JPS58157367A - Ｇｔｏゲ−トドライブ回路 - Google Patents
Ｇｔｏゲ−トドライブ回路Info
- Publication number
- JPS58157367A JPS58157367A JP57040992A JP4099282A JPS58157367A JP S58157367 A JPS58157367 A JP S58157367A JP 57040992 A JP57040992 A JP 57040992A JP 4099282 A JP4099282 A JP 4099282A JP S58157367 A JPS58157367 A JP S58157367A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gto
- transistor
- turned
- thyristor
- resistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 240000007185 Albizia julibrissin Species 0.000 description 1
- 235000011468 Albizia julibrissin Nutrition 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M1/00—Details of apparatus for conversion
- H02M1/06—Circuits specially adapted for rendering non-conductive gas discharge tubes or equivalent semiconductor devices, e.g. thyratrons, thyristors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Power Conversion In General (AREA)
- Thyristor Switches And Gates (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、トランジスタとサイリスタとを直列に接続し
、前記トランジスタの１三ツタにＧＴｏのゲートを接続
し、前記トランジスタのオンによりＧＴＯをオンさせる
ときもに前記サイリスタのオンによりＧＴ（ｌオフさせ
る如くして成るＧＴＯゲートドライブ回路において、制
御トランジスタに直列接続し九フンヂンサと抵抗の直列
回路に並列に補助トランジスタ全接続するとともに前記
コンデンサと抵抗の接続点にサイリスタのゲートを接続
し、前記トランジスタのオンと同時に補助トランジスタ
をオンする如くして成ることを特徴とするＧＴＯゲート
ドライブ回路に係るものである。
、前記トランジスタの１三ツタにＧＴｏのゲートを接続
し、前記トランジスタのオンによりＧＴＯをオンさせる
ときもに前記サイリスタのオンによりＧＴ（ｌオフさせ
る如くして成るＧＴＯゲートドライブ回路において、制
御トランジスタに直列接続し九フンヂンサと抵抗の直列
回路に並列に補助トランジスタ全接続するとともに前記
コンデンサと抵抗の接続点にサイリスタのゲートを接続
し、前記トランジスタのオンと同時に補助トランジスタ
をオンする如くして成ることを特徴とするＧＴＯゲート
ドライブ回路に係るものである。
本発明の目的とするところは、ＧＴＯのゲート、カソー
ド’ＩＩＩに接続した抵抗を小さくした状態でサイリス
タを確実にオン、オフできるようにし、ＧＴＯの耐圧を
高くするとともにＧＴＯを確実にオンミ 才）できるよ
うにすることにある。
ド’ＩＩＩに接続した抵抗を小さくした状態でサイリス
タを確実にオン、オフできるようにし、ＧＴＯの耐圧を
高くするとともにＧＴＯを確実にオンミ 才）できるよ
うにすることにある。
ＧＴＯけ一般に、ゲートターンオフサイリスタと呼ばれ
るように、ターンオフ可能とし次サイリスタである。Ｇ
Ｔ（ｌターンオ）させる九めにけ、ＧＴＯのゲート、カ
ソード間に逆バイアス電圧を低インピータンスでかける
ことにより行なえる。ＧＴＯｅターンオフさせるためＫ
は、サイリスタ（ＳＣＲ）又ＶｉＧＴＯを使用するのが
一般的である。
るように、ターンオフ可能とし次サイリスタである。Ｇ
Ｔ（ｌターンオ）させる九めにけ、ＧＴＯのゲート、カ
ソード間に逆バイアス電圧を低インピータンスでかける
ことにより行なえる。ＧＴＯｅターンオフさせるためＫ
は、サイリスタ（ＳＣＲ）又ＶｉＧＴＯを使用するのが
一般的である。
第１図はサイリス：）ｓ ＣＲを使用し次従来のＧＴＯ
ゲートドライブ回路で、トランジスタＱ１とす１頁列に
接続し、トランジスタＱｓのｌ：ツタをＧＴＯのゲート
Ｇに接続する。ＧＴＯＶｉｌ’ラ−Ｊジスタロ１をオン
することによりアノードＡとカソードに間を導通状態に
する。そして、オフするときはトうンジスタＱｌ（ｌ−
オフにし、サイリスタ５ＣＲｔオフさせることによりゲ
ートＧに貯え次電荷を急檄にサイリスタＳＣＲ’に介し
て流し、サイリスタ５ＣＲＫけ一１ｇなる大きな電流が
流れ、それによりＧＴＯのアノードＡ−カソードＫｒｔ
！ｊＪけ開放状態になる。即ち、ターンオフするのであ
る。その後、ＧＴＯの−ｉｇＶｉ流れなくなる。それに
よりサイリスタＳＣＲはオフすることになるが、このと
き、ＧＴＯのゲートＧ−カソードＫ １１！ｌＫは抵抗
Ｒがする必要がある。この抵抗Ｒｇの役割１ｄＧＴＯの
耐圧に深く起因するもので、抵抗値はできるだけにくく
なる。もし、サイリスタＳＣＲがオフしない場合には、
トランジスタＱ＋のオン時にトランジスタＱ＋を流れる
電流Ｆｉ寸イリスタ５ＣＲｋ流れてしまい、ＧＴＯがオ
シしないことになる。
ゲートドライブ回路で、トランジスタＱ１とす１頁列に
接続し、トランジスタＱｓのｌ：ツタをＧＴＯのゲート
Ｇに接続する。ＧＴＯＶｉｌ’ラ−Ｊジスタロ１をオン
することによりアノードＡとカソードに間を導通状態に
する。そして、オフするときはトうンジスタＱｌ（ｌ−
オフにし、サイリスタ５ＣＲｔオフさせることによりゲ
ートＧに貯え次電荷を急檄にサイリスタＳＣＲ’に介し
て流し、サイリスタ５ＣＲＫけ一１ｇなる大きな電流が
流れ、それによりＧＴＯのアノードＡ−カソードＫｒｔ
！ｊＪけ開放状態になる。即ち、ターンオフするのであ
る。その後、ＧＴＯの−ｉｇＶｉ流れなくなる。それに
よりサイリスタＳＣＲはオフすることになるが、このと
き、ＧＴＯのゲートＧ−カソードＫ １１！ｌＫは抵抗
Ｒがする必要がある。この抵抗Ｒｇの役割１ｄＧＴＯの
耐圧に深く起因するもので、抵抗値はできるだけにくく
なる。もし、サイリスタＳＣＲがオフしない場合には、
トランジスタＱ＋のオン時にトランジスタＱ＋を流れる
電流Ｆｉ寸イリスタ５ＣＲｋ流れてしまい、ＧＴＯがオ
シしないことになる。
本発明はかかる点に鑑みてなされたもので、以下実施例
により詳細に説明する。
により詳細に説明する。
第２図において、ＱＩはトランジスタで１インタフタン
スＬｇ を介してサイリスタＳＣＲを直列に接続し、ト
ランジスタＱ＋のエミッタをＧＴＯのゲートに接続する
。−Ｑ２は制御トランジスタで、サイリスタ５ＣＲ（ｉ
−オンさせるときにオンするものでシデンサＣ５と抵抗
Ｒｇ′の直列回路に並列に補助トランジスタＱｓ’Ｔｈ
接続し、この補助トランジスタＱ３ｋ ）ランジスタＱ
＋と同時にオン、オフさせる。
スＬｇ を介してサイリスタＳＣＲを直列に接続し、ト
ランジスタＱ＋のエミッタをＧＴＯのゲートに接続する
。−Ｑ２は制御トランジスタで、サイリスタ５ＣＲ（ｉ
−オンさせるときにオンするものでシデンサＣ５と抵抗
Ｒｇ′の直列回路に並列に補助トランジスタＱｓ’Ｔｈ
接続し、この補助トランジスタＱ３ｋ ）ランジスタＱ
＋と同時にオン、オフさせる。
今、ＧＴ（ｌオンさせる場合は、トランジスタＱ改オシ
することにより、ＧＴＯＫゲート電流を流してオンさせ
る。つぎに、オフするききは、制御トランジスタ０２ｆ
ｔオンにしてサイリスタＳＣＲをオンにするが、このと
き、サイリスタ５ＣＲＫはコンデンサＣ８と抵抗ＲｇＫ
よる微分波形が加えられる。したがって、コンデンサＣ
Ｋは図示の方向に電荷が貯えられる。つぎに、トランジ
スタＱ＋をオンするとき、同時に補助トランジスタＱ３
にオンすることにより、］ンヂンサＣ８の電荷が補助ト
ラ：／ジスタＱ３Ｎ抵抗ＲＣＸＲｇ′を介して放電して
電流ｉが流れ、サイリスタＳＣＨのゲート、カソード間
に逆ｌスイアスをかける。し九がって、サイスタＳＣＲ
はＧＴＯ的な使い方をしてオフにする９ＧＴＯとＳＣＲ
は構造的に同じで、ＧＴＯの場合は大電流でゲートター
ンオフができるものでろるが、サイリスタＳＣＲの場合
にあっても小電流の場合にはＧＴＯ的な使用力法ができ
ることを利用してサイリスタ５ＣＲｔオフするようにし
たものである。し次がって、ＧＴＯのゲート、カソード
旬抵抗Ｒｇを小さくでき、ＧＴＯの耐圧を高くできる。
することにより、ＧＴＯＫゲート電流を流してオンさせ
る。つぎに、オフするききは、制御トランジスタ０２ｆ
ｔオンにしてサイリスタＳＣＲをオンにするが、このと
き、サイリスタ５ＣＲＫはコンデンサＣ８と抵抗ＲｇＫ
よる微分波形が加えられる。したがって、コンデンサＣ
Ｋは図示の方向に電荷が貯えられる。つぎに、トランジ
スタＱ＋をオンするとき、同時に補助トランジスタＱ３
にオンすることにより、］ンヂンサＣ８の電荷が補助ト
ラ：／ジスタＱ３Ｎ抵抗ＲＣＸＲｇ′を介して放電して
電流ｉが流れ、サイリスタＳＣＨのゲート、カソード間
に逆ｌスイアスをかける。し九がって、サイスタＳＣＲ
はＧＴＯ的な使い方をしてオフにする９ＧＴＯとＳＣＲ
は構造的に同じで、ＧＴＯの場合は大電流でゲートター
ンオフができるものでろるが、サイリスタＳＣＲの場合
にあっても小電流の場合にはＧＴＯ的な使用力法ができ
ることを利用してサイリスタ５ＣＲｔオフするようにし
たものである。し次がって、ＧＴＯのゲート、カソード
旬抵抗Ｒｇを小さくでき、ＧＴＯの耐圧を高くできる。
第３図（ａ） （ｂ）は上述の動作を示す電流波形図で
ある。
ある。
斜上のように本発明は、制御トランジスタに直列接続し
たコンデンサと抵抗の直列回路に並列に補助トランジス
タを接続するとともに前記コンデンサと抵抗の接続点に
サイリスタのゲートを接続し、トランジスタのオンと同
時に補助トランジスタをオンする如くしたから、ＧＴＯ
のゲート、カソード間に接続した抵抗を小さくした状態
でサイリスタを′＃１実にオン、オフできてＧＴＯを確
実にオシ′、オフでき、しかもＧＴＯの耐圧を高くでき
るという効果を奏するものである。
たコンデンサと抵抗の直列回路に並列に補助トランジス
タを接続するとともに前記コンデンサと抵抗の接続点に
サイリスタのゲートを接続し、トランジスタのオンと同
時に補助トランジスタをオンする如くしたから、ＧＴＯ
のゲート、カソード間に接続した抵抗を小さくした状態
でサイリスタを′＃１実にオン、オフできてＧＴＯを確
実にオシ′、オフでき、しかもＧＴＯの耐圧を高くでき
るという効果を奏するものである。
第１図は従来のＧＴＯゲートドライブ回路の回路図、８
２図は本発明の一実施例の回路図、第３ ＩＡ （ａ）
、ωＮ−１同上の要部電流波形図である。 Ｑｌ、トラ：、シフ、夕、５ＣＲ−＋ｊイ”）スタＳＱ
２°゛Ｉ＋ｉｌＩ佃１トランジスタ、Ｃ３・補助トラン
ジスタ、Ｃ５・・・代理人 弁坤士 石 １）長 七
２図は本発明の一実施例の回路図、第３ ＩＡ （ａ）
、ωＮ−１同上の要部電流波形図である。 Ｑｌ、トラ：、シフ、夕、５ＣＲ−＋ｊイ”）スタＳＱ
２°゛Ｉ＋ｉｌＩ佃１トランジスタ、Ｃ３・補助トラン
ジスタ、Ｃ５・・・代理人 弁坤士 石 １）長 七
Claims (1)
- ０）トランジスタとりイリスタとｔ直列に接続し、前記
トランジスタの１三ツタにＧＴＯのゲートを接続し、前
記トランジスタのオンによりＧＴＯをオンさせるととも
に前記サイリスタのオンによりＧＴＯをオフきせる如く
して成るＧＴＯゲートドライブ回路において、制御トラ
ンジスタに直列接続したコンデンサと抵抗の直列回路に
並列に補助トランジスタを接続するとともに前記コンデ
ンサと抵抗の接続点にサイリスタのゲートを接続し、前
記トランジスタのオンと同時に補助トランジスタをオン
する如くして成ることを特徴とするＧＴＯゲートドライ
ラ回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57040992A JPS58157367A (ja) | 1982-03-15 | 1982-03-15 | Ｇｔｏゲ−トドライブ回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57040992A JPS58157367A (ja) | 1982-03-15 | 1982-03-15 | Ｇｔｏゲ−トドライブ回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58157367A true JPS58157367A (ja) | 1983-09-19 |
Family
ID=12595923
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57040992A Pending JPS58157367A (ja) | 1982-03-15 | 1982-03-15 | Ｇｔｏゲ−トドライブ回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58157367A (ja) |
-
1982
- 1982-03-15 JP JP57040992A patent/JPS58157367A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2585284B2 (ja) | 電力ｍｏｓｆｅｔゲ−ト駆動回路 | |
| JPS58157367A (ja) | Ｇｔｏゲ−トドライブ回路 | |
| JPS6349099Y2 (ja) | ||
| JPH07111446A (ja) | 電圧駆動型半導体素子のゲート駆動装置 | |
| JPH03100814A (ja) | 定電圧回路 | |
| JPS5832459A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS633168Y2 (ja) | ||
| JPS60158335U (ja) | 固体化リレ− | |
| JPS604359Y2 (ja) | 双安定リレ−制御回路 | |
| JPS5915226Y2 (ja) | 保護回路 | |
| JPH02131323A (ja) | 電源回路 | |
| JPS633513A (ja) | 論理回路 | |
| JPH0227567Y2 (ja) | ||
| JPH0241258B2 (ja) | ||
| JPS5831775B2 (ja) | ダイオ−ドゲ−トカイロ | |
| JPS61335U (ja) | Ｍｏｓインバ−タ回路 | |
| JPS6440283U (ja) | ||
| JPS59149062U (ja) | 電圧検出回路 | |
| JPS59116824A (ja) | パワ−トランジスタのベ−ス制御回路 | |
| JPS60255055A (ja) | 半導体スイツチ駆動回路 | |
| JPS585108U (ja) | 基準電圧発生回路 | |
| JPS63164472A (ja) | 縦型ｍｏｓｆｅｔ | |
| JPS60181927U (ja) | 保護機能付トランジスタスイツチング回路 | |
| JPH069332B2 (ja) | 半導体スイツチ | |
| JPS643331U (ja) |