JPS58182901A - 誘電体共振器の製造方法 - Google Patents
誘電体共振器の製造方法Info
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- JPS58182901A JPS58182901A JP6544382A JP6544382A JPS58182901A JP S58182901 A JPS58182901 A JP S58182901A JP 6544382 A JP6544382 A JP 6544382A JP 6544382 A JP6544382 A JP 6544382A JP S58182901 A JPS58182901 A JP S58182901A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P11/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing waveguides or resonators, lines, or other devices of the waveguide type
- H01P11/008—Manufacturing resonators
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、■HF帯から比較的低周波のマイクロ波帯に
使用して好適する誘電体フィルタに用いられる誘電体コ
アの金属皮膜形成方法に関する。
使用して好適する誘電体フィルタに用いられる誘電体コ
アの金属皮膜形成方法に関する。
従来、誘電体フィルタに用いられる誘電体コアの表面に
金属皮膜を形成する方法として、金属イーストラスクリ
ーン印刷、浸漬、筆等で塗布し焼成する方法が広く用い
られていた。
金属皮膜を形成する方法として、金属イーストラスクリ
ーン印刷、浸漬、筆等で塗布し焼成する方法が広く用い
られていた。
第1図(、)は、前記従来方法にょシ金属皮膜が形成さ
れた誘電体コアの構造を示す。第1図(b)及び(c)
は第1図(a)のA−A、’B−B断面構造を示すもの
である。このような異形構造を有する誘電体コアの金属
皮膜形成金、従来方法で行った場合は次の様な欠点を有
する。
れた誘電体コアの構造を示す。第1図(b)及び(c)
は第1図(a)のA−A、’B−B断面構造を示すもの
である。このような異形構造を有する誘電体コアの金属
皮膜形成金、従来方法で行った場合は次の様な欠点を有
する。
(1)第1図の内導体2及び外導体底面6について筆塗
りを行なった部分の膜厚は不均一で、−回の塗布で所定
膜厚4得ることは困難であり、数回の塗布を必要とし、
工程が繁雑になり、量産性に欠けるものであった。
りを行なった部分の膜厚は不均一で、−回の塗布で所定
膜厚4得ることは困難であり、数回の塗布を必要とし、
工程が繁雑になり、量産性に欠けるものであった。
(2) 誘電体コアを金属ペースト浴に浸漬して、必
要な部分に皮膜を形成するか又は浸漬後年必要な部分全
機械研削によシ除去する方法がある。この方法では、誘
電体コア底面に第2図に示すような及−ストの液溜り7
を生じ、焼成後の金属皮膜−にクラックを生じせしめる
原因となる。また誘電体の工、デ部8では、−に−スト
の液切れを生じ易く、電気的性質を低下させる原因とな
る。また、必要な部分に皮膜を形成するためマスクテー
プ全引き剥す場合、又は不必要な部分の機械研削による
除去は、必要部分の皮膜をも引き剥し又は研削除去して
しまう場合があシ、精度及歩留り低下の原因となる。ま
た、工法的にも手作業を主体とするもので自動化が困難
であり、量産性に欠けるものである。
要な部分に皮膜を形成するか又は浸漬後年必要な部分全
機械研削によシ除去する方法がある。この方法では、誘
電体コア底面に第2図に示すような及−ストの液溜り7
を生じ、焼成後の金属皮膜−にクラックを生じせしめる
原因となる。また誘電体の工、デ部8では、−に−スト
の液切れを生じ易く、電気的性質を低下させる原因とな
る。また、必要な部分に皮膜を形成するためマスクテー
プ全引き剥す場合、又は不必要な部分の機械研削による
除去は、必要部分の皮膜をも引き剥し又は研削除去して
しまう場合があシ、精度及歩留り低下の原因となる。ま
た、工法的にも手作業を主体とするもので自動化が困難
であり、量産性に欠けるものである。
本発明は、前記欠点を除去するためになされたものであ
る。
る。
本発明は、閉じた形状の金属ケースに、一端を自由端と
して他端が該ケースに短絡される所定長の内導体を有し
て共振器を形成する誘電体コアであって、前記誘電体コ
アの表面に無電解銅メッキにより下地金属皮膜を形成後
、電解銀メッキにより電極を形成して、前記電極以外の
下地無電解銅メッキを除去することを特徴とする誘電体
コアの金属皮膜形成方法である。
して他端が該ケースに短絡される所定長の内導体を有し
て共振器を形成する誘電体コアであって、前記誘電体コ
アの表面に無電解銅メッキにより下地金属皮膜を形成後
、電解銀メッキにより電極を形成して、前記電極以外の
下地無電解銅メッキを除去することを特徴とする誘電体
コアの金属皮膜形成方法である。
以下、実施例について図面を用いて詳細に説明する。
第3図は本発明を使用した誘電体コアを用いた誘電体フ
ィルタの構成図である。11は円柱中空部を有する誘電
体、12は誘電体11の円柱中空部内表面にメッキで形
成される内導体、13は誘電体の導体ケース10と接す
る側面にメッキで形成される外導体、14は誘電体の底
面にメッキで形成される外導体、15は誘電体上面にメ
ッキにより形成される励振・ぐターン、9は入出力端子
、16はフィルタ全構成する共振器である。各共振器1
6の共振周波数と各共振器間の結合量によ9周波数の選
択特性を有し、フィルタとして動作する。入出力端子9
より印加された電磁波はフィルタにより選択され伝送又
は減衰する。
ィルタの構成図である。11は円柱中空部を有する誘電
体、12は誘電体11の円柱中空部内表面にメッキで形
成される内導体、13は誘電体の導体ケース10と接す
る側面にメッキで形成される外導体、14は誘電体の底
面にメッキで形成される外導体、15は誘電体上面にメ
ッキにより形成される励振・ぐターン、9は入出力端子
、16はフィルタ全構成する共振器である。各共振器1
6の共振周波数と各共振器間の結合量によ9周波数の選
択特性を有し、フィルタとして動作する。入出力端子9
より印加された電磁波はフィルタにより選択され伝送又
は減衰する。
第4図は誘電体コアの金属皮膜の構成を示す断面図であ
って、17は無電解銅メッキにょ多形成された銅皮膜、
18は電解銀メッキにょ多形成された銀皮膜を示す。
って、17は無電解銅メッキにょ多形成された銅皮膜、
18は電解銀メッキにょ多形成された銀皮膜を示す。
以下、製造工程手順に従って説明する。
第5図(a)の焼結完了した誘電体コア1ノは、誘電体
コアを成形する際の成形型の金属粉、油等の付着物が、
後に形成する金属皮膜の密着力低下、無負荷Quの低下
につながる為、洗浄溶剤にょる超音波洗浄や煮沸洗浄及
びアルカリ洗浄等により誘電体コア表面の付着物を除去
し、さらに後に形成する金属皮膜の密着力を向上させる
ため、誘電体コア表面を酸により粗化する。
コアを成形する際の成形型の金属粉、油等の付着物が、
後に形成する金属皮膜の密着力低下、無負荷Quの低下
につながる為、洗浄溶剤にょる超音波洗浄や煮沸洗浄及
びアルカリ洗浄等により誘電体コア表面の付着物を除去
し、さらに後に形成する金属皮膜の密着力を向上させる
ため、誘電体コア表面を酸により粗化する。
第5図(b)は誘電体コア全表面に無電解銅メッキにて
、銅皮膜17全形成した状態を示すものである。ここで
、下地メッキとして無電解銅メッキを施した理由は、電
気伝導度が高く、形成皮膜の密着力が強く、安価でメッ
キ液の安定性にすぐれ、エツチング除去が容易である等
によるものである。
、銅皮膜17全形成した状態を示すものである。ここで
、下地メッキとして無電解銅メッキを施した理由は、電
気伝導度が高く、形成皮膜の密着力が強く、安価でメッ
キ液の安定性にすぐれ、エツチング除去が容易である等
によるものである。
実験結果によれば、銅皮膜の厚さによシ第6図に示す如
く誘電体コアの無負荷Quは変化し、銅皮膜が厚くなる
と無負荷Quは低下するので、銅皮膜の膜厚をある程度
以上に厚くすることはできない。さらに銅皮膜が薄い場
合は、後に行なう電解銀メッキのシアン浴中で銅皮膜が
溶解し、銀の形成皮膜が得られないかあるいは形成皮膜
の密着力が弱くなるため、実施例では銅皮膜厚を05〜
2μとして行った。
く誘電体コアの無負荷Quは変化し、銅皮膜が厚くなる
と無負荷Quは低下するので、銅皮膜の膜厚をある程度
以上に厚くすることはできない。さらに銅皮膜が薄い場
合は、後に行なう電解銀メッキのシアン浴中で銅皮膜が
溶解し、銀の形成皮膜が得られないかあるいは形成皮膜
の密着力が弱くなるため、実施例では銅皮膜厚を05〜
2μとして行った。
銅皮膜厚の膜厚制御は、メッキ時間、メッキ温度、メッ
キ液中の金属鋼濃度により行なった。また誘電体コア全
面に銅皮膜を均一に析出させるためには、メツ、キ液の
攪拌(たとえば空気攪拌)を行なうか、被メッキ物に揺
動4与えてやるとよい。
キ液中の金属鋼濃度により行なった。また誘電体コア全
面に銅皮膜を均一に析出させるためには、メツ、キ液の
攪拌(たとえば空気攪拌)を行なうか、被メッキ物に揺
動4与えてやるとよい。
第5図(c)は、誘電体コアに皮膜形成を必要としない
部分にレジストインク19をスクリーン印刷により塗布
し、マスキングをした状態を示すものである。レジスト
塗布を行なった部分には、後に行なう電解銀メッキによ
る銀皮膜は形成されず、レノストインクを取り去った後
直ちに銅皮膜の除去ができるようにしたものである。
部分にレジストインク19をスクリーン印刷により塗布
し、マスキングをした状態を示すものである。レジスト
塗布を行なった部分には、後に行なう電解銀メッキによ
る銀皮膜は形成されず、レノストインクを取り去った後
直ちに銅皮膜の除去ができるようにしたものである。
レノストインクは塗布及び剥離作業の容易性及び耐メッ
キ性からエポキシ系熱乾燥溶剤除去型レジストインクと
した。また、レジスト膜厚はピンホールを生じさせず、
後に形成される銀皮膜にオーバー・・ングを生じさせな
い様、銀皮膜の膜厚以−にに塗布すればよい。レノスト
インクの印刷はスクリーン印刷法を用い、印刷後80℃
、30分乾燥ヲ行ない。レノストインクの固化を計った
。
キ性からエポキシ系熱乾燥溶剤除去型レジストインクと
した。また、レジスト膜厚はピンホールを生じさせず、
後に形成される銀皮膜にオーバー・・ングを生じさせな
い様、銀皮膜の膜厚以−にに塗布すればよい。レノスト
インクの印刷はスクリーン印刷法を用い、印刷後80℃
、30分乾燥ヲ行ない。レノストインクの固化を計った
。
第5図(d)はレジストインク19f塗布しない部分す
なわち金属皮膜形成必要部の銅皮膜上に電解銀メッキに
よって銀の厚付は皮膜を形成した状態を示すものである
。この場合、メッキの電極を銅皮膜上−個所に接続する
ことにより金属皮膜形成必要部ノ8の全面に銀皮膜を形
成することができる。厚付皮膜形成用として電解銀メッ
キを施した理由は、膜厚制御が容易であり、銀皮膜は最
もすぐれた電気伝導度を有し、半田付性にすぐれ、後に
行なう銅皮膜のエツチング液に耐え得る等によるもので
ある。
なわち金属皮膜形成必要部の銅皮膜上に電解銀メッキに
よって銀の厚付は皮膜を形成した状態を示すものである
。この場合、メッキの電極を銅皮膜上−個所に接続する
ことにより金属皮膜形成必要部ノ8の全面に銀皮膜を形
成することができる。厚付皮膜形成用として電解銀メッ
キを施した理由は、膜厚制御が容易であり、銀皮膜は最
もすぐれた電気伝導度を有し、半田付性にすぐれ、後に
行なう銅皮膜のエツチング液に耐え得る等によるもので
ある。
銀皮膜1ミを誘電体コアに均一に密着よく形成するには
、メッキ液の攪拌または被メッキ物の揺動を行ない、低
電流密度で行ない、ストライク銀メッキを付加するとよ
い。
、メッキ液の攪拌または被メッキ物の揺動を行ない、低
電流密度で行ない、ストライク銀メッキを付加するとよ
い。
第5図(e)は、スクリーン印刷後乾燥固化したレノス
トインク19を洗浄溶剤(例えばトリクロロエチレン)
によシ溶解除去した状態を示し、皮膜形成不要部の銅皮
膜17が現われた状態を示すものである。レノストイン
クを、洗浄溶剤により溶解除去する場合、超音波を付加
すれば除去する効率は高まり短時間で除去することがで
きる。
トインク19を洗浄溶剤(例えばトリクロロエチレン)
によシ溶解除去した状態を示し、皮膜形成不要部の銅皮
膜17が現われた状態を示すものである。レノストイン
クを、洗浄溶剤により溶解除去する場合、超音波を付加
すれば除去する効率は高まり短時間で除去することがで
きる。
第5図(f)は、残存する銅皮膜17をエツチング液(
例えば、塩化第2鉄液)により溶解除去した状態を示し
、誘電体コアの皮膜形成不要部に誘電体の素地が現われ
、誘電体コアの金属皮膜形成が終了した状態を示すもの
である。
例えば、塩化第2鉄液)により溶解除去した状態を示し
、誘電体コアの皮膜形成不要部に誘電体の素地が現われ
、誘電体コアの金属皮膜形成が終了した状態を示すもの
である。
工、チッグ方法はエツチング液中に誘電体コアを浸漬す
るか、エツチング液をシャワー状に吹き付ける方法によ
ってもよい。工、チッグが不充分で誘電体コア素地上に
銅皮膜が残存した場合、Quが低下することが確認され
、そのため完全に銅皮膜を除去することが必要である。
るか、エツチング液をシャワー状に吹き付ける方法によ
ってもよい。工、チッグが不充分で誘電体コア素地上に
銅皮膜が残存した場合、Quが低下することが確認され
、そのため完全に銅皮膜を除去することが必要である。
以上の方法により皮膜形成された誘電体コアは湿式法で
皮膜形成されるため、誘電体コア上に水分を含有する。
皮膜形成されるため、誘電体コア上に水分を含有する。
この水分の影響により皮膜形成直後の無負荷Quは低い
値を示す。
値を示す。
実施例によれば、第7図に示す如く加熱乾燥捷たは真空
加熱乾燥を行なうことにより無負荷Quは復帰向上し高
い値を示すことになる。実施例では、皮膜形成後に、1
50℃、1時間、20 mmHg条件下で乾燥を行なっ
た。
加熱乾燥を行なうことにより無負荷Quは復帰向上し高
い値を示すことになる。実施例では、皮膜形成後に、1
50℃、1時間、20 mmHg条件下で乾燥を行なっ
た。
以上説明したように、本発明では、誘電体コア上に形成
された金属皮膜は膜厚が均一で、誘電体コアと銅皮膜の
密着力は0.2 kζ2を有する。また、規格を充分満
足する高熱負荷Q、l有し、すぐれた電気特性を示し、
耐振動性、耐衝撃性の良い誘電体フィルタを構成するこ
とができる。また、誘電体コアの生産性は向上し、誘電
体フィルタのコスト低減が可能となる。
された金属皮膜は膜厚が均一で、誘電体コアと銅皮膜の
密着力は0.2 kζ2を有する。また、規格を充分満
足する高熱負荷Q、l有し、すぐれた電気特性を示し、
耐振動性、耐衝撃性の良い誘電体フィルタを構成するこ
とができる。また、誘電体コアの生産性は向上し、誘電
体フィルタのコスト低減が可能となる。
第1図は従来の誘電体コアの斜視図及び断面図、第2図
は従来の製造方法によった誘電体コアの部分断面図、第
3図は誘電体フィルタの構成を示すためのフタを省略し
た平面図及び断面正面図、第4図は本発明による誘電体
コアの部分断面図、第5図は本発明の製造工程図の例、
第6図は銅皮膜厚さと無負荷Quの関係図、第7図は乾
燥時間と無負荷Quの関係図である。 1ノ・・誘電体、12・・内導体、13・・・外導体、
ノア・・・誘電体に形成された銅皮膜、18・・・銅皮
膜上に形成された銀皮膜、19・・・レジスト皮膜。 第2図 第3図 第4図
は従来の製造方法によった誘電体コアの部分断面図、第
3図は誘電体フィルタの構成を示すためのフタを省略し
た平面図及び断面正面図、第4図は本発明による誘電体
コアの部分断面図、第5図は本発明の製造工程図の例、
第6図は銅皮膜厚さと無負荷Quの関係図、第7図は乾
燥時間と無負荷Quの関係図である。 1ノ・・誘電体、12・・内導体、13・・・外導体、
ノア・・・誘電体に形成された銅皮膜、18・・・銅皮
膜上に形成された銀皮膜、19・・・レジスト皮膜。 第2図 第3図 第4図
Claims (1)
- 閉じた形状の金属ケースに、一端を自由端として他端が
該ケースに短終される所定長の内導体を有して共振器を
形成する誘電体コアであって、前記誘電体コアの表面に
無電解銅メッキにより下地金属皮膜を形成後、電解銀メ
ッキによシミ極を形成して、前記電極以外の下地無−電
解銅メ′ツキを除去すること全特徴とする誘電体コアの
金属皮膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6544382A JPS58182901A (ja) | 1982-04-21 | 1982-04-21 | 誘電体共振器の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6544382A JPS58182901A (ja) | 1982-04-21 | 1982-04-21 | 誘電体共振器の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58182901A true JPS58182901A (ja) | 1983-10-26 |
| JPS6333323B2 JPS6333323B2 (ja) | 1988-07-05 |
Family
ID=13287277
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6544382A Granted JPS58182901A (ja) | 1982-04-21 | 1982-04-21 | 誘電体共振器の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58182901A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5234562A (en) * | 1988-11-07 | 1993-08-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electroplating apparatus for coating a dielectric resonator |
| US7698842B2 (en) | 2002-01-31 | 2010-04-20 | Volkswagen Ag | Sign, especially a number plate for a motor vehicle |
| EP2940783A1 (en) * | 2014-04-30 | 2015-11-04 | Huawei Technologies Co., Ltd. | Tem mode dielectric filter and manufacturing method thereof |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54108554A (en) * | 1978-02-13 | 1979-08-25 | Murata Manufacturing Co | Dielectric resonator |
-
1982
- 1982-04-21 JP JP6544382A patent/JPS58182901A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54108554A (en) * | 1978-02-13 | 1979-08-25 | Murata Manufacturing Co | Dielectric resonator |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6333323B2 (ja) | 1988-07-05 |
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