JPS6092614A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS6092614A JPS6092614A JP58201316A JP20131683A JPS6092614A JP S6092614 A JPS6092614 A JP S6092614A JP 58201316 A JP58201316 A JP 58201316A JP 20131683 A JP20131683 A JP 20131683A JP S6092614 A JPS6092614 A JP S6092614A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- diffusion layer
- opening
- exposed
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D64/00—Electrodes of devices having potential barriers
- H10D64/01—Manufacture or treatment
- H10D64/011—Manufacture or treatment of electrodes ohmically coupled to a semiconductor
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、半導体基板表面の拡散層と接続す製造方法に
関する。
関する。
５ＫＲ造されている。まず１母方位＜１０のの半導体基
板１表面に拡散層２を形成した後、基板ｌ上に絶縁膜３
を形成する。つづいて、前記拡散層２に対応する絶縁＄
３部分を選択的に開口し、開口部４を形成する。次いで
、全面Ｋ例えばｈｐを堆積した後、バターニングし、開
口部４を介して前記拡散層２に接続するＡＩ！ 配線５
を形成する。
板１表面に拡散層２を形成した後、基板ｌ上に絶縁膜３
を形成する。つづいて、前記拡散層２に対応する絶縁＄
３部分を選択的に開口し、開口部４を形成する。次いで
、全面Ｋ例えばｈｐを堆積した後、バターニングし、開
口部４を介して前記拡散層２に接続するＡＩ！ 配線５
を形成する。
しかしながら、前述した製造方法によれば。
拡散層２の深さが浅くなるに伴なって、開口゛部３周辺
部でのストレスによってＡ／ 原子が基板ｌ内へ拡散、
＃動するいわゆるＡ／ の突き抜は現象が生ずる。これ
は％（Ｚ ００）面では、開口部３周辺と基板□ｌとの
接触’９ｋｄでのストレス麟゛和が大きいためｓ Ｖａ
ＣａｎＣ７あるいはｄ！鬼１ｎｃａｔ’ｉｎｎ ＤＩＩ
ヒ ６１４Ｆｌ’＊ Ａｆ ｍ ＩＬ シ ｔｒ ７−
１と シ η−舵因する。
部でのストレスによってＡ／ 原子が基板ｌ内へ拡散、
＃動するいわゆるＡ／ の突き抜は現象が生ずる。これ
は％（Ｚ ００）面では、開口部３周辺と基板□ｌとの
接触’９ｋｄでのストレス麟゛和が大きいためｓ Ｖａ
ＣａｎＣ７あるいはｄ！鬼１ｎｃａｔ’ｉｎｎ ＤＩＩ
ヒ ６１４Ｆｌ’＊ Ａｆ ｍ ＩＬ シ ｔｒ ７−
１と シ η−舵因する。
本発明は上記事情に□鑑みてなされたもので、電極取出
し用の開口部から露出する基板の表面部分を局所的にエ
ツチング除去してその部分の面方位を変えることによっ
て、配線材料の突き抜けを防止し得る半導体装置の製造
方法を提供することを目的とするものである。
し用の開口部から露出する基板の表面部分を局所的にエ
ツチング除去してその部分の面方位を変えることによっ
て、配線材料の突き抜けを防止し得る半導体装置の製造
方法を提供することを目的とするものである。
本発明は１表面に拡散層を有する半導体基板上に、前記
拡散層に対応する部分に開口部を有した絶縁膜を形成し
た後、前記開口部から露出する基板の表面部分を選択的
にエツチング除去してエツチング部分の基板の面方位を
変えることによって、後工程で形成される電極材料によ
る朶き抜き現象を阻止することを図ったことを骨子とす
るものである。
拡散層に対応する部分に開口部を有した絶縁膜を形成し
た後、前記開口部から露出する基板の表面部分を選択的
にエツチング除去してエツチング部分の基板の面方位を
変えることによって、後工程で形成される電極材料によ
る朶き抜き現象を阻止することを図ったことを骨子とす
るものである。
以下、本発明の一実施例を第２図（ａ）〜（Ｃ）及び第
３図を参照して説明１−る。
３図を参照して説明１−る。
まず、半導体基板としての面方位ｇ ｏ ｏ）の８１基
板１１の表面に拡散層１２を形成した後。
板１１の表面に拡散層１２を形成した後。
基板１”ｌ上に絶縁膜１３を形成した。つづいて、前記
拡散層１２に対応する絶縁膜１３部分を選択的に開口し
、開口部１４を形成した（第２図（ａ）図示）。次いで
、この開口部１４かも露出する基板１１の表面部分を例
えはＫＵＨを用いてエツチング除去しｓ （１００）Ｉ
］から（Ｊ Ｊ ０面を箱出させた（第２図（ｂ）図示
）。しかる後、全面にＭを蒸着し、パターニングするこ
とによって。
拡散層１２に対応する絶縁膜１３部分を選択的に開口し
、開口部１４を形成した（第２図（ａ）図示）。次いで
、この開口部１４かも露出する基板１１の表面部分を例
えはＫＵＨを用いてエツチング除去しｓ （１００）Ｉ
］から（Ｊ Ｊ ０面を箱出させた（第２図（ｂ）図示
）。しかる後、全面にＭを蒸着し、パターニングするこ
とによって。
前記開口部１４を介して拡散層１２に接続するＭ配線１
５を形成した（第２図（Ｃ）及び第Ｊ図図示）。なお、
第８図は第２図（Ｃ）の平面図を示し、第１図中のＩ６
は（Ｊ Ｊ Ｉ）面部分を示す。
５を形成した（第２図（Ｃ）及び第Ｊ図図示）。なお、
第８図は第２図（Ｃ）の平面図を示し、第１図中のＩ６
は（Ｊ Ｊ Ｉ）面部分を示す。
しかして１本発明によれば、絶縁膜１２の開口部１３か
ら露出する面方位Ｃ１ｏ ｏ＞のＳｉ 基板１１の表面
をＫＯＨによりエツチング除去した後、Ｍの蒸着、バタ
ーニングを行なってＡＩ！配ｆ／！Ａ１４を形成するた
め、ＡＩ！による突き抜は現象を従来と比べ著しく回避
できる。その結果、歩留りは。
ら露出する面方位Ｃ１ｏ ｏ＞のＳｉ 基板１１の表面
をＫＯＨによりエツチング除去した後、Ｍの蒸着、バタ
ーニングを行なってＡＩ！配ｆ／！Ａ１４を形成するた
め、ＡＩ！による突き抜は現象を従来と比べ著しく回避
できる。その結果、歩留りは。
第を図に示す如〈従来（２０〜３０％）から７０〜８０
チにまで改善できた。なお、図中の（ａ）は従来を、（
ｂ）は本発明の場合のグラフを夫々示１″。同図より１
本発明が従来と比べ優れていることが確認できる。
チにまで改善できた。なお、図中の（ａ）は従来を、（
ｂ）は本発明の場合のグラフを夫々示１″。同図より１
本発明が従来と比べ優れていることが確認できる。
なお、上記実施例では、エツチング部分の基板の面方位
が（Ｊ Ｊ Ｊ）面である場合について述べたが、これ
に限らない。
が（Ｊ Ｊ Ｊ）面である場合について述べたが、これ
に限らない。
また、上記実施例では開口部から露出する基板をエツチ
ングする手段としてＫＵＨな用いたが、これに限らず、
ある特定面を選択露出できる薬品あるいはエツチング技
術を用いてもよいＯ〔発明の効果〕 以上詳述した如く本発明によれば、配線材料の突き抜け
を防止し得る歩留りの大きい半導体装置の製造方法を提
供できるものである。
ングする手段としてＫＵＨな用いたが、これに限らず、
ある特定面を選択露出できる薬品あるいはエツチング技
術を用いてもよいＯ〔発明の効果〕 以上詳述した如く本発明によれば、配線材料の突き抜け
を防止し得る歩留りの大きい半導体装置の製造方法を提
供できるものである。
第１図（ａ）は従来の半導体装置の断面図、同図（ｂ）
は同図（ａ）の平面図、第２図（ａ）〜（Ｃ″）は本発
明の一実施例に係る半導体装置の製造方法を工程順に示
す断面図、第３図は第２図（Ｃ）の平面図、第４図は従
来及び不発８ＡＫよる半導体装置の歩留りを示す棒グラ
フである０ １１・・・（１００）Ｓｉ基板（半導体基＆）、１２・
・・拡散層、１９・・・開口部、ｘｔ・・・Ａｊ 配線
。 １６・・・（ｉｌｌン面部分。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 ４ 第２図 １４
は同図（ａ）の平面図、第２図（ａ）〜（Ｃ″）は本発
明の一実施例に係る半導体装置の製造方法を工程順に示
す断面図、第３図は第２図（Ｃ）の平面図、第４図は従
来及び不発８ＡＫよる半導体装置の歩留りを示す棒グラ
フである０ １１・・・（１００）Ｓｉ基板（半導体基＆）、１２・
・・拡散層、１９・・・開口部、ｘｔ・・・Ａｊ 配線
。 １６・・・（ｉｌｌン面部分。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 ４ 第２図 １４
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １） 半導体基板表面に拡散層を形成する工程と、この
基板上に前記拡散層に対応する部分に開口部を有した絶
縁膜を形成する工程と、前記ｖ１」口部から露出する基
板の表面部分を選択的にエツチング除去してエツチング
部分の基板の面方位を変える工程と、全面に金属を蒸着
した後、バターニングして配線を形成する工程とを具備
することを特徴とする半導体装置の製造方法。 （２） エツチング部分の基板の面方位が（１１１）面
であることを特徴とする特許請求の範囲Ｃハ第１項記載
の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58201316A JPS6092614A (ja) | 1983-10-27 | 1983-10-27 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58201316A JPS6092614A (ja) | 1983-10-27 | 1983-10-27 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6092614A true JPS6092614A (ja) | 1985-05-24 |
| JPH0476208B2 JPH0476208B2 (ja) | 1992-12-03 |
Family
ID=16438984
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58201316A Granted JPS6092614A (ja) | 1983-10-27 | 1983-10-27 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6092614A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4969295A (en) * | 1988-08-08 | 1990-11-13 | Mazda Motor Corporation | Door structure of vehicle |
| JPH06216064A (ja) * | 1993-01-18 | 1994-08-05 | Nec Corp | Ａｌコンタクト構造およびその製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53166222U (ja) * | 1977-06-01 | 1978-12-26 | ||
| JPH0396234U (ja) * | 1990-01-23 | 1991-10-01 | ||
| JP2006192961A (ja) * | 2005-01-11 | 2006-07-27 | Seirei Ind Co Ltd | シート支持構造 |
-
1983
- 1983-10-27 JP JP58201316A patent/JPS6092614A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53166222U (ja) * | 1977-06-01 | 1978-12-26 | ||
| JPH0396234U (ja) * | 1990-01-23 | 1991-10-01 | ||
| JP2006192961A (ja) * | 2005-01-11 | 2006-07-27 | Seirei Ind Co Ltd | シート支持構造 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4969295A (en) * | 1988-08-08 | 1990-11-13 | Mazda Motor Corporation | Door structure of vehicle |
| JPH06216064A (ja) * | 1993-01-18 | 1994-08-05 | Nec Corp | Ａｌコンタクト構造およびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0476208B2 (ja) | 1992-12-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH03129818A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6092614A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR100449026B1 (ko) | 트렌치를 이용한 금속구조물 제조방법 | |
| JPS57145340A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JPH02117153A (ja) | 半導体素子の形成方法 | |
| JPS59132141A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR20000003647A (ko) | 반도체 소자의 소자분리절연막 형성방법 | |
| JP2007234889A (ja) | 配線の形成方法 | |
| JPH0150098B2 (ja) | ||
| JPS61172336A (ja) | 半導体装置電極開口部の形成方法 | |
| JPS63164338A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS61263138A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS583250A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR19980048790A (ko) | 반도체 소자의 메탈콘택 및 라인 형성방법 | |
| JPH02111052A (ja) | 多層配線形成法 | |
| JPS63237547A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH02170420A (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| KR960013140B1 (ko) | 반도체 소자의 제조 방법 | |
| JPS63122125A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS61296722A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS62274715A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6041243A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS63287034A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH03127827A (ja) | 半導体装置の製造法 | |
| JPH01145833A (ja) | 半導体装置の製造方法 |