JPS58157178A - 光電変換装置の製造方法 - Google Patents
光電変換装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS58157178A JPS58157178A JP57040502A JP4050282A JPS58157178A JP S58157178 A JPS58157178 A JP S58157178A JP 57040502 A JP57040502 A JP 57040502A JP 4050282 A JP4050282 A JP 4050282A JP S58157178 A JPS58157178 A JP S58157178A
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- JP
- Japan
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- photoelectric conversion
- film
- electrode
- electrode film
- substrate
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/20—Electrodes
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の背景〕
本発明は、ファクシ建蓼などに用いられる光電変換装置
に閤し、さらＫＩＦＬ＜は、電極の形成方法を改善する
ことにより光電変換装置の陶土が図られ九光電変換装置
の製造方法に関する。
に閤し、さらＫＩＦＬ＜は、電極の形成方法を改善する
ことにより光電変換装置の陶土が図られ九光電変換装置
の製造方法に関する。
一般にファクーシイリなどのＩｍ儂胱取価装に用いられ
る光電変換装置け、第１図（ａ）ｔたけ（ｂ）に示す
、ような構成をとっている。第１図（＆）に示す光電変
換装置においては、絶縁性基板１上には光電変換膜３を
設け、加熱により前記光電変換膜３の活性化を行った後
、さらに加熱下において蒸着等により電極膜２を形成す
る。そして電極膜２のボンディング部にはさらに外部配
ＩＩ４が接続される。
る光電変換装置け、第１図（ａ）ｔたけ（ｂ）に示す
、ような構成をとっている。第１図（＆）に示す光電変
換装置においては、絶縁性基板１上には光電変換膜３を
設け、加熱により前記光電変換膜３の活性化を行った後
、さらに加熱下において蒸着等により電極膜２を形成す
る。そして電極膜２のボンディング部にはさらに外部配
ＩＩ４が接続される。
一方、第１図（ｂ）に示す充電変換装置においては、ま
ず加熱下において蒸着等により絶縁性基板１上に電極膜
２を形成し、次いで光電変換膜３を設け、さらに加熱に
より前記光電変換膜３の活性化を行うことＫより構成さ
れる。
ず加熱下において蒸着等により絶縁性基板１上に電極膜
２を形成し、次いで光電変換膜３を設け、さらに加熱に
より前記光電変換膜３の活性化を行うことＫより構成さ
れる。
しかしこのような従来の製造方法には以下に述べるよう
な欠点があった。
な欠点があった。
第１図（轟）および（ｂ）のいずれの方法においても、
電極Ｊ１２の形成中光電変換膜３の形成および活性化は
基板を加熱した状態で行われる。すなわち、電極膜の蒸
着時においては、基板と電極膜との曳好な接着強度を得
るために、通常基板を１０ト３００℃に加熱する。また
、光電変換膜の蒸着時においても、光電変換特性や接着
性の向上を目的として基板温度は１００〜３００’ＣＫ
保持される。さらＫｔた、Ｃｄ５５Ｃｄ’＠勢の充電変
換材料にあっては、光電変換膜を形成した後に活性化の
丸め４００〜６００℃の温度で熱処理が施される。しか
しながら、第１図（、）および（ｂ）のいずれの場合に
おいても、電極材料と光電変換材料とが互いＫｌｉ触し
た状態で上記した種々の加熱処理が行われる丸め、電極
膜と光電変換膜との界面で物質の相互拡散が起こり、そ
の結果充電変換特性が劣化するという問題がめった。
電極Ｊ１２の形成中光電変換膜３の形成および活性化は
基板を加熱した状態で行われる。すなわち、電極膜の蒸
着時においては、基板と電極膜との曳好な接着強度を得
るために、通常基板を１０ト３００℃に加熱する。また
、光電変換膜の蒸着時においても、光電変換特性や接着
性の向上を目的として基板温度は１００〜３００’ＣＫ
保持される。さらＫｔた、Ｃｄ５５Ｃｄ’＠勢の充電変
換材料にあっては、光電変換膜を形成した後に活性化の
丸め４００〜６００℃の温度で熱処理が施される。しか
しながら、第１図（、）および（ｂ）のいずれの場合に
おいても、電極材料と光電変換材料とが互いＫｌｉ触し
た状態で上記した種々の加熱処理が行われる丸め、電極
膜と光電変換膜との界面で物質の相互拡散が起こり、そ
の結果充電変換特性が劣化するという問題がめった。
本発明は、上述し九欠点を一挙に解決するものであり、
加熱処理による光電変換特性に与える悪影響が解消され
、しかも外部配線のポンディング部における基板との接
着強直が良好な電極を有する光電変換装置の製造方法を
提供することを目的とする。
加熱処理による光電変換特性に与える悪影響が解消され
、しかも外部配線のポンディング部における基板との接
着強直が良好な電極を有する光電変換装置の製造方法を
提供することを目的とする。
本発明による充電変換装置の製造方法は、絶縁性基板上
に１該基板を１００〜３００’′Ｃに加熱しながら第１
電極膜を設け、前記第１電極膜の設けられていない部分
に光電変換膜を設け、所望により該充電変換膜を加熱し
て活性化し、次いで前記基板をａ℃以下の温度に保って
前記第１電極膜と前記光電変換膜とを接続するようにし
て第２電極膜を設けることを特徴とするものである。
に１該基板を１００〜３００’′Ｃに加熱しながら第１
電極膜を設け、前記第１電極膜の設けられていない部分
に光電変換膜を設け、所望により該充電変換膜を加熱し
て活性化し、次いで前記基板をａ℃以下の温度に保って
前記第１電極膜と前記光電変換膜とを接続するようにし
て第２電極膜を設けることを特徴とするものである。
発明の具体的説明
以下、添付図面を参照して本発明の実施例について詳述
する。第２図（ａ）〜（ｄ）は製造工程を示す断面図で
ある。
する。第２図（ａ）〜（ｄ）は製造工程を示す断面図で
ある。
第２ｔＮ（ａ）Ｋ示すように、ガラス、あるいはセラミ
ック勢の絶縁性基板１上にこの基板を１０ Ｃ）−３０
０℃の温ｊｌＫ加熱して真空蒸着法またはスパッタ法等
の方法で電極膜を被着させる。電極材料としては、従来
公知のＮｉＣｒ、 Ｎｉ、 Ｃｒ、 ＡＩ、 Ａｕ ｔ
ｆＣはＴａ等の金属を単独であるいは積層して用いるこ
とができる。次に、この電極膜をフォトリングラフィ法
にて所定形状にエツチングして第１電極膜２ａを形成す
る。このように、Ｉｔ！１電極膜２ａは基板加熱下で形
成されているので、基板との接着強度は良好であり、し
たがって外部配線のボンディング部等Ｏ特に基板との接
着強度が要求される電極部に用いることができる。
ック勢の絶縁性基板１上にこの基板を１０ Ｃ）−３０
０℃の温ｊｌＫ加熱して真空蒸着法またはスパッタ法等
の方法で電極膜を被着させる。電極材料としては、従来
公知のＮｉＣｒ、 Ｎｉ、 Ｃｒ、 ＡＩ、 Ａｕ ｔ
ｆＣはＴａ等の金属を単独であるいは積層して用いるこ
とができる。次に、この電極膜をフォトリングラフィ法
にて所定形状にエツチングして第１電極膜２ａを形成す
る。このように、Ｉｔ！１電極膜２ａは基板加熱下で形
成されているので、基板との接着強度は良好であり、し
たがって外部配線のボンディング部等Ｏ特に基板との接
着強度が要求される電極部に用いることができる。
次に第２図（ｂ）に示すように、絶縁性基板１上の第１
電極膜の形成されていない部分に、Ｃｄ８゜Ｃｄ’＠、
ＣｄＴ・等の光電変換材料を常法に従いたとえば真空
蒸着法あるいはスパッタ法により付着させ、更に必Ｉ！
に応じて４００〜６００℃の加熱処理を施こすことによ
り光電変換膜の活性化を行う０次いでこれを７オトリソ
グラフイ法によって所定形状にエツチングして光電変換
膜３を形成する。上述した活性化のための熱処理とエツ
チング処理の順序は入れかえてもよい。
電極膜の形成されていない部分に、Ｃｄ８゜Ｃｄ’＠、
ＣｄＴ・等の光電変換材料を常法に従いたとえば真空
蒸着法あるいはスパッタ法により付着させ、更に必Ｉ！
に応じて４００〜６００℃の加熱処理を施こすことによ
り光電変換膜の活性化を行う０次いでこれを７オトリソ
グラフイ法によって所定形状にエツチングして光電変換
膜３を形成する。上述した活性化のための熱処理とエツ
チング処理の順序は入れかえてもよい。
次に第２図（ｅ）に示すように、光電変換膜３と第１電
極膜２ａとを接続するようにして第２電極膜２ｂを設け
る。第２電１ｌｉｊｉＩの材料は、＄１１１１電極膜と
必ずしも同一材料である必要はな（、ＮｉＣｒ。
極膜２ａとを接続するようにして第２電極膜２ｂを設け
る。第２電１ｌｉｊｉＩの材料は、＄１１１１電極膜と
必ずしも同一材料である必要はな（、ＮｉＣｒ。
Ｎｉ、 Ｃｒ、 Ａ１． ＡｕあるいはＴａ等の金属を
適宜選ぶことができる。本発明の特徴はこの第２電極膜
を第１電極膜の形成時よりも低温条件下で形成するとこ
ろＫある。すなわち、絶縁性基板１を減圧下で、（資）
℃以下の温度で、好ましくは（資）℃以下の温度で、更
に好ましくは室温近傍の温度に保持した状態で真空蒸着
法またはスパッタ法等の方法で、光電変換膜３と第１電
極膜２＆とを接続するようにして電極膜を被着し、フォ
トリングラフィ法により所定形状にエツチングしてａｌ
Ｅ２電極膜２ｂを形成する。このように第２電極膜２ｂ
はボンデ７７部等の基板との接着強度が要求される部分
を有さないので加熱下で形成することは要せず、しかも
電極膜としての嶺能および基板との接着性についても支
障はない、さらに８０’Ｃ以下の温度で第２電極属を形
成するので電極膜と充電変換績との界面で生ずる相互作
用による充電変換膜の特性の劣化も最小限におさえるこ
とができる。
適宜選ぶことができる。本発明の特徴はこの第２電極膜
を第１電極膜の形成時よりも低温条件下で形成するとこ
ろＫある。すなわち、絶縁性基板１を減圧下で、（資）
℃以下の温度で、好ましくは（資）℃以下の温度で、更
に好ましくは室温近傍の温度に保持した状態で真空蒸着
法またはスパッタ法等の方法で、光電変換膜３と第１電
極膜２＆とを接続するようにして電極膜を被着し、フォ
トリングラフィ法により所定形状にエツチングしてａｌ
Ｅ２電極膜２ｂを形成する。このように第２電極膜２ｂ
はボンデ７７部等の基板との接着強度が要求される部分
を有さないので加熱下で形成することは要せず、しかも
電極膜としての嶺能および基板との接着性についても支
障はない、さらに８０’Ｃ以下の温度で第２電極属を形
成するので電極膜と充電変換績との界面で生ずる相互作
用による充電変換膜の特性の劣化も最小限におさえるこ
とができる。
このようにして、本発明の充電変換材料が製造されるの
であるが、さらに外部回路との配線は５、第１電極Ｊ［
２ａ上に直接ハンダ付等を行ってもよく（第２図（ｄ）
、あるいはＩｓ１電極膜２ａ上にＡｕ郷のメッキ層を設
け、熱圧着技術を用いることも好ましい。
であるが、さらに外部回路との配線は５、第１電極Ｊ［
２ａ上に直接ハンダ付等を行ってもよく（第２図（ｄ）
、あるいはＩｓ１電極膜２ａ上にＡｕ郷のメッキ層を設
け、熱圧着技術を用いることも好ましい。
尚、第１電極膜、充電変換膜、第２電極膜の所望形状へ
の形成方法としては、上記の様なフォトリソグラフィ法
の他に１あらかじめ基板上に所望のパターンを有するマ
スクを用いて電極膜等を基板上に被着させる方法をとる
こともできる。
の形成方法としては、上記の様なフォトリソグラフィ法
の他に１あらかじめ基板上に所望のパターンを有するマ
スクを用いて電極膜等を基板上に被着させる方法をとる
こともできる。
以上述べたように、従来法では、充電変換膜と電極膜の
いずれを先に形成する場合においても、上記膜相互の界
面で生ずる加熱感層による悪影響を回避することはでき
なかつ丸０本発明では、外部配線のボンディング部等の
特に基板との接着強度の必要な部分については加熱下で
１１１電極膜を設け、さらに光電変換膜の形成とその熱
感１１による活性化が終了した後に、（資）℃以下の温
度で＃Ｉ２電極膜を形成するようにし九ので、従米避け
られなかつ走光電変換特性の劣化は防止され、しかもボ
ンディング部における基板との接着強度が良好な電極を
得ることができる。
いずれを先に形成する場合においても、上記膜相互の界
面で生ずる加熱感層による悪影響を回避することはでき
なかつ丸０本発明では、外部配線のボンディング部等の
特に基板との接着強度の必要な部分については加熱下で
１１１電極膜を設け、さらに光電変換膜の形成とその熱
感１１による活性化が終了した後に、（資）℃以下の温
度で＃Ｉ２電極膜を形成するようにし九ので、従米避け
られなかつ走光電変換特性の劣化は防止され、しかもボ
ンディング部における基板との接着強度が良好な電極を
得ることができる。
第１図（ａ）および（ｂ）は、従来の方法により製造さ
れ九光電変換装置の断面図であり、第２図（ａ）〜（ｄ
）は、本発明による光電変換装置の製造工程を示す断面
図である。 １・・・絶縁性基板、ト・・電極膜、２ａ・・・第１電
極膜、２ｂ・・・＃Ｉ２電極膜、３・・・光電変換膜、
４・・・内外部配線。 出願人代理人 猪 股 清
れ九光電変換装置の断面図であり、第２図（ａ）〜（ｄ
）は、本発明による光電変換装置の製造工程を示す断面
図である。 １・・・絶縁性基板、ト・・電極膜、２ａ・・・第１電
極膜、２ｂ・・・＃Ｉ２電極膜、３・・・光電変換膜、
４・・・内外部配線。 出願人代理人 猪 股 清
Claims (1)
- 絶縁性基板上に１該基板を１００〜３０Ｇ’ＣＫａｌｌ
ｌｋしながら嬉１電極膜を設け、前記ＩＩＩ電極膜の設
けられていない部分に光電変換膜を設け、必９！に応じ
て該光電変換膜を加熱して活性化し、次いで前記基板を
（資）℃以下の温１１に保って酋記嬉１ｍ＠膜と前記光
電変換膜とを績鏡するようＫして菖２電極膜を設けるこ
とを特徴とする、光電変換装置０Ｉｌｌ造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57040502A JPS58157178A (ja) | 1982-03-15 | 1982-03-15 | 光電変換装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57040502A JPS58157178A (ja) | 1982-03-15 | 1982-03-15 | 光電変換装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58157178A true JPS58157178A (ja) | 1983-09-19 |
Family
ID=12582327
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57040502A Pending JPS58157178A (ja) | 1982-03-15 | 1982-03-15 | 光電変換装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58157178A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60167464A (ja) * | 1984-02-10 | 1985-08-30 | Canon Inc | 光電変換装置 |
| JPS6295868A (ja) * | 1985-10-22 | 1987-05-02 | Sharp Corp | 光電変換素子 |
-
1982
- 1982-03-15 JP JP57040502A patent/JPS58157178A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60167464A (ja) * | 1984-02-10 | 1985-08-30 | Canon Inc | 光電変換装置 |
| JPS6295868A (ja) * | 1985-10-22 | 1987-05-02 | Sharp Corp | 光電変換素子 |
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