JPS5816534A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS5816534A JPS5816534A JP56115575A JP11557581A JPS5816534A JP S5816534 A JPS5816534 A JP S5816534A JP 56115575 A JP56115575 A JP 56115575A JP 11557581 A JP11557581 A JP 11557581A JP S5816534 A JPS5816534 A JP S5816534A
- Authority
- JP
- Japan
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- hydrofluoric acid
- etching
- aluminum
- alumina
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
- H10P50/20—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching
- H10P50/28—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of insulating materials
- H10P50/282—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of insulating materials of inorganic materials
- H10P50/283—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of insulating materials of inorganic materials by chemical means
Landscapes
- Weting (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体装置の製造方法にかかり、特にそれら
の装置のパターン形成方法に関するものである。
の装置のパターン形成方法に関するものである。
゛ 本発明の半導体装置とは、単体の半導体装置。
半導体集積回路装置、更にこれらと薄膜集積回路装置、
厚膜集積回路装置等を組み合わせて成る混成集積回路装
置、及び以上の各装置の大規模集積回路装置等を含む広
義の半導体装置をいう。
厚膜集積回路装置等を組み合わせて成る混成集積回路装
置、及び以上の各装置の大規模集積回路装置等を含む広
義の半導体装置をいう。
従来、写真蝕刻法によるアルミニウム上のアルミナ゛や
二酸化シリコンのエツチングには主として弗酸系水溶液
″が用いられている。しかし、同時にアルミニウムも弗
酸系水溶液にエツチング′される。
二酸化シリコンのエツチングには主として弗酸系水溶液
″が用いられている。しかし、同時にアルミニウムも弗
酸系水溶液にエツチング′される。
これは、・シリコン基板上にアルミニウムがある場合は
８ｉ １弗酸水溶液ＩＡＪの電池が形成されてアルミニ
ウムのエツチングが促進されるためである〇このため製
造現場ではエツチング条件やエツチングの方法をきびし
く管理する必要があった。たとえば第１図を用いて従来
のエツチング方法を説明する。シリコン基板１上に被着
されたアルミニウム３．０上にアルミナ４を形成し、こ
れを、たとえば１：５０の弗酸水溶液を用いてエツチン
グする場合（第１図１）、エツチングが酸化アルミニウ
ム４とアルミニウム３の界面に達すると、前記の８ｉ
ｌ弗酸水溶液ＩＡＪの電池形成が行なわれアルミニウム
３のエツチングが急速に進行する（第１図ｂ）。多層配
線を行なう場合、このようにアルミニウムがエツチング
されると信頼性に乏しくなるばかりか段切れや導通不良
となり、製品の歩留りを下げる大きな要因となっている
。
８ｉ １弗酸水溶液ＩＡＪの電池が形成されてアルミニ
ウムのエツチングが促進されるためである〇このため製
造現場ではエツチング条件やエツチングの方法をきびし
く管理する必要があった。たとえば第１図を用いて従来
のエツチング方法を説明する。シリコン基板１上に被着
されたアルミニウム３．０上にアルミナ４を形成し、こ
れを、たとえば１：５０の弗酸水溶液を用いてエツチン
グする場合（第１図１）、エツチングが酸化アルミニウ
ム４とアルミニウム３の界面に達すると、前記の８ｉ
ｌ弗酸水溶液ＩＡＪの電池形成が行なわれアルミニウム
３のエツチングが急速に進行する（第１図ｂ）。多層配
線を行なう場合、このようにアルミニウムがエツチング
されると信頼性に乏しくなるばかりか段切れや導通不良
となり、製品の歩留りを下げる大きな要因となっている
。
本発明の目的は、上記事情に鑑みて、電池形成を防いで
アルミニウムが溶解されず酸化アルミニウムだけを安定
して容易にしかも再現性良くエツチングすることのでき
る半導体装置の製造方法を提供することにある。
アルミニウムが溶解されず酸化アルミニウムだけを安定
して容易にしかも再現性良くエツチングすることのでき
る半導体装置の製造方法を提供することにある。
本発明は半導体基板の一主表面に形成されたアル１ニウ
ム上の絶縁物層を写真蝕刻法によって選択エツチングす
る工程において、弗酸を含むエツチング液の蒸気を用い
てエツチングすることを特徴とする。
ム上の絶縁物層を写真蝕刻法によって選択エツチングす
る工程において、弗酸を含むエツチング液の蒸気を用い
てエツチングすることを特徴とする。
次に本発明の一実施例を第２図を用いて説明する。まず
、シリコン基板１上に被着されたアルミニウム３上にア
ルミナ４を形成し、表面に７オトレジストパターン５．
を形成した後、弗酸を含むエツチング液面上に数秒〜＆
１０分さらす第２図（ａ）。すると、弗酸の蒸気が半導
体基板全体をおおうが、７オトレジス）５は疎水性の為
蒸気が付着しずらく、親水性であるアルミナ４表面に付
着し、弗酸の水玉を作る。（第２図（ｂ））弗酸の水玉
によりアルミナ４がエツチングされるがエツチングがア
ルミニウム３．の表面に達するとエツチングが停止する
。（第２図（Ｃ））これは半導体基板１の裏面が空気に
よって半導体基板１上のアルミニウム３と絶縁されてい
る為、電池形成が成されずアルミニウム３の溶解が促進
されないことによる。
、シリコン基板１上に被着されたアルミニウム３上にア
ルミナ４を形成し、表面に７オトレジストパターン５．
を形成した後、弗酸を含むエツチング液面上に数秒〜＆
１０分さらす第２図（ａ）。すると、弗酸の蒸気が半導
体基板全体をおおうが、７オトレジス）５は疎水性の為
蒸気が付着しずらく、親水性であるアルミナ４表面に付
着し、弗酸の水玉を作る。（第２図（ｂ））弗酸の水玉
によりアルミナ４がエツチングされるがエツチングがア
ルミニウム３．の表面に達するとエツチングが停止する
。（第２図（Ｃ））これは半導体基板１の裏面が空気に
よって半導体基板１上のアルミニウム３と絶縁されてい
る為、電池形成が成されずアルミニウム３の溶解が促進
されないことによる。
さらに評しく説明をすると、アルミナ４がエツチングさ
れる時の化学反応式は ’Ｊｔ Ｏｎ ＋ ６ ＨＦ→２ＡＪＦ、＋３Ｈ２０・
・・（１）であるのに対し、アルミニウム３がエツチン
グされる時の化学反応式は ２ Ａｊ ＋ ６ ＨＦ ４２人ｅ”＋６ ｅ−＋６Ｈ
”＋６ Ｆ−→２ＡノＦａ ＋３ Ｈ２↑
・・・（２）のように電解反応である。第１図を用いて
説明したように、従来の弗酸を含むエツチング液中では
Ｓｉ ｌ弗酸水溶液＋７ｖの電池が形成されて電解反応
がさかんになり、結果としてアルミニウム３゜の溶解が
促進されるのに対し、本発明の方法を用いれば、空気に
より絶縁されている為、電池形成が行なわれないので式
（２）で示した反応が促進されず、アルミニウムの溶解
は促進されない。アルミナ４については式（２）で示し
たように電子の放出は起らないから、弗酸を含むエツチ
ング、液中でも本発明による方法でも同様にエツチング
が進行する。
れる時の化学反応式は ’Ｊｔ Ｏｎ ＋ ６ ＨＦ→２ＡＪＦ、＋３Ｈ２０・
・・（１）であるのに対し、アルミニウム３がエツチン
グされる時の化学反応式は ２ Ａｊ ＋ ６ ＨＦ ４２人ｅ”＋６ ｅ−＋６Ｈ
”＋６ Ｆ−→２ＡノＦａ ＋３ Ｈ２↑
・・・（２）のように電解反応である。第１図を用いて
説明したように、従来の弗酸を含むエツチング液中では
Ｓｉ ｌ弗酸水溶液＋７ｖの電池が形成されて電解反応
がさかんになり、結果としてアルミニウム３゜の溶解が
促進されるのに対し、本発明の方法を用いれば、空気に
より絶縁されている為、電池形成が行なわれないので式
（２）で示した反応が促進されず、アルミニウムの溶解
は促進されない。アルミナ４については式（２）で示し
たように電子の放出は起らないから、弗酸を含むエツチ
ング、液中でも本発明による方法でも同様にエツチング
が進行する。
このように本発明を用いればアルミニウムをエツチング
することなくアルミナのみをエツチングすることが可能
になるのである。
することなくアルミナのみをエツチングすることが可能
になるのである。
以上の実施例においては、アルミニウム上のアルミナの
エツチングについて述べているが、一本発明は上記実施
例に限定されるものではなく、アルミニウム及びその他
の金属上のすべての絶縁物層にも及ぶものである。
エツチングについて述べているが、一本発明は上記実施
例に限定されるものではなく、アルミニウム及びその他
の金属上のすべての絶縁物層にも及ぶものである。
第１図（ａ）乃至第１ＷＪ（ｂ）は従来の半導体装置の
製造方法とその断面を示す図である。第２図（ａ）乃至
第２図（ｃ）は本発明の一実施例を説明する半導体装置
の製造方法とその断面を示す図である。 尚、図において １゛°°シリコン基板、２°°”シリコン酸化膜、３−
°。 アルミニウム、４・・°アルミナ、５・・・フォトレジ
スト％６−・・弗酸を含むエツチング液、６′・・・弗
酸の水玉。 （ぴノ ｄｏ ８１ 図 （久２ （１）ノ 第Ｚ 区
製造方法とその断面を示す図である。第２図（ａ）乃至
第２図（ｃ）は本発明の一実施例を説明する半導体装置
の製造方法とその断面を示す図である。 尚、図において １゛°°シリコン基板、２°°”シリコン酸化膜、３−
°。 アルミニウム、４・・°アルミナ、５・・・フォトレジ
スト％６−・・弗酸を含むエツチング液、６′・・・弗
酸の水玉。 （ぴノ ｄｏ ８１ 図 （久２ （１）ノ 第Ｚ 区
Claims (1)
- 半導体基板の一主表面上に形成された金属配線上の絶縁
物層を写真蝕刻法によって選択エツチングする工程にお
いて、弗酸を含むエツチング液の蒸気を用いてエツチン
グすることを特徴とする半導体装置の１ｌｌｆｉ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56115575A JPS5816534A (ja) | 1981-07-23 | 1981-07-23 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56115575A JPS5816534A (ja) | 1981-07-23 | 1981-07-23 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5816534A true JPS5816534A (ja) | 1983-01-31 |
Family
ID=14665961
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56115575A Pending JPS5816534A (ja) | 1981-07-23 | 1981-07-23 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5816534A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5976988A (en) * | 1995-04-26 | 1999-11-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Etching material and etching method |
-
1981
- 1981-07-23 JP JP56115575A patent/JPS5816534A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5976988A (en) * | 1995-04-26 | 1999-11-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Etching material and etching method |
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