JPS58140182A - 回路基板 - Google Patents
回路基板Info
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- JPS58140182A JPS58140182A JP2308382A JP2308382A JPS58140182A JP S58140182 A JPS58140182 A JP S58140182A JP 2308382 A JP2308382 A JP 2308382A JP 2308382 A JP2308382 A JP 2308382A JP S58140182 A JPS58140182 A JP S58140182A
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- JP
- Japan
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- circuit
- layer
- conductive
- foil
- circuit board
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- Insulated Metal Substrates For Printed Circuits (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、回路基板に関する。
従来の例えば可撓性回路基板としては、第１図に示すよ
うに可撓性樹脂基材（１）の片ｒＮ Ｋ Ｃｕ箔を貼り
１選択エツチングにより回路（２）を形成してなる片面
回路基板、或は第２図に示すように可撓性樹脂基材（１
） ［スルーホール（３）（設け、そのスルーホール＋
３） Ｋ、スルーホールメッキこの場合鋼メッキ（４）
ヲ施して両面のＣｕ箔による回路（２）及び（２′）を
依続してなる両面回路基板等が知られている。
うに可撓性樹脂基材（１）の片ｒＮ Ｋ Ｃｕ箔を貼り
１選択エツチングにより回路（２）を形成してなる片面
回路基板、或は第２図に示すように可撓性樹脂基材（１
） ［スルーホール（３）（設け、そのスルーホール＋
３） Ｋ、スルーホールメッキこの場合鋼メッキ（４）
ヲ施して両面のＣｕ箔による回路（２）及び（２′）を
依続してなる両面回路基板等が知られている。
これらの可撓性回路基板においては、半田付けにより抵
抗器、コンデンサ、半導体集積回路（ｒｅ）等の部品を
実装する場合、耐熱性を有する０Ｔ浣性＃脂基材（１）
Ｙ用いないと基材全体が熱変形（彎曲、収縮等）して
しまう。可撓性樹脂の中で耐熱性な有する樹脂は少なく
、従って半田耐熱性、機械的強度、屈曲性等を考慮する
と基材（１）に使用する樹脂は限られる。例えば半田耐
熱性を有する樹脂とし【はポリエステル、３弗化り０μ
エチレン、弗化ビニル、ボリア電ド、ポリエチレン等で
ある。そこで、可撓性樹脂基材（１）としては耐熱性に
乏しい樹脂でも使用できることが望まれている。
抗器、コンデンサ、半導体集積回路（ｒｅ）等の部品を
実装する場合、耐熱性を有する０Ｔ浣性＃脂基材（１）
Ｙ用いないと基材全体が熱変形（彎曲、収縮等）して
しまう。可撓性樹脂の中で耐熱性な有する樹脂は少なく
、従って半田耐熱性、機械的強度、屈曲性等を考慮する
と基材（１）に使用する樹脂は限られる。例えば半田耐
熱性を有する樹脂とし【はポリエステル、３弗化り０μ
エチレン、弗化ビニル、ボリア電ド、ポリエチレン等で
ある。そこで、可撓性樹脂基材（１）としては耐熱性に
乏しい樹脂でも使用できることが望まれている。
同時に、可撓性回路基材においては耐熱性及びシールド
効果なもたせて高密度化した多層回路基板の出現も望ま
れている。
効果なもたせて高密度化した多層回路基板の出現も望ま
れている。
一方、放熱性にすぐれた回路基板としては、例えば第３
図に示すように金属基板（５）の表面全面にエポキシ樹
脂のような絶縁性樹脂（６）を被覆し、両面に夫々Ｃ詳
箔による回路（２）及び（１）ヲ形成し、且つ両回路（
２）及び（２’）ｔ−スルーホール（３）内のスルーホ
ールメッキ（４）によって接続して成る両面回路基板が
ある。しかし、この金属基板を用いた両面回路基板にお
いては、スルーホール（３）内面の樹脂の被覆か不完全
であるとスルーホールメンキ（４）を介して回路（２）
（わと金属基板（５）か短絡する惰れが生じ、またスル
ーホール（３）内面の樹脂（６）を均一な厚さで被覆す
ることが難かしく、スルーホールの中央部か厚付きとな
り、孔径の小さいスルーホールではそのスルーホール（
３）か塩まってしまう等、回路の高密度化には不適であ
った。また製造に際してはメツキエ１１を必要とするの
で、液管理、排液処理、絶縁樹脂のピンホールな通して
の金属基板（６）の浸食の防止等の問題もあり製造が煩
雑であった。さらに、金属基板（５）か樹Ｊｌ（６）で
覆われているため、導体でありながら回路として利用で
きないばかりか、電気回路的に４不安定要素となり【回
路（２） （２’） ［悪影響な与えていた。
図に示すように金属基板（５）の表面全面にエポキシ樹
脂のような絶縁性樹脂（６）を被覆し、両面に夫々Ｃ詳
箔による回路（２）及び（１）ヲ形成し、且つ両回路（
２）及び（２’）ｔ−スルーホール（３）内のスルーホ
ールメッキ（４）によって接続して成る両面回路基板が
ある。しかし、この金属基板を用いた両面回路基板にお
いては、スルーホール（３）内面の樹脂の被覆か不完全
であるとスルーホールメンキ（４）を介して回路（２）
（わと金属基板（５）か短絡する惰れが生じ、またスル
ーホール（３）内面の樹脂（６）を均一な厚さで被覆す
ることが難かしく、スルーホールの中央部か厚付きとな
り、孔径の小さいスルーホールではそのスルーホール（
３）か塩まってしまう等、回路の高密度化には不適であ
った。また製造に際してはメツキエ１１を必要とするの
で、液管理、排液処理、絶縁樹脂のピンホールな通して
の金属基板（６）の浸食の防止等の問題もあり製造が煩
雑であった。さらに、金属基板（５）か樹Ｊｌ（６）で
覆われているため、導体でありながら回路として利用で
きないばかりか、電気回路的に４不安定要素となり【回
路（２） （２’） ［悪影響な与えていた。
本発明は、上述の点に鑑みてなされたものであり、放熱
性、耐熱性の向上、シールド効果、さらに回路の高密度
化等を可能にした信頼性の高い回路基板を提供せんとす
るものである。
性、耐熱性の向上、シールド効果、さらに回路の高密度
化等を可能にした信頼性の高い回路基板を提供せんとす
るものである。
以下、図面に基づいて本発明による回路基板の実施例を
説明する。
説明する。
第４図は本発明な可撓性回路基板に適用した場合の一実
施例である。本例においては、可撓性樹脂フィルム例え
ばポリエチレン樹脂フィルム（７）の両面に夫々−画に
接着剤ａ４な付した可撓性の導電箔（８） （８’）
’ｔ’う（ネートシ、その上面の導電箔（８）のみな選
択エツチングし【所定パターンの回路（２）ｌｋ’形成
する。また、必要に応じて回路（２）の所定の接続部よ
り下面の導電箔Ｃｆ）Ｋ通ずる透孔部を形成してはとめ
、牛田、導電ペースト等の導電材Ｑｌｋ介して、上置の
回路（２）ｔ−下面導電箔（８’）Ｋ導通させ、この導
電箔（ｌＩ’）をアース回路として利用する。
施例である。本例においては、可撓性樹脂フィルム例え
ばポリエチレン樹脂フィルム（７）の両面に夫々−画に
接着剤ａ４な付した可撓性の導電箔（８） （８’）
’ｔ’う（ネートシ、その上面の導電箔（８）のみな選
択エツチングし【所定パターンの回路（２）ｌｋ’形成
する。また、必要に応じて回路（２）の所定の接続部よ
り下面の導電箔Ｃｆ）Ｋ通ずる透孔部を形成してはとめ
、牛田、導電ペースト等の導電材Ｑｌｋ介して、上置の
回路（２）ｔ−下面導電箔（８’）Ｋ導通させ、この導
電箔（ｌＩ’）をアース回路として利用する。
その後、チップ部品（抵抗器、コンデンサ、ＩＣ等）
（９） ｔ’半田付けにより装着する。なお１本発明に
使用される導電箔（＆）、（ぎ）としては、り箔、抛箔
、Ａｇ箔、Ｎｉ箔、ステンレス箔、Ｐｂ ＠、Ｔ１箔な
どがあるｄこの可撓性回路基板によれば、回路（ｌｔ−
支持する樹脂フィルム（７）の裏面に回路（２）の導電
箔と同じ導電箔（８’）ｔ＃設け、この導電箔（８′）
によって樹脂フィルム（７） ｔ−保護しているので、
樹脂フィルム（７）の半田耐熱性１機械的強度及び屈曲
性等が大中に向上する。このため、樹Ｎフィルム（７）
としては、特に耐熱性を要求しなくとも、多少耐熱性忙
乏しい樹脂フィルム、あるいは耐熱性はあっても機械的
強度が弱いとか屈曲性に乏しい桐脂フィルムでも使用す
ることが可能となり、樹脂フィルム（７）Ｋ用いる樹脂
材の選択の範囲が広がり製造な容易にする。さらに、１
面の導電箔（８つが部品（９）の発熱な吸収する放熱体
として作用し、また導電箔（８′）かアースとして利用
できるので、シールド効果によって回路の電位を安定に
する等。
（９） ｔ’半田付けにより装着する。なお１本発明に
使用される導電箔（＆）、（ぎ）としては、り箔、抛箔
、Ａｇ箔、Ｎｉ箔、ステンレス箔、Ｐｂ ＠、Ｔ１箔な
どがあるｄこの可撓性回路基板によれば、回路（ｌｔ−
支持する樹脂フィルム（７）の裏面に回路（２）の導電
箔と同じ導電箔（８’）ｔ＃設け、この導電箔（８′）
によって樹脂フィルム（７） ｔ−保護しているので、
樹脂フィルム（７）の半田耐熱性１機械的強度及び屈曲
性等が大中に向上する。このため、樹Ｎフィルム（７）
としては、特に耐熱性を要求しなくとも、多少耐熱性忙
乏しい樹脂フィルム、あるいは耐熱性はあっても機械的
強度が弱いとか屈曲性に乏しい桐脂フィルムでも使用す
ることが可能となり、樹脂フィルム（７）Ｋ用いる樹脂
材の選択の範囲が広がり製造な容易にする。さらに、１
面の導電箔（８つが部品（９）の発熱な吸収する放熱体
として作用し、また導電箔（８′）かアースとして利用
できるので、シールド効果によって回路の電位を安定に
する等。
信頼性の高い可撓性回路基板か得られる。
次に、！５図は本発明の他の実施例であり、可絢性多層
回路基板に適用した場合である。本例におい【は、可撓
性樹脂フィルム餌えはポリエステルＳｋフィルムＵυの
両面に夫々接着剤α４’ｌｋ付した導電箔（８）及び（
８’）１に接着し、上面の導電箔（８）のみな選択エツ
チングして纂１層回路（２人）を形成する。続いて第１
層回路（２Ａ） Ｋ必要部分（接続部分）を除いて絶縁
樹Ｍ！０な被覆した後、接着剤（１４）を付した導電箔
な接着する。その後、接着剤（１４１を電子ｉ１により
硬化させ（電子線は導電ｆ１１ｉ１に通過して接着剤［
ｊｉｌ射される）、導電箔に選択エツチング処理な施し
【第２層回路（２Ｂ）を形成する。そして、嬉１層回路
（２Ａ）とＩ１２層回路（２Ｂ）間の接続部、所一層間
接続部にその嬉２層回路（２Ｂ） Ｋ設ケたスルーホー
ルな通じ【導電材ｒＡ′０な充填して。
回路基板に適用した場合である。本例におい【は、可撓
性樹脂フィルム餌えはポリエステルＳｋフィルムＵυの
両面に夫々接着剤α４’ｌｋ付した導電箔（８）及び（
８’）１に接着し、上面の導電箔（８）のみな選択エツ
チングして纂１層回路（２人）を形成する。続いて第１
層回路（２Ａ） Ｋ必要部分（接続部分）を除いて絶縁
樹Ｍ！０な被覆した後、接着剤（１４）を付した導電箔
な接着する。その後、接着剤（１４１を電子ｉ１により
硬化させ（電子線は導電ｆ１１ｉ１に通過して接着剤［
ｊｉｌ射される）、導電箔に選択エツチング処理な施し
【第２層回路（２Ｂ）を形成する。そして、嬉１層回路
（２Ａ）とＩ１２層回路（２Ｂ）間の接続部、所一層間
接続部にその嬉２層回路（２Ｂ） Ｋ設ケたスルーホー
ルな通じ【導電材ｒＡ′０な充填して。
層間接続な行う０層間な導通させるための導電材αηと
し【は、Ｇａ合金（当初作業温ｌＬにおいてペースト状
ｔなし、その後経時的に合金化し凝■する）、Ａｇペー
スト、Ｃｕペースト、カーボンペースト等の印刷可能の
導電性物質な使用する。さらＫＩ２層回路（２Ｂ） Ｋ
チップ部品（９）を半田付け（半田ζ【、湊融半田ディ
ップ等）Ｋより装着する。
し【は、Ｇａ合金（当初作業温ｌＬにおいてペースト状
ｔなし、その後経時的に合金化し凝■する）、Ａｇペー
スト、Ｃｕペースト、カーボンペースト等の印刷可能の
導電性物質な使用する。さらＫＩ２層回路（２Ｂ） Ｋ
チップ部品（９）を半田付け（半田ζ【、湊融半田ディ
ップ等）Ｋより装着する。
なお、υは下面の導電箔（ＩＩ’）ｌ！面に被着させた
例えばエポキシ樹Ｊ１１＃／ｃよる絶縁樹脂層、（１５
は第２層−路（２Ｂ）上に被着したソルダーレジストな
兼ねる絶縁樹脂層である。
例えばエポキシ樹Ｊ１１＃／ｃよる絶縁樹脂層、（１５
は第２層−路（２Ｂ）上に被着したソルダーレジストな
兼ねる絶縁樹脂層である。
この第２層回路（２Ｂ）の上に、更に同様の方法により
、即ちＩＩ！ｌ縁樹脂０を介して接着剤付導電箔を積層
し回路を形成し【、所望の数の回路層を有する多層回路
基板な製作することもできる。
、即ちＩＩ！ｌ縁樹脂０を介して接着剤付導電箔を積層
し回路を形成し【、所望の数の回路層を有する多層回路
基板な製作することもできる。
また、第Ｓ図の実施例におい【も、第４図の実施的の場
合と同じく基板に設けた透孔部の導電材を介して、上面
の回路な下面導電箔（８りに導通させ、この導電ｒ（ａ
ｃｅ”）をアース回路とすることもできる。
合と同じく基板に設けた透孔部の導電材を介して、上面
の回路な下面導電箔（８りに導通させ、この導電ｒ（ａ
ｃｅ”）をアース回路とすることもできる。
かかる可撓性多層回路基板に於ても、第４図の場合と同
様に樹脂フィルム（ｌυの裏面に導電箔（８′）か一体
に設けられていることによって、樹脂フィルムσυの半
田耐熱性１機械的強度、屈曲性等が向上し、製造に際し
てのｗ脂フィルムＱ１）の選択の自由度が増す、また導
電箔ＣＷ）Ｋよって放熱効果が増し、且つ導電Ｓ（８’
）をアース回路として使用することができる。加えて、
接着剤付きの導電箔な絶縁樹脂な介して積層して複数の
回路層を形成するので、高密度回路の形成か可能となり
、また従来に比して製造が容易で信頼性の高い可撓性多
層回路基板が得られる。
様に樹脂フィルム（ｌυの裏面に導電箔（８′）か一体
に設けられていることによって、樹脂フィルムσυの半
田耐熱性１機械的強度、屈曲性等が向上し、製造に際し
てのｗ脂フィルムＱ１）の選択の自由度が増す、また導
電箔ＣＷ）Ｋよって放熱効果が増し、且つ導電Ｓ（８’
）をアース回路として使用することができる。加えて、
接着剤付きの導電箔な絶縁樹脂な介して積層して複数の
回路層を形成するので、高密度回路の形成か可能となり
、また従来に比して製造が容易で信頼性の高い可撓性多
層回路基板が得られる。
第５図の実施例の下面導電箔（ぎ）は、普通のシート状
の導電箔でも良いか、第６図Ａのようなスリン） （１
！又は第６図Ｂのような小孔（あるいは凹部）αｎｔ−
設けても良い。金属基材でもある導電箔（Ｗ）Ｋこのよ
うな加工な施すことによって、チップ部品（（ホ）を半
田付けする際、熱による導電箔層の膨れの発生を防止す
ることかできる。
の導電箔でも良いか、第６図Ａのようなスリン） （１
！又は第６図Ｂのような小孔（あるいは凹部）αｎｔ−
設けても良い。金属基材でもある導電箔（Ｗ）Ｋこのよ
うな加工な施すことによって、チップ部品（（ホ）を半
田付けする際、熱による導電箔層の膨れの発生を防止す
ることかできる。
本発明の他の実施例とＬでは、第７図Ａ及びＢに示すよ
うに、接着剤（Ｉ４（アクリルウレタン、エポキシウレ
タン、ブチフルフェノール、エポキシアクリル、エポキ
シナイロンなど）付きの導電箔（８１ヒ（８’） Ｊ４
±ｔ’貼す合りセ、 １６０〜１９０℃ノ加熱胃−ルＵ
４により圧接し、接着剤α４ｔ−電子ＩＩ（２１（！５
０ＫＶ）ｉｃよる硬化又は加熱により硬化させ、この接
着剤０層か絶縁基材となつ【１両面に導電箔（８）及び
（８′）か形成された基材Ｑυで得る。そして、この基
材な１に対して、上記各実施例に示す方法に従つ【所望
の可撓性回路基板な製作する。この構成による可撓性回
路基板によれば、硬化後の接着剤ａ４の層が可撓性絶縁
基材となるので、樹脂フィルムか省略されるより安価に
製造できる。
うに、接着剤（Ｉ４（アクリルウレタン、エポキシウレ
タン、ブチフルフェノール、エポキシアクリル、エポキ
シナイロンなど）付きの導電箔（８１ヒ（８’） Ｊ４
±ｔ’貼す合りセ、 １６０〜１９０℃ノ加熱胃−ルＵ
４により圧接し、接着剤α４ｔ−電子ＩＩ（２１（！５
０ＫＶ）ｉｃよる硬化又は加熱により硬化させ、この接
着剤０層か絶縁基材となつ【１両面に導電箔（８）及び
（８′）か形成された基材Ｑυで得る。そして、この基
材な１に対して、上記各実施例に示す方法に従つ【所望
の可撓性回路基板な製作する。この構成による可撓性回
路基板によれば、硬化後の接着剤ａ４の層が可撓性絶縁
基材となるので、樹脂フィルムか省略されるより安価に
製造できる。
第８図は零発＃４による更に他の実施例な示す。
本例におい【は、金属基板（財）の両面に例えばエポキ
シ系等の絶＊＊ｍ層ｇ４を印刷し、その一方の面の絶縁
樹脂層Ｑ上に接着剤ａ４付きの導電箔（８１’にラミネ
ートし、この導電箔（８）を選択エツチングして第１層
回路ｃ（１４を形成する。この場合縞１層回路費の一部
に透孔ｓな形成してこの透孔部内に導電材Ｑ７）な充填
して第１層回路ｇａｔ金属基板Ｃυに導通させることも
可能である。次に第１層回路關上にさらに絶＊＃ｊｉ層
−を印刷し、この絶縁樹脂層−上に接着剤０尋付きの導
電箔（８）なう電ネートし、選択エツチングして第２層
回路μｓを形成し、第２層回路（至）Ｋ設けた透孔部内
に導電材α？）を充填して第２層回路（至）を第１層回
路ｇｓに導通させる。以下同様にし【所望の数の回路層
を形成し、最上層の回路（至）にチップ部品（９）七半
田付けする。なお最外層の導電材αη上はトップ；−ト
（資）で被覆し、また最上層の回路（至）は接続部分な
除いてソルダーレジスト層間で被覆する。第８図の例で
は金属基板Ｃυの片面上に多層ｎａｇを形成したが、適
当な導通なとることによって金属基板Ｃ１υの両側に夫
々多層回路な形成することも可能である。
シ系等の絶＊＊ｍ層ｇ４を印刷し、その一方の面の絶縁
樹脂層Ｑ上に接着剤ａ４付きの導電箔（８１’にラミネ
ートし、この導電箔（８）を選択エツチングして第１層
回路ｃ（１４を形成する。この場合縞１層回路費の一部
に透孔ｓな形成してこの透孔部内に導電材Ｑ７）な充填
して第１層回路ｇａｔ金属基板Ｃυに導通させることも
可能である。次に第１層回路關上にさらに絶＊＃ｊｉ層
−を印刷し、この絶縁樹脂層−上に接着剤０尋付きの導
電箔（８）なう電ネートし、選択エツチングして第２層
回路μｓを形成し、第２層回路（至）Ｋ設けた透孔部内
に導電材α？）を充填して第２層回路（至）を第１層回
路ｇｓに導通させる。以下同様にし【所望の数の回路層
を形成し、最上層の回路（至）にチップ部品（９）七半
田付けする。なお最外層の導電材αη上はトップ；−ト
（資）で被覆し、また最上層の回路（至）は接続部分な
除いてソルダーレジスト層間で被覆する。第８図の例で
は金属基板Ｃυの片面上に多層ｎａｇを形成したが、適
当な導通なとることによって金属基板Ｃ１υの両側に夫
々多層回路な形成することも可能である。
この金属基板な有した多層回路基板によれば、金属基板
６υ自体にスルーホールな形成しないので。
６υ自体にスルーホールな形成しないので。
金属基板ａυと之に対して絶縁すべき回路層、（至）等
との短終事故は生じえない、・そして、絶縁ｍｔｒ層關
及び接着剤ａ４付の導電箔（８）を順次積層するととに
よって多層回路が容易に形成でき、しかも篇３図のよう
にスルーホール内の絶縁樹脂の被覆が存在しないので、
層間接続部での透孔部の孔径が制限な受けず、従って回
路の高密度化が図れる。また導電材ａ″Ｄの充填によつ
′ｃＩ１１層回路（至）と金属基板６υとの導通がとれ
るので、金属基板ｃｌυｔアース回路とし【利用できる
。この金属基板Ｃυｔアース回路として利用すれば、高
性能なシールド効果か得られ、各層回路に対する電気的
悪影響が回避される。勿論この金属基板０υによって放
熱効果も充分得られる。
との短終事故は生じえない、・そして、絶縁ｍｔｒ層關
及び接着剤ａ４付の導電箔（８）を順次積層するととに
よって多層回路が容易に形成でき、しかも篇３図のよう
にスルーホール内の絶縁樹脂の被覆が存在しないので、
層間接続部での透孔部の孔径が制限な受けず、従って回
路の高密度化が図れる。また導電材ａ″Ｄの充填によつ
′ｃＩ１１層回路（至）と金属基板６υとの導通がとれ
るので、金属基板ｃｌυｔアース回路とし【利用できる
。この金属基板Ｃυｔアース回路として利用すれば、高
性能なシールド効果か得られ、各層回路に対する電気的
悪影響が回避される。勿論この金属基板０υによって放
熱効果も充分得られる。
尚、ｍｓ図の実施例におい【、金属基板ｇυの一部な折
曲げる等して金属基板６Ｘｌをシャーシとして使用する
ことも可能である。
曲げる等して金属基板６Ｘｌをシャーシとして使用する
ことも可能である。
上述せる如（本発明によれば、可撓性回路基板あるいは
金属ベースとした回路基板において、共に信頼性の高い
回路基板か容易に得られるものであり、特に高密度多層
回路基板に適用して好適ならしめるものである。
金属ベースとした回路基板において、共に信頼性の高い
回路基板か容易に得られるものであり、特に高密度多層
回路基板に適用して好適ならしめるものである。
第１図乃至第３図は従来の回路基板の断面図、第４図及
び第５図は夫々本発明に基づく回路基板の実施例な示す
断面図、第６図Ａ、Ｂは夫々スリット及び小孔か設けら
れた金属基材の平面図、Ｉ！７図Ａ、Ｂは夫々本発明の
他の実ｔＩＩＡ例に基づく金輌箔と絶縁層の積層基材を
得る工Ｓｔ−示す略図及び拡大断面図、第８図は本発明
に基づく回路基板のさらに他の実施例を示す断面図であ
る。 （２１（２ＡＸ２Ｂ）は回路、（８）、（的は金属箔、
（７） 、 （：ｉυは可撓性樹脂フィルムである。 第１図 第２図 ２′ 第３図 。 第４図 第５図 第７日 第８ Ｌｌ
び第５図は夫々本発明に基づく回路基板の実施例な示す
断面図、第６図Ａ、Ｂは夫々スリット及び小孔か設けら
れた金属基材の平面図、Ｉ！７図Ａ、Ｂは夫々本発明の
他の実ｔＩＩＡ例に基づく金輌箔と絶縁層の積層基材を
得る工Ｓｔ−示す略図及び拡大断面図、第８図は本発明
に基づく回路基板のさらに他の実施例を示す断面図であ
る。 （２１（２ＡＸ２Ｂ）は回路、（８）、（的は金属箔、
（７） 、 （：ｉυは可撓性樹脂フィルムである。 第１図 第２図 ２′ 第３図 。 第４図 第５図 第７日 第８ Ｌｌ
Claims (1)
- 金属基材の一面に所要の絶縁層を介して接着剤付き導電
箔を積層して成る回路基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2308382A JPS58140182A (ja) | 1982-02-16 | 1982-02-16 | 回路基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2308382A JPS58140182A (ja) | 1982-02-16 | 1982-02-16 | 回路基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58140182A true JPS58140182A (ja) | 1983-08-19 |
Family
ID=12100517
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2308382A Pending JPS58140182A (ja) | 1982-02-16 | 1982-02-16 | 回路基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58140182A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01307236A (ja) * | 1988-05-26 | 1989-12-12 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 電子デバイス組立体及びその製造方法 |
-
1982
- 1982-02-16 JP JP2308382A patent/JPS58140182A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01307236A (ja) * | 1988-05-26 | 1989-12-12 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 電子デバイス組立体及びその製造方法 |
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