JPS5814130A - 像形成物品 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は像形成系、特に写真の分野で有用な像形成系に
関する。今日、多くの像形成材料及び像形成技術が商業
的に利用されている。之等の技術の最も有用なものは、
像の簡単な再生を可能にする感光性能力をもつ傾向があ
る。之は特にマイクログラフ及び写真技術の分野に当て
はまる。

最も普通に用いられる像形成系はノ・ロデン化乳剤法、
ジアゾニウム塩法或は光重合性組成物法に基いている。

之等種々の装置は夫々の利点及び問題をもっている。

ハロゲン化錫の膜は最も広く用いられている写真材料で
ある。之等の膜は大きな解像力、大きな像形速度及び性
能の一貫性を示す。しかし銀の値段が上っているため、
ノ・ロデン化銀を用いた系は経済的に不利になりつつあ
る。ノ・ロデン化銀の膜は、処理に多くの工程を必要と
すること、不安定な処理溶液を必要とすること、及び形
状の安定拌を欠くことを含めた他の欠点も有する。

ジアゾ塩組成物を用いた像形成系は大きな解像らなシ、
最大光学密度或は得られる像の色に制約を与え、望まし
い密度よシ高い最低密度を与える傾があり、屡々コント
ラストが低い欠点を有する。

熱的に現像できるジアゾニウム塩系が市場で入手できる
が、多くのジアゾニウム塩像形成系は依然としてアンモ
ニア現像に頼っており、それはアンモニアのため閉され
た環境中で作業することがむづかしいため望ましくない
。ジアゾ像は屡々染料からなシ、マイクログラフ的な内
容からは記録保管性であるとは考えられない。

光重合性（ｐｈｏｔｏｐｏｌｙｍｅｒｉｃ　）像形系は
安く且つ作シ易い。しかし之等の系は通常光重合性層に
光学的密度を与える不透明化剤を入れることに依存する
。不透明化剤は感光性層の感度を減する傾向がある。

最近当分野に導入されている系の一つの種類は、基材の
少なくとも一つの表面上に粗い金属層をつけ、その層を
金属又は合金の層で被覆し、次に感光性レジスト組成物
で被覆したものからなる。この種の技術は米国特許第４
，１３８．２６２号に例示されておシ、この場合ビスマ
ス層を基材上にスパッターで付着させ、ビスマス又はビ
スマスの合金の連続的高光学密度の層を、そのスパッタ
ー付着させた金属層上に真空蒸着させ、表面に高度に不
透明の外観を与えている。この系は先ずホトレジスト層
を像状に露光し、次にホトレジスト材料を像状に溶解し
て金属の下層を露出する二工程で現像される。露出され
た金属又は合金は第二工程で食刻除去する。ホトレジス
ト側から見ると、之は透明背景上に黒色金属像を与える
。反対側から見ると、之は透明背景上に輝いた金属層を
与える。

この系は二つの別の金属被覆工程を必要とし、二つの現
像溶液を必要とする。一つはホトレジスト用、他は金属
又は合金不透明性層側である。この開示された系は用い
ることができる金属にも制約を受ける。全綱又は金属化
した基材上にホトレジスト層を用いる他の系が英国特許
第１，４６８，７４６号に記載されており、この場合は
金属の基材をホトレジスト材料で被覆している。マイク
ロフオーム（ｍｉＱｒｏｆｏｒｍ）用像に特に望ましく
、優れた縁鮮明性及び大きな解像力をもつフィルムが示
されている。この系は実質的に純粋な金属の特徴をもつ
組成物の下に異なった層として複数の金属の組み合せ、
又は複数の金属及び金属酸化物の異なった層の組み合せ
を用いた像形成系を示している。後者の特許は特に基材
の少なくとも一つの表面、ヒに、アルミニウム箔層、酸
化アルミニウム層及びホトレジスト組成物をつけたもの
からなる像形成系を示している。この系は酸化アルミニ
ウム層の感光性重合体層への結合が悪く、それらの層が
現像中に剥れ、特にホトレジスト材料と共に普通に用い
られているアルカリ性水性現像剤によって剥離を起すと
いう欠点を有する。金属と金属酸化物層との間の結合部
は、それが形成されている仕方のため金属から金属酸化
物への鋭い不連続的転移部を有する。

米国特許第４，１５８．０７９号には基材、アルミニウ
ム箔層、酸化アルミニウム層及びホトレジスト層からな
る別の体形用複合体が記載されている。

アルミニウム箔層は接着剤によって基材に接着されてお
り、酸化アルミニウム層は箔の陽極酸化にによって製造
されている。複合体の光学的密度は、ホトレジストを適
用する前に酸化アルミニウム層に着色材料を添加するこ
とによって増大させる。

この複合体は基材の製造に多くの工程を必要としく積層
化及び陽極酸化の両方）、着色材料を酸化アルミニウム
層へ添加した時、その層の気孔を満し、ホトレジスト層
のその表面への結合能力を減するという点で欠点を有す
る。

本発明は、種々の高さ及び形をもつ無作為的な位置にあ
るばらばらな複数の突起で、４０ｎｍ以上で吸収輻射線
の波長以下、即ち１５００　ｎｍ以下、好ましくは８０
０　ｎｍよシ小さく、最も好ましくは６００　ｎｍより
小さい高さく好ましくは半均の高）を有し、実質的に全
ての隣接した突起の基底に接触する基底を有し、仮えあ
ったとしても平らな表面は極めてわずかしか与えない突
起を特徴とする微細構造の表面を有する実質的に輻射線
を吸収する金属層上にホトレジスト層をつけたものから
なる像形成可能なフィルムを与える。突起のチッゾ即ち
先端は一般に３〜５００　ｎｍの範囲の距離だけ離れて
いる。先端間の平均間隔は突起の平均高さの２倍以下に
することができ、好ましくは平均高さの半分以下である
。先端間の最も好ましい平均間隔は、突起の平均高さの
済０〜％の範囲にある。

好ましい具体例として、本発明の物品は基材と、微細構
造の金属酸化物層及び少なくとも一種類の金属の薄い膜
の表面被覆からなる。第二の具体例として、本発明の物
品は少なくとも一種類の金属の薄い膜で覆われたプラス
チックの如き材料の微細構造の複写複合体表面を有する
。第三の具体例として、物品は金属の複写微細構造表面
を有する。

好ましい具体例として本発明の物品は、実質的にどのよ
うな構造、即ち透明或は不透明、絶縁性、半導性或は金
属性のものでもよい基材で、平坦、弯曲、或は複雑な形
をもち、アルミニウム、マグネシウム、亜鉛、或はそれ
らの合金からなる群から選択された金属の非吸収性金属
酸化物（酸化物−水酸化物混合物を含む）被覆を有する
基材からカる。酸化物層は金属又は合金の薄い膜を実質
的に完全に転化することによって形成することができ、
その転化前の薄膜の厚さは５〜２００　ｎｍの範囲にあ
る。薄膜の厚さは物品の表面上でそれらの範囲内で変化
していてもよい。従って出発薄膜の厚さを注意深く制御
する必要はない。酸化物の層は、種々の高さ及び形をも
つ無作為的に位置するばらばらな複雑な突起で、基材の
表面から２０ｎｍ以上、吸収される輻射線の波長以下、
即ち１．５００ｎｍ以下の距離伸びておｐ、基底が、隣
接する突起の各々の基底と実質的に接触しているおり、
その金属被覆の外側表面は谷と酸化物層の表面娩構造の
形に実質的に一致しているが、空腔の空間が完全に満さ
れることはない。そのようにつくられた物品は、７０％
〜９８チの範囲の全太陽光吸収率を示す。

好ましい具体例の吸収性表面を生成させる方法は、基材
上に微細構造の層を形成し、（その方法は米国特許第４
．２５２．８４３号に記載されており、参考としてここ
に記載しである）、次に微細構造上に金属の薄い層を付
着させる工程からなるが、後の工程は、付着させた材料
が該構造に一致し、付着材料の膜の外側表面に下のトポ
グラフィ−（ｔｏｐｏｇｒａｐｈｙ）が精確に複写され
るようなやり方で行う。

別法として金属酸化物層の微細構造は、第二部材の表面
−＼複写され、その複写された微細構造の表面に４０　
ｎｍ〜２００　ｎｍの厚さの少なくとも一種類の金属の
薄膜を被覆し、輻射線吸収性物を形成するようにしても
よい。もし複写表面自体が本発明の教示に従う微細構造
をもつ金属であるならば、それは被覆する必要はないが
、同じ又は異なった金属の薄い膜で覆ってもよい。

「微細構造」という言葉は、金属の薄膜を化学的又は化
学・電気化学的方法によって酸化物又は水酸化物の層へ
変化させた結果生じたざらざらな組織的構造をもたせた
トポグラフィ−又はその複写物を１°う。

１ 基材は実質的にどんな材料でもよい。生成物の用途に従
って、選択される基材はセラミック、ガラス、金属、重
合体、繊維物質等々になるであろう。基材として重合体
材料を用いるのが好ましいが、本発明では透明及び不透
明の熱可塑性及び熱硬性フィルムのいずれを用いてもよ
い。熱可塑性重合体、特に二軸配向フィルムが、折れや
裂けに対する抵抗性が比較的大きいため一般に好ましい
。

本発明を実施するのに用いられる有機重合体材料にはポ
リエステル、ポリオレフィン、ポリカーボネート、ポリ
ビニル樹脂、ポリビニルアセタール、ポリアミＰ１ポリ
ウレタン、ポリエがキシド、ポリシロキサン、ポリアク
リレート、ポリメタクリレート、ポリスチレン等が含ま
れるが、それに限定されるものではない。２等フィルム
の主たる目的は最終像の支持体となり、そのフィルム自
体は系自体の像形成特性或は感光性に関与しない。基材
はその表面にゾライマー（ｐｒｉｍ１３ｒ）即ち下処理
物が与えられていてもよい。支持体は支持体としての必
要に応じ、薄くても厚くてもよいが、例え２ ば５０ミクロメーターから２朋の範囲にある。好ましい
範囲は７５又は１００〜５００ミクロメーターであろう
。支持体は黒色微細構造層に対しいくらかコントラスト
与えるのがよい。

ホトレジスト組成物は、当分野で知られているどのよう
な感光性レジスト材料でもよい。之には正に働くホトレ
ジスト系と、負に働くホトレジスト系の両方が含まれる
。普通、正に働くホトレジスト系は、米国特許第３，０
４６，１２０号、第３，４６９，９０２号及び第３．２
１０，２３９号に記載されているような正に働くジアゾ
ニウム塩又は樹脂を含む重合体結合剤からなっている。

正に働く増感剤は市販されておシ、文献によく報告され
ている。負に働く感光性レジスト系は通常、左に　　　
□露出するなどして照射した時、像状に重合する重合性
組成物からなる。之等の組成物は文献に充分報告されて
おり、広く市販されている。之等の組成物は通常エチレ
ン系又はポリエチレン系の不飽和光重合性材料からなる
が、感光性エポキシ系も当分野で知られている。アクリ
レート、メタクリレート、アクリルアミド及びアリル系
の如きエチレン系の不飽和光重合性系を用いるのが好ま
しい。

本発明を実施するのにアクリル系及びメタクリル系重合
性系が最も好ましい。米国特許第３，６３９，１８５号
、第４，００８，０８４号、第４，１３８．２６２号、
第４，１３９，３９１号、第４，１５８，０７９号、第
３，４６９，９８２号、第１，４６８．７４６号の外、
米国特許第４，２４７，６１６号に、本発明の実施に一
般的に有用な感光性組成物が記載されている。

１９８２年２月に公告された米国特許第４，３１４，０
２２号には、本発明の実施に特に有用な食刻溶液が記載
されている。

本発明は好ましい具体例として、実質的に輻射線吸収性
の表面上に輻射線に感応するホトレジスト層をつけた像
を形成することができる物品を与えるものであわ、該物
品は、基材の少なくとも一つの表面上にアルミニウム、
マグネシウム、亜鉛又はそれらの合金からなる群から選
択された金属の酸化物の層と、その酸化物層上の表面被
覆と、その表面被覆上のホトレジスト層を形成したもの
からなシ、然も該層は、金属の薄膜を実質的に完全に転
化したもので、転化前の薄膜の厚さは少なくとも５　ｎ
ｍであり、転化後には、種々の高さ及び形をもつ無作為
的な位置にあるばらばらの複数の突起で、基材表面から
２０　ｎｍ以上、吸収される輻射線の波長以下即ち１．
５００ｎｍ以下の距離だけ伸びておシ、基底が実質的に
全ての隣接する突起の基底と接触している突起を特徴と
する表面を示しておシ、該表面被覆は連続的に結合され
た４０〜２００　ｎｍの範囲の厚さをもつ金属の薄層で
ある。

新規な輻射線吸収性表面を有する物品及びそのような表
面を、アルミニウム、ステンレス鋼、ガラス或はポリエ
ステルの如き種々の基材上に形成する方法は、特に付図
を参照することによシ最も良く理解できるであろう。基
材の上に微細構造酸化物層を形成したものからなる従来
法の物品は、米国特許第４，１９０，５２１号に記載さ
れておシ、参考のためここに記述する。今、第１図に関
し、そこには本発明の新規な輻射線吸収性物品２０が１
．１ 示されている。その物品は基材２また有し、その上に微
細構造酸化物層２４が形成されており、その層は金属の
薄層２６で被覆されている。本発明の好ましい具体例を
製造する方法によシ、物品２０は従来法の具体例上に薄
い金属膜を付着させることによ多形成されるが、金属被
覆が基材の組織構造をもつ表面の形に、谷及び空腔空間
中を満さずに、一致するように付着形成される。物品２
０は優れた輻射線吸収体である。微細構造の酸化物層２
４は、表面被覆する前は、種々の高さ及び形をもつ無作
為的な位置にあるばらばらの複数の突起で、夫々の突起
の基底が隣接した突起の基底と実質的に接触しているも
のとして一般的に記述することができる表面形態を示し
ている。実相は基材表面から２０　ｎｍ以上の距離伸び
てお）、好ましくは基材表面から、吸収される輻射線の
波長に和尚する距離から、その波長の％０迄の範囲の距
離、即ち約１５００から４０　ｎｍの距離伸びている。

ホトレジスト２８も示されている（例えば一般に１〜５
０ミクロメーター、好ましくけ６６ 〜６０ミクロメーター）。

第２図は本発明の輻射線感応性像形成可能物品３０を示
している。この場合前述の金属酸化物層の微細構造は第
二部材３２の表面へ複写されており、その第二部材は金
属でも非金属でもどんな材料でもよいが、好ましくはポ
リエステル樹脂（例えば熱可塑性又は熱硬化性樹脂）で
ある。複写された微細構造の表面を次に金属の薄膜２６
で被覆し、実質的に輻射線吸収性表面を形成する。之は
もし表面が既に金属ならばする必要はない。金属の薄膜
２６を次にホトレジスト層２８で被覆し、本発明の像形
成可能物品を形成する。

微細構造２４及び３２を覆“う膜２６はどんな金属から
でも選択できるが、種々の適切に安定な金属が好ましく
、クロム、アルミニウム、銅、金或はニッケルであるの
が好ましく、クロムが最も好ましい。合金を用いてもよ
い。薄膜２６は真空蒸着、スパッタリング、無電解メッ
キ、化学的蒸着、或は他の適尚な方法によシ付着させる
ことができる。単一の膜又は異なった材料を用いた一組
の膜を用いてもよい。金属は全て選択的吸収性の表面を
与えるが、個々の金属の放射率によシ成るものは他のも
のより良い。基材のための材料の選択は、再放射される
ことになる吸収エネルギーの量を決定する際の一部にな
る。低い放射率のエミッター（０ｍ１ｔｔθｒ）をつく
るのに適した基材材料は、ステンレス鋼、アルミニウム
、クロム、銅及ヒニッケルの如き金属である。熱放射の
大きなものになる材料は、ガラス及びセラミックの如き
誘電体である。薄層２６は４０〜２００　ｎｍ、好まし
くは４０〜１６０ｎｍ、最も好ましくは５０〜８０　ｎ
ｍの範囲の厚さをもつべきである。

本発明の目的及び利点を、更に次の実施例により例示す
るが、之等の実施例に記載されている特定の材料及びそ
れらの量及び条件及び詳細な点は、本発明を不当に限定
するものと考えらるべきではない。

実施例１ ガラススライドを清浄にし、次に一方の側の一部にアル
ミニウムを３０　ｎｍ真空蒸着して被覆し９ た。次にそのアルミニウム膜を約６分間約９５°Ｃの温
度の飽和水蒸気にかけ、その間に膜は約１２０ｎｍ厚の
ペーマイ）　Ａ］：Ｏ（ＯＨ）の微細構・造の層に完全
に転化した。次にスライドをすすいで乾燥し、次に被覆
した側を約１６０　ｎｍ厚の蒸着したクロムの被覆で被
覆した。ベーマイトの微細構造層上にクロムを付着させ
たガラススライドの領域は黒色で、非反射性であシ、非
常によい吸収体であった。クロムをガラスに直接付着さ
せた領域は輝いており、高度に反射性で、非常に悪い吸
収体であった。

実施例２ ＋３００３アルミニウム合金〔アルコア（Ａｌｃｏａ）
社から入手〕の２００ミクロン厚の清浄な箔を、実施例
１におけるように飽和水蒸気に曝し、ベーマイト層を生
じさせ、次に一つの主表面上を真空蒸着によシ約５１　
ｎｍ厚のクロムの被覆で覆った。

表面は黒色に見え、非反射性で、良い吸収体であること
を示していた。放射率Ｅを測定すると、それはよくない
放射体であることを示す０．１９であ０ ることか判り、従って吸収したエネルギーを再放射しな
かった。

実施例６ 輻射線吸収性表面を実施例２の如くして調整した。但し
クロム層は約８７．５　ｎｍの厚さであった。

やはり表面は黒色に見え、非反射性であることを示して
いた。測定した放射率は０．６８で、この場合も吸収エ
ネルギーのほとんどが再輻射されないことを示していた
。

実施例４ ポリエステルフィルムの一つの表面を真空蒸着によシ約
５０　ｎｍ厚のアルミニウムの層で被覆し、次に実施例
１の場合のように水蒸気に曝すことによりベーマイトへ
変えた。１２５ミクロン厚の低密度ポリエチレンフィル
ムをその微細構造の表面上に置き、次いで１２５℃に加
熱した２枚の板の間で約２分間約１４１　ｋｇ／　ｃｍ
”の圧力で一緒にプレスすることにより積層体にした。

冷却後、凹凸のつけられたポリエチレンフィルムをベー
マイト表面から剥し、次に凹凸のついた領土を５２　ｎ
ｍのクロムで被覆した。表面は非常に黒色に見え、ベー
マイトの微細構造がポリエチレン中へ押し付けられた所
は良い吸収体で、ポリエチレンが滑らかな所は金属的に
輝き、良くない輻射線吸収体であった。

実施例５ 本発明による像形成可能物品を実施例１の方法に従いア
ルミニウムの１５００Ｘの被覆をもつ７．６２　Ｘ　１
０−４ｍポリエステル上につくった輻射線吸収性部材か
ら調整し、次に５００久のクロムの被覆で被覆した。こ
の部材を、次のものからなる被覆組成物を約１２ミクロ
ン（湿潤厚さ）に、ワイヤーを巻いた棒で被覆した： 米国％許第４，２４９．０１１　号（Ｄ化合物Ａ　）２
０重量％溶液０．２０　Ｆ　。

ｎ−ブチルアクリレートとメチルアクリール酸との８０
／２０共重合体０２０］ｉｉ％溶ｉ　０．４４．９、ビ
ニルアセテート／塩化ビニル、８６／１４共重合体の２
０重量％溶液０．０２１１、ミクラー（Ｍｉｃｈｌｅｒ
）ケトン０．００８＃、及びジフェニルアイオドニウム
へキサフルオロホスフ　エ　−　）　　０．０　８　０
　．９　　。

溶媒はアセトンで、付加的溶媒を全溶液が３ｇになる迄
組成物に添加した。フィルムを４分間８２°Ｃで乾燥し
、次いでターゲットとして１ステップ当り０．３０密度
単位にして２秒間低強度の２ＫＷジアゾランプ〔バーキ
ー・アクコア・プリンター（Ｂａｒｋｅｙ　Ａｓｃｏｒ
　Ｐｒ１ｎｔｅｒ）　：］に０−１０ステッカウェッジ
（βｔｅｐ　ｗθｄｇθ）を通して１ｍの距離から２秒
間曝した。像をうつしたフィルムを水洗６０秒及びプリ
ント板こすりパッドによるこす９１５秒により現像した
。黒色層上に４つの非中空ステップを示すステップ・ウ
ェッジの光重合した像を生じた。

実施例６ 実施例５をくり返した。但しアルミニウムの５００Ｘの
薄膜層をクロムの代りに被覆した。同じやり方で被覆及
び乾燥したが、流水で現像した後、０．１０　Ｍ　Ｎａ
ＯＨ食刻浴で２０°Ｃで１５分間食刻した。ステップ・
ウェッジの像を２．３５のＤｍａＸで生じ、８個の非中
空ステップが見られた。フィルムの上側（光重合体側）
は黒色に見え、下側は輝いて見えた。

実施例７ 実施例６の輻射線吸収性部材を複写した。但しアルミニ
ウムの１５００Ｘの被覆は蒸着した。この部材を次のも
のからなるネガに働くホトレジスト組成物で被覆した： 米国特許第４，２４９，０１１号の化合物Ａの３０重量
％アセトン溶液０．８２　、Ｆ ｎ−ブチルアクリレート／メチルアクリール酸の８０７
２０共重合体の１８．４重量％アセトン溶液０．６０１
！、 ビニルアセテート／塩化ビニルの８６／１４共重合体の
２重量％アセト／溶液０．５２．９１ミクラー・ケトン
０．Ｇ　Ｏ８ｇ ジフェニルアイオドニウムへキサフルオロホスフェ−）
　０．００８　、ｌｉ’、ｌ及び溶液を６９にする迄の
アセトン。

被覆及び乾燥条件は実施例５の場合と同じであ６ つた。５個の非中空ステップを示す２．８０のＤｍａｘ
を有する可視黒色像を生じた。スト−ファー（Ｓｔａｕ
ｆｆｓｒ）ウェッジ目盛の像は一方の側が黒色で、その
裏側は輝いていた。被覆の下で基材からアルミニウムが
少し剥離しているのが認められた。

下処理層（この場合ポリ塩化ビニルインデン）を使用し
てこの実施例をくり返してみると、この金属剥離を防げ
ることが判った。下処理フィルムを用いると、いくらか
大きな光学的密度（即ち３．０４）及び６個の非中空ス
テップが得られた。

実施例８ ７．０２　Ｘ　１０−’　ｍのポリエステルフィルムの
表面をスパッター食刻することによ如微細構造表面を調
整した。この表面は本発明の実施による微細構造表面の
規定範囲内の物理的特徴を有することが判った。その表
面に１０ＤＯｉの蒸着アルミニウム被覆を形成した。そ
の表面は上側から見ると黒色に見え、裏側からは輝いて
見えた。この輻射線吸収性部材を実施例５の場合の如く
、次のものからなるネガに働くホトレジスト組成物を被
覆し４ た： 米国特許第４，２４９，０１１号の化合物Ａの３０重量
１１，１．２−トリクロロエチレン溶液０．４０９、′ ジアリルオルトフタレートプレポリマーの２０重量％１
，１．２−トリクロロエチレン溶液０．０７９　ｇ、 ｎ−ブチルメタクリレートとメチルメタクリル酸の８５
／１５共重合体の２重量係１，１．２−トリクロロエタ
ン溶液０．１９．９゜ ｆｆ［ビニル／塩化ビニルの８６／１４共重合体の２０
重量％１，１．２−）リクロロエタン溶液０．１６＃。

ミクラー曝ケトン０．００８　ｇ、 ジフェニルアイオドニウムへキサフルオロホスフェーｈ
Ｏ，０１６Ｎ、及び溶液を６Ｉにする迄の１．１．２−
トリクロロエタン。

被覆した輻射線吸収性表面を８８°Ｃで４分半乾燥した
。露出は実施例５の場合と同じであった。

像をうつしたフィルムを０．３０．Ｍの水酸化ナトリウ
ムと０．１０　Ｍの炭酸ナトリウムの浴中に４分間６０
°Ｃで浸漬し、プリント板現像用パッドでこすることに
より現像した。１．９８の最大光学的密度（透過性）及
び４個の非中空ステップを有する像が得られた。像は光
重合体側は黒く、その裏側は輝いていた。

この例を実施例４によって得られた微細構造表面上でく
シ返すと、実質的に同じ結果を示した。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の基材と輻射線吸収性被覆の好ましい具
体例の拡大断面図であり、金属薄膜によυ被覆された基
材上の微細構造ば化物層を示す。 第２図は本発明の像形成可能系の拡大断面図であシ、金
属薄膜で被覆した複写微細構造の表面を最後にホトレジ
スト層で被覆したものからなる実質的に輻射線吸収性複
合体構造を描いた図である。 ２０・・・輻射線吸収性物品、２２・・・基材、２４・
・・微細構造酸化物層、２６・・・金属薄層、２８・・
・ホトレジスト、３２・・・微細構造複写部材。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）種々の高さ及び形をもち、無作為的な位置にある
   ばらばらの複数の突起で、２０ｎｍ以上１５００ｎｍ以
   下の高さをもち、それらの基底が実質的に全ての隣接し
   た突起の基底に接触している突起を特徴とする、微細構
   造の表面をもつ金属の、実質的に輻射線を吸収する層上
   にホトレジスト層を被覆したものからなる像を形成する
   ことができる物品。 （２）金属がクロム、アルミニウム、銅、金及びニッケ
   ルから選択された前記第１項に記載の物品。 （３）突起が金属の層の基底から８００　ｎｍ以下の距
   離伸びている前記第１項に記載の物品。 （４）実質的に輻射線吸収性の表面が、（ａ）　　種々
   の高さ及び形をもち、無作為的な位置にあるばらばらの
   複数の突起で、２０ｎｍ以上１５００　ｎｍ以下の高さ
   をもち、それらの基底が実質的に全ての隣接した突起の
   基底に接触している突起を特徴とする複写された微細構
   造の層と、 （ｂ）４０〜２００　ｎｍの範囲の厚さをもつ少なくと
   も一つの金属の薄い膜の表面被覆、からなる複合表面か
   らなる、前記第１項に記載の物品。 （５）　　金属の薄い膜がクロム、アルミニウム、銅、
   金及びニッケルから選択される、前記第４項に記載の物
   品。 （６）複写された微細構造の層が金属、非金属及び有機
   重合体材料から選択されている前記第４項に記載の物品
   。 （７）突起の先端間の平均間隔が突起の平均の高さの半
   身下である前記第１項に記載の物品。 （８）突起の先端間の平均間隔が、突起の平均高さの％
   ｏ−Ａの範囲におる前記第１項に記載の物品。 （９）　　実質的に輻射線吸収性の表面が、（ａ）　　
   アルミニウム、マグネシウム及び亜鉛又はそれらの合金
   からなる群から選択された金属の酸化物の層で、前記金
   属の薄膜の酸化物へ実質的に完全に転化したものである
   金属酸化物の層であって、転化前の該薄膜の厚さが少な
   くとも５　ｎｍで、転化後に、種々の高さ及び形をもつ
   無作為的な位置にあるばらばらの複数の突起で、基材表
   面から２０　ｎｍ以上１５００ｎｍ以下の距離伸びてい
   て、それらの基底が実質的に全ての隣接した突起の基底
   と接触している突起を特徴とする表面を示している金属
   酸化物の層と、 （ｂ）４０〜２００　ｎｍの範囲の厚さをもつ少なくと
   も一つの金属の連続的に結合した薄い層である酸化物層
   上の表面被覆、 とからなる少なくとも一つの表面を有する基材からなる
   前記第２項に記載の物品。 （Ｉｆ、ｉ　　基材がアルミニウム、ステンレス鋼、ガ
   ラス及びポリエステルから選択される前記第９項に記載
   の物品。 （１１）　　金属の表面被覆が、クロム、アルミニウム
   、銅、金及びニッケルから選択される前記第９項に記載
   の物品。 （＋２）　　ホトレジスト層が、エチレン系不飽和基を
   有する重合可能材料からなる負に働く感光性層である前
   記第１項、第３項、第４項又は第１０項のいずれかに記
   載の物品。 （１３）　　ホトレジスト層が正に働くジアゾ酸化物を
   重合体結合剤に入れたものからなる正に働く感光性層で
   ある、前記第１項、第６項、第４項、又は第１０項に記
   載の物品。 αａ　ホトレジスト層が、１）重合可能なアクリロール
   基、メタクリロール基又はアクリロール基とメタクリロ
   ール基の両方及び２）遊離ラジカル光開始剤を有する材
   料からなる負に働く感光性層である前記第１項、第６項
   、第４項又は第１０項のいずれかに記載の物品。