JPS58171815A - 溝付ヒ−タプレ−ト - Google Patents

溝付ヒ−タプレ−ト

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Publication number
JPS58171815A
JPS58171815A JP57054486A JP5448682A JPS58171815A JP S58171815 A JPS58171815 A JP S58171815A JP 57054486 A JP57054486 A JP 57054486A JP 5448682 A JP5448682 A JP 5448682A JP S58171815 A JPS58171815 A JP S58171815A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
plate
proper
heater
gas
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP57054486A
Other languages
English (en)
Inventor
Tatsuhiko Nishimura
辰彦 西村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp, Tokyo Shibaura Electric Co Ltd filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP57054486A priority Critical patent/JPS58171815A/ja
Publication of JPS58171815A publication Critical patent/JPS58171815A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
    • H10P14/24—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials using chemical vapour deposition [CVD]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
    • H10P14/34—Deposited materials, e.g. layers
    • H10P14/3402—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition
    • H10P14/3404—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition being Group IVA materials
    • H10P14/3411—Silicon, silicon germanium or germanium

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は、溝付ヒータグレートに関する。
〔発明の技術的背景〕
半導体装置の製造工程では、気相成長装置（通常Ｃ，Ｖ
、Ｄ、装置と称せられる。）内にウェー・を設けて、ウ
ェハの表面に８１０□膜岬の薄＠Ｃ）形成が行われてい
る。この薄膜の形成処理は、ウェハを所定温度に設定さ
れ九ヒータグレート上に載置し、とのヒータグレートを
所定の反応ガスがノズルから層流状態で供給されている
炉内を、一定速度で通過させることによシ行われている
。
〔背景技術の問題点〕
前述のヒータグレート上にウェハを載置する際、或は、
ウェハが載置されたヒータグレートを移動する際に、ウ
ェハとヒータグレートのつ押し上げて外部に逃げるが、
その際にウェハの位置がずれる。その結果、薄膜の形成
処ｍ後には、ウェハの位置ずれのためにウェハの取上げ
操作を速やかＫできない欠点があった。
〔発明の目的〕
本発明は、薄膜形成処理後のウェー・のヒータグレート
からの除去操作を容易にした溝付ヒータグレートを提供
することをその目的とする奄のである。
〔発明の概要〕
本発明は、ヒータグレートにガス逃げ穴を穿設して、薄
膜形成処理後のつ翼ハのヒータグレートからの除去操作
を容易にした溝付ヒータグレートである。
〔発明の実施例〕
以下、本発明の実施例について図面を参照してｉＩ２明
する。
菖１図は、本発明の一爽施偽の平面図、嬉２図は、＃Ｉ
１図に示す実施例０１−１ｍ１Ｋ沿う噺面図である０図
中１がヒータグレートでＴｏ夛・ヒータグレート本体１
のウェハ載置面２には、ｆｘｉ１４げ壽３が十文字形に
穿設されている。このガス逃げ溝ＩＦｉ、ヒータグレー
ト本体１上に載置されるクエ−４とヒータグレート本体
１との間に侵入した空気を外部に逃す九めのものである
。従りて、ウェハ４の裏面の全域に対してガス逃げ溝３
が均等に！！触するように十文字形等に形成するのが望
ましい、また、ガス逃げ溝１の断面形状は、その加工が
容易でしかも保守が容易であるように、告えば長方形の
断面に形成するＯが望ましい。ガス逃は溝Ｓの溝巾及び
壽深さは、ウェハ４の大きさ、及びヒータグレート本体
１が挿入される炉内の温度等に応じて適宜設定するのが
望ましい、を九、ヒータグレート本体１のウェハ載置面
２／ｆｉ、ウェハ４との密着度を高めるために１研磨処
理されていることが望ましい。
而して、このような構成された溝付ヒータグレー）ＩＯ
によれば、ウェー載置面２にウェハ４を載置し、これを
気相成長装置等の炉内に挿入すると、ウェハ４の載置の
際戚は、ヒータプレート本体１の移動の際に、ウェハ４
とと一タ！レート本体ｌ関に空気等のガスが侵入し、炉
内温度によってこれが膨張して賜、膨張し九ガスを速や
かにガス逃ぜ溝３からヒータグレート本体ＩＯ外部に逃
がすことができる。
その結果、ウェハ４の載置位置を、気相成長装置等での
処理の前後で所定位置に保つことができる。このため、
薄膜の形成等の処理の施されたウェハ４を、ヒータグレ
ート本体Ｉから速やかに且つ容易に採取することができ
、作業性を向上させることができる。
〔発明の効果〕
以上説明した如く、本発ｖｉＫ係る溝付と一タ！レート
によれば、薄膜形成部Ｉｌ後のウェハのヒータグレート
上からの除去操作を容易にすることができるものである
・
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明の一実施例の平面図、第２図は、同実
ｍ告のｌｌ−１１１に沿う断面図である・１・・・ヒー
タグレート本体、！−・・ウエノ・載置面、Ｓ・・・ガ
ス逃げ溝、４・・・ウェ＾、ＬＬ・・・溝付ヒータグレ
ート。 出厭人代理人　弁理土鈴江武　彦 第１図 現 第２図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. ウェハが載置されるヒータグレート本体のウェー・載置
    面にガス逃げ溝を穿設してなる溝付ヒータグレート。
JP57054486A 1982-04-01 1982-04-01 溝付ヒ−タプレ−ト Pending JPS58171815A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57054486A JPS58171815A (ja) 1982-04-01 1982-04-01 溝付ヒ−タプレ−ト

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57054486A JPS58171815A (ja) 1982-04-01 1982-04-01 溝付ヒ−タプレ−ト

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS58171815A true JPS58171815A (ja) 1983-10-08

Family

ID=12971969

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP57054486A Pending JPS58171815A (ja) 1982-04-01 1982-04-01 溝付ヒ−タプレ−ト

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JP (1) JPS58171815A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07169824A (ja) * 1993-12-13 1995-07-04 Anelva Corp 基板加熱・冷却機構
SG99975A1 (en) * 2002-03-29 2003-11-27 Tokyo Electron Ltd Reflection plate for semiconductor heat treatment and manufacturing method thereof
WO2021179672A1 (zh) * 2020-03-13 2021-09-16 长鑫存储技术有限公司 封装结构及其形成方法

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