JPS58166830A - 三状態回路 - Google Patents

三状態回路

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JPS58166830A
JPS58166830A JP57048570A JP4857082A JPS58166830A JP S58166830 A JPS58166830 A JP S58166830A JP 57048570 A JP57048570 A JP 57048570A JP 4857082 A JP4857082 A JP 4857082A JP S58166830 A JPS58166830 A JP S58166830A
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JP
Japan
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transistor
circuit
transistors
state
signal
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JP57048570A
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English (en)
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Atsushi Iwamura
岩村 淳
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/02Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components
    • H03K19/08Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices
    • H03K19/094Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices using field-effect transistors
    • H03K19/09425Multistate logic
    • HELECTRICITY
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の抜術分野〕 この発明は、MOI)ランジス!で構成した論還回路書
=係り、特に集積回路化に適した三状態回路に関する。
〔発明の抜術的背景【〜のrl4題、艷、〕三状態回路
は、CPU等に用いられる共通バス駆動回路を構成する
ために必須の回路であり。
一般に第1IIに示すように構成されている。すなわち
、電源VDDと接地点間にPチャネル蓋Mo1e)ラン
ジスタテ1およびNチャネル濃Mo1l)うyジスタT
ryが直列接続され、このトランジスタのゲートを論理
回路直=よって駆動することにより、トランジスタT 
rl @ T r@の接続点からrlJ、rOJおよび
「高インピーダンス」の三つの状態の出力信号OU丁を
得る。上記論理回路は、一端にデータ信号りが供給され
、他端に制御信号Sが供給されてその出力信号IN、で
トランジスタTrlを導通制御する第1のすVド回路N
ANDIと、一端にデータ信号DIマンパーツ回路NO
T、を介して供給され、他端に制御信号8が供給される
第2のナンド回路NAND、と、このナンド回路NAN
D、の出力を反転した出力IN、でトランジスタTrl
を等過制御するインバータ回路)io’r、とから構成
される。
第2図は、上記第1図の回路におけるデータ信号り、制
御信号8.トランジスタTrlの入力信号INt*)ラ
ンジメタ’Trlの入力信号1N1および出力信号OU
’Tの関係を示すものである。
図においてr H1−4Jは高インピーダンス状層を示
す。
上記のような構成において、インバータ回路N0Tr 
* NOT*は各2個、ナンド回路NAND、。
NAND、は各4個のトランジスタで構成する。
従って、上記第1図の三状態回路を形成するためには1
4個のトランジスタが必要である。このため、上記11
1図の回路を集積回路化した場合、占有函−が大き(な
り、また高速化も困曙な欠点がある。
璽1(2)は、上記第1図の回路における論理回路の他
の構成例を示すもので、図においてN0Ts。
NO?、はインバータ回路、N ORt −N ORB
はノア回路である。この回路における各信号の関係を第
4図に示す、ノア回路N0R1,NOR,を構成するた
めには各4個のトランジスタが必要であるため、第1I
Iの回路と同様に14個のトランジスタが必要である。
第5図は、三伏態回路を単一チャネルのトランジスタで
構成したもので、電源VDDと接地点間直列接続される
Nチャネル朦のMo1)うyジスタTr@*Tr4を、
インバータ回路NOT。
およびノア回路N ORs m N OR4から成る論
理回路の出力で導通制御するように構成したものである
。この回路?=おいては10個のトランジメタが必要で
ある。第6図に上記第5図の回路における各信号の関係
を示す。
上述したように、いずれの回路においても素子数が多い
ため杏有面−が大きくなり、動作適度も16通化できな
い欠点がある。
この発明は上記のような事情を鑑みてなされたもので、
その目的とするところは、占有面積が小さく、且つ高速
動作が、可能で集積回路化に適した三状態回路を提供す
ることである。
〔発明の概要〕
すなわち、この発明においては、上記第1II″。路1
:* it 6″1 、 *20M0 II ) 93
/1)fX夕Trl 、Trlを導通制御するための論
理回路とし1 電源と接地点との間“1第1−電竺の第
3M0Bトランジスタ、第2導電臘の第4M0Bトラン
ジスタ、第2導電朧の第5M051)ランジメタ およ
び第1導電朧のlllliMO8)ランジメタな順次直
列に接続し、上記183乃至第6トランジスタを共通の
制御信号で導通制御するとともに、上記第4.第5トラ
ンジスタの接続点からデータ信号を供給して、上記第3
.第4トランジスタの接続点の電位で第1のトランジス
タを導通制御し、上記sS、第6)うyジメタの績一点
の電位でII3のトランジスター−4遍側−するように
構成したものである。
〔発明の実施例〕
以下、この発明の一実施例について!11WJを参照し
て説明する。第1mはその構成を示すもので、上記11
1図の回路におけるトランジスタTrlsTrlを導通
制御する論理回路として、電源VDDと接地点間にPチ
ャネルli!(第1@電麿)の第3M08)ランジスタ
Tr@、Nチャネル履(第2導電飄)の第4M08)ラ
ンジメタTr1、Nチャネル置の115M0a)ランジ
メタ〒T、sおよびPチャネル量の第6M70畠トラン
ジスタTr−を順次直列に接続し、上記各トランジスタ
丁r−〜テr$に制御信号Sを供給して導通制御する。
そして、上記トランジスタTr・、Tryの接続点のデ
ータ入力端子11からデータ信号りを供給し、トランジ
スタT r@ s T r・の接続点の電位IN1でト
、うyジスタTrlを導通制御すると、とも1:、トラ
ンジスタTrマeTr龜の!i!碗点の電位INIでト
ラyi)スタTryを導通制御し、トランジスタ”Ie
’!’rlの接続点から出力信号OUTを得るようにし
て成る。
上記のような構成において動作を説明する。
制御信号8が@0ルベルの時、トランジスタTr@、テ
r、カオン状態となり、トランジスタTr・、Tryが
オフ状態となる。従って、トランジスタTrBの入力信
号IN、はvDD(@1″)レベル、トランジスタT1
の入力信号!−は接地(@O”)レベルとなり、トラン
ジスタT rl * T rlは共にオフ状態となるの
で、出力信号0υ丁は高インピーダンス状態となる0次
に、制御信号8が@1″レベルになると、トランジスタ
テr1゜Tr・がオフ状態、トランジスタ?r・0丁t
、がオン状態となる。従って、トランジスタTr1.丁
rlにはそれぞれトランジスタTr・5Tryを介して
データ信号りが供給されて導通1Ii41#aされる。
データ信号りが@O″レベルの時は、トランジスタTr
lがオン状態、トランジスタ7r、がオフ状態となり、
出力信号OUTは11ルベルとなる。
また、データ信号りが11@レベルの時は、トランジス
タTrlがオフ状層、トランジスタTryがオフ状層と
なり、出力信号OUTは@0ルベルとなる。118図に
各信号の関係を示す。
以上述べたことを要約すると、制御信号8が10@レベ
ルの時は、データ信号りのレベルにかかわりなく出力信
号OUTは高インピーダンス状態となり、制御信号8が
@1”レベルの時は、データ信号りの反転値が出力信号
OUTとして得られる。すなわち、出力信号00丁は、
任意に[高インピーダンスJ 、 rOJ 、 rlJ
の三状態のいずれかを取り得る3ステ一ト動作を行なう
このような構成によれば、6個のトランジスタで三伏態
回路を実現!き、且つ多入力輪廻ゲートを用いないため
パターン設計がIIs化できるのでこの回路の占有面積
が小さくできる。また 上記111図および第3図に示
したCMO8構成の三伏履回路の場合、制御信号あるい
はデータ信号、いずれにおいても最低2段の論運ゲ−)
を介して出力段のトランジスタTr@*Tr意を駆動す
るのに対し、この発明による回路の場合、1段のゲート
を介して出力トランジスタTrl I TFIを駆動で
きるので、−作遍度を^速比できる。
第9図は、この発明の他の実施例を示すもので、大きな
負荷を高速で駆動するための三状態回路である。すなわ
ち、王状態回路の応用に当っては、出力段のトランジス
タT rl 、 T IJは大きな負荷を駆動する場合
が多い。このため、トランジスタTry、〒r−を太き
((チャネル幅を大きく)設定するため、出力段のトラ
ンジスタTrl 、Tr鵞を駆動するためのインバータ
回路NO?−m N0Tyを設けたものである。この場
合、トランジスタTry、テr、に入力される信号IN
、。
I NI#1反転されるため、トランジスタTr、の一
端を接地し、トランジスタTr、の一端から電源VDD
電圧を供給する。この回路における各信号の関係を11
g1o図に示す。図示するように、出力信号OUTは、
データ信号りと同相の値となる。
ところで、トランジスタTr−−テr、から成る制御部
と出力段のトランジスタTr、sTr*との間に験けら
れるバッファ用のインバーター路が奇数段の場合は、デ
ータ信号りと出力信号OUTは同権となり、偶数段の場
合は逆相となる。
Ill imlは、さらにこの発明の他の実施例を示す
もので、上記各実施例においては、制御信号Sが@0ル
ベルの時高インピーダンス状態、@l″レベルの時出力
状態となる場合について説明したが、制御信号、8が゛
lルベルの時高インピーダンス状態とする回路である。
すなわち、上記$7a13の回路におけるトランジスタ
Tr1〜Tr、に代えて、それぞれ逆極性のトランジス
タTr、〜TrHを設けたものである。第12図にこの
回路における各信号の関係を示す。
なお、この回路においても、上記第9@lの回路と同様
に出力段のトランジスタTrl 、 TFIのゲートに
バッファ回路としてインバータ回路を設けても良い。
第13囚は、この発明による三状態回路なNチャネル飄
のトランジスタのみで構成した回路を示すもので、デー
タ信号りが供給されるインパータ回路NO?、の出力端
と、データ入力端子11との間にHチャネル履のMOl
t)ランジメタ’rrH〜Try@を直列接続し、上記
トランジスタTr14.’TrBの接続点を接地する。
そして、上記トランジスタテr1..テrtsを制御信
号8で導通制御するとともに、制御信号−をインバータ
回路NO?、を介してトランジスタTr14eTrll
に供給して導通制御する。そして、トランジスタ” ’
 ts e T r 14の**点の電位(INs)で
トランジスタTr龜を導通制御するとともに、トランジ
スタTrys e Tramの蒙一点の電位(IN4)
でトランジスタ?r4を導通−−するようにして成る。
上記のような構成において動作V説明する。
制御信号8が@0ルベルの時、トランジスタT1181
丁rl・はオフ状態、トランジスタ?rH@Trtsは
オン状態となり、トランジスタTry。
Tr4の入力信号IN、、lN4は′″o’o’レベル
ので、このトランジスタTra、!14はオフ状態とな
る。従って出力信号OUTは^インピーダンス状態とな
る0次に、制御信号1が“1mレベルとなると、トラン
ジスタTr@@@TrI・がオン状態、トランジスタ”
 ’14 e T r1@がオフ状層となる。従って、
トランジスタTrsのゲートにはデータ信号りの反転値
が供給され、トランジスタTr4のゲートにはデータ信
号りが供給される。データ信号りが@0”レベルの時は
、トランジスタTrlがオン状態、トランジスタTr4
がオフ状態となるので、出力信号OUTは@1ルベルと
なる。また、データ信号りが@1″レベルの時は、トラ
ン9スタTr−がオフ状態、トランジスタ〒14がオン
状態となり、出力信号OUTは@O″ルベルとなる。上
述した動作を要約すると、制御信号1が10”レベルの
時はデータ信号りの値いかんにかかわらず、出力信号O
UTは高インピーダンス状態となり、制御信号−が11
″lし、ベルの時はデータ信号1の反転値が出力信号O
UTとして得られる。以上の動作(各信号の関係)を第
14#Aに示す。
このような構成ζ二よれば、三状態回路を構成するため
のトランジスターの数は上記第5図の回路と同様に10
個必要となるが、多入力論理ゲート回路を用いないので
パターン設計が111mとなり、占有面積を小さくでき
る。また、最大でも一段の論理ゲートと一段のゲートを
介して出力段のトランジスタTr畠e Tr4を駆動す
るので高速化もできる。
なお、上記第13図の回路においても上記第9図の回路
と同様に、出力段のトランジスタTr@、↑ハのゲージ
にそれぞれインバータ回路を設けても良い。この場合、
インバータ回路が奇数段の場合はトランジスタTr14
1 TrBの接続点に電源電圧VDDを供給する必要が
ある。また上記第13図の回路をPチャネル製のトラン
ジスタのみで構成しても良いのはもちろんである。
〔発明の効果〕
以上説明したようにこの発明によれば、占有面積が小さ
く、且つ高速−作が可能で集積回路化に適した三状態回
路が得られる。
【図面の簡単な説明】
第1II−1116図はそれぞれ従来の三状態回路加よ
びその動作を説明するための図、第7図はこの発明の一
実施例に係る王状態回路を示す図、第8図は上記第7s
の回路の動作を説明するための図、第9図〜第14図は
それぞれこの発明の他の実施例を示す回路図およびその
動作を説明するための図である。 Trl〜Trl・・・・トランジスタ、VDD・・・電
源。 D・・・データ信号、8・・・−一信号、OUT・・・
出力信号、11.11・・・データ入力端子。 出膿人代理人  弁理士 鈴 江 武 彦第1図 第2図 第3図 UT 第4図 第5図 第6図 第8図 第10図 第11図 第12図 第13図 2 第14 rl!!

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 電源の一方と他方との間に直列msされる互いに逆導電
    蓋の第1.第2のMOII)ランジスタと、電源の一方
    と上記第1のトランジスタのゲートとの間に接続される
    第1導電履の第3Mol)ランジスタと、データ入力端
    子と上記第1のトランジスタのゲートとの間に接続され
    る第2導電朧の第4M08)ランジスタと、データ入力
    端子と上記第2のトランジスタのゲートとの間に接続さ
    れる第2導電製の第5M0IIトランジスタと、電源の
    他方と上記II2のトランジスタのゲートとの間にII
    !統される第1噂電瀝の第8M0jl )うy9スタと
    を具備し、上記第3乃至第6トランジスタを共通の制御
    信号で導通制御し、第1.第2のトランジスタのwsi
    点から出力を得るように構成したことを特徴とする三状
    態回路。
JP57048570A 1982-03-26 1982-03-26 三状態回路 Pending JPS58166830A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62290212A (ja) * 1986-06-09 1987-12-17 Nec Corp スリ−ステ−ト回路

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5942690A (ja) * 1982-09-03 1984-03-09 Toshiba Corp 半導体記憶装置
US4621208A (en) * 1984-09-06 1986-11-04 Thomson Components - Mostek Corporation CMOS output buffer
US4703203A (en) * 1986-10-03 1987-10-27 Motorola, Inc. BICMOS logic having three state output
JPH01157121A (ja) * 1987-09-29 1989-06-20 Toshiba Corp 論理回路
US5633603A (en) * 1995-12-26 1997-05-27 Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Data output buffer using pass transistors biased with a reference voltage and a precharged data input
TW410503B (en) * 1998-12-10 2000-11-01 Via Tech Inc A voltage level converter with single input via gate voltage
US9273665B1 (en) 2005-12-29 2016-03-01 Brett C. Krippene Dual wind energy power enhancer system

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3602733A (en) * 1969-04-16 1971-08-31 Signetics Corp Three output level logic circuit
US3737673A (en) * 1970-04-27 1973-06-05 Tokyo Shibaura Electric Co Logic circuit using complementary type insulated gate field effect transistors
US3651342A (en) * 1971-03-15 1972-03-21 Rca Corp Apparatus for increasing the speed of series connected transistors
US4037114A (en) * 1975-10-23 1977-07-19 Rca Corporation Tri-state logic circuit
FR2352449A1 (fr) * 1976-05-18 1977-12-16 Labo Cent Telecommunicat Dispositif logique a trois etats en technologie mos complementaire
SU743200A1 (ru) * 1978-02-24 1980-06-25 Московский Ордена Трудового Красного Знамени Инженерно-Физический Институт Элемент с трем состо ни ми
JPS55656A (en) * 1978-06-16 1980-01-07 Mitsubishi Electric Corp Complementary mos logic circuit
US4350906A (en) * 1978-06-23 1982-09-21 Rca Corporation Circuit with dual-purpose terminal
JPS5575349A (en) * 1978-12-01 1980-06-06 Toshiba Corp Cmos output control circuit
US4417162A (en) * 1979-01-11 1983-11-22 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Tri-state logic buffer circuit
JPS56103536A (en) * 1980-01-23 1981-08-18 Hitachi Ltd Mis output circuit
US4363978A (en) * 1980-07-31 1982-12-14 Rockwell International Corporation Reduced power tristate driver circuit

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62290212A (ja) * 1986-06-09 1987-12-17 Nec Corp スリ−ステ−ト回路

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US4491749A (en) 1985-01-01

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