 A JP7229288 A JP 7229288A JP 7229288 A JP7229288 A JP 7229288A JP H01244624 A JPH01244624 A JP H01244624A
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Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置に関する。
従来、樹脂封止型の半導体装置に於けるチップの表面パ
ッシベーションの構造は、先ず電極上に比較的低温で、
ＣＶ Ｄ Ｓ ｉ Ｏ２を適当な厚さに付着し、更にそ
の上にプラズマＣＶＤによりＳｉＮ膜を適当な厚さで表
面のパッシベーションを施していた。
ッシベーションの構造は、先ず電極上に比較的低温で、
ＣＶ Ｄ Ｓ ｉ Ｏ２を適当な厚さに付着し、更にそ
の上にプラズマＣＶＤによりＳｉＮ膜を適当な厚さで表
面のパッシベーションを施していた。
チップの表面パッシベーションを行なう場合、チップ表
面電極のポンディングパッドの部分のみを窓あけし、他
の部分は全面に覆い、外部からの水分や不純物などの汚
れを防止している。
面電極のポンディングパッドの部分のみを窓あけし、他
の部分は全面に覆い、外部からの水分や不純物などの汚
れを防止している。
第３図は、従来の半導体装置の断面図である。
コレクタ領域１にベース領域２及びエミッタ領域３を形
成した後表面を熱酸化膜で覆い電極用窓あけを施した後
、Ａｆｆｉによりエミッタ電極４、及びベース電極５を
形成する。
成した後表面を熱酸化膜で覆い電極用窓あけを施した後
、Ａｆｆｉによりエミッタ電極４、及びベース電極５を
形成する。
しかる後にＣＶＤ５ｉ０２膜６を３００〜５００ｎｍ付
着する。
着する。
次にプラズマＣＶＤＳｉＮ膜７を３００〜５００ｎｍパ
ッシベーションする。
ッシベーションする。
最後にワイヤボンディングするエミッタ及びベースのポ
ンディングパッド上に窓あけを行なっていた。
ンディングパッド上に窓あけを行なっていた。
上述した従来の半導体装置はチップ表面パッシベーショ
ンの構造では、最近の小型樹脂封止型パッケージに於て
、パッケージ内部に侵入した水分がポンディングパッド
電極の表面に達し電気化学的な作用により、特に電極材
料がＡ（又はその合金等の場合には腐食が生じ易いとい
う欠点があった。
ンの構造では、最近の小型樹脂封止型パッケージに於て
、パッケージ内部に侵入した水分がポンディングパッド
電極の表面に達し電気化学的な作用により、特に電極材
料がＡ（又はその合金等の場合には腐食が生じ易いとい
う欠点があった。
即ちポンディングパッド電極はリードにボンディングを
行うために窓あけをしなければならず、電極が露出する
と言う致命的な問題がある。
行うために窓あけをしなければならず、電極が露出する
と言う致命的な問題がある。
本発明の目的は、この致命的な問題であるポンディング
パッド電極が多少露出しても耐湿性を飛躍的に向上させ
るチップ表面のパッシベーションｔｆ４造の半導体装置
を提供するものである。
パッド電極が多少露出しても耐湿性を飛躍的に向上させ
るチップ表面のパッシベーションｔｆ４造の半導体装置
を提供するものである。
本発明の半導体装置は、前記した従来の不具合な点を改
良するためにある。
良するためにある。
Ａｆｆｌ電極が形成された後、先ずＣＶＤ５ｉ０２を適
当な厚さに付着し、次いでプラズマＣＶＤＳｉＮをパッ
シベーションする。
当な厚さに付着し、次いでプラズマＣＶＤＳｉＮをパッ
シベーションする。
その上に更にポリイミド膜を付着する。
この場合ポンディングパッドの窓の大きさは、ワイヤボ
ンディングが可能なかぎり出来るだけ小さくする方が有
利である。
ンディングが可能なかぎり出来るだけ小さくする方が有
利である。
ポリイミド膜の厚さは実験によれば２〜３μｍあれば十
分に効果のあることが判明した。
分に効果のあることが判明した。
ポリイミド膜は吸湿性があり、樹脂又は樹脂とリードと
の隙間から侵入した水分をポリイミド膜が吸収する。
の隙間から侵入した水分をポリイミド膜が吸収する。
次に本発明の実施例について第１図から第３図を参照し
て説明する。
て説明する。
第１図は本発明の第１の実施例の断面図である。
コレクタ領域１にベース領域２及びエミッタ領域３を形
成した後、表面を熱酸化膜で覆い電極用窓あけを施した
後、Ａ１によりエミッタ電極４及びベース電極５を形成
する。
成した後、表面を熱酸化膜で覆い電極用窓あけを施した
後、Ａ１によりエミッタ電極４及びベース電極５を形成
する。
しカル後にＣＶＤ５ｉ０２膜６を３ｏｏ〜ら００ｎｍ付
着し、次いでプラズマＣＶＤＭ７を３゜Ｏ〜５００ｎｍ
をパッシベーションする。
着し、次いでプラズマＣＶＤＭ７を３゜Ｏ〜５００ｎｍ
をパッシベーションする。
その上に更に２〜３μｍのポリイミドｆｉ８を付着しチ
ップの表面パッシベーションする。
ップの表面パッシベーションする。
最後にワイヤボンディングするためエミッタ及びベース
のポンディングパッド電極用に窓あけを行なう。
のポンディングパッド電極用に窓あけを行なう。
この場合窓の大きさはボンディングワイヤーのボール径
と同等又は可能なかぎり小さくした方が耐湿性に優れて
いる。
と同等又は可能なかぎり小さくした方が耐湿性に優れて
いる。
第２図は本発明の第２の実施例の断面図である。
コレクタ領域１にベース領域２及びエミッタ領域３を形
成した後、表面を熱酸化膜で覆い電極用窓あけを施した
後、ＡＪによりエミッタ電極４及びベース電極５を形成
する。
成した後、表面を熱酸化膜で覆い電極用窓あけを施した
後、ＡＪによりエミッタ電極４及びベース電極５を形成
する。
しかる後に、ＣＶＤ５ｉ０２膜７を３００〜５００ｎｍ
付着し、その上にポリイミド膜８を２〜３μｍ付着しチ
ップ表面をパッシベーションする。
付着し、その上にポリイミド膜８を２〜３μｍ付着しチ
ップ表面をパッシベーションする。
最後にワイヤーをボンディングするエミッタ及びベース
のポンディングパッド上に窓あけを行なう。
のポンディングパッド上に窓あけを行なう。
以上説明した様に本発明は、チップ表面のパッシベーシ
ョン構造に起てプラズマＣＶＤ５ ｉ ＮＪｌｉの上に
更にポリイミド膜を付着せしめることにより、樹脂封止
型パッケージに収納されたチップのポンディングパッド
部が露出するＡ（電極を腐食から防止出来る効果が確認
された。
ョン構造に起てプラズマＣＶＤ５ ｉ ＮＪｌｉの上に
更にポリイミド膜を付着せしめることにより、樹脂封止
型パッケージに収納されたチップのポンディングパッド
部が露出するＡ（電極を腐食から防止出来る効果が確認
された。
即ち耐湿性の効果確認の試験として、プレッシャー・ク
ツカーテスト（ＰＣＴ）を行ない、従来構造と本発明に
より構造とを比較した結果、本発明によるパッシベーシ
ョン構造では２５０′″までポンディングパッドのＡｆ
電極の腐食は見られなかった。
ツカーテスト（ＰＣＴ）を行ない、従来構造と本発明に
より構造とを比較した結果、本発明によるパッシベーシ
ョン構造では２５０′″までポンディングパッドのＡｆ
電極の腐食は見られなかった。
しかし従来例の構造では１００ＨぐらいがらＡ、１２ｒ
Ｋ食の傾向が現われ、２５０Ｈで激しく腐食された。
Ｋ食の傾向が現われ、２５０Ｈで激しく腐食された。
従って、本発明のチップ表面に於けるパッシベーション
構造は、特に小型の樹脂封止型半導体パッケージに於て
、耐湿性を向上させる方法として有効である。
構造は、特に小型の樹脂封止型半導体パッケージに於て
、耐湿性を向上させる方法として有効である。
第１図は本発明の第１の実施例の断面図、第２図は本発
明の第２の実施例の断面図、第３図番ま従来の半導体装
置の断面図である。 １・・・コレクタ領域、２・・・ベース領域、３・・・
エミッタ領域、４・・・エミッタ電極、５・・・ベース
電極、６・・・ＣＶ Ｄ Ｓ ｉ Ｏ２膜、７・・・プ
ラズマＣＶＤＳｉＮ膜、８・・・ポリイミド膜。
明の第２の実施例の断面図、第３図番ま従来の半導体装
置の断面図である。 １・・・コレクタ領域、２・・・ベース領域、３・・・
エミッタ領域、４・・・エミッタ電極、５・・・ベース
電極、６・・・ＣＶ Ｄ Ｓ ｉ Ｏ２膜、７・・・プ
ラズマＣＶＤＳｉＮ膜、８・・・ポリイミド膜。
Claims (1)
- 半導体チップの表面パッシベーションにおいて、プラ
ズマＣＶＤＳｉＮ膜の上にポリイミド膜をパッシベーシ
ョンすることを特徴とするチップ表面の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7229288A JPH01244624A (ja) | 1988-03-25 | 1988-03-25 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7229288A JPH01244624A (ja) | 1988-03-25 | 1988-03-25 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01244624A true JPH01244624A (ja) | 1989-09-29 |
Family
ID=13485048
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7229288A Pending JPH01244624A (ja) | 1988-03-25 | 1988-03-25 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01244624A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5147822A (en) * | 1988-08-26 | 1992-09-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Plasma processing method for improving a package of a semiconductor device |
| US6756670B1 (en) | 1988-08-26 | 2004-06-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device and its manufacturing method |
-
1988
- 1988-03-25 JP JP7229288A patent/JPH01244624A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5147822A (en) * | 1988-08-26 | 1992-09-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Plasma processing method for improving a package of a semiconductor device |
| US6756670B1 (en) | 1988-08-26 | 2004-06-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device and its manufacturing method |
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