JPH0225499B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は像形成系、特に写真の分野で有用な像
形成系に関する。今日、多くの像形成材料及び像
形成技術が商業的に利用されている。之等の技術
の最も有用なものは、像の簡単な再生を可能にす
る感光性能力をもつ傾向がある。之は特にマイク
ログラフ及び写真技術の分野に当てはまる。

最も普通に用いられる像形成系はハロゲン化乳
剤法、ジアゾニウム塩法或は光重合性組成物法に
基いている。之等種々の装置は夫々の利点及び問
題をもつている。

ハロゲン化銀の膜は最も広く用いられている写
真材料である。之等の膜は大きな解像力、大きな
像形速度及び性能の一貫性を示す。しかし銀の値
段が上つているため、ハロゲン化銀を用いた系は
経済的に不利になりつつある。ハロゲン化銀の膜
は、処理に多くの工程を必要とすること、不安定
な処理溶液を必要とすること、及び形状の安定性
を欠くことを含めた他の欠点も有する。

ジアゾ塩組成物を用いた像形成系は大きな解像
力を与え、銀よりかなり安くつくることができ
る。ほとんどのジアゾニユウム塩系によつて生ず
る可視像は染料からなり、最大光学密度或は得ら
れる像の色に制約を与え、望ましい密度より高い
最低密度を与える傾があり、屡々コントラストが
低い欠点を有する。熱的に現像できるジアゾニウ
ム塩系が市場で入手できるが、多くのジアゾニウ
ム塩像形成系は依然としてアンモニア現像に頼つ
ており、それはアンモニアのため閉された環境中
で作業することがむづかしいため望ましくない。
ジアゾ像は屡々染料からなり、マイクログラフ的
な内容からは記録保管性であるとは考えられな
い。

光重合性（photopolymeric）像形糸は安く且
つ作り易い。しかし之等の系は通常光重合性層に
光学的密度を与える不透明化剤を入れることに依
存する。不透明化剤は感光性層の感度を減ずる傾
向がある。

最近当分野に導入されている系の一つの種類
は、基材の少なくとも一つの表面上に粗い金属層
をつけ、その層を金属又は合金の層で被覆し、次
に感光性レジスト組成物で被覆したものからな
る。この種の技術は米国特許第4138262号に例示
されており、この場合ビスマス層を基材上にスパ
ツターで付着させ、ビスマス又はビスマスの合金
の連続的高光学密度の層を、そのスパツター付着
させた金属層上に真空蒸着させ、表面に高度に不
透明の外観を与えている。この系は先ずホトレジ
スト層を像状に露光し、次にホトレジスト材料を
像状に溶解して金属の下層を露出する二工程で現
像される。露出された金属又は合金は第二工程で
食刻除去する。ホトレジスト側から見ると、之は
透明背景上に黒色金属像を与える。反対側から見
ると、之は透明背景上に輝いた金属層を与える。
この系は二つの別の金属被覆工程を必要とし、二
つの現像溶液を必要とする。一つはホトレジスト
用、他は金属又は合金不透明性層用である。この
開示された系は用いることができる金属にも制約
を受ける。金属又は金属化した基材上にホトレジ
スト層を用いる他の系が英国特許第1468746号に
記載されており、この場合は金属の基材をホトレ
ジスト材料で被覆している。マイクロフオーム
（microform）用像に特に望ましく、優れた縁鮮
明性及び大きな解像力をもつフイルムが示されて
いる。この系は実質的に純粋な金属の特徴をもつ
像を与えるだけであろう。

米国特許第4008084号及び第4158079号は、ホト
レジスト組成物の下に異なつた層として複数の金
属の組み合せ、又は複数の金属及び金属酸化物の
異なつた層の組み合せを用いた像形成系を示して
いる。後者の特許は特に基材の少なくとも一つの
表面上に、アルミニウム箔層、酸化アルミニウム
層及びホトレジスト組成物をつけたものからなる
像形成系を示している。この系は酸化アルミニウ
ム層の感光性重合体層への結合が悪く、それらの
層が現像中に剥れ、特にホトレジスト材料と共に
普通に用いられているアルカリ性水性現像剤によ
つて剥離を起すという欠点を有する。金属と金属
酸化物層との間の結合部は、それが形成されてい
る仕方のため金属から金属酸化物への鋭い不連続
的転移部を有する。

米国特許第4158079号には基材、アルミニウム
箔層、酸化アルミニウム層及びホトレジスト層か
らなる別の像形用複合体が記載されている。アル
ミニウム箔層は接着剤によつて基材に接着されて
おり、酸化アルミニウム層は箔の陽極酸化によつ
て製造されている。複合体の光学的密度は、ホト
レジストを適用する前に酸化アルミニウム層に着
色材料を添加することによつて増大させる。この
複合体は基材の製造に多くの工程を必要とし（積
層化及び陽極酸化の両方）、着色材料を酸化アル
ミニウム層へ添加した時、その層の気孔を満し、
ホトレジスト層のその表面への結合能力を減ずる
という点で欠点を有する。

本発明は、種々の高さ及び形をもつ無作為的な
位置にあるばらばらな複数の突起で、40nｍ以上
で吸収輻射線の波長以下、即ち1500nｍ以下、好
ましくは800nｍより小さく、最も好ましくは
600nｍより小さい高さ（好ましくは平均の高）
を有し、実質的に全ての隣接した突起の基底に接
触する基底を有し、仮えあつたとしても平らな表
面は極めてわずかしか与えない突起を特徴とする
微細構造の表面を有する実質的に輻射線を吸収す
る金属層上にホトレジスト層をつけたものからな
る像形成可能なフイルムを与える。突起のチツプ
即ち先端は一般に３〜500nｍの範囲の距離だけ
離れている。先端間の平均間隔は突起の平均高さ
の２倍以下にすることができ、好ましくは平均高
さの半分以下である。先端間の最も好ましい平均
間隔は、突起の平均高さの1/10〜1/4の範囲にあ
る。

好ましい具体例として、本発明の物品は基材
と、微細構造の金属酸化物層及び少なくとも一種
類の金属の薄い膜の表面被覆からなる。第二の具
体例として、本発明の物品は少なくとも一種類の
金属の薄い膜で覆われたプラスチツクの如き材料
の微細構造の複写複合体表面を有する。第三の具
体例として、物品は金属の複写微細構造表面を有
する。好ましい具体例として本発明の物品は、実
質的にどのような構造、即ち透明或は不透明、絶
縁性、半導性或は金属性のものでもよい基材で、
平坦、弯曲、或は複雑な形をもち、アルミニウ
ム、マグネシウム、亜鉛、或はそれらの合金から
なる群から選択された金属の非吸収性金属酸化物
（酸化物−水酸化物混合物を含む）被覆を有する
基材からなる。酸化物層は金属又は合金の薄い膜
を実質的に完全に転化することによつて形成する
ことができ、その転化前の薄膜の厚さは５〜
200nｍの範囲にある。薄膜の厚さは物品の表面
上でそれらの範囲内で変化していてもよい。従つ
て出発薄膜の厚さを注意深く制御する必要はな
い。酸化物の層は、種々の高さ及び形をもつ無作
為的に位置するばらばらな複雑な突起で、基材の
表面から200nｍ以上、吸収される輻射線の波長
以下、即ち1500nｍ以下の距離伸びており、基底
が、隣接する突起の各々の基底と実質的に接触し
ている突起を特徴とする表面を示す。金属酸化物
層は、40nｍ〜200nｍの厚さの金属の薄膜で覆わ
れており、その金属被覆の外側表面は谷と酸化物
層の表面構造の形に実質的に一致しているが、空
腔の空間が完全に満されることはない。そのよう
につくられた物品は、70％〜98％の範囲の全太陽
光吸収率を示す。

好ましい具体例の吸収性表面を生成させる方法
は、基材上に微細構造の層を形成し、（その方法
は米国特許第4252843号に記載されており、参考
としてここに記載してある）、次に微細構造上に
金属の薄い層を付着させる工程からなるが、後の
工程は、付着させた材料が該構造に一致し、付着
材料の膜の外側表面に下のトポグラフイー
（topography）が精確に複写されるようなやり方
で行う。

別法として金属酸化物層の微細構造は、第二部
材の表面へ複写され、その複写された微細構造の
表面に40nｍ〜200nｍの厚さの少なくとも一種類
の金属の薄膜を被覆し、輻射線吸収性物を形成す
るようにしてもよい。もし複写表面自体が本発明
の教示に従う微細構造をもつ金属であるならば、
それは放覆する必要はないが、同じ又は異なつた
金属の薄い膜で覆つてもよい。

「微細構造」という言葉は、金属の薄膜を化学
的又は化学・電気化学的方法によつて酸化物又は
水酸化物の層へ変化させた結果生じたざらざらな
組織的構造をもたせたトポグラフイー又はその複
写物を言う。

基材は実質的にどんな材料でもよい。生成物の
用途に従つて、選択される基材はセラミツク、ガ
ラス、金属、重合体、繊維物質等々になるであろ
う。基材として重合体材料を用いるのが好ましい
が、本発明では透明及び不透明の熱可塑性及び熱
硬性フイルムのいずれを用いてもよい。熱可塑性
重合体、特に二軸配向フイルムが、折れや裂けに
対する抵抗性が比較的大きいため一般に好まし
い。本発明を実施するのに用いられる有機重合体
材料にはポリエステル、ポリオレフイン、ポリカ
ーボネート、ポリビニル樹脂、ポリビニルアセタ
ール、ポリアミド、ポリウレタン、ポリエボキシ
ド、ポリシロキサン、ポリアクリレート、ポリメ
タクリレート、ポリスチレン等が含まれるが、そ
れに限定されるものではない。之等フイルムの主
たる目的は最終像の支持体となり、そのフイルム
自体は系自体の像形成特性或は感光性に関与しな
い。基材はその表面にプライマー（primer）即
ち下処理物が与えられていてもよい。支持体は支
持体としての必要に応じ、薄くても厚くてもよい
が、例えば50ミクロメーターから２mmの範囲にあ
る。好ましい範囲は75又は100〜500ミクロメータ
ーであろう。支持体は黒色微細構造層に対しいく
らかコントラスト与えるのがよい。

ホトレジスト組成物は、当分野で知られている
どのような感光性レジスト材料でもよい。之には
正に働くホトレジスト系と、負に働くホトレジス
ト系の両方が含まれる。普通、正に働くホトレジ
スト系は、米国特許第3046120号、第3469902号及
び第3210239号に記載されているような正に働く
ジアゾニウム塩又は樹脂を含む重合体結合剤から
なつている。正に働く増感剤は市販されており、
文献によく報告されている。負に働く感光性レジ
スト系は通常、光に露出するなどして照射した
時、像状に重合する重合性組成物からなる。之等
の組成物は文献に充分報告されており、広く市販
されている。之等の組成物は通常エチレン系又は
ポリエチレン系の不飽和光重合性材料からなる
が、感光性エポキシ系も当分野で知られている。
アクリレート、メタクリレート、アクリルアミド
及びアリル系の如きエチレン系の不飽和光重合性
系を用いるのが好ましい。本発明を実施するのに
アクリル系及びメタクリル系重合性系が最も好ま
しい。米国特許第3639185号、第4008084号、第
4138262号、第4139391号、第4158079号、第
3469982号、第1468746号の外、米国特許第
4247616号に、本発明の実施に一般的に有用な感
光性組成物が記載されている。1982年２月に公告
された米国特許第4314022号には、本発明の実施
に特に有用な食刻溶液が記載されている。

本発明は好ましい具体例として、実質的に輻射
線吸収性の表面上に輻射線に感応するホトレジス
ト層をつけた像を形成することができる物品を与
えるものであり、該物品は、基材の少なくとも一
つの表面上にアルミニウム、マグネシウム、亜鉛
又はそれらの合金からなる群から選択された金属
の酸化物の層と、その酸化物層上の表面被覆と、
その表面被覆上のホトレジスト層を形成したもの
からなり、然も該層は、金属の薄膜を実質的に完
全に転化したもので、転化前の薄膜の厚さは少な
くとも5nｍであり、転化後には、種々の高さ及
び形をもつ無作為的な位置にあるばらばらの複数
の突起で、基材表面から20nｍ以上、吸収される
輻射線の波長以下即ち1500nｍ以下の距離だけ伸
びており、基底が実質的に全ての隣接する突起の
基底と接触している突起を特徴とする表面を示し
ており、該表面被覆は連続的に結合された40〜
200nｍの範囲の厚さをもつ金属の薄層である。

新規な輻射線吸収性表面を有する物品及びその
ような表面を、アルミニウム、ステンレス鋼、ガ
ラス或はポリエステルの如き種々の基材上に形成
する方法は、特に付図を参照することにより最も
良く理解できるであろう。基材の上に微細構造酸
化物層を形成したものからなる従来法の物品は、
米国特許第4190321号に記載されており、参考の
ためここに記述する。今、第１図に関し、そこに
は本発明の新規な輻射線吸収性物品２０が示され
ている。その物品は基材２２た有し、その上に微
細構造酸化物層２４が形成されており、その層は
金属の薄層２６で被覆されている。本発明の好ま
しい具体例を製造する方法により、物品２０は従
来法の具体例上に薄い金属膜を付着させることに
より形成されるが、金属被覆が基材の組織構造を
もつ表面の形に、谷及び空腔空間中を満さずに、
一致するように付着形成される。物品２０は優れ
た輻射線吸収体である。微細構造の酸化物層２４
は、表面被覆する前は、種々の高さ及び形をもつ
無作為的な位置にあるばらばらの複数の突起で、
夫々の突起の基底が隣接した突起の基底と実質的
に接触しているものとして一般的に記述すること
ができる表面形態を示している。突起は基材表面
から20nｍ以上の距離伸びており、好ましくは基
材表面から、吸収される輻射線の波長に相当する
距離から、その波長の1/10迄の範囲の距離、即ち
約1500から40nｍの距離伸びている。ホトレジス
ト２８も示されている（例えば一般に１〜50ミク
ロメーター、好ましくは３〜30ミクロメーター）。

第２図は本発明の輻射線感応性像形成可能物品
３０を示している。この場合前述の金属酸化物層
の微細構造は第二部材３２の表面へ複写されてお
り、その第二部材は金属でも非金属でもどんな材
料でもよいが、好ましくはポリエステル樹脂（例
えば熱可塑性又は熱硬化性樹脂）である。複写さ
れた微細構造の表面を次に金属の薄膜２６で被覆
し、実質的に輻射線吸収性表面を形成する。之は
もし表面が既に金属ならばする必要はない。金属
の薄膜２６を次にホトレジスト層２８で被覆し、
本発明の像形成可能物品を形成する。

微細構造２４及び３２を覆う膜２６はどんな金
属からでも選択できるが、種々の適切に安定な金
属が好ましく、クロム、アルミニウム、銅、金或
いはニツケルであるのが好ましく、クロムが最も
好ましい。合金を用いてもよい。薄膜２６は真空
蒸着、スパツタリング、無電解メツキ、化学的蒸
着、或は他の適当な方法により付着させることが
できる。単一の膜又は異なつた材料を用いた一組
の膜を用いてもよい。金属は全て選択的吸収性の
表面を与えるが、個々の金属の放射率により或る
ものは他のものより良い。基材のための材料の選
択は、再放射されることになる吸収エネルギーの
量を決定する際の一助になる。低い放射率のエミ
ツター（emitter）をつくるのに適した基材材料
は、ステンレス鋼、アルミニウム、クロム、銅及
びニツケルの如き金属である。熱放射の大きなも
のになる材料は、ガラス及びセラミツクの如き誘
電体である。薄膜２６は40〜200nｍ、好ましく
は40〜160nｍ、最も好ましくは50〜80nｍの範囲
の厚さをもつべきである。

本発明の目的及び利点を、更に次の実施例によ
り例示するが、之等の実施例に記載されている特
定の材料及びそれらの量及び条件及び詳細な点
は、本発明を不当に限定するものと考えられるべ
きではない。

実施例 １ ガラススライドを清浄にし、次に一方の側の一
部にアルミニウムを30nｍ真空蒸着して被覆し
た。次にそのアルミニウム膜を約３分間約95℃の
温度の飽和水蒸気にかけ、その間に膜は約120n
ｍ厚のベーマイトAIO（OH）の微細構造の層に
完全に転化した。次にスライドをすすいで乾燥
し、次に被覆した側を約160nｍ厚の蒸着したク
ロムの被覆で被覆した。ベーマイトの微細構造層
上にクロムを付着させたガラススライドの領域は
黒色で、非反射性であり、非常によい吸収体であ
つた。クロムをガラスに直接付着させた領域は輝
いており、高度に反射性で、非常に悪い吸収体で
あつた。

実施例 ２ ＃3003アルミニウム合金〔アルコア（Alcoa）
社から入手〕の200ミクロン厚の清浄な箔を、実
施例１におけるように飽和水蒸気に曝し、ベーマ
イト層を生じさせ、次に一つの主表面上を真空蒸
着により約51nｍ厚のクロムの被覆で覆つた。表
面は黒色に見え、非反射性で、良い吸収体である
ことを示していた。放射率Ｅを測定すると、それ
はよくない放射体であることを示す0.19であるこ
とが判り、従つて吸収したエネルギーを再放射し
なかつた。

実施例 ３ 輻射線吸収性表面を実施例２の如くして調整し
た。但しクロム層は約87.5nｍの厚さであつた。
やはり表面は黒色に見え、非反射性であることを
示していた。測定した放射率は0.38で、この場合
も吸収エネルギーのほとんどが再輻射されないこ
とを示していた。

実施例 ４ ポリエステルフイルムの一つの表面を真空蒸着
により約50nｍ厚のアルミニウムの層で被覆し、
次に実施例１の場合のように水蒸気に曝すことに
よりベーマイトへ変えた。125ミクロン厚の低密
度ポリエチレンフイルムをその微細構造の表面上
に置き、次いで125℃に加熱した２枚の板の間で
約２分間約141Kg／cm²の圧力で一緒にプレスする
ことにより積層体にした。冷却後、凹凸のつけら
れたポリエチレンフイルムをベーマイト表面から
剥し、次に凹凸のついた側上を52nｍのクロムで
被覆した。表面は非常に黒色に見え、ベーマイト
の微細構造がポリエチレン中へ押し付けられた所
は良い吸収体で、ポリエチレンが滑らかな所は金
属的に輝き、良くない輻射線吸収体であつた。

実施例 ５ 本発明による像形成可能物品を実施例１の方法
に従いアルミニウムの1500Åの被覆をもつ7.62×
10^-4ｍポリエステル上につくつた輻射線吸収性部
材から調整し、次に500Åのクロムの被覆で被覆
した。この部材を、次のものからなる被覆組成物
を約12ミクロン（湿潤厚さ）に、ワイヤーを巻い
た棒で被覆した： 米国特許第4249011号の化合物Ａの20重量％溶
液0.20ｇ、 ｎ−ブチルアクリレートとメチルアクリール酸
との80／20共重合体の20重量％溶液0.44ｇ、 ビニルアセテート／塩化ビニル、86／14共重合
体の20重量％溶液0.02ｇ、 ミクラー（Michler）ケトン0.008ｇ、及び ジフエニルアイオドニウムヘキサフルオロホス
フエート0.080ｇ。

溶媒はアセトンで、付加的溶媒を全溶液が３ｇ
になる迄組成物に添加した。フイルムを４分間82
℃で乾燥し、次いでターゲツトとして１ステツプ
当り0.30密度単位にして２秒間低強度の2KWジ
アゾランプ〔バーキー・アスコア・プリンター
（Berkey Ascor Printer）〕に０−10ステツプ・
ウエツジ（step wedge）を通して１ｍの距離か
ら２秒間曝した。像をうつしたフイルムを水洗30
秒及びプリント板こすりパツドによるこすり15秒
により現像した。黒色層上に４つの非中空ステツ
プを示すステツプ・ウエツジの光重合した像を生
じた。

実施例 ６ 実施例５をくり返した。但しアルミニウムの
500Åの薄膜層をクロムの代りに被覆した。同じ
やり方で被覆及び乾燥したが、流水で現像した
後、0.10M NaOH食刻浴で20℃で15分間食刻し
た。ステツプ・ウエツジの像を2.35のDmaxで生
じ、８個の非中空ステツプが見られた。フイルム
の上側（光重合体側）は黒色に見え、下側は輝い
て見えた。

実施例 ７ 実施例６の輻射線吸収性部材を複写した。但し
アルミニウムの1500Åの被覆は蒸着した。この部
材を次のものからなるネガに働くホトレジスト組
成物で被覆した： 米国特許第4249011号の化合物Ａの30重量％ア
セトン溶液0.82ｇ ｎ−ブチルアクリレート／メチルアクリール酸
との80／20共重合体の18.4重量％アセトン溶液
0.60ｇ、 ビニルアセテート／塩化ビニルの86／14共重合
体の２重量％アセトン溶液0.52ｇ、 ミクラー・ケトン0.008ｇ ジフエニルアイオドニウムヘキサフルオロホス
フエート0.008ｇ、及び溶液を３ｇにする迄のア
セトン。

被覆及び乾燥条件は実施例５の場合と同じであ
つた。５個の非中空ステツプを示す2.80のDmax
を有する可視黒色像を生じた。ストーフアー
（Stauffer）ウエツジ目盛の像は一方の側が黒色
で、その裏側は輝いていた。被覆の下で基材から
アルミニウムが少し剥離しているのが認められ
た。下処理層（この場合ポリ塩化ビニルインデ
ン）を使用してこの実施例をくり返してみると、
この金属剥離を防げることが判つた。下処理フイ
ルムを用いると、いくらか大きな光学的密度（即
ち3.04）及び６個の非中空ステツプが得られた。

実施例 ８ 7.02×10^-4ｍのポリエステルフイルムの表面を
スパツター食刻することにより微細構造表面を調
整した。この表面は本発明の実施による微細構造
表面の規定範囲内の物理的特徴を有することが判
つた。その表面に1000Åの蒸着アルミニウム被覆
を形成した。その表面は上側から見ると黒色に見
え、裏側からは輝いて見えた。この輻射線吸収性
部材を実施例５の場合の如く、次のものからなる
ネガに働くホトレジスト組成物を被覆した： 米国特許第4249011号の化合物Ａの30重量％１，
１，２−トリクロロエチレン溶液0.40ｇ、 ジアリルオルトフタレートプレポリマーの20重
量％１，１，２−トリクロロエチレン溶液0.079
ｇ、 ｎ−ブチルアクリレートとメチルメタクリル酸
との85／15共重合体の２重量％１，１，２−トリ
クロロエタン溶液0.19ｇ、 酢酸ビニル／塩化ビニルの86／14共重合体の20
重量％１，１，２−トリクロロエタン溶液0.16
ｇ、 ミクラー・ケトン0.008ｇ、 ジフエニルアイオドニウムヘキサフルオロホス
フエート0.016ｇ、及び溶液を３ｇにする迄の１，
１，２−トリクロロエタン。

被覆した輻射線吸収性表面を88℃で４分半乾燥
した。露出は実施例５の場合と同じであつた。像
をうつしたフイルムを0.30Mの水酸化ナトリウム
と0.10Mの炭酸ナトリウムの浴中に４分間30℃で
浸漬し、プリント板現像用パツドでこすることに
より現像した。1.98の最大光学的密度（透過性）
及び４個の非中空ステツプを有する像が得られ
た。像は光重合体側は黒く、その裏側は輝いてい
た。

この例を実施例４によつて得られた微細構造表
面上でくり返すと、実質的に同じ結果を示した。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の基材と輻射線吸収性被覆の好
ましい具体例の拡大断面図であり、金属薄膜によ
り被覆された基材上の微細構造酸化物層を示す。
第２図は本発明の像形成可能系の拡大断面図であ
り、金属薄膜で被覆した複写微細構造の表面を最
後にホトレジスト層で被覆したものからなる実質
的に輻射線吸収性複合体構造を描いた図である。 ２０……輻射線吸収性物品、２２……基材、２
４……微細構造酸化物層、２６……金属薄層、２
８……ホトレジスト、３２……微細構造複写部
材。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ (a) 種々の高さ及び形をもち、無作為的な位
   置にあるばらばらの複数の突起で、20nｍ以上
   1500nｍ以下の高さをもち、それらの基底が実
   質的に全ての隣接した突起の基底に接触してい
   る突起を特徴とする微細構造の層と、 (b) 40〜200nｍの範囲の厚さをもつ少なくとも
   一つの金属の薄い膜の表面被覆、 を含む実質的に輻射線を吸収する層上にホトレジ
   スト層を被覆したものからなる像を形成すること
   ができる物品。 ２ 微細構造の層が金属、非金属及び有機重合体
   材料から選択されている特許請求の範囲第１項に
   記載の物品。 ３ 金属がクロム、アルミニウム、銅、金及びニ
   ツケルから選択されたものである特許請求の範囲
   第１項に記載の物品。 ４ 金属の薄い膜がクロム、アルミニウム、銅、
   金及びニツケルから選択される、特許請求の範囲
   第１項に記載の物品。 ５ 突起が金属の層の基底から800nｍ以下の距
   離伸びている特許請求の範囲第１項に記載の物
   品。 ６ 突起の先端間の平均間隔が突起の平均の高さ
   の半以下である特許請求の範囲第１項に記載の物
   品。 ７ 突起の先端間の平均間隔が、突起の平均高さ
   の1/10〜1/4の範囲にある特許請求の範囲第１項
   に記載の物品。 ８ 実質的に輻射線吸収性の表面が、 (a) アルミニウム、マグネシウム及び亜鉛又はそ
   れらの合金からなる群から選択された金属の酸
   化物の層で、前記金属の薄膜の酸化物へ実質的
   に完全に転化したものである金属酸化物の層で
   あつて、転化前の該薄膜の厚さが少なくとも
   5nｍで、転化後に、種々の高さ及び形をもつ
   無作為的に位置にあるばらばらの複数の突起
   で、その突起は基材表面から20nｍ以上1500n
   ｍ以下の距離伸びていて、それらの基底が実質
   的に全ての隣接した突起の基底と接触している
   突起を特徴とする表面を示している金属酸化物
   の層と、 (b) 40〜200nｍの範囲の厚さをもつ少なくとも
   一つの金属の連続的に結合した薄い層である酸
   化物層上の表面被覆、 とからなる少なくとも一つの表面を有する基材か
   らなる特許請求の範囲第１項に記載の物品。 ９ 基材がアルミニウム、ステンレス鋼、ガラス
   及びポリエステルから選択される特許請求の範囲
   第８項に記載の物品。 １０ 金属の表面被覆が、クロム、アルミニウ
   ム、銅、金及びニツケルから選択される特許請求
   の範囲第８項に記載の物品。 １１ ホトレジスト層が、エチレン系不飽和基を
   有する重合可能材料からなる負に働く感光性層で
   ある特許請求の範囲第１項、又は第９項に記載の
   物品。 １２ ホトレジスト層が正に働くジアゾ酸化物を
   重合体結合剤に入れたものからなる正に働く感光
   性層である特許請求の範囲第１項、又は第９項に
   記載の物品。 １３ ホトレジスト層が、(1)重合可能なアクリロ
   ール基、メタクリロール基又はアクリロール基と
   メタクリロール基の両方及び(2)遊離ラジカル光開
   始剤を有する材料からなる負に働く感光性層であ
   る特許請求の範囲第１項、又は第９項に記載の物
   品。